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Schaltplan eines Netzteils
Clamping, Konstantstromquelle als Vorlast, D5, R5 4.7k, R8 1.5k, C2 100pF, U1 TL431, R10 10k, R11 47p, U2 IRF9530, R16 0.6k, R15 1.5k, R9 2.2k, R14 9.2k, R17 4.7k, D7, D8, U3 TL071CP, -12V, R13 10k, C3 100n, R12 1.5k, R6 2.2k, C5 47u, C6 100n, Q4, Q5, BC337-40, BC327-40, R21 820, R22 1k, R23 4.7k, R24 820,
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Schutzdioden BJT-Linearregler
vielmals die verspätete Antwort - ich war im Urlaub. Bei Verwendung eines MOSFET könnte ich mir einen IRF820 vorstellen, der ist ja relativ gutmütig in Bezug auf Gate Charge. Welchen Vorteil hätte ich bei einem MOSFET? Kann ich die rauschoptimierte Variante des Reglers auch bei einem MOSFET als Leistungstransistor
den Schaltbetrieb gültig. Ohne echte Not würde ich bei bipolaren Transistoren bleiben. Der IRF820 hat recht viel nichtlineare Kapazität vor allem wenn V_DS klein ist. Der ist auch obsolet, wäre also nicht meine erste Wahl. Wenn du C8/R8 verwendest dann ziehst du die Regelschleife stark an
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Schaltplan eines Gleichrichter- und Schaltnetzteils
J1, D3, UF4007, Q1, IRF820, 2, 3, 1, R1, 10k, D2, UF4007, C1, 330µ, Q2, BS108, 2, 3, D6, 10V, R2, 470k, R5, 270k, D5, UF4007, J2, C5, 330µ, R3, 10k, C2, 10µ, D4, 5.6V, R4, 18k, C3, 10µ, C4, 100n
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Elektronischer Schaltplan mit Logikgattern und MOSFETs
VSS BZX85C6V2 H2 33k turning light 2mA R6 1.8k 1N4488 D8 J5 Weiche ge1 R9 33k VPP gn1 C7 10n GND Q1 IRF3205 U3A 4001 1, 2, 3, 5, 6 U3B 4001 R7 47k SB130 D9 R11 1.8k JP2 VSS R8 47k D10 SB130 C8 10n JP4 IRF3205 U3C 4001 R12 1.8k straight wetting current VPP D7 1N4488 D6 1N4488 U3D 4001 latch lock latch lock latch R10 33k GND R5 820k C6 100n U2A 40106 debouncing and pulse extension 1, 2, 3 100ms 40106 U2B R9/R10 >= 5k
