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saubere Rechtecksignalpegelwandlung 0/5V auf +12/-12V
die einfach komplementär auf und schon sind deine Bedingungen erfüllt. Siehe Anhang. Mosfets: BS170/BS250, o.ä..
Arno R. schrieb im Beitrag #8079888: > Mosfets: BS170/BS250, o.ä.. Bipolare Transistoren sollten an der Stelle auch gehen, da kann man mit entsprechend dimensioniertem Strom durch die 2n390x auch gleich einen gewissen Kurzschlußschutz am Ausgang machen.
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Schaltplan einer galvanisch getrennten I2C-Schnittstelle
VCC2_ISO, R27, 100, Q1, BS250, D3, DS9503P+, 1WIRE_DATA, 1WIRE_GND, 1WIRE_VDD, VCC2_ISO, C11, 360pF, C73, 360pF, R2, 100, U6, DS24825-100+T, C22, 100nF, SDA, SCL, PCTLZ, AD1, AD0, VCC, GND, U1, ISO1540, VCC1, SDA1, SCL1, GND1,
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Schaltplan einer galvanisch getrennten I2C-Schnittstelle
VCC2_ISO, R27, 100, Q1, BS250, D3, DS9503P+, 1WIRE_DATA, 1WIRE_GND, 1WIRE_VDD, VCC2_ISO, NC, 1N5B19W5, C11, 360pF, C73, 360pF, R2, 100, U6, DS24825-100+T, C22, 100nF, SDA, SCL, PCTLZ, AD1, AD0, VCC, GND, U1, ISO1540, VCC1, SDA1
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Kaum bekannte Differenzverstärkerschaltung?
| | +---------+ | | | | S| /-|--+ | BS250 I|--< | | o.ä. | \+|-----+ | +--------------- Spannungsabfall am SHUNT * 20 | 20k | GND [/pre] Kann halt keine negativen Differenzen
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Irfd9120 Alternative
Power-MOSFET beim gleichen Strom eine sehr viel größere Steilheit als ein kleiner Mosfet wie z.B. BS250 hat. Die Steilheit des MOSFET-Diff ergibt dann an R7 die Spannungsverstärkung des Diff. Dazu kommt noch die Spannungsverstärkung des T5, die ungefähr 10 bei 4Ohm Last ist. Wenn man BS250 in den Diff
