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Chip gesucht
5V, zur Versorgung der Gate-Treiber). 13 LODRV Low-Side Gate-Treiber-Ausgang für den Low-Side MOSFET des Buck-Wandlers. 14 SW Schaltknoten des Buck-Wandlers. 15 HIDRV High-Side Gate-Treiber-Ausgang für den High-Side MOSFET des Buck-Wandlers. 18 VCC Versorgungseingang (typischerweise von der
SENS System-/Batteriespannungs-Messeingang. 26 BGATE Gate-Treiber-Ausgang für den Battery-Gate-MOSFET. 27 BATMON Batterie-Entladestrom-Überwachung (Analogausgang). 28 CMON Ladestrom-Überwachung (Analogausgang). 29 CSON Strommess-Ausgang für die Ladestrommessung (zum Messwiderstand). 32 VOUT
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Wer kennt dieses Bauteil (A2747)
UPA2724 Mosfet https://www.renesas.com/en/document/dst/upa2724ut1a-data-sheet
Thomas W. schrieb im Beitrag #7987725: > UPA2724 Mosfet > https://www.renesas.com/en/document/dst/upa2724ut1a-data-sheet Danke für die schelle Antwort :-)
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BD9615 (flyback) startet nicht zuverlässig
erzeugen, 6V und 12V. Der erste Part ist meine Startup-Schaltung. mit dem TL431 und dem Depletion-mosfet erzeuge ich hier eine stabile Startspannung für VCC vom Controller. Nachgemessen, dort liegen unabhängig von der Eingangsspannung Vin (von 7V bis 12V getestet) stabile 4.31V an. Dies sollte mehr als
Einschaltvorgang Fehler](scope4.png) Gelb = VStartup (VCC) Cyan = Ausgangsspannung 12V Rail Violett = Mosfet-Gate Blau = Eingangsspannung Man sieht, sobald die Schwellenspannung überschritten wurde, schaltet der Chip kurz ein, gibt einen langen Puls (5ms, also recht viel Stromaufbau) auf den Mosfet. Sobald
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Wie wird ein TO-50-Transistor auf einem Steckbrett angebracht?
Isolationsfräsung für den PA-Transistor. Am Ende wurde es dann eine simple Klasse-C-PA mit einem RD06HHF1 (MOSFET).
dicken Anschlusskabel. Und dann sah ich wieder auf diese kleinen, dünnen Anschlussbeinchen des MOSFETs. Also, 40A! können daher nur impulsweise in dieses kleine Bauteil geschickt werden, wobei die Impulse sehr kurz sein müssen. Nur so kann ich mir die Stromlast von 40A! erklären.
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Problem mit DCF77 Empfänger, Signal passt nicht
Prozessors gehängt und betreibe mit einem > anderen die LED. Nunja, andere würden einfach einen LL-MOSFET nehmen. Aber OK, es geht natürlich auch so.
schrieb im Beitrag #8090905: > Thomas S. schrieb: > (..) >> Nunja, andere würden einfach einen LL-MOSFET nehmen. > > Für FET ist die Luft recht dünn, wenn man nur 3 Volt fährt. LL-Mosfets für Ugs <3,3V gibt es genug, nur halt nicht in THT. IRLML2502 wäre geeignet. > Das muss jetzt nicht der drölfunschwanzichste
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Germanium-Halbleiter auf einer Platine fixieren
beginnen. Sie können wirklich, bis auf wenige Ausnahmen, durch modernere Siliziumtransistoren, bzw. MOSFET's ersetzt werden. Interessant wird es hingegen im HF-Bereich, der ja lange Zeit noch von der alten Röhrentechnik dominiert wurde. Die alten klobigen, teuren Röhren können heutzutage gottseidank
Erfolgserlebnissen. Michael H. schrieb im Beitrag #8033906: > ohnehin erst mit einem Silizium-FET oder -MOSFET > möglich, Der erste Transistor soll ja ein FET (JFET?) gewesen sein, vielleicht war der noch mit Germanium gemacht.
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[Suche] Entwickler für 12V Kfz-Hochstrom-Schaltung (300–400A Peak, Starthilfe)
zugänglich ist. Darin ist außer etwas Hühnerfutter ein KFZ Hochlastrelais. Die haben es auch nicht mit MOSFET gemacht und werden vermutlich ihre Gründe haben.
Echt jetzt? Wenn dem nicht so wäre, wären zum Beispiel ein ATtiny13, zwei bis vier AOTL66608 (N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 60V; 400A; Idm: 1000) und etwas Hühnerfutter ausreichend.
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Bitte überprüfen: 5V Netzteil für EPS32 im KFZ
Olli Z. schrieb im Beitrag #7991726: > der P-Channel Mosfet als > Verpolschutz wirken. So aber nicht.
gegen Bordnetzstörungen dienen, die > TVS Überspannungen (Load-Dump) abfangen und der P-Channel Mosfet als > Verpolschutz wirken. Mindestens 47uF und den MOSFET kannst du weglassen, die Transil schützt schon vor Verpolung. Aber 16V sind knapp, eher 27V.
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Problem mit dem Funkuhrbausatz von Sol-expert
ist es, dass das Empfangsmodul, von dem kein Schaltplan existiert, kaputt ist? (Wenn im Eingang MOSFETs sind, dann wäre dies nicht erstaunlich) Könnte ich es durch ein neues Funkuhrmodul wie das von Pollin ( https://www.pollin.de/p/dcf-empfangsmodul-dcf1-810054 ) ersetzen? Ich habe übrigens einige
Eingangstransisors beim DCF77-Modul durch statische Aufladung. Ich weiß nicht, ob das DCF77-Modul MOSFETs verwendet und die Verpackung war eine einfache Plastikfolie mit Luftkissenfolie.
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Hilfe bei Identifikation eines SMD Bauteil (ggf.Transistor)
dann > kann man weiter sehen. Ja genau das war mein Plan bis ich festgestellt habe, dass der Mosfet an alle 3 Pins Durchgang hat. Habe Ihn jetzt von der Platine gelötet und nochmal gemessen. Gleiches Ergebnis. Leider ist der P-Kanal Mosfet SI2337ds nicht mehr so richtig lieferbar. Bezahlbar scheinbar
im Beitrag #8067426: > Ich würde da schamlos einen Tantal-Elko einlöten. Naja, da ist ein 80V MOSFET im Einsatz.
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Hilfe bei CMOS Testschaltung
Ausgänge Q0 bis Q23 nacheinander für je eine Sekunde High werden. Diese steuern dann kleine N-Kanal MOSFETS 2N7000, aber das ist nebensächlich. Funktioniert die Logik, so dass das System jeweils mit Q0 startet? Stimmt der ein Sekunden Takt? Werden alle Ausgänge Low wenn der Schalter offen ist? Ja der
Vorderseite enthält nur die Taster, den DIP-Switch und ein Voltmeter. Die Rückseite die Elektronik mit den Mosfets zur Simulierung der Taster. Die 12V kommen von Außen und hier sind nur eine Drossel und zwei Cs.
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MOSFET-Eigenleben, LED Treiberschaltung
Siehst Du die Dioden in den Mosfets?
Schaltplan der Platine. (nur das linke "rail" ist bisher korrigiert mit Pull-up/downs und dem gedrehten MOSFET) Zusätzlich habe ich noch Netzteil -- Sicherung --- (LED Band-5V + Klemme x21 der Platine)
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Wechselrichter mit Zeitschaltuhr / Abschaltautomatik
einen Ein-Aus-Schalter. Einfach eine Leitung an den Schalter anlöten und die mit einem Relais oder MOSFET schalten. Bei mir macht das ein ESP32 mit Relaisboard.
multifunktionales-zeitrelais-programmierbar-12v Den Teil mit dem Relais ersetzt Du durch eine Schaltung mit einem 150-200A Mosfet: https://www.reichelt.de/de/de/shop/produkt/mosfet_p-ch_100v_170a_890w_0_012r_to264aa-257229?PROVID=2788
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Spannungsteiler an Gate von NMOS
genau das nicht tun kann, wofür er eingebaut wurde: im Notfall den Mosfet abschalten.
Störstrahlungsreduzierwiderstand. Nicht in Verbindung mit dem gezeigten BSS123. Und auch mit einem fetten MOSFET bewirkt der Widerstand nur dann etwas, wenn der MOSFET niederohmig (also über einen Gate-Treiber) angesteuert wird. Wenn die Steuerung hingegen über einen CMOS-Ausgang erfolgt, hat die Ausgangsstufe
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3.3 Volt vs 5 Volt
dennoch ist der für dein Problem eine mögliche Lösung: https://koblents.com/Ches/Original-Work/72-Mosfet-Bidirectional-Level-Shifter/
ist der für dein Problem eine mögliche Lösung: > > https://koblents.com/Ches/Original-Work/72-Mosfet-Bidirectional-Level-Shifter/ Vielen Dank Markus, werde ich mir ansehen. Grüße, Stefan
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Wie kommt die Schaltspannugn eines MOSFETs zustande
Fet, manchmal jenen. Und die Hersteller bauen das, was gekauft wird. Beileibe nicht immer will man Mosfets, die schon ab 1V leitend werden. Technische Probleme gibt es erst bei z.B. Logiklevel-Fets, die 100V und mehr können. Zumindest bei Si-Fets ist das so.
4V bis 8V gelten, hangt von den anderen Prozessparametern wie Oxiddicke ab. Und spannungsfeste MOSFETs wollen dickeres Oxid, daher gibt es kaum LogicLevelMOSFETs über 100V und 3.3V MOSFETs über 30V.
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stromsparende Schaltung fürs Auto
Mikrocontroller aufwecken, siehe [[Sleep Mode]]. Der kann dann, den RFID-COntroller ansteuern und per MOSFET (P- oder N-KANAL) die Last schalten und sich nach getaner Arbeit wieder schlafen legen. Für die Stromversorgung braucht man einen Spannungsregler mit sehr kleinem Eigenverbrauch, siehe https:/
soll den Touchsensor simulieren, der 100-Ohm-Widerstand als Ladestrombegrenzung für das Gate des MOSFETs und der 100µF-Elko, um das Gate einige Zeit offen zu halten, bis der 100k-Widerstand das Gate wieder entladen hat. Der MOSFET aktiviert den Spannungsregler (gab nur den LM317 bei falstad). Als MOSFET
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ESP32-C6 an 18650 Akku betreiben
sehr gute DC-DC Step-Down Wandler (z.B. TPS62840) die auch 0V Dropout können, indem einfach der MOSFET auf 100% Duty-Cycle geschaltet wird und somit die Akkuspannung fast direkt (über die Induktivität) am Ausgang anliegt. Olli Z. schrieb im Beitrag #7964085: > möglichst lange Verträgt sich sowieso
vermutlich den Akku nur bei einer Messung zum Spannungsteiler/ADC zu führen? Z.B. mit einem kleinen Mosfet dessen Gate von einem IO-Pin gesteuert wird. IOs habe ich ja genug und dann fließt nur Strom während einer Messung. Die muss man ja auch nicht all zu oft machen, alle 10 Minuten würde ja reichen?
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PCB-Controller für 3D-Drucker Geeetech Mizar S
und versuchen, die Stelle zu finden, an der ich die Drähte direkt auf der Platine in der Nähe des MOSFET für die Heizung anschließen kann. Es handelt sich um ein GT-FM-Mizar V0.0-Motherboard. Sagen Ihnen die Pins T0 und T1 etwas? Das wäre alles.
Thermistor-Platine und dem kaputten Thermistor-Anschluss machen 3) Der Thermistor wird nicht an den MOSFET für die Heizung angeschlossen!!! 4) Vorschlag: Beim Hersteller nach einem Ersatzteil fragen, die Reparatur ist wahrscheinlich zu schwierig.
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Mittelgute Steuerung für einen Peltier
Folgende Optionen hab ich mir schon überlegt: 1. DCDC Buck converter auf 4V, und dann mit Mosfet an / aus wenn Temp. Sensor über / unter Temperatur ist. --> Ein wenig ungenau, PID steuerung wäre dann doch ganz nett. 2. Steuerung des Stroms mit Entwicklerboard via I2C o.Ä., sowas in die Richtung
Jonathan schrieb im Beitrag #7969201: > 1. DCDC Buck converter auf 4V, und dann mit Mosfet an / aus wenn Temp. > Sensor über / unter Temperatur ist. --> Ein wenig ungenau, PID steuerung > wäre dann doch ganz nett. Was hält dich davon ab, das Peltier mit PWM zu regeln?
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100A Fet zum schalten von 100mA nutzen?
Loco M. schrieb im Beitrag #8047117: > Dicke MOSFETs benötigen für ihre niedrigen > RDSon Werte meist höhere Ugs, Unsinn.
es weniger um Naturschutz und mehr um Wärmeableitung. Je kleiner Rds(ON), umso weniger Wärme von MOSFET abzuleiten.
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Review erbeten: Synthesizer mit RP2350, 2× AAA, ohne USB Erstentwurf, kein Elektronikhintergrund
12-MHz-Quarz Stromversorgung: 2× AAA → TPS61023 Aufwärtswandler auf 3,3 V, Verpolschutz über P-MOSFET Kein Schalter: Ein/Aus über eine Zwei-Transistor-Haltestufe am Enable des Wandlers, eingeschaltet durch die PLAY-Taste, ausgeschaltet durch die Firmware Kein USB: Programmierung über 3-polige SWD-Leiste
TPA6132A2 als Kopfhörerverstärker, dazu 27-mm-Piezo über Schaltkontakt der Buchse Audioteil über P-MOSFET-Lastschalter abschaltbar Wo im Moment Probleme zu erwarten sind (und bitte verzeiht mir, dass ich hier die KI sprechen lasse): 1. Die Haltestufe. PNP am Enable, NPN hält ihn über einen GPIO,
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Schaltung für Linearverstärker
mich dafür entschieden einen Apex Verstärker mit Buffer zu benutzen. Damit ich in der SOA der Mosfets bleibe habe ich die parallel geschaltet. Jeder einzelne Mosfet hat eine Strombegrenzung bekommen. Meine Frage ist nun, ob das ein Deisgn ist, was üblich ist. Wie wird sich die Slew Rate verhalten
Die AC analyse gibt mir 83kHz 3dB Bandbreite Das halte ich für unmöglich. Die ganzen parallelen Mosfets werden schließlich nur von R50 bzw. R51 mit Gatestrom (max. 1,5mA) versorgt, es ist nicht der OPV der den Gatestrom liefert.
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China Master-Slave-Switch - was geht kaputt?
auftreten. In dem Zerlegevideo ist auch zu erkennen, dass in der Kiste der Ausgang mit nur zwei MOSFETs, aber ohne Schutzbeschaltung realisiert wurde. Also Schrott.
würde es Sinn machen hier zusätzlich was zur Entstörung einzufügen? Was mich wundert - die Mosfets scheinen ja noch zu funktionieren, es schaltet halt bei Last ca. jede halbe sec kurz an
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Thermisches Management für MOSFETs
ausgelegt, ich möchte den IC aber bis 18 A und 18 V nutzen. Ich habe ausgerechnet, dass einer der Mosfets im Worst-Case ca. 2 W an Verlustleistung verbrät. ### Das eigentliche Problem / die philosophische Frage: Ich habe ein Board entworfen mit ISZ0702NLSATMA1 als (High- und Low-Side-)MOSFET. Der
Design habe ich bemerkt, dass die Wärme wohl nicht so gut in die Kupferfläche fließt. Während der MOSFET glühend heiß ist, fühlt sich die angrenzende Kupferfläche gerade mal handwarm an. Beim letzten Test ist mir der MOSFET kaputt gegangen. Jetzt wäre meine erste Idee, einfach einen größeren MOSFET
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Nahaufnahme einer grünen Leiterplatte mit ICs
MOSFET_defekt.png
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Diagramm der Transferkennlinie eines MOSFETs
10^2 25 °C 10^1 175 °C 20 µs Pulse Width V_DS = 50 V 4 5 6 7 8 9 10 I_D, Drain Current (A) V_GS, Gate-to-Source Voltage (V) 91021_03 Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics
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Schaltplan einer elektrischen Schaltung mit MOSFETs
P(avg): 6.00 W TK2 R1 50Ω C1 1uF Q1 BSS138P TK3 P(avg): 125 mW V1 8V Q2 BSS138P C2 1uF R2 50Ω TK1 P(avg): 6.00 W V2 50Vpk 10MHz 0°
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Li Ionen Ladegerät Balancer
; R166 67,2kOhm Was steht denn drauf auf dem R166 ? "683" ? Q15-17 Sind Transistoren (evtl Mosfets) zum (vermutlich) Schalten der Eingänge an die Meß-Weiterverarbeitung.
wieder den, von den anderen Widerständen abweichenden, Wert an. > Q15-17 Sind Transistoren (evtl Mosfets) zum (vermutlich) Schalten der > Eingänge an die Meß-Weiterverarbeitung. --> gut zu wissen, kann ich die mit "Hausmitteln" auch irgendwie auf Defekt prüfen? Wenn ja, wie?
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Fehler "E6" bei Laufband (Maxxus TX7.3)
Oder zwei MOSFETs aus der gleichen Charge. Die teilen sich den Strom evtl. besser als zwei IGBTs.
Ben B. schrieb im Beitrag #7988298: > Oder zwei MOSFETs aus der gleichen Charge. Die teilen sich den > Strom > evtl. besser als zwei IGBTs. Sind halt üblicherweise deutlich teurer.
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PV Simulator für Batteriebetrieb von Hoymiles & Co
..." meinte ich keinen klassischen ohmschen Widerstand. Ich meinte einfach einen PWM gesteuerten MOSFET als "Vorwiderstand" zwischen Batterie und HM. Ev könnte man damit die Leistungsaufnahme des HM verlustarm steuern (ev. verlustärmer als mit einem DCDC?). Der HM hat an den Solareingängen bereits Kondensatoren
meinte ich keinen > klassischen ohmschen Widerstand. Ich meinte einfach einen PWM > gesteuerten MOSFET als "Vorwiderstand" zwischen Batterie und HM. Das ungefähr hat Bernd ja gemacht, nur dass der noch eine Spulen zum Glätten der Strompulse in Reihe geschaltet hat, da der Wechselrichter sicherlich
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SMD-MSOP10-Platinprojekt in Eigenfertigung mit bestelltem Belichtungsfilm
reduce inductive ringing: • In SEPIC configuration, the high di/dt loop contains the power MOSFET, sense resistor, output capacitor. [/pre] Und natürlich ist auch die Spule fernab von dem, was der Hersteller für die Induktivität vorschlägt.
allerdings eine bessere Gesamtkühling der Platine.Wenn die Berechnungen stimmten ist aber an meinem Mosfet durch den geringen Schaltwidersstand von 8mOhm kaum Verlust,da wird nix warm bis jetzt.Höhere Ausgangsleistungen bis 2 Ampere waren mal angedach,das müsste ich dann noch testen.:)
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IC "IOR409M" gesucht.
"International Rectifier" (gehört jetzt zu Infineon), zwischen den Buchstaben das Logo. Sind MOSFETs IRF7103. Du solltest natürlich noch irgendwie klären, *warum* es die geschossen hat.
Bild rot eingekreist markiert Ergänzende Frage wäre noch, warum sie zerstört wurden. Ein 3 A-MOSFET verträgt keinen gewaltigen Strom. Ist der Motor noch gesund? Strom gemessen?
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LED Treiber Platine von Moving Heads, schaltet mal, mal nicht
leuchtet. Die Frage ist jedoch welches Bauteil auf der Platine könnte nun kaputt sein? Ist es der MOSFET irfz44n oder liegt es vielleicht an der Ansteuerung des Mosfet? Was sollte ich ggf. Zuerst versuchen zu tauschen? Grüsse Guido
Guido G. schrieb im Beitrag #8048177: > Ist es der MOSFET irfz44n oder liegt es vielleicht an der > Ansteuerung des Mosfet? Das kann man doch messen.
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Serienfehler Lidl/Parkside X20 Ladegerät?
Spendiere Deinem neuen MOSFET bei der Gelegenheit doch auch gleich noch einen Kühlkörper.
Beitrag #8061035: > 2,5W Verlustleistung werden da allerdings wirklich nie erreicht...... Kann der MOSFET ja auch nur für ganz kurze Zeit.
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Hilfe bei Netzteilreparatur 1200 W
Trennstelltrafo betrieben. Damit läuft es. Mir ist jedoch die recht hohe Induktionsspannung am Highside-MOSFET aufgefallen (267 V bei einer Zwischenkreisspannung von 136 V). Eigentlich müßte die doch über die Freilaufdiode des Lowside-Transistors in den Zwischenkreis abgebaut werden, wenn ich das richtig verstehe
Schaltnetzteil ICs mit intergriertem Transistor 650V Spannungsfestigkeit. Einen Versuch mit spannungsfesteren MOSFET aus zuverlässiger Quelle (TME, LCSC, Mouser, Digikey) würde ich noch unternehmen.
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E-Paper Schaltplan
jetzt mit dem ESP + SD-karte + E-Paper von max 500 mA ausgegangen) - Verpolungsschutz mit P-Kanal-Mosfet - Batteriemessung auch zuschaltbar. - 2 Buttons mit Hardwareentprellung Beim schreiben fällt mir gerade noch ein, dass ich die Spannungsversorgung des E-Paper-Displays wie bei der abschaltbar
Das verstehe ich aber nicht ganz. Nach meinem Verständnis schaltet der Mosfet durch, wenn die Spannung am Gate niedrieger ist, als an Source. Da die Batterie bei mir ans Source angeschlossen ist, ist ja der Fall, wenn die Batterie richtig herum ist. Ist sie Falsch herum eingelegt
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USB-Ports durchschalten über 3. Port
etwas zu groß und lässt sich schlecht unterbringen, daher suche ich eine Lösung/Schaltung mit IC's/MOSFET.
Schaltung gefunden, die auch funktioniert. Jetzt werde ich überlegen ob ich die Relais- oder die MOSFET-Lösung wähle. Ich bedanke mich für anregende Beiträge, die geholfen haben Ideen zu entwickeln und schließe hiermit das Thema.
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Hilfe mit MOSFET Datenblatt
https://electronics.stackexchange.com/questions/552932/mosfet-on-state-characteristics
H. H. schrieb im Beitrag #7980531: > https://electronics.stackexchange.com/questions/552932/mosfet-on-state-characteristics Danke für die Antwort. In dem von dir verlinkten Beitrag passen die numerischen Angaben recht gut mit den Kurven zusammen. In meinem Datenblatt eben nicht.
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To220 aus Vehicle Information Center
InfoCenter seinen Geist aufgegeben. Auf der Platine befindet sich ein T0220 Bauteil welches ich als MosFET vermute... Evtl hat jemand eine Idee was es sein könnte. Online konnte ich nichts finden. Bin über alle Vorschläge und Ideen froh.
Dennis K. schrieb im Beitrag #8017767: > welches ich als MosFET vermute... Dennis K. schrieb im Beitrag #8017783: > Hmm keine Chance das irgendwas alternativ einzusetzen? Nach Vermutungen Teile tauschen, klingt nicht so recht nach systematischer Fehlersuche
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Polwendeschaltung mit Relais in besser gesucht
sein? Es gibt fertige Motorcontroller mit Vor und Rückwärtsgang und Drehzahsteuerung die mit Mosfets funktionieren. Da kann preislich kein Relais mithalten. Sowas zum Beispiel https://a.aliexpress.com/_EQXjb76 Gibt es in zahllosen Varianten.
Flyback brennen die Kontakte ab bzw fest. Wenn Du lastfrei schaltest, also den Motor mit einem MOSFET spannungsfrei machst, bevor das Relais öffnet, dann sollte es reichen.
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Was ist das für ein Bauteil und wo bekomme ich es?
Schau doch mal, ob der als Gatetreiber für MOSFETs dient.
H. H. schrieb im Beitrag #8099731: > Schau doch mal, ob der als Gatetreiber für MOSFETs dient. Hast du die Möglichkeit zu messen? Hast du ein Digitalmultimeter? Mario L. schrieb im Beitrag #8096029: > Ich habe zum Glück noch ein zweites Gerät hier, und konnte so zumindest >
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Küchenwaage ohne Funktion
Leiterbahnen zu verfolgen um an mögliche andere Bauteile (Wandler) zu kommen. Vermutlich ist ein Mosfet, Diode oder ggf. ein Kondensator die Ursache. SMD-Bauteile mit 2 oder 3 Anschlüssen lassen sich noch problemlos auslöten. Natürlich kann auch einer der Chips die Ursache sein. Da würde ich, und
langsam immer weiter absinkend über die > nächsten Minuten. Dann ist die Selbsthaltung mit einem MOSFET/Transistor vor dem BL8028 realisiert und funktional. Da Du zuvor einen recht kleinen Widerstand auf der 3,5V Seite gemessen hast wird der Kurzschluss hinter dem BL8028 liegen.
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solarmax DC-DC-Konverter, Serienfehler, Hilfspannung
ich das Netzwerk skizziert (SiC-MosFets Ansteuerung, 700V Kreis). Interessanterweise werden die MosFets nur über den Ladestrom einer Kapazität eingeschaltet. Ich habe aber wirklich keinen weiteren Widerstand gefunden. Die beiden antiseriellen Dioden werden Zeners sein. Ich weiss nicht, mit welcher
da solarmax einen 100V-Step-Down genommen hat, wird der wohl die Batteriespannug runterregeln. Mosfets 700V-Seite: SCT2280 50V-Seite: 023N10N Stromsensor 700V: 0.05Ohm-Shunt an den Eingangsklemmen, dann ist nochmal ein LEM CASR6 zwischen einem Brückenzweig und dem Trafo; ebenfalls auf
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Überspannung die 4. - Kaffevollautomat Widerstand vor Varistor
... Vielleicht mal prüfen ob S und D vom LNK in beide Richtungen Durchgang hat. Dann wäre der Mosfet im LNK durchlegiert. Spart Widerstände und verhindert ggf. das der Trafo noch durchbrennt.
hab ich den FB-Pin nochmal abgetrennt. Weiterhin am BP-Pin nur 2,8V. Laut Datenblatt ist der power MOSFET inaktiv, wenn BP < 4,8V. Also kann da gar nichts passieren. Meiner Meinung nach müßten die 5,8V am BP doch in jeden Fall anliegen? Hab ich jetzt schon wieder einen defekten "neuen" LNK bekommen?
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[VS] 5 Stk. Riesen-LDR
Man kann sich aus einem LDR einen MOSFET (besser: IGFET) bauen: http://sparkbangbuzz.com/cds-fet/cds-fet.htm Hier gibt es eine Optimierung, bei der das Gate durch eine Kupferfolie ersetzt wurde: https://piotr-gorecki.pl/e069-czy-mozna-zrobic-mosfet-a-w-warunkach-domowych
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Wofür verwendet man 1 nF Kerkos?
Zum Beispiel um kritische Signale an MOSFET-Gates, Controllereingängen, usw. robuster gegen Störungen zu machen oder als Gleichtaktfilter (zwei Stück gegen GND) vor einem Instrumentierungsverstärker damit das Gegentakt-Nutzsignal nicht zu stark
www.infineon.com/assets/row/public/documents/10/49/infineon-bts4140n-datasheet-en.pdf gestolpter ist ein MOSFET welcher aber einen dauerhaften Strom am Eingang benötigt also nicht nur zum umladen der Gatekapazität, soll warscheinlich genau das verhindern was du beschreibst.
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Mosfet Ersatz SG318
Hallo, ich suche nach Ersatz für Defekte Mosfets auf der Platine eines Steuergerät aus dem Kfz Bereich. Die Aufschrift ist: S G 1233 S BSP318 Kann mir da jemand weiterhelfen? Grüße Gary
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Sonos Play:5 Reparatur Bauteile gesucht
https://de.farnell.com/diodes-inc/dmn3404l-7/mosfet-n-kanal-30v-5-8a-sot-23/dp/1858601 https://de.farnell.com/diodes-inc/dmp3056l-7/mosfet-p-kanal-30v-4-3a-sot23/dp/3127362 MOSFET N-Kanal >30V: https://de.farnell.com/w/c/gleichrichter-transistoren-thyristoren-dioden/fets/einfache-mosfet?bauform-transistor=sot-23%7Csot-23f&drain-source-spannung-vds=40v%7C50v%7C55v&kanaltyp=n-channel%7Cn-kanal MOSFET P-Kanal >30V: selbst suchen, n-kanal im Link durch p-Kanal ersetzen doer die parametrische
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Frage zu BLDC-Motor
Die 1000W sind dann auch weithergeholt. https://www.lmingmotor.com/9mosfet-4860v-25-28a
weithergeholt. Für die Nähmaschine wirds locker reichen. > https://www.lmingmotor.com/9mosfet-4860v-25-28a Und?
