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Elektronischer Schaltplan mit Logikgattern und MOSFETs
VSS BZX85C6V2 H2 33k turning light 2mA R6 1.8k 1N4488 D8 J5 Weiche ge1 R9 33k VPP gn1 C7 10n GND Q1 IRF3205 U3A 4001 1, 2, 3, 5, 6 U3B 4001 R7 47k SB130 D9 R11 1.8k JP2 VSS R8 47k D10 SB130 C8 10n JP4 IRF3205 U3C 4001 R12 1.8k straight wetting current VPP D7 1N4488 D6 1N4488 U3D 4001 latch lock latch lock latch R10 33k GND R5 820k C6 100n U2A 40106 debouncing and pulse extension 1, 2, 3 100ms 40106 U2B R9/R10 >= 5k
in „CD4001 wird 100°C heiß“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik · · Schaltpläne
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Schaltplan eines Gleichrichter- und Schaltnetzteils
J1, D3, UF4007, Q1, IRF820, 2, 3, 1, R1, 10k, D2, UF4007, C1, 330µ, Q2, BS108, 2, 3, D6, 10V, R2, 470k, R5, 270k, D5, UF4007, J2, C5, 330µ, R3, 10k, C2, 10µ, D4, 5.6V, R4, 18k, C3, 10µ, C4, 100n
in „Schirmgitter-Spannungsversorgung stabilisieren“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik · · Schaltpläne
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PMT_handbook_v4E.pdf
Borosilicate 700 280 to 720 180 550to650 40 480to530 601K ExtendedredGaAsP(Cs) Borosili750e 280 to 820 160 550to650 36 480to530 602K GaAs(Cs) Borosilicate 700 370 to 920 85 750to850 12 600to750 700K Ag-O-Cs Borosilicate 20 400 to 1200 2.2 800 0.36 740 900S InP/InGaAsP(Cs)Silica — 950 to 1200 18 2 1100
in „Suche nach geeignetem OpAmp als Impedanzwandler“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·