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Schaltplan mit zwei Schaltungen
Schaltung 1 +5V +24V uC Inp 1N4148 10K 100 G S L BS250 D K1 Schaltung 2 Regl. +5V uC BC846B GND K1: 24V/2880 Ohm
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Schaltplan mit zwei Schaltungen und MOSFETs
Schaltung 1 +24V +5V uC Inp 10K 100 G S D BS250 100 G S D BS170 K1 GND Schaltung 2 Regl. +5V uC BC846B GND K1: 24V/2880 Ohm
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Schaltplan zweier Schaltungen mit Mikrocontroller und MOSFET
Schaltung 1 Schaltung 2 +24V +5V Regl. uC Inp +5V uC BC846B GND GND 1K G S BS250 D K1: 24V/2880 Ohm
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Schaltplan zweier Schaltungen mit Mikrocontroller und MOSFET
Schaltung 1 Schaltung 2 +24V +5V uC Inp Regl. +5V uC GND BC846B GND 1K5G S BS250 D K1: 24V/2880 Ohm
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Frage zu einer kleinen Transistorschaltung
ja nahezu GND auf Inp...oder? Ja, Du hast recht. Mein Denkfehler. Vermutlich könnte man da den BS250 nehmen. mfg Klaus
schrieb im Beitrag #8103512: > H. H. schrieb: >> Nein. > > Was habe ich übersehen? Dass der BS250 niemals abschalten würde.
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saubere Rechtecksignalpegelwandlung 0/5V auf +12/-12V
die einfach komplementär auf und schon sind deine Bedingungen erfüllt. Siehe Anhang. Mosfets: BS170/BS250, o.ä..
Arno R. schrieb im Beitrag #8079888: > Mosfets: BS170/BS250, o.ä.. Bipolare Transistoren sollten an der Stelle auch gehen, da kann man mit entsprechend dimensioniertem Strom durch die 2n390x auch gleich einen gewissen Kurzschlußschutz am Ausgang machen.
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Schaltplan einer galvanisch getrennten I2C-Schnittstelle
VCC2_ISO, R27, 100, Q1, BS250, D3, DS9503P+, 1WIRE_DATA, 1WIRE_GND, 1WIRE_VDD, VCC2_ISO, C11, 360pF, C73, 360pF, R2, 100, U6, DS24825-100+T, C22, 100nF, SDA, SCL, PCTLZ, AD1, AD0, VCC, GND, U1, ISO1540, VCC1, SDA1, SCL1, GND1,
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Schaltplan einer galvanisch getrennten I2C-Schnittstelle
VCC2_ISO, R27, 100, Q1, BS250, D3, DS9503P+, 1WIRE_DATA, 1WIRE_GND, 1WIRE_VDD, VCC2_ISO, NC, 1N5B19W5, C11, 360pF, C73, 360pF, R2, 100, U6, DS24825-100+T, C22, 100nF, SDA, SCL, PCTLZ, AD1, AD0, VCC, GND, U1, ISO1540, VCC1, SDA1
