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2000W Wechselrichter mit Mosfet einschalten :-(
schlimmer wird. Dann werde ich das Experiment wohl begraben und doch vorsichtig den Deckel mit dem Schalter abschrauben :-/
Mosfet in Serie wären ja schon 16 Watt bei Vollast :-( Niemand hat gesagt du sollst die in Reihe schalten.
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Kippschalter mit nominal 30A: Fremdstarten für 5-10 sec ?
Du könntest ein paar MosFETs parallel schalten und einen kleinen SMD-Schalter nutzen um das Gate aufzuladen. Es gibt MosFETs die 200A aushalten, aber von denen sollte man dann trotzdem ein paar parallel schalten. Zusätzlich
schrieb im Beitrag #2799905: > Hm, also das is mir dann doch zu kompliziert. > Ein einfacher Schalter is mir da schon lieber. Ein MosFET ist ein einfacher Schalter. Ich habe hier auch einige Geräte bei denen ich den defekten Schalter durch einen MosFET ersetzt habe. Teilweise habe ich den
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Linearnachregler für Hohe Symetrische Spannung
Spannungsbereich gefunden habe, habe ich den klassischen Ansatz über LM317/LM337 mit vorgeschaltetem FET gewählt. Mit Q3 und Q4 möchte ich zusätzlich die Ausgangspannung schalten. Es geht nur darum sie zu einem definierten Zeitpunkt ein-/auszuschalten. Muss also nicht wirklich schnell sein. Der
Vielleicht die Schalter ganz nach links und die Eingangsspannung damit schalten, durch C3+C4 fährt das ganze nämlich sehr langsam hoch. Obwohl mir das dann schon fast zu langsam wird. > > >> Der benötigte Strom liegt
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Mit N-FET Low side schalten von Elektroniksteuerung
diesen Schaltregler, also direkt zwischen Akku und Schaltregler will ich die Spannung mittels N-Kanal-FET als Schalter unterbrechen. Den Fet verwende ich wegen des hohen Stromes und des geringen Spannungsfalles. Als weiteren Pluspunkt spare ich mir doch einige mA an Basisstrom. Da ich keinen P-FET verwenden will um die Plusleitung zu schalten möchte ich wissen ob ich mittels des N-FET einfach GND auftrennen kann oder ob der Schaltregler das nicht mag und beschädigt wird (aus welchen Gründen auch immer) So ich hoffe ich habe nix vergessen
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LOWRACER HYBRID SPEEDBIKE - Etwas High-Tech?
> Achse und Felge für Mopeds ausgelegt. > > Grüsse vom Bodensee, Steffen Hallo! Ein 18FET-Controller passt nicht mehr auf mein Kühlkörper, da kann ich so lange messen und machen wie ich will... :o( Bei dem PMC-6.3.5(8FET TO247), also 6 FET für Motorsteuerung, 2FET zum ein-aus-schalten
hatte ich mal eine Motor von denen der per Umschalten der Wicklung von Power auf Schnelläufer zu schalten war. Leistungmässig war es aber nicht der Bringer. > Leider wurden die 2FETs richtig heiß, und es waren die ersten die kaputt gingen. Ja ist mir auch schon passiert. Der eine ist, ohne Strombelastung
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mit N-Kanal FET 12V schalten (Gatespannungsproblem)
Wenns irgendwie geht, würd ich erstmal versuchen den FET auf die Low-Side zu bekommen. Notfalls Lampe gegen Masse und mit P-Kanal FET Schalten.(Dann die Logik-Betriebsspannung mit 7905 o.ä. relativ zu den +12V erzeugen...) Wenns denn umbedingt ein High-Side
Wenn schon von High-Side schalten, dann mit p-Kanal FET. Controller - Widerstand - NPN-Transistor oder n-FET Kollektor - Widerstand - p-FET Gate - Widerstand - p-FET Source durch den Spannungsteiler ist Ugs nicht mehr limitierend
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Welche Folgeschäden durch gealtere Primär oder Sekundär Elkos beim Schaltnetzteil
Max S. schrieb im Beitrag #4402332: > Die eigentlich Frage lautet aber, werden die Fets heißer, wenn die Elkos > taub sind.... Wenn die Fets nicht mit vernünftigem Gleichstrom versorgt werden, dann schalten die nicht mehr richtig durch. Dadurch steigt der RDS_on und die Verluste.
Max S. schrieb im Beitrag #4402548: > aber es geht doch um die zu heißen Fets die abrauchen.... na die werden mehr belastet wenn sie öfter schalten müssen und sie müssen öfter schalten weil die Kondis nicht mehr so lange buffern. Oft sind die Probleme hausgemacht, da werden
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Linearregler bauen
gehauen. Das sind TO-263, das spürt man schon. Der Grund für das FET-sterben ist der spirito-effekt. Ich empfehle, beim Hersteller nachzufragen, welchen Typ man den günstierweise verwenden könnte. Ich hatte hier FET, welche in der SOA quasi identisch waren, aber der
des Kennlinienfeldes ist, übelebt der FET das. Das nennt man Safe operating Area oder SOA. Wenn z.B. auf der 100ms Linie liegst, heißt das: Bei einem einzelnen solchen Impuls erwärmt sich die Sperrschicht des FET von +25 auf +175°C.
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Transistor für Bewegungsmelder
> IRLML6244 Ist das nicht ein widerlicher n-Kanal FET, bei dem man gegen GND schalten muss?
Motopick schrieb im Beitrag #7426888: > Ist das nicht ein widerlicher n-Kanal FET, bei dem man > gegen GND schalten muss? Was ist daran widerlich? Egal ob npn Transtor oder n-Kanal FET beide schalten gegen Ground. Speziell wenn man eine größere Spannung zu schalten hat, ist es
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Isolierter High-Side Mosfet Treiber
> Wie gesagt, ich habe den FET gedreht, damit die Body-Diode die > Rückströme sperrt. Source ist also oben. Watt?! FET gedreht?? Male den Schaltplan neu!
Schaltung zu- bzw. abschalten (1). Dahinter möchte ich noch zur Absicherung einen "invers" betriebenen FET schalten, der also nur als bessere Diode funktioniert und alle negativen Ströme blocken soll (2). Die Frage der Ansteuerung stellt sich aber in beiden Fällen. Vielen Dank nochmal allerseits für
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Elkos mit P-Mosfet langsam laden
10) um die Gate-Threshold nicht zu überschreiten und in weiterer Folge zieht er beim gewollten Schalten des P-FETs den Anstieg der Gate-Spannung ziemlich in die Länge, was wiederum bedeutet, dass der FET die ersten paar Sekunden nicht optimal durchgesteuert ist (da die Threshold-Spannung die ersten
> um die Gate-Threshold nicht zu überschreiten und in weiterer > Folge zieht er beim gewollten Schalten des P-FETs den Anstieg der > Gate-Spannung ziemlich in die Länge, was wiederum bedeutet, dass der FET > die ersten paar Sekunden nicht optimal durchgesteuert ist (da die > Threshold-Spannung die
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BDX33C zur LED Steuerung wird heiß
mit meinem Mikrocontroller auf 12V kommen um einen selbst sperrenden FET durchzuschalten, bzw. auf 12V zu kommen um einen selbst leitenden FET zu sperren? Schalte ich da einen Transistor vor?
so > heiß, weil er die Restspannung zu 0V verheizen muss? Nein, weil er eben KEIN perfekter Schalter ist, bei dem bei 1,6A 0V abfallen sondern die von dir gemessenen 0,78V. >> Ein FET wäre wohl besser... > > Klingt so - sobald ich sie verstehe! Mein Gott, deine LED-Kette verheizt hier ~11V
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IRL3103 an AVR direkt?
H.Joachim S. schrieb im Beitrag #5432275: > Die Chancen stehen nicht schlecht, dass dir der Fet schon beim ersten > Abschalten kaputt geht. Da muss noch was hin. Warum? Und was muss noch wo hin? Ich lerne ja gerade erst mit diesen FETs umzugehen..
bauen viele (evtl. auch aus Unwissenheit) da einen kleinen > Angst-Vorwiderstand ein. Manche FET-Typen mögen keine zu steilen Flanken. Nämlich die, die intern aus vielen parallel geschalteten kleinen FETs zusammengebaut sind. Kurioserweise schalten bei diesen FETs dann nur kleine Bereiche der
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Schaltverluste an induktiver Last
Elektrokocher nur alle 10s ein / aus schalte und länger an lasse, kann ich das vernachlässigen. Wenn ich das Ding aber einige hundert / tausend mal pro Sekunde schalte, schnelle PWM, wird dieser analoge Durchgang den FET umbringen. Da muß
meinen Elektrokocher nur alle 10s ein / aus > schalte und länger an lasse, kann ich das vernachlässigen. Wenn ich das > Ding aber einige hundert / tausend mal pro Sekunde schalte, schnelle > PWM, wird dieser analoge Durchgang den FET umbringen. >
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Elektrischer Türöffner für Hobbytresor
wirst warscheinlich feststellen das der mehr als 500mA braucht. Schätze mal 800mA-1.5A. Das muß dein FET aushalten können. Jetzt guckst du welchen Widerstand der FET zwischen Source und Drain hat (Steht im Datenblatt). Ist abhängig von Gate-Source Spannung und Drain-Source Spannung. Und ob der FET überhaupt bei der angegebenen Gate-Source Spannung durchschaltet (Logic-Level-FET). Dann rechnest du Verlußleistung aus die am Innenwiderstand des FETs abfällt aus (P=I²*R). Die Leistung muß der FET auch aushalten können (eventuell mit Kühlkörper bestücken). Dann noch die Freilaufdiode
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Schrankbeleuchtung mit Tiny und FETs flackert
#3403991: > Jens A. schrieb: >> Ergänze einen Pull-Down Widerstand zwischen Gate und Source an den FETs. > > Da verschwinden dann die merkwürdigsten Erscheinungen. hmm... Jetzt nen Pulldown? Ok. Ich würde jetzt 470 Ohm zwischen Gate und PIN schalten. Zusätzlich 10k Gate gegen Source?
IRLML6246, der schaltet ab 3,3V voll durch > auch im SOT-23-3 Gehäuse ausreichend um 12V/1A zu schalten > > Alternativ mit nem Transistor das Gate auf GND ziehen und per Pullup an > +12V den FET durchschalten Oh Sorry. Ich nutze den IRLZ24N. Den gabs nur grad in lib nicht.
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Frage zu H Brücke
ich gepostet habe? Die Sollte doch von den Ansteuerspannungen gleich sein oder nicht? Also 10V pro FET? Laut Datenblatt der FETs schalten diese schon bei 6V recht viel Strom. Mit viel verlusten ist klar aber doch. Oder verstehe ich das Datenblatt falsch?
MC34063 eingebaut der mir die Spannung auf 24V hochschraubt. Jetzt habe ich genug Spannung um die FETs voll durchzuschalten. Jetzt habe ich aber weniger Strom zum Schalten der FETs oder nicht? Stimmt das so wie ich die Spannung an die Treiber gelegt habe?
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irlz34n schaltet 5v aber nicht 3V
ansteuert. Es funktioniert einwandfrei, wenn ich 5V an Drain und Motor (>3V/1A) von Source and GND schalte. Wenn ich aber diesen Motor mit 3V betreiben möchte (Batterien) klappt das nicht. Kann es sein, dass DS vom FET >=5V sein muss ? Wie schaffe ich es per AVR Pin(5V/20mA) eine 3V/1A zu schalten ? Ist
Bei einem FET brauchste eigentlich keinen Vorwiderstand vorm Gate. Denn ein FET wird ja praktisch leistungslos, nur mit Spannung gesteuert. Es fließt also kein Gatestrom. Nur wenn Du den FET sehr häufig schaltest
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Frage zu Mosfets für eine H-Brücke
Spannungsabfall für die H-Brücke berücksichtigt, macht das bei 2A ca. 250mOhm, die sie auf zwei Schalter aufteilt, macht ~100mOhm pro FET/Schalter. Viel weniger bringt kaum was. >Oder sollte ich noch was beachten? Einige integrierte brauchen mindestens 12V.
>Kann ich den Kurzschluss nicht per Software verhindern, Den Kurzschluss der oberen/unteren FETs? Ja, man muss sie zeitversetzt schalten. >oder sollte es über Hardware sein? Geht auch. >Wofür genau brauche ich einen Pegelwandler? Für die Ansteuerung der oberen MOSFETs.
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IR2125 Brennt durch
Moment ... Der Treiber ist kein Schalter. Nur weil man 6 Fet parallel ansteuern will, die 6 fache Bootstrap Kapazitaet zu haben ist natuerlich quatsch. Der Seriewiderstand von 47 Ohm zum Fet ist sowieso viel zu hoch. Der sinn dieses Widerstandes
Schalter geht, wuerde ich einen P-Fet nehmen, den kann man statisch ansteuern. Auch mit 100% Einschaltzeit. Ohne einen solchen Treiber. Die Frege ist sowieso .. bei einer freien Last wuerde man nur einen
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Treiber für IRF1404 ?
>Ich suche einen Treiber für einen IRF1404. Ich wette, du musst nicht mal ansatzweise 200A schalten und brauchst auch keine 4mOhm. > Habe nur eine >Versorgungsspannung für den Treiber von 5V, da die Spannung die der FET >schalten soll von 7,2 bis 36 variiren kan. Nimm einen IRLZ34N, der
max. Strom darf nicht in jedem Betriebszustand fliessen. Der APV1121, von mir oft genutzt um FETs in der Highside statisch zu schalten, kostet beim C nur so um die 1,50€ und reicht aus um die FET durchzusteuern. Für schnelle Schaltvorgänge ist der nicht so gegeinet, reicht aber völlig um z.B. einen
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Transistor inverter für mittlere Frequenzen
habe ich noch ein Verständnissproblem: Ich möchte ja eine H-Brücke damit bauen. Angenommen, der obere FET von IC1 steuert durch, und der untere FET von IC2 und die Schaltung wird mit 20kHz, an und aus geschaltet, dann kann sich der Kondensator doch nicht laden? Denn ich schalte ja nicht den unteren FET
Noch ein bizarres Problem: Schalte ich den Fet-Treiber ohne Last an und stecke die Last dann dazu, geht es. 10Volt Gate Spannung und die ohmsche Last wird getrieben. Schalte ich ihn aber mit Last an, bleibt die Gatespannung bei 0 Volt
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MOSFET Kurzschluss
über ein dickes (6mm²) Kupferkabel mit den MOSFETs schalte, richtig? Gruß und danke, Shortie
Arduino-PWM Ausgang sowie VCC und GND angeschlossen und der Treiberausgang direkt mit dem Gate des FETs. Mein Plan ist nun auf Lochrasterplatine mehrere MOSFETs parallel zu schalten und den Arduino mehrere Treiber (einen pro MOSFET, direkt daneben platziert) schalten zu lassen. Ich weiss das 500A+ (kurzzeitig
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LED Matrix - mehrere LEDs parallel
nicht: * Die High-Side ist nur mit +5V anstatt +12V versorgt. * Die Pullups der High-Side MOS-FETs müssen an +12V, nicht an GND. * Für die High-Side-Schalter mußt Du P-Kanal MOS-FETs verwenden. Weitere Punkte zur Beachtung: * Oben nimmst du die Vorwärtsspannung der LEDs mit 2V an, aber wie
Weil ich mir denke, dass es den Controller-Eingängen nicht so gut tut, wenn er die 12V des FET Pull-Ups abbekommt. Zum anderen ist es mir angenehmer die Ausgänge der Zeilen in gleicher Weise schalten zu können wie die der Spalten. Ach ja und der PEgel wäre dann nur 5 gegen 2 Volt, dass sollte
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p mosfet als 12V schalter
Hallo, ich möchte den FET mit einem uC ( 5V / 0V) direkt voll durchsteuern, also als Schalter, welcher Typ wäre da am besten ? Gruss A. Arndt
dann ist es natürlich richtig. Ursprungspost: "kann mir jemand sagen wie ich einen P Mosfet schalten muss, damit ich ihn als einfachen 12V schalter verwenden kann?? (nur cmos level 0V oder 12V)" das sah zumindest für mich so aus, als ob er den FET auch mit CMOS/12V ansteuern will.
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Kinderauto nach Überspannung kaputt! Wie reparieren ?
Das Auto läuft , wenn ich den Motor direkt auf 6V schalte. Die Geschwindigkeitsstufen sind mir egal, eine würde reichen.
Bitte einen eigenen Thread aufmachen und ganze Sätze schreiben. Ansonsten: den alten Schalter ausbauen, einen neuen Schalter kaufen und einbauen.
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P Kanal Mosfet als Schalter
das Relais schnell abschalten soll, schaltest du einen Widerstand in Serie zur Diode.
Wie wärs denn mit einem integrierten High-Side-Schalter, z.B. BSP752T?
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µC steuert FET
internen C vom FET schneller laden bzw. entladen zu können.
Kondensator und wenn man den Umladestrom nicht begrenzt, kann der sehr groß werden. Oft werden FETs mit einem Strom von 1A umgeladen ... Der dient dem Schutz des FETs.
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Logikgatter: Push-Pull-Ausgänge parallelschalten
bleiben und etwas mehr Leistung erwünscht - wozu dann noch zusätzliche IC? Einfach unbenutze parallel schalten.
eigentlich dafür verantwortlich, welcher Strom über die Body-Diode fließt und welche negative Spannung der FET aushält?
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Z-dioden parallel
Sehr wahrscheinlich hält der Fet die 20V auch noch aus. Das ist die neue Art Leistungslos zu schalten :-(
Spannungsteiler. Würde ich nicht machen. Nachteil eines Spannungsteilers ist: Je schneller der FET schalten soll desto niederohmiger muss der Spannungsteiler sein. Je niederohmiger jedoch der Spannungsteiler ist desto höher sind seine Verluste. Spannungsteiler ist hier eine denkbar schlechte Lösung
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NE555 schaltet nicht plausibel
Du hast den Mosfet falsch rum drin. Das verstehe ich jetzt nicht...wie kommst du darauf das der FET falsch rum drin ist... ^^ linkes Beinchen ist am gate, mittleres am drain und rechtes am source. Und wieso habe ich dann destotrotz Signal vom NE obwohl dieser eig. nicht schalten sollte?
im Beitrag #5938835: > Wenn der Microcontroller aber jetzt GND vom Out des Mp2307 hat aber der > FET vom SIG auf GND vor dem Mp2307 schaltet gibt es da Probleme? Machs wie allen anderen, schalte die VIN mit nem P-FET. GND kann man nur dann schalten, wenn die Last 2-polig ist, d.h. nirgens anders
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Diode im Mosfet als Freilaufdiode verwendbar?
völlig > anderes. Schon klar - aber der Zener-Effekt auch nicht... Ohne die Diode könnte man den FET bei DC auch umgekehrt als Schalter, bzw. einen einzelnen FET als AC-Schalter betreiben (und verkehrt herum avalanchen lassen). ASM Superprofi schrieb im Beitrag #4767794: > Alles nur Anfänger hier
parasitäre-FET-Dioden-Experte. @Homo Habilis Für sehr kleine Spannungen darfst du den FET gerne als AC Schalter verwenden. Allerdings sind die zu sperrenden Spannungen meistens grösser als 0.5V. Deshalb nur theoretisch
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MOSFET zum Schalten von 3A Verbraucher
Sven H. schrieb im Beitrag #4201158: > oder besser noch mir das erklären? Hast Du zum Artikel [[FET]] eine Frage? https://www.mikrocontroller.net/articles/FET
#4201158: > IRF 540N :: Leistungs-MOSFET N-Ch TO-220AB VGS(th) = 2..4V könnte knapp gehen. Ein Logik-FET ist besser geeignet, VGS(th) = 1..2V.
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Widerstand Transistor
BC517 sicher nicht die beste Wahl ist, um mit einem µC-Ausgang Lastströme von 500mA und mehr zu schalten. Ich würde hier sowieso eher einen FET nehmen...
in deiner Schaltung ausglühen. Hoffentlich steht er da nur als Stellvertreter für einen LogicLevel FET ...
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Warum brennen mir die Mosfets durch?
OK, Ladeelkos hänge ich auch noch dran. Der irlr2905 ist ein Logiklevel Fet.
@Andi, hatte ich noch vergessen, beachtest du den Spitzenstrom des Fet? Die Lampen haben im kalten zustand Fast 0R. Beim Erwärmen der Lampen kann (vor allem wenn der Fet nicht richtig Durgesteuert wird) der Fet schon überlastet werden. Schalte doch einfach mal 2 Lampen
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Rechecksignal auslesen und weiterleiten - Aussetzer
begrenzen. - Einen Serienwiderstand - 1Ohm zu jedem Ventil verbaut. - 50 Ohm und 100nF über den Schalter Jetzt kann ich doch nur noch die Schaltzeit des FET vergrössern oder die Energie in der Induktivität vor dem abschalten verkleinern ?
schneller" (Zeitkonstante = L/R) -> die Störung wird > schlimmer. Dann wirds mit einem kleineren FET doch auch wieder schlimmer !? >> - 50 Ohm und 100nF über den Schalter > So genau habe ich mir das zwar nicht überlegt aber schützt eigentlich > nur den Schalter. Ich denke das schadet nicht
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Verbraucher mit Attiny45 über Mosfet zuschalten
Hallo, diese Beschaltung des N-channel MosFets sieht schon besser aus... Kannst vor dem Gate des MosFets noch nen niederohmigen Widerstand schalten (~ 47 Ohm), um die GateCharge strommäßig zu Begrenzen. R1 kann auch gerne etwas hochohmiger sein
Laut Datasheet (Seite 3; IRF) kann der MosFet bei 25°C und Ugs=2,5V als Last 1A schalten ... Das sollte gehen.
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BLDC Motorcontroller 200A 48V basierend auf VESC
Phase begrenzt wird. Jedoch bleibt immer noch die Totzeit und die TurnOn > Zeit der Body Dioden der Fets. > > Kann man sich bei dem 8305 die Snubber sparen auch bei mehr als 100A > Phasenstrom? > > Gruß > > Tec Wenn man die FETs wg. Verlustleistung schnell schalten _muß_ dann kann ich mir
zusätzliche Verluste - die kannst du aber verkraften. Verriegelungszeit ("Totzeit") der hi/lo-Schalter solltest du so kurz wie möglich machen, damit die Bodydiode des Fets möglichst kurz Strom führen muß. Das deckelt nachhaltig die Schaltverluste. Schnelles Schalten hilft zusätzlich (siehe dazu Hinweis
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Elektronischer Schalter
basis +5v anliegen hab, dann kann ich damit auch max. +5v durchschalten und keine +12v... (!) mos-fet fällt ebenfalls flach, da mos-fets gegen masse geschaltet werden und nicht als "schalter" hier dienen können. werd mir gleich mal paar datenblätter von optokopplern anschauen, aber ich glaub da gibts
ich mal mal auf, was ich meine :) +12-14v - schalter - "bauteile" wichtig hierbei ist, daß ich nicht die masse schalten kann, sondern die +12v durchschalten muß.
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Transistor zum Schalten von 24V/12V
3V3 GPIO Ausgängen je einen 24V (~9W) und 12V (~3W) Verbraucher (mit externer Spannungsquelle) Schalten sollen, wenn ich "HIGH" am GPIO-Pin ausgebe. Anfangs habe ich mit den fertigen Relais-Modulen gearbeitet, jetzt ist mir aber eingefallen das man ja auch Transistoren als Schalter benutzen kann.
schrieb im Beitrag #7495872: > Ein möglicher Typ ist der IRF3708. Und trifft das auch auf diesen FET zu?
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Wechselspannung mit MOS-FET schalten
Gates kann man parallel schalten.
das wohl in Ordnung. Bei den 2 Optokopplern war ich noch voll in der Theorie. Je ein OK für ein FET da jeder FET eine Halbwelle bekommt dann muss auch 2 mal gesteuert werden.
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N-FET als Highside Schalter
Hallo Leute, Ich wollte mal N-FETs als Highside Schalter anstelle der üblichen P-FETs ausprobieren. Klappt auch soweit, hab jedoch noch ein paar kleinere Probleme und Fragen. Die Schaltung im Anhang ist zur Diskussion stark vereinfacht
immer noch 2mA, du mißt jetzt aber eine Spannung von 2mA*4K7=9,4V an RL und deswgen meinst du, der Fet würde langsamer abschalten. Wenn du wirklich schnell schalten willst hilft nur eine Halbrücke, also noch ein Fet der nach Masse schaltet. Gruß Volker
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Mosfet IRFZ44N 12V schalten
Das ist überhaupt kein Problem. Guck dir mal ein paar H-Brücken an. Viele verwenden als High-Side Schalter einen N-Kanal FET. Die Steuerspannung am Gate muss nur ausreichend hoch sein. Keine Ahnung, wieviel Strom Michael H. schalten möchte, aber weniger als 18V dürfen es bestimmt nicht sein, damit der
Ach wirklich? Und du meinst, daß mir das nicht bekannt ist? > Viele verwenden als High-Side Schalter einen N-Kanal FET. Die > Steuerspannung am Gate muss nur ausreichend hoch sein. IST SIE HIER ABER NICHT! Und jetzt troll dich, du nerviger Oberlehrer!
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Bipolar Transisor maximale Basis-Spannung in Durchlassrichtung ?
michael_ schrieb im Beitrag #5586623: > Transistor ist Transistor. FET/Mosfet ist FET/Mosfet. Und wofür genau steht das "T" in "FET"?
FeldEffektTransistor. JunktionFET
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N-Kanal MOSFET SOT23-3 LogicLevel Ugs 16V gesucht
Beitrag #6689623: > 16V zulässige Ugs sind nicht exotisch, sondern Standard. Aber nicht bei LL MosFets. Wann liegen bei Q3 14V GS an? Dazu müßte an S eine negative Spannung anliegen. Highside schaltet man übrigens mit einem p-MosFet.
erfüllt eben leider nicht die Funktion, So ist das, weder der 138L noch die anderen, Q3 wird niemals schalten. Da muss eine Kombination aus P-FET plus N-Ansteuerung her. Dom S. schrieb im Beitrag #6689754: > Da aber beim Laden des Elkos der Strom am oberen Ende stark abflacht, > will ich die 150R parallel
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Wie funktionieren China Mosfetmodule?
sonst würde sich die Frage auch nicht stellen. Auf den Platinen von 3D-Druckern ist schon ein N-FET drauf, die schalten also nur den Ausgang auf GND. Und mit diesem Signal wird wiederrum ein N-FET Modul angesteuert, das scheint so direkt keinen Sinn zu machen, denn da wird im Ergebnis nicht invertiert
wie viel Strom zieht deine Heizung? mit welcher Frequenz steuerst du den FET an? mach auch Mal ein Foto von deinem Aufbau auf dem man was erkennen kann - z.B. welche Pins du tatsächlich angeschlossen hast. Es ist eigentlich keine Raketentechnik einen FET als low side Schalter
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Vgs- Gate-Source Spannung an Mosfet
sondern die, die 0,5V schlechter liegt (also die bei -3V). Keine Chance damit annähernd 100A zu schalten, der Chip explodiert sofort. Für den TO relevant ist der Paramter, der in der Tabelle des Datenblatts als RDS(on) garantiert ist. Beim pFET gibt es einen Eintrag, der für ein VGS von -4,5V spezifiziert
dieser im Falle einer Parallelschaltung bzw. verkleinert > er sich? Ja tut er. Wenn du aber die FETs nicht schnell genug schaltest, werden sie dir schon im Zuschaltmoment abrauchen. Da muss auch der SOA passen, und der muss bei einem einzelnen FET erfüllt sein, da sich diese Belastung wegen Toleranzen
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MOSFET mit µC schalten
zwecks Gatekapazität, Flankensteilheit etc. gelesen. Mir kommt es gar nicht auf schnelles ein/aus Schalten an, also keine PWM oder so, nur schalten!. Wie muss ich nun den npn-Transistor z.B. eines PC817 beschalten um den MOSFET ein/aus schalten zu können. Im Forum wird auch hingewiesen das Treiberbausteine
einbauen. Wie jmoney schon angemerkt hat muss ich halt beim Gateiderstand aufpassen um nicht den FET beim Schalten zu verbraten. Habe eine Seite im Netz gefunden da her der Autor für solch "normale" Schltvorgänge 1k genommen, wird aber sichlich auf mit den 4k7 von Bernhard funktionieren. Eine Frage
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Step op - Step down
Wenn Du die 24Volt am Eingang wegnimmst, entlädt sich der 47µF nur über den 10K Widerstand (R2). Schaltest Du die 24Volt wieder ein und der 47µF ist noch nicht weit genug vom R2 "leergelutscht", leiten die beiden FETs sofort und der Softstart geht dann nicht. Baust vor allem noch einen Entladewiderstand
die Massleitung zu trennen, sondern (wie genannt) "alles auf den Kopf zu stellen" und mit P-Kanal Fets die Plusleitung zu schalten. Bei Stückpreisen von 1.20€ oderso kann man gern auch 4x IRF4905 nehmen (Gibt hier mittlerweile auch Typen mit kleinerem RDSON, aber das soll jetzt hier keine Rolle spielen
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Motortreiber
hmm dann habe ich nun neue Fragen, die mich beschäftigen: 1) kann man Fet´s einfach so Parallel schalten, ohne getrente, einzelne Gatewiderstände? die sind sonst also zum schutz da? 2) kann ich durch die interne Diode einfach auf die sonst externe Freilaufdiode komplett
ich würde 4x IRL parallel schalten, mit getrennten Vorwiderständen ,220 Ohm sollten erst aml gehen, die BodyDiode im Fet schützt Ihn zwar, aber nicht gegen Überspannungen, die beim Abschalten des Motors entstehen, sofern du keine