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Toniebox T1 komplett verschmort - aber worum handelt es sich?
69788/KEC/KTC3121.html 720 würde ich für 72? 2N7002 FormosaMS SOT23=SC59 N-Channel SMD MOSFET https://www.formosams.com/upload/product/Mosfets/2N7002_REV_L.PDF 72? 2N7002 Makosemi SOT23=SC59 Small Signal MOSFET Transistor https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/648895/MAKOSEMI
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Treppenlichtautomat Eltaco ER61-UC
wiederholt.) ciao gustav P.S.: Einzelteile: Ein PIC Microcontroller PIC12F675, ein Power Mosfet IRFR420, ein einspuliges "retournierbares" Relais DE1a1b-L-4.5V Das Relais soll vom Taster am Klingeltableau aus den "normalen" Treppenlichtautomaten triggern. Über die Funktion wurde hier ja schon
wieder ein, und schaue mal, was da so passiert. Die Mimik mit den vielen VDRS, Transistoren und Mosfet dient IMHO dazu, den Triggerspannungsbereich von 8-230V DC/AC hinzubiegen. ciao gustav
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SMD Bauteil gesucht (Danalock Smartlock)
Marking DO Anhang rechts ist der Mosfet, links vielleicht aelteres Design(Schrift,kleiner Punkt) Bildquellen Mouser,LCSC
Guter Hinweis, Serge! Es ist ein Vishay SiA931DJ Dual P-Channel MOSFET 30 V 4,5 A PowerPAK SC-70-6L Dual Gehäuse 2,05 × 2,05 mm Marking Code DO. https://www.vishay.com/docs/62859/sia931dj.pdf Und hier die Herstellerunterlagen mit komplettem Schaltplan des
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Initial main switch Schaltkreis checken?!
vermutlich keine Rolle spielt, würde ich einen Reset-Controller vorschlagen, statt dem SN74 und den zwei Mosfets. Wenn sowieso ein extra Bauteil eingebaut wird, wäre statt Reed-Kontakt auch ein TouchSensor möglich, also kapazitiven Taster. Die gibt es mit einem Ruhestrom von 10 bis 20 µA. Wenn man das nicht
keine Rolle spielt, würde ich einen Reset-Controller > vorschlagen, statt dem SN74 und den zwei Mosfets. Wieso soll Geld keine Rolle spielen? Wo man einsparen kann klar. Das war aber meine einzige Idee, deswegen muss ich dies erst einmal nutzen. Wenn es andere Möglichkeiten, gibt gerne. Ich kann
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LED-Wasserwaage aus Bastelheft
den Hammer (N-Kanal-Monster mit 30A) liegen und nimm einen Schraubendreher (P-Kanal-Logic-Level-Mosfet) zur Lösung der Aufgabe. > müsste somit auch nichts am Sketch ändern. Das dürfte das allerkleinste Problem sein. Denn auch den P-Kanal-Fet wirst du über einen npn-Transistor mit "high" einschalten
passiert, kriegen wir das wahrscheinlich durch einen zusätzlichen Widerstand zwischen den beiden MOSFET hin - quasi als Sanftanlauf. Welcher Wert dazu gut ist, kann ich nicht einschätzen. Ich würde mich da ab 1k aufwärts heran tasten. Hast du ein Oszilloskop, um das zu kontrollieren?
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Reparatur Yamaha DSP Z7
Ist nicht meines ;-) Ich hoffe mal es ist nicht der BD9011 sondern nur der Doppel-Mosfet oder irgendein passives Bauteil.
Bis jetzt keine verdächtigen Bauteile entdeckt, der Doppel-Mosfet ist ok, Widerstände, Dioden. Nur die Gate-Ansteuerung ist seltsam, es sind nur kurze Pulse, so als ob er schon weit vor erreichen der 2V (bzw 0,8V am FB Eingang) abregelt. Am zweiten Kanal (4,3V
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Verpolungsschutz
Varianten recheriert und favorisiert: 1. Shottky Diode in Serie zu Vin (Spannungsabfall relevant?) 2. Mosfet als Verpolschutz (Zu viel Aufwand?) 3. Brückengleichtrichter (ebenfalls relevanter Spannungsabfall?) Meine Anforderungen sind: -Möglichst einfach in der Umsetzung -Stromverbrauch weiterhin gering
Wenn dir die ideale Diode (MOSFET) zu aufwändig ist, dann nimm halt eine Schottkydiode. Bei nur 500mA ist der Spannungsabfall an einer einigermaßen dicken Schottkydiode ja gering.
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Kaum bekannte Differenzverstärkerschaltung?
abfallen? Die Bildersuche mit lens.google bringt wenig brauchbares, und die KI erklärt mir nur welcher Mosfet das ist.
nirgends gefunden Ewig alt, high side current sense, mit einem OpAmp wie es der ZXCT1009 tut und MOSFET: [pre] --+---SHUNT----+-- | | 1k | | | +---------+ | | | | S| /-|--+ | BS250 I|--< |
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HP nw8540w startet nicht mehr
da. Hinter den beiden Tantals, kommt die fette L3. Danach kommen die switche. N-Side :4395n - Mosfet 16A P-Side :TPCA8030H Der Schluss ist direkt an den Mossfet's. Dann könnte es immer noch der nvidia-Chip sein. Und das könnte immer noch normal sein.
waren. Karte eingebaut, eingeschaltet. - Lappi springt mit GraKa nicht an. Nun hätte ich nen Mosfet (Q15) auf der GraKa im Visier. Der gegen gnd schaltet. Hier ist ca. 1,8 Ohm gegen gnd. Also, entweder es ist der defekt, oder der Nvidia selbst. Sonst hätte ich keine Ideen mehr.
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24-Kanal PWM Led-Controller mit key-scan
für z.B. 25mA (den Strom den die LED halt für die maximale gewünschte Helligkeit brauchen). Ein LL-MOSFET, der den Strom schalten kann (z.B. IRLML2502). Und ein PWM-tauglicher GPIO an deinen µC. Fertig. 24 × 25mA (jede LED einzeln) ergibt halt schon 600mA. Da muß deine "Fernbedienung" schon eine dicke
z.B. 25mA (den Strom den die LED halt für die maximale > gewünschte Helligkeit brauchen). Ein LL-MOSFET, der den Strom schalten > kann (z.B. IRLML2502). Und ein PWM-tauglicher GPIO an deinen µC. Fertig. > > 24 × 25mA (jede LED einzeln) ergibt halt schon 600mA. Da muß deine > "Fernbedienung" schon
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LED Tester Nachbau
ein LM358 direkt, der braucht keinen BS170 dafür, zudem wurde die zusätzliche Verstärkung die der MOSFET bringt nicht kompensiert, deine abweichenden Messwerte könnten also durch Schwingung der Regelung verursacht werden, miss den Strom per Oszilloskop. Zudem stellt sich die Frage, warum man LED mit
LM358 direkt, der braucht keinen BS170 dafür, zudem > wurde die zusätzliche Verstärkung die der MOSFET bringt nicht > kompensiert, deine abweichenden Messwerte könnten also durch Schwingung > der Regelung verursacht werden, miss den Strom per Oszilloskop. > > Zudem stellt sich die Frage, warum
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Simulation Entladung Hochspannungskondensatoren
PNP-Transitor ZTX718 relativ nahe, weshalb ich diesen für Q2 eingefügt habe. Anstelle des N-Kanal Depletion-MOSFETs IXTP3N50D2 habe ich ein allgemeines Modell für einen N-Kanal Depletion MOSFET einfügt. LTSpice (Version 24.1.4) stellt in der Bauteilbibliothek ja kein entsprechendes Symbol zur Verfügung. In dem
Und den MOSFET hast du falsch eingebaut. Was sollen denn die vielen Spannungsquellen?
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saubere Rechtecksignalpegelwandlung 0/5V auf +12/-12V
also baut man die einfach komplementär auf und schon sind deine Bedingungen erfüllt. Siehe Anhang. Mosfets: BS170/BS250, o.ä..
Arno R. schrieb im Beitrag #8079888: > Mosfets: BS170/BS250, o.ä.. Bipolare Transistoren sollten an der Stelle auch gehen, da kann man mit entsprechend dimensioniertem Strom durch die 2n390x auch gleich einen gewissen Kurzschlußschutz am Ausgang
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Betriebsspannung für Leds?
werden? Sonst könnte man an Stelle von 74HC05, Z-Diode und 3.3kΩ Widerstand einfach einen kleinen MOSFET oder BJT nehmen.
> Sonst könnte man an Stelle von 74HC05, Z-Diode und 3.3kΩ Widerstand > einfach einen kleinen MOSFET oder BJT nehmen. Für jeden Led-Strang gibt es ein HC05-Gatter (insgesamt 12). Man hätte dafür jeweils Transistoren nehmen können, aber trotzdem die Entkopplungsdioden gebraucht oder jeweils eine
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China DC-DC Wandler reengineering
Hier mal die Korrektur. Bei 2 N-channel MOSFets macht das wieder Sinn. Da stand ich etwas auf den Schlauch. Alle Bauteile waren abgeschliffen. Den 12V Buckregler auf dem PCB habe ich mir gespart. Zwar immer noch eine ungewöhnliche Schaltung,
Hier mal die Korrektur. Bei 2 N-channel MOSFets macht das wieder Sinn. Da stand ich etwas auf den Schlauch. Alle Bauteile waren abgeschliffen. Den 12V Buckregler auf dem PCB habe ich mir gespart. Zwar immer noch eine etwas ungewöhnliche Schaltung
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Netzteile / heisse Widerstände / MosFets heiss
den Bildern sind die Bauteile/-gruppen eingekreist, die besonders schnell heiss werden. Der grosse MosFet in der 3-er Gruppe geht auch gleich hoch, genau wie der einzelne. Beide getauscht, keine Änderung. Der grüne Widerstand nebendran glüht so richtig auf. Auf der Rückseite vom Board sind einige Gruppen
ausgetauscht mit einem Wert von 0,11Ohm. Eine Änderung ist nicht eingetreten. Datenblätter zu den MosFets hab ich noch nicht gelesen. Der H15NB50F pendelt sich aber bei 55-60°C ein. Kann schon passen. Was den Lüfter betrifft - der wurde nicht ausgeschlachtet - der war komplett festgefressen. Kenne
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EMS Fertigung: 95% Ausfallquote
besonderen Maßnahmen getroffen habe (ok, habe keinen PVC Boden). Am ehesten werden noch diskrete Mosfets am gate beschädigt. In einer bestückten Schaltung müsste wohl direkt der Blitz einschlagen daß da was kaputt wird.
besonderen Maßnahmen getroffen habe > (ok, habe keinen PVC Boden). Am ehesten werden noch diskrete Mosfets am > gate beschädigt. In einer bestückten Schaltung müsste wohl direkt der > Blitz einschlagen daß da was kaputt wird. Na, da weiß ich schon mal wem ich ganz sicher nie im Leben ESD-empfindliche
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Mosfet Ersatzteil, Auswahl richtig?
Hallo, ich habe ein Akkuladegerät für V-Mount Akkus bei denen der Mosfet und einige Widerstände und die Sicherung T3.15A defekt sind. Original verbaut ist FQPF12N60C https://www.mouser.com/datasheet/2/149/FQPF12N60C-195465.pdf?srsltid=AfmBOopBSm_L1t6bpTZrc2vjdfHKqWeflYNAU2rzsRfkIs9TXnBeMD59
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Suche nach Elektronikbauteil als Öffner
einer Möglichkeit mit einem Elektronik Bauteil einen Öffner zu realisieren. Ähnlich wie einem MOSFET, Optokoppler oder in die Richtung. Ein Relais wäre deutlich einfacher, aber in diesem Fall nicht einsetzbar. Am Vorgesehenen Montageplatz ist zu wenig Platz und er unterliegt Erschütterungen.
Mosfet Verarmungstyp vom prinzip her, ob das jetzt hilfreich ist, kann ich nicht beurteilen.
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ESP8266 WLED verliert Verbindung (online → offline im Router)
BCr-wled/ Ich habe für sowas Universalplatinen erstellt, wo du wahlweise RS485, Levelshifter oder LL-MOSFETs drauflöten kannst. Desgleichen hast du mehrere Optionen bei der Spannungsversorgung. bei den ESP Modulen hast du auch mehrere Bestückungsoptionen. Meine Platinen laufen sehr stabil. Du kannst wahlweise
> Ich habe für sowas Universalplatinen erstellt, wo du wahlweise RS485, > Levelshifter oder LL-MOSFETs drauflöten kannst. Desgleichen hast du > mehrere Optionen bei der Spannungsversorgung. bei den ESP Modulen hast > du auch mehrere Bestückungsoptionen. > Meine Platinen laufen sehr stabil. Du
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Pollin ist pleite :-(
Halbleiter verkaufte. Ich habe hier aus einem Nachlass hunderte "japanische" "HF"-Transistoren und MOSFETs noch in Reichelt-Beuteln - allesamt Fälschungen! Ist mir bei Pollin noch nicht vorgekommen!
Beitrag #8092058: > Ich habe hier aus einem Nachlass hunderte "japanische" "HF"-Transistoren > und MOSFETs noch in Reichelt-Beuteln - allesamt Fälschungen! > Ist mir bei Pollin noch nicht vorgekommen! Vielleicht sollten die dort auch mal so tun.
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Großes Bauteil-Konvolut (SMD, ICs, Dioden, Steckverbinder) – Einzelkauf oder Gesamtpaket
dir hier keiner ab, nicht mal ansatzweise, schon gar nicht das Gesamtpaket Meine Rolle von 1000 MOSFET-Treibern wartet seit ca. 3 Jahren auf einen Abnehmer ;-) https://www.mikrocontroller.net/topic/549134#7315420 Selbst die kleine Rolle mit Einzelstückverkauf auch über Ebay hatte überschaubaren
hat im Wesentlichen viele Präzisionswiderstände (0,1%), ein paar Keramikondensatoren, Kleinsignal-MOSFETs und einen 8 Bit bidirektionalen Pegelwander im Angebot, alles in 100er-10.000 Stückzahlen. Los geht's!
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ELV ALC 1000 läd viel zu lange
Konnte durch schnelles Eingreifen eine Explosion gerade noch verhindern. Ursache war der Leistungs-MOSFET BUZ272 für den Ladestrom. Fehler wurde ELV gemeldet und versprochen, für schaltungsmäßige Abhilfe zu sorgen. Da hat der TO ja noch Glück gehabt, dass "nur" die Ladezeit länger wird. Ich würde
Akku wieder wenn sie keine Netzversorgung haben. Zum Beispiel über die (böhse) Bodydiode eines Mosfet wird der Strom Rueckwaerts durchgelassen. ;)
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LoraWan Projekt Antenne-/Layout
Spezifikation explizit ein langsames Ansteigen der Spannung - genau das Gegenteil von dem, was ein einzelner MOSFET macht (die sind ja auf schnelles hartes Schalten ausgelegt). Probier's aus, mit einem Low-ESR Kondensator der per MOSFET an eine Versorgung geschaltet wird. Mit einem Load Switch hast du ganz simpel
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Nahaufnahme von zwei integrierten Schaltkreisen auf Leiterplatte
PC16 SAFA W07K SSG
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Bild
Oszilloskop-Messung von Gate- und Ausgangssignalen
Tek Stop USB drive inserted. Gelb ISENSE Blau Gate IRF540 / Out UCC 1 CH1 RMS 60.47mV 2 50mV CH2 5.0V 40.0µs 3.12MS/s CH2 2.50V 176.0µs 20 points <10Hz 18:28:37 31 Aug 2026
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LED Lauflicht FET anstatt BC550?
Es wird ja nur ein BC550 durchgesteuert mit etwa 4mA. Die könntest du ein wenig reduzieren mit MOSFet, aber den Löwenanteil frisst sowieso die LED.
an, da ohnehin immer nur eine LED zu einer Zeit leuchtet. Der TO hat gefragt ob es Sinn macht Mosfets anstatt BJT zu nehmen. Er hat nicht nach einer neuen Schaltung gefragt. Wenn er Anfänger ist, was ich aufgrund seiner frischen Anmeldung vermute, macht es Sinn seine Schaltung zu nehmen. > Halbwegs
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Powerstaion ohne Funktion - Akkus tiefenentladen?
den Akku gehen. Dort messe ich noch zwischen grau und lila 2,7V. Ansonsten 0V. Kurzschlüsse am Mosfet sind keine vorhanden. Zudem habe ich auf der Platine noch einen komplett verbrannten Shunt gefunden. Es handelt sich dabei um den Shunt eines SW3517S. Der für die Versorgung der USB Ports zuständig
Akku > gehen. Dort messe ich noch zwischen grau und lila 2,7V. Ansonsten 0V. > Kurzschlüsse am Mosfet sind keine vorhanden. Ich bin hier keine Experte, aber ich würde daraus denken, dass die Batterien vielleicht einen Schutz haben was die Batterien getrennt hat. Alternative ist die Batterien sind
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Schaltungs-Review: Li-Ion Laderegler & Step-Up (TP4056 / MT3608)
vermutlich nur gebraucht wenn der ESP32 nicht im Sleep ist. Daher den ganzen Stepup-Regler mit nem Mosfet davor abschalten. Das Enable ist für Stepups zum stromsparenden Abschalten meist (und auch für den MT3608) nicht ausreichend, denn dann ist nur das Hochregeln abgeschaltet, die niedrigere Eingangsspannung
vermutlich nur gebraucht wenn der ESP32 nicht im Sleep > ist. Daher den ganzen Stepup-Regler mit nem Mosfet davor abschalten. Das > Enable ist für Stepups zum stromsparenden Abschalten meist (und auch für > den MT3608) nicht ausreichend, denn dann ist nur das Hochregeln > abgeschaltet, die niedrigere
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Anschluss eines 500W DC-ATX Netzteils
dann tun sie das auch im Ernstfall. Ich habe einen derartigen Test auch schon mal mit einem 200A MOSFET im TO247 Gehäuse und einer 20A Sicherung an einem Bleiakku gemacht, weil ich sicher gehen wollte, das mir auch bei einem Kurzschluss der Dieselglühkerze der MOSFET keine Kernschmelze bekommt und die
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Ausschaltverzögerung für ein Relais
Sinn. Werden die Motoren über DC versorgt? Dann könnte man überlegen K1/Q1 durch einen schnellen Mosfet zu ersetzen.
> Werden die Motoren über DC versorgt? Dann könnte man überlegen K1/Q1 > durch einen schnellen Mosfet zu ersetzen. Nein, 230 V AC. Lothar M. schrieb im Beitrag #8001261: > Zeig doch mal. Welcher "ms-Bereich" da gemeint ist. Einstellig, > zweistellig oder dreistellig? Steht da nicht. Da
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Pspice lib in LTspice
= 27 temp = 27 method = trap Instance "u2:M12": Length shorter than recommended for a level 1 MOSFET. Instance "u2:M14": Length shorter than recommended for a level 1 MOSFET. Direct Newton iteration failed to find .op point. (Use ".option noopiter" to skip.) Starting Gmin stepping Increasing
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Schaltplan mit Mikrocontroller und MOSFET-Treiberstufen
PMOSFET SMKDSP_1,5/2 PMOSFET SMKDSP_1,5/2 PMOSFET SMKDSP_1,5/2 PMOSFET SMKDSP_1,5/2 PMOSFET AGND MOSFET AGND MOSFET AGND MOSFET AGND MOSFET AGND MOSFET AGND MOSFET AGND MOSFET AGND MOSFET AGND MOSFET AGND MOSFET AGND MOSFET AGND MOSFET AGND MOSFET AGND MOSFET AGND MOSFET AGND MOSFET AGND MOSFET AGND MOSFET AGND MOSFET AGND MOSFET AGND MOSFET AGND MOSFET AGND MOSFET AGND MOSFET AGND MOSFET AGND MOSFET AGND MOSFET AGND MOSFET AGND MOSFET AGND MOSFET AGND MOSFET AGND MOSFET AGND MOSFET AGND MOSFET AGND
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Topologie Konstantstromsenke
sind bevorzugt, SMD bis kleinstens SOT-23 geht ebenfalls. Eine Konstantstromsenke mittels OPV und MOSFET halte ich für den geplanten Zweck als zu aufwendig. Themen wie Temperaturkoeffizient sind nicht von vordergründiger Wichtigkeit. Hauptpunkt ist ein möglichst hoher und bis min. 50kHz konstanter
bevorzugt, SMD bis kleinstens > SOT-23 geht ebenfalls. Eine Konstantstromsenke mittels OPV und MOSFET > halte ich für den geplanten Zweck als zu aufwendig. > > Themen wie Temperaturkoeffizient sind nicht von vordergründiger > Wichtigkeit. Hauptpunkt ist ein möglichst hoher und bis min. 50kHz
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Info zu Transistor gesucht - Harris 9527
530303/STMICROELECTRONICS/TO-247.html https://www.electrondepot.com/electronics_german/r3907-power-mosfet-ersatz-111367-.htm gleicher Datecode. ebenfalls Schweißgerät.
K. schrieb im Beitrag #8004651: > https://www.electrondepot.com/electronics_german/r3907-power-mosfet-ersatz-111367-.htm > gleicher Datecode. ebenfalls Schweißgerät. Und ohne verwertbaren Inhalt... Sieht wohl schlecht aus für den Apparillo.
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Probleme mit MAX31820 (ESP Micropython und Raspi)
place, or data is being copied from the scratchpad to EEPROM. This can be accomplished by using a MOSFET to pull the bus directly to the rail, as shown in Figure 1. The 1-Wire bus must be switched to the strong pullup within 10μs (max) after a Convert T [44h] or Copy Scratchpad [48h] command is issued
werde ich demnächst beobachten, habe den ganzen Kram gerade wieder abgebaut. Die Lösung mit dem MOSFET im Datenblatt des PAR ist halt für Raspis nicht umsetzbar, das Timing macht die im RaspiOS eingebaute Routine. Für die ESP wäre es denkbar, wenn man eine eigene Routine dafür schreibt. Edit:
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[V] IC-Sockel, Stiftleisten, MOSFETs
Teilmengen. Versand als Groß- oder Maxibrief für 2 € bzw. 3 €. Wer bei den MOSFETs Wert auf die ganze Stange legt, muss den Aufpreis für Paketversand bezahlen, ansonsten würde ich die Stange dritteln. Bezahlung per Paypal oder Überweisung möglich. Bei Interesse bitte gerne eine PN an mich. Noch ein Hinweis zu der Farbmarkierung auf den MOSFETs: diese wurde vermutlich als Orientierungshilfe für die manuelle Bestückung vor dem Wellenlötvorgang angebracht, ich kann es aber nicht mit Bestimmtheit sagen. Außerdem ist auf dem Foto keine Bezeichnung
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Alternativer SSB-TX Ansatz => QRP
Kann es sein, dass ein Teil der Verzerrungen vom TP-Filter (Oberwellenfilter) hinter dem Sende-MOSFET wieder eliminiert wird (oder überhaupt oberhalb von 3KHz liegt und beim Empfänger weggefiltert wird)? Vielleicht gehen diese Verzerrungen auch einfach im Kurzwellenstörnebel unter oder das menschliche
Kann es sein, dass ein Teil der Verzerrungen vom TP-Filter > (Oberwellenfilter) hinter dem Sende-MOSFET wieder eliminiert wird (oder > überhaupt oberhalb von 3KHz liegt und beim Empfänger weggefiltert wird)? Nein, ich beziehe mich nur auf die Inband-Artefakte. > unter oder das menschliche Ohr kann
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[V] SMD-Bauteile auf Tape & Reel (Restmengen / Rollenreste)
Bidir Vltg-Level Translator A 595-TXS A 595-TXS0108EPWRG4 1000 Toshiba TPC8120(TE12L,V,M) Trans MOSFET P-CH Si 30V 18A 8-Pin SOP T/R 340 Texas Instruments LP38692MP-5.0/NOPB LDO Voltage Regulators 1A LDO W/Enable Pin A 926-LP38692MPX50NO A 926-LP38692MPX50NOPB 1400 Texas Instruments TRS3221EIPWR
LDO Voltage Regulators 3.3V 0.8A Positive 1600 Vishay SI4776DY-T1-GE3 N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode (Notebook System Power and Memory) 1600 JST BM02B-SRSS-TB(LF)(SN) Headers & Wire Housings SR HEADER (SMT TOP) 1400 Molex 503398-1892 Memory Card Connectors MICRO SD PUSH
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Kombinierung von 2 linear reglern?
Netzteil mit einstellbarer Ausgangsspannung und Strombegrenzung zu erhalten. Da ich einen P-Channel-MOSFET verwende, bedeutet eine höhere Gate-Spannung eine niedrigere Ausgangsspannung. Theoretisch müsste also, wenn beide Regler aktiv sind, die höhere der beiden Steuerspannungen bevorzugt werden. In
beschrieben, aber der Weg von deinen beiden Schsktungen zu einem Labornetzteil ist noch lang. MOSFETs haben eine schlechte SOA, deine 100k machen es extrem langsam, das runterregeln ist viel langsamer als raufregeln. Und ja, bei den beiden über Dioden gekoppelten OpAnps ist einer nicht in der Regelschleife
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Hochleistungsoperationsverstärker, flexible Steckverbinder, Labormäntel und mehr
en-eu/products/sensor/co2/overview/advantages ### Nexperia - für Parallelschaltung optimierte MOSFETs Wer mehrere Transistoren parallel schaltet, erhält - in der Theorie - höhere Spitzenstromfähigkeit. In der Praxis sorgen Unterschiede in den individuellen Impendanzen dafür, dass das praktische Schaltungsdesign
zur Thematik.  Bildquelle: https://www.nexperia.com/products/mosfets/application-specific-mosfets/asfets-for-motor-control/enhanced-dynamic-current-sharing-in-parallel-for-high-power-bldc ### Microchip MCP41U83 / MCP42U83 - digitale Potentiometer mit Persistenz
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Kennlinie eines MOSFETs
10^2 TOF 15V 10.0V 7.0V 5.5V 5.0V 4.5V BOTTOM ID, Drain Current (Amps) 10^1 10^0 4.5V 20us PULSE WIDTH TC = 25°C 10^-1 10^0 10^1 VDS, Drain-to-Source Voltage (volts) Fig. 1 - Typical Output Characteristics, TC = 25 °C
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Bild
Kennlinie eines MOSFETs
International IOR Rectifier IRLZ44NPbF Ugs 15V 12V 10V 9.0V 6.0V 5.0V 4.0V 3.0V 2.5V TOP BOTTOM ID, Drain-to-Source Current (A) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) 20µs PULSE WIDTH TJ = 25°C Kurve für Ugs = 2.5V Fig 1. Typical Output Characteristics
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PiPico zu langsame Flanken SPI-CLK
showthread.php?tid=2568 Belastet man einen CMOS Ausgang kapazitiv, entsteht ein dreieckiges Signal, weil MOSFET ganz natürlich einen begrenzten Strom abhängig von der Steuerpannung (UGS) liefern.
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[F] Gebt mir mal Tips: Partner zur Produktion von Solarladern suchen?
08, 2842, 3525. Ebenso TL5001, TL598 und ev. LTC4156 Manche der Chips können die Gates der MOSFETs direkt treiben und ersparen separate Gate-Treiber. Das wäre ein Pluspunkt für die Kombi, wie Du sie favorisierst.
Aufbau ich noch mache, egal ob SMD oder eine zweite Lochraster-Platine, die bekommt definitiv eine MOSFET-Treiberstufe hinter dem TL494. Einen IR2110 habe ich bestimmt noch herumzuliegen. SMD hätte wieder den Vorteil, daß man deutlich neuere Schaltkreise bekommt und nutzen könnte. Für den Vergleich, wieviel
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LWL Schnittstelle Halb-Duplex (nur ein LWL!)
werden muß oder nur durchgeschaltet. Aber letzteres erfordert einfach einen Transistor (heute eher MOSFET) und ersteres eine Konstantstromquelle bzw. im einfachsten Fall einen Widerstand und eine ausreichend hohe Spannung (z.B. 24V). Die drei Komponenten LED, Stromschalter und Stromquelle werden einfach
muß oder nur durchgeschaltet. Aber letzteres erfordert einfach einen > Transistor (heute eher MOSFET) und ersteres eine Konstantstromquelle > bzw. im einfachsten Fall einen Widerstand und eine ausreichend hohe > Spannung (z.B. 24V). > Zur Versorgung habe ich 5V aus einem Netzteil das maximal
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Probleme mit VCCS
Der MOSFET ist falschrum.
Arne R. schrieb im Beitrag #8065377: > Der MOSFET ist falschrum. Danke, das erklärt auch die Body connection. Habe nun Drain und Source geflipped.
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Ansteuerung? Trafo mit 6 N_KANAL_LSG_MOSFETs.
Hallo, ist das eine H-Brücke? Nach welcher Topologie werden die FETs angesteuert? Was meint ihr? VG Fritz
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Aktive Lautsprecher knacken beim Ausschalten
ich, die Lust verloren an > den Dingern. Ich habe doch noch mal reingeschaut. Diesmal war der MOSFET TSF10N60M der Stromversorgung hinüber. Ich habe ihn gegen einen 2SK2645 getauscht. Nun läuft die Schachtel wieder.
