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DRV8711 Schrittmotortreiber Fehler
Eingangspannung >24V durch Rauschen. Wenn du 47 ohm Widerstände auch an die low side MOSFET Gates schaltest, könnte das Problem behoben sein.
ernsthaft schaden nehmen? > Wenn du 47 ohm Widerstände auch an die low side MOSFET Gates > schaltest, könnte das Problem behoben sein. Danke für deine Rückmeldung. Welchen Einfluss haben die Widerstände? Geht es hier nicht primär darum, den Mosfet schneller hoch- resp. runter zu ziehen wegen der
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Überspannung in Mehrparteien-Wohunung. Baustrom, oder Kabel angebohrt?
nicht der Bauarbeiter. Man misst den Widerstand der Leitungen im Zuge eines eChecks. Also ich schalte empfindliche Geräte gern ab, bevor ich Hochstromverbraucher wie Kompressor einschalte. Ihr solltet das bei Bauarbeiten offenbar auch machen. Ein eCheck klärt, ob euer Hausstromnetz schuld ist.
Hier ein Beispiel, wie Überspannungen beim Schalten entstehen: https://www.falstad.com/circuit/circuitjs.html?ctz=CQAgjCAMB0l3BWEBmayxgQFgWAnAgBwBseATOmSAstSFrQgKYC0GAUAE4hlaQiF+yYoQH9+YSOwDO9UYPBgqCiSABmAQwA20puwDucngmL1kVMiajsAxmeX8GFq+NjwwWPF
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Mikrofon-Vorverstärkerschaltung generiert Feedback
mal mit zwei weiteren 100k Widerständen einen echten Basisspannungsteiler vor den beiden BD140 zu schalten und die beiden Kollektoranschlüsse nach GND zu legen.
immer noch nicht richtig. Der Ausgang ist alles andere als symmetrisch, wegen der Beschaltung des FET (Source vs. Drain). Der untere Ausgangstransistor ist praktisch taub, nur der obere arbeitet. Die Schaltung ist nicht zu retten. Verwerfe sie lieber und fange nochmal ganz neu an, mit einem anderen
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12V als Eingangssignal für Arduino aufbereiten
durch große Widerstände gering halten, aber wie viel wird noch benötigt um den Arduino sauber zu schalten? Danke Sebastian, von Optokopplern habe ich auch gelesen. Ich verstehe nur die Schaltung nicht so ganz. Klar ist, dass ich mit den 12V auf der linken Seite die rechte Seite des Optokopplers schalte
kaputter Platinen. Lösungen dafür gibts viele. Wie der vorgeschlagene Optokoppler, ein einfacher FET, ein Logikgatter das Spannung am Eingang ohne Versorgung toleriert (74LVC-Serie z.B.) oder auch nur den Spannungsteiler hochohmig machen.
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Makita DTW1002 Akkuschlagschrauber Leistungselektronik tauschen
Treiber geben welcher hochwertiger aber auch flach ist mit eventuell Erweiterungspotenziall fuer mehr FET´s? Danke.
Der Motor wird mehr als 15A haben wollen. Das befuerchte Ich auch, kann Ich den gleichen Typ von FET auf dem Treiber nachbestellen und sie parallel schalten? Bei der Loesung oben geht es mir darum das Ich eine fertige Steuerung habe die Ich mit Aufwand verbauen kann. Zusaetzlich werde Ich alle Loetstellen
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Alternative für ULN2803A mit 3.3V
hoch die zu schaltende Spannung ist. Bis 24V könnte man auch auf Smart Highside Switches (z.B. ProFET von Infineon) setzen.
/datasheet/discrete/transistor/mosfet/qs6k1fra.pdf Jeder Einzeltransistor kann 1A Dauerstrom schalten, deutlich mehr als ein ULN. Und die vier Doppeltransistoren sind kleiner als ein ULN in DIL. fchk
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Spule verzerrt PWM-generiertes Sinussignal
Moin, wenn Dein PWM-Signal durch einen Tiefpass zum Sinus machst, und Du es auf die H-Brüche schaltest, schaut es so aus, als ob die Brücke eine kleine Spannung braucht, um zu schalten. Das könntest mit einem Poti testen. Vielleicht kannst Du die Transistoren „vorspannen“. Viel Glück Carsten
, > wenn Dein PWM-Signal durch einen Tiefpass zum Sinus machst, und Du es > auf die H-Brüche schaltest, schaut es so aus, als ob die Brücke eine > kleine Spannung braucht, um zu schalten. > Das könntest mit einem Poti testen. Vielleicht kannst Du die > Transistoren „vorspannen“. > Viel Glück
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M5Paper: Einschaltverzögerung wie und wo?
habe den Einschaltmechanismus verstanden: Es gibt zwei Quellen: - RTC - Taster 1. Diese schalten den Hauptschalter (Mosfet FET1) ein. (gedrückt halten) 2. Damit schalten die beiden seriellen Spannungsregler (U8 5V und U17 3V3) ein. 3. Dies lädt den Kondensator (C106 S.7) auf und das Netz ESP32
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Stroboskop mit Mosfet und Leistungs LED funktioniert nicht
ein Transistor ein Mosfet eingesetzt. Genauer gesagt ein N-Kanal Mosfet um den Minus der LED zu schalten. Pull down und kleiner Vorwiderstand an den Gate Pol wurde auch eingesetzt. Allerdings schaltet der Mosfet dauerhaft durch. Auch ohne Gate Spannung. Um sicherzustellen, dass der Mosfet nicht kaputt
ja schon gesagt wenn ihr Drain und Source vertauscht dann geht der Strom über diese Diode, ein Schalten funktioniert dann nicht mehr, da die Diode den Strom um deinen Schalter herum leitet. Ich würde aber noch eine Push/Pull Schaltung fürs Gate reinmachen da so ein µC nicht gerade viel Strom zum
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Hoymiles HM-400 Eingangskapazität?
-400 überhaupt DC-seitig an- / abschalten? Der kann doch dauerhaft an DC bleiben? AC-seitiges schalten ist der richtige Weg....
verkraften kann. Da kannst nur verlustreich einen entsprechend dimensionierten Widerstand in Serie schalten. Geladen wird der Akku aber nicht.
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KTY81/210 (PTC) simulieren
etwas größere Toleranzen; evt. möchte man ein normales Poti oder ca. 1k Festwiderstand in Reihe schalten. Damit würde auch der Strom durch die Eingangsschutzdioden des MAX begrenzt -- wenn er welche hat, wenn nicht, dann geht es garnicht. Am Wiper sind max. VDD+0.3V erlaubt. Die werden überschritten
mit Analogauflösung totbasteln möchte, kann auch zum KTY einen R oder einen zweiten KTY parallel schalten. Daneben galvanisch getrennt einen PWM Heizwiderstand und einen NTC zur Messung. Ist halt reichlich Aufwand für Ermittlung der Softwareparameter. Zumindest geht die Heizung bei Ansteuerungsausfall
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rauscharmer NPN min 200v gesucht
Hochspannungsfestigkeit eines andern. (https://de.wikipedia.org/wiki/Kaskode) Ich schlage für den rauscharmen einen J-FET vor. Die können sehr geringes Eingangsspannungsrauschen haben und haben kein Eingangsstromrauschen. Aber das hängt alles auch von der Anwendung ab.
immer schwieriger, wenn sich der ursprünglich als NPN eingesetzte Transistor plötzlich als PNP oder FET fühlt, wenn er/sie/es sich dadurch eine größere Beachtung erhofft oder einfach nur aus Spaß die Schaltung durcheinander bringen möchte... 😂
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high-end Oszilloskope (semi-offtopic)
kann ich fummelig per Hand auf USB überspielen. Bei R&S geht das alles übers Netz. Bei Siglent schalte ich das DUT ein ohne vorher den Transducer vom Speki zu entfernen und die Kiste ist kaputt, weil es keinen Schutz am Eingang gibt. Bei R&S schalte ich ein und aus wie ich lustig bin ohne mich einen
sehen welches Spektrum die Diode im Abschaltmoment macht und welcher durch die Einschaltflanke am Fet entstehen. Ist echt nützlich wenn man weis welchen Teil man betütern muss, statt diesem elendigen Trial and error bei dem man aufwändigst modifiziert nur um festzustellen das es das nicht war. Aber
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Multilevel Converter
: > Bau mal einen Schalter der 50KV trennt. > Oder noch besser: Kauf mal einen 50KV Schalter. Erneut: du scheinst entweder nicht mitzulesen, mitzudenken oder keine Ahnung zu haben und nur deinen Unmut äußern zu wollen.
Forum mit deinem frustrierten Halbwissen lossprudelst einfach besser zu lesen. Weder schaltet ein Schalter 50 kV noch sieht ein Schalter die gesamte Spannung zu irgendeiner Zeit. Die Spannungslevel haben keinen Bezug zu einander, daher sieht jeder Schalter im ungeschalteten Zustand genau die Spannung die
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12V Akku für Bohrmaschine , Flex usw Chinabetrug
: 1000mAh. > > Ein Balancer ist in Form eines NB2103 immerhin drin und mit einem 3080SA > Mos FET wird die Minusleitung geschaltet. > > Kennt jemand dieses IC und weiss, ob damit auch 3000mAh Li-Ion Zellen > ladbar sind? Der Fet ist für 30A (80Amax) ausgelegt und sollte die absehbare Last
unaufgefordert Rückmeldung als Tipp gebe, auf der originalen Platine ist Platz für einen zweiten Mos FET und seitdem jetzt 2 Stück schalten, läuft der Winkelschleifer so gut wie noch nie.
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PTC-Widerstand mit Mikrocontroller nachbilden
verbunden ist. Wenn du PWM verwendest, könntest du zwischen µC und Heizungssteuerung einen Photo-FET schalten und hättest dann eine galvanische Trennung.
veröffentlicht. > Wenn du PWM verwendest, könntest du zwischen µC und Heizungssteuerung > einen Photo-FET schalten und hättest dann eine galvanische Trennung. Das ist auch nochmal eine interessante Anregung. Nun habe ich die Qual der Wahl... ;-)
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zwei MOSFET als Relaistreiber
analog Elektronik Niete) Die Bespiele, die ich bisher im Forum hier gefunden hatte, verwendeten FETs die bei Segor nicht zu bekommen waren (oder es gab Sie nur in SMD). Deshalb bin ich für konkrete Vorschläge offen.
immer heute aktuell ist. 1kOhm vor die Basis und dahinter 10k Basis-Emitter, billig und robuster als FETs.
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Warum mehrere Dioden parallel
Rote T. schrieb im Beitrag #7572529: > Bei BJTs ist thermischer Runaway viel schlimmer. Bei FET-Schaltern dafür um so kleiner. Die kann man normalerweise problemlos parallel schalten.
Harald W. schrieb im Beitrag #7572552: > Bei FET-Schaltern dafür um so kleiner. Die kann man normalerweise > problemlos parallel schalten. Deshalb hüte dich vor Schweisskisten, die primärseitig BJTs verbaut haben ;-)
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Schalten eines 5V Luefters mit einem Transistor an einem ESP8266
Stromversorgung. Das gilt für NPN, PNP, N-MOSFET und P-MOSFET gleichermaßen, wenn man sie als digitale Schalter verwendet.
? Ja, auch dann gehört der Pin mit dem Pfeil an die Stromversorgung. NPN und N-MOSFET zum Schalten von Minus PNP und P-MOSFET zum Schalten von Plus PS: Weniger Beleidigungen wäre gut
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Ansteuerung SiC-MOSFET, Arbeitsspannung >= 2kV/DC
kurzschließen. Die 1mA sind im Jahr 50mAh. Oder 1M Rgs und die 15V über den Optokoppler auf das Gate schalten. Die 15µA sind im Jahr 130mAh. Ist abgeschaltet bei Ansteuerungsausfall. Wenn es schneller sein muss: EIN: die 15V mit Optokoppler1 über 100R auf das Gate schalten AUS: mit Optokoppler2 das Gate
AFBR-POC406L ist bei digi auf Lager. Allerdings braucht Du dann keinen Optokoppler mehr: Laserlink ein: FET ein, Laserlink aus: FET aus.
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Elektronische Last mit MOSFET
das sogar dauerhaft, ohne daß der FET verdampft.
auf (2 shunts, 2 Opamp-Hälften, 2 Mosfets). Wie von anderen schon erwähnt ist die Auswahl des MosFET hier tatsächlich essentiell. Vermeide zB logic level Mosfets oder dedizierte Schalter-Mosfets. Damit fallen schon viele Hochstrom FETs weg. Die gute Nachricht: oft sind die 'billigen' mit hohem Rdson
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Seltsames Verhalten bei Arbeit mit LevelShifter
, die auch noch mal direkt zu verbinden und beim ESP noch einen Elko parallel zur Versorgung zu schalten. Aber: der gesamte Schaltplan fehlt!
Was passiert, wenn du versuchsweise einen kleinen Kondensator (220p o.ä.) parallel zum GPIO schaltest?
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Analyse Schaltung Blinklichtmodi
bzw. so wie es aussieht den µC-Pin nach GND zieht. Das tut wohl der Taster auch. Das könnte ein FET + RC-Glied sein, aber genaueres kann man aus der Ferne nicht sicher sagen.
und Harmony. Sind 3 Taster, weak pullup je einer pro Eingang, zwei Ausgänge zu Transistor oder FET und 5V prr Zehneddiode am Chip. Miserabeles Design abrr dürfte seinen Zweck erfüllen. MfG Michael
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Temperaturdifferenzregler
eigentlich bräuchte man nur die beiden Temperatursensoren an zwei Eingänge eines Mikrocontrollers schalten, den PWM-Ausgang tiefpassfiltern und auf einen OPV geben, der mit 15V Betrieben wird Standardbeschaltung des Mikrocontrollers und fertig ist der Prosa-Schaltplan. Das Progrämmlein dazu schreibt man
Temperatur anzugleichen. Das dauert doch eh geraume Zeit, bis der Ausgleich erfolgt ist und dann schaltest du sie wieder ab - oder? Eine Drehzahlregelung von Lüfter über deren Versorgungsspannung ist eh suboptimal. Üblicherweise wird das über PWM gemacht und dann noch beim Einschalten erst mal mit voller
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12 Volt DC Motor über WS2811 Chip steuern
in's Schwitzen geraten. Als Schieberegister bietet sich z.B. CD4094B an. Ist zwar bezüglich der FET-Ansteuerung strommäßig etwas schwach auf der Brust, was hier aber bei entsprechender Wahl der FETs eher zum Vorteil gereicht. Dämpft die unerwünschten Stromtransienten und hält damit die Störabstrahlung
das System halt neu gestartet werden, um durchnummeriert zu werden. Franks Vorschlag mit DIP-Schalter/Jumpern um die Adresse festzulegen wäre die üblichere Alternative.
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Schaltung/ Schaltkreis gesucht für Impuls
auch etwas in der > Amplitude und mit einem Spannungsteiler wird es dann auch weniger… Dann schalte Dein Signal über einen Widerstand an einen einfachen NPN-Transistor. Dem ist es egal, ob der Baisstrom nun 5 oder 8 mA beträgt. > CD4538, guck ich mal, ist der auch Überspannungsresistent gegen
Beitrag #7568053: > Quasi ein MOSFET als pull-down vorgelagert and dann der NE 555? Einen MOS-FET halte ich für unsinnig, aber wer keine bipolaren kennt ... Wer gerne ein Problem hätte, verbaut NE555 - der alles, aber nichts anständig kann.
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Verständnis Analogschaltung (Komperatoren/OP): Oszillator?
dass ich nur ein Schaltsignal (+12V oder GND) anlegen muss und ein Oszillator schwingt, welcher den FET zum HV-Trafo ansteuert. Ich wollte gerne das komplette Board weiternutzen, da auf diesem Board auch eine Entladeschaltung für den HV-Kondensator enthält über ein größeres KACO-Relais und entsprechend
Vor-Spannungsteilers. Der Ausgang geht über den 33R-Vorwiderstand direkt auf das Gate des N-Kanal FET. Da das Gate eh schon auf +12V liegt (über 4.7K), muss der Ausgang vermutlich gegen GND kippen, um Bewegung rein zu bekommen. Genau der Ausgang ist allerdings auch mit dem Ausgang von U2D gebrückt,
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AQV252GA steuert nicht voll durch
wegen ... Was muß man nehmen, um eine solche *Sinnlosschaltung* zu entwerfen? Wenn er per N-FET gegen GND schalten will, kann dieser direkt angesteuert werden - µC-Schaltungen für Anfänger.
PNP-MOSFET im TO-220 > IRF9Z34NPBF 55V 30A 3 Stück > IRLZ24NPBF 55V 18A 3 Stück Der IRLZ24 ist ein *N-FET* ! Mit um 100mOhm bei 4 Volt könnte der direkt vom µC angesteuert nach GND schalten!
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Elektrisches Feld bei LED-Strips
Da ich über 150Hz kein Flimmern warnehmen kann und man damit noch slew rate limitet an den Fet kann und keine Aufwändigen Treiber braucht bevorzuge ich so ein möglichst niedrige PWM Frequenz. MfG Michael
jedenfalls an lineare Regler, die man aufgrund der hohen Verlustleistung eher nicht vor Beleuchtung schalten möchte.)
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ELVjournal kostenlos als PDF
nötig, ist hier im MC.NET irgendwo beschrieben), bei einem Lader starben reihenweise die Leistungs-FETs usw. Dennoch, viele User haben mit ELV den Einstig ins Hobby geschafft, dafür waren selbst die Fehler gut, daraus lernt man bekanntlich am meisten ;-) Old-Papa
der Abschwächung des Videosignals nicht berücksichtigt, nur der Bildinhalt wurde über die Analog-Schalter und einem R2R-Netzwerk abgesenkt. Wenns dunkel war, wurde auf den zweiten VCR geschaltet und dessen Synchron-Impulse auf den TV gegeben und der "Bildanteil" wieder angehoben. nur eben jetzt vom zweiten
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Das ewige Thema Infrarot LEDs und Risiken
Problem, wenn man die Fernbedienung mit einem groesseren Pufferkondensator und einem besseren Schalter, z.B. einem FET entsprechend "pimpt". Das kann man mit der "Universal-AUS-Fernbedienung" auch leicht verifizieren. Aber vermutlich hat der TO in seiner Frage wieder wesentliche Details zur
Problem, wenn man die Fernbedienung > mit einem groesseren Pufferkondensator und einem besseren Schalter, > z.B. einem FET entsprechend "pimpt". > Das kann man mit der "Universal-AUS-Fernbedienung" auch leicht > verifizieren. Richtig, Problem ist auch eher mein 10+/-5cm Spot. Ich habe schon eine
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Ersatz für BAV45
7€. Fabian E. schrieb im Beitrag #7562552: > inwieweit man eine > Picoampere Diode mit einem jFET-Bauteil austauschen kann und inwieweit > das die Schaltung und die Messwerte beeinflusst Das habe ich nicht verstanden. Eine Schaltung könnte hilfreich sein.
störungsanfällig, was dann dazu führt, dass der Ausgang bis an die untere Aussteuergrenze aussteuert. FET Q3 wurde übrigens durch 2N5434 ersetzt.
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ULN2003 Verlustleistung?
vielleicht gemeint hat;-) Ich habe schon den p-Channel gemeint, weil man damit sinnigerweise Vcc schalten kann ohne Klimmzüge zu veranstalten. Sollte der TO jedoch unbedingt GND schalten wollen, dann halt den AO3400.
im Beitrag #7562843: > 12V?? Das ist die max GS Spannung. Das ist die Spannung, die der TO schalten möchte. Beim Schalten der Last mit einem P-Kanal FETs (High-Side) wird man also bei der Ansteuerung zusätzliche Maßnahmen treffen müssen... Oder wie hättest du dir die Ansteuerung gedacht,als du
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DIY Master/Slave Steckdosenleiste? Stromwandler, Hallsensor,.womit Strom messen?
Trennung nicht einfacher. Wenn man nicht messen will, sondern nur ab einem Mindeststrom einfach schalten will, ist einen Ringkernspule, die bei hohem Strom in die Sättigung geht, deutlich einfacher. Thomas schrieb im Beitrag #7561753: > der ein galvanisch getrenntens Signal für einen µC zur Verfügung
den FET noch ungefähr drei Minuten offen, wobei es egal ist, ob nun zwei oder vier. Das hält einer theoretischen Nachrechnung kaum stand, aber ist hier seit über 20 Jahren *noch immer* in Betrieb. In meinem
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Auf Masse ziehen eines Pins - Problem mit Honda Dash
Hier mal mein Versuch mit ASCII :) Ausgang kommt am Arduino sauber. FET schaltet auch entsprechend. Wie gesagt, sehe hier auch den Pin am Dash runter gehen.. [pre] GND --------- Lap switch --------------------+---- Lap Eingang Dash GND --------- (3:Source) Switch (2
Switch nicht geschaltet ist, messe ich 12V am Lap-Pin. Also kein Unterschied zur Lösung wenn der Schalter alleine da hängt. Schalter ist nicht gemultiplext, der hängt auf Fahrzeug GND. Da hängt meine Schaltung auch, aber an einem anderen Masse-Punkt, ich schaue mal ob das einen Unterschied macht
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Selbstbau Mikrofon Array für Akkordeon
eine Oktave. > Die große Kostenfrage wäre, ob man einfach mehrere Elektretmikros > parallel schalten kann. lieber über eine Summierschaltung mit OV. Je Widerstand und Kondensator pro Mikrofonkapsel, das ist nicht zu aufwendig.
Also: ich würde besser Stromquellen in Reihe schalten und Spanungsquellen Parallel. ( hab aber auch noch nicht danach gegoogelt) Aber wenn lt. TI-Appnote https://www.mikrocontroller.net/topic/562366#7842830 eine Kapsel 8µA pro Pascal Stromänderung
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einfache Zeitverzögerung
Elkos. Und natürlich das: Steve van de Grens schrieb im Beitrag #7555010: > MOSFET sind keine Schalter! Das sing analoge Bauteile. Für kurze Zeiten bei geringer Last kann man den FET mißbrauchen, aber das Ergebnis wird eher zufällig - Bastelpfusch. Michael B. schrieb im Beitrag #7555014: >>
Carypt C. schrieb im Beitrag #7556913: > ich weiß ja nicht. Ein FET, der die Batterie kurzschließt. Was gibt eher auf?
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Widerstände mit Mikrocontroller messen
> Wie sieht diese Box aus? Wie schließt du den Stecker dieser Box da an? Bild hängt an -> die Schalter/Taster auf der linken Seite haben eine andere Funktion und können erstmal ignoriert werden.
Dani S. schrieb im Beitrag #7553928: > Bild hängt an > -> die Schalter/Taster auf der linken Seite haben eine andere Funktion > und können erstmal ignoriert werden. Jetzt bräuchte man noch einen Schaltplan wie die Motoren und Bremsen an besagtem X10 aufgelegt sind
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MOSFET-Treiber; Supply Voltage Problem
Transistors ist und alles niederinduktiv auf der Leiterplatte aufgebaut. Das Layout ist da wichtig. SiC-FET sind in der Ansteuerung noch kritischer als normale Si-FETs. Und am übelsten sind wohl GaN-FETs, die schalten aber auch am schnellsten. Warum wurde eigentlich ein Logik-Level MOSFET ausgewählt? Und
denn die Spannung geht quadratisch in die (Verlust)leistung mit ein. Ehe du dich versiehst, ist der FET abgeraucht ;-)
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Capacitor Charger
aufgebaut werden können 10A auf Lochraster, das ist schon heftig. Ich nehme bei sowas 70µm Cu und schalte auch mal 2-4 Layer parallel.
den Anfangs genannten 10A ist der schon an der Lastgrenze. Bei 50% Duty Cycle muß er ja schon 20A schalten damit 10A aus der Batterie entnommen werden. Wenn da jetzt ca 20A(40peek) durchgehen müssen bedarf es einem zweiten. Oder einen Leistungsstärkeren. Ein großer Kondensator sollte nahe bei dem Fet
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H-Brückenschaltung
Cross Conducting (also das gleichzeitige Schalten der Halbleiter "über Kreuz") wird bei integrierten Schaltungen durch das einbringen einer sogenannten death time vermieden. Heißt, du wartest ein paar Mikro / mill Sekunden, nachdem der eine Schalter
soll an einer H-Brücke mit P-Kanal in der Highside denn nicht State > of the Art sein? P-Kanal Fets haben einen deutlich höheren Rdson als N-Kanal Fets. Deswegen. Ob das eine Rolle spielt hängt von der Anwendung, besonders dem Strom, ab. > Wenn man es richtig verschaltet, ist das einfach und narrensicher
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Treiber für High-Side N-FET (single-shot)
Viele Schaltregler-ICs arbeiten so. Problem: Das low-side FET muss auch zyklisch geschaltet werden, damit das funktioniert. Wie könnte man einen high-side Treiber für ein N-FET als single-shot Lösung realisieren, sodass man z.b. mit dem N-FET gegen 200V schalten
Xx X. schrieb im Beitrag #7546676: > Ok, ich konkretisiere: > Wenn das N-FET mit Drain an 200V DC hinge und eine Kapazität an Source > auf diese 200V aufgeladen werden soll, bist du in Begriff, SEHR große Ströme zu schalten und den FET zu sprengen. Ohne Strombegrenzung
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MOSFET: muss ich parallel schalten?
aber erstmal nur für den eingeschwungenen Zustand. Viel interessanter ist wie lange es dauert bis der Fet foll durchgeschaltet ist und wie lange dieser irgendwo mittendrin im Linearbetrieb ist mit entsprechend höhere Verlustleistung. Bei einmal schalten je Stunde meist kein Problem, aber bei PWM in einigen
schalte ich eben den GND", dann lass dir gesagt sein, dass es eine schlechte Idee ist, einer elektronischen Schaltung den Bezugspunkt (aka GND) hochohmig zu schalten.
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RF AMP 100W 1-30MHZ
Max M. schrieb im Beitrag #7551929: > Etliche 2EDB8259Y um den FET.... Das ist doch auch ein ganz wesentlich Punkt. Welche(n) FET(s) willst du nehmen? Sieh dich bei den ganzen Amateurbauten um. Meist nur IRF510, IRF530, und (vernünftig) ist meist nicht mehr als
OZ1PIF_HOMEPAGE/50MHz_IRF510.htm Das hatten wir schon. https://www.dl9ah.de/mosfet_2/Ultraliniere%20FET%20Endstufe%20von%20DL9AH.pdf Arno, DL9AH, ist schon seit Jahrzehnten für seine PAs bekannt. Aber das ist auch nicht mal eben.... Viel Erfolg 73 Wilhelm
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Strombegrenzung bei Ansteuerung Bodenfeuchtesensor G1188
schrieb im Beitrag #7543136: > Wie würdet ihr so etwas lösen? Mit einem Transistor pnp als Schalter wird der Einschaltstrom über den Basiswiderstand mal Verstärkungsfaktor begrenzt. Dabei fallen 0,1...0,3V bei 150mA zwischen C-E ab.
Dieter D. schrieb im Beitrag #7543244: > Mit einem Transistor pnp als Schalter Das klingt ja super elegant und einfach! LG, Sebastian
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18650-Tester-bessere Beschreibung
280mA und bei Temperaturen von 20 oder 25 Grad zu erfolgen. Als Annäherung solltest Du einen Schalter einbauen, der die beiden Widerstände in Reihe schaltet und ggf. mit einem kleinen Lüfter die Testzelle kühlen.
Jahren einen Eigenbau gemacht, der bis 0,5V herunter spielt und maximal 1,5A kann. Neben zwei per FET geschalteten Widerständen dient ein MOS-FET in Analogbetrieb als Last. Das Gerät muß keine Batterie haben, für µC und Display habe ich Strom aus der Steckdose. Ralf X. schrieb im Beitrag #7542438
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Mosfet Strombegrenzung
die Lösung mit dem Flipflop. Aber im Grunde eben so aufgebaut, dass > sie auch für die Highside-Fets funktioniert. Die High-Side Mosfets sind noch nie durchgebrannt, immer nur der Low-Sid. Sehe ich das richtig: wenn der Ausgang des OP high wird, damit auf den SET Eingang des FlipFlops und den CLR
Alles sehr langsam. Was zeigt denn das Oszi bei der Gate-Spannung? Ich vermute durch das langsame Schalten eher Halbbrücken-Kurzschlüsse.
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100 Lampen getrennt ansteuern mit ESP32 - Welcher Datenbus Typ?
Andreas B. schrieb im Beitrag #7536651: > Die > galvanische Trennung: das machen wir über die MOS-FETs. Also nicht. ;) Und: Warum die 24V-Seite schalten? Wenn wirklich nur geschaltet werden soll und nicht gedimmt, sollte man das aus Ruhestrom und Lebensdauergründen vielleicht an der 230V-Seite
Andreas B. schrieb im Beitrag #7536651: >> Die >> galvanische Trennung: das machen wir über die MOS-FETs. > > Also nicht. ;) > > Und: Warum die 24V-Seite schalten? > Wenn wirklich nur geschaltet werden soll und nicht gedimmt, sollte man > das aus Ruhestrom und Lebensdauergründen vielleicht an
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+-250V Rechteck aus 250VDC erzeugen
Man kann auch die Gate-Widerstände mit einer Diode brücken, so daß die FETs schneller sperren. Das verschafft einem etwas mehr Totzeit, weil beim Öffnen der anderen Seite die Widerstände wirksam sind - aber kann Störungen verursachen. IGBTs sind so eine Sache, die sind zuweilen
Dir die schwereren Projekte an, ab 100kW? Der allererste Gedanke war: DC mit ein paar IGBT schalten und fertig . . . -> ganz einfach :-)