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TTL negative Spannung schalten
gerne einen Rampengenerator mit Rücksetzfunktion realisieren. Den Schalter möchte ich mit einem Jfet realisieren. Die Rücksetzfuntion soll über einen Avr erfolgen. Jedoch stehe ich auf dem Schlauch. Vielleicht kann sich ja jemand mal meine Schaltung anschauen. Gruß Micha
Vielen Dank, genau danach habe ich gesucht. Bin gerade dabei mir den Jfet beizubringen, deshalb ist er vielleicht nicht so gut geeignet aber so funktioniert es. Merci
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DRAM und SRAM ltSpice-Beispiele
#5196550: > https://en.wikipedia.org/wiki/Memory_cell_(computing)#Implementation ist zwar ein jFET als Schalter gezeichnet. Aber in allen DRAM, die ich gesehen habe, sitzen an der Stelle MOSFETs. Der jFET in deiner Simu - sperrt nicht bei 0V - lässt bei angesteuerter WL einen Strom durchs Gate auf die BL fließen Zwei Gründe, warum die Simu nicht funktionieren kann. Also: ersetze den jFET durch einen passenden n-Kanal MOSFET. Als ich zum letzten Mal was mit dem Thema zu tun hatte waren typische Werte - für die Zellkapazität: ~25fF - für die BL-Kapazität: ~ das 10-fache davon (250fF
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Kaskode bei normally-off Bauelementen sinnvoll?
verschiedene Bauelemente zum Schalten von weniger als 1 kV. Bei normally-on Bauelementen (z.B. JFET, BJT), ist es ja gebräuchlich das ganze mit einer Kaskodenschaltung zu schalten. Also mit einem niedervolt MOSFET o.ä. Bringt eine Kaskodenschaltung nun auch Vorteile bei normally-off Bauelementen
Stefan M. schrieb im Beitrag #2525283: > Bei normally-on Bauelementen (z.B. JFET, BJT), ist es ja gebräuchlich > das ganze mit einer Kaskodenschaltung zu schalten. Definiere "gebräuchlich". > Bringt eine Kaskodenschaltung nun auch Vorteile bei normally-off > Bauelementen?
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317/337 (HV) Kapazitive Last
es ist eine Kaskodenschaltung wobei das obere Bauelement ein Transistor und unten (am Eingang) ein JFet ist. ganz grob in etwa so: http://www.synaesthesia.ca/HPS20-SCH.html >Ja und? Da gibt es immer noch keinen Kurzschluss am Eingang. Es könnte ja passieren das sich durch die zusätzliche Schaltung
>eine Kaskodenschaltung wobei das obere Bauelement ein Transistor und >unten (am Eingang) ein JFet ist. ganz grob in etwa so: Der JFet ist auch ein Transistor ...
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LTSpice - Abhängigkeiten von Spannungen?
Hast du auch einen Opamp mit JFet- oder CMOS-Eingangsstufe genommen? Opmaps mit bipolarer Eingangsstufe haben zuviel Biasstrom. Bei kleinen Spannungen ist der Strom im Sub-Mirkoampere-Bereich. Damit funktioniert das auch nur
Der LM833 hat zu viel Eingangsstrom. Nimm einen mit JFet-Eingang und nimm Dioden mit kleinem Leckstrom. Allerdings wird selbst mit R1=10kOhm die Bandbreite bei ganz kleinen Signalpegeln im unteren Kilohertzbereich sein.
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welchen buck-Regler für geringe Ströme nehmen
Habe mit LTspice mal einen LT1934 mit vorgeschaltetem JFET als Strombegrenzer simuliert. Vin=28V, Vout=3V1. Die Initialisierungsphase zum Aufladen der Cs dauert natürlich länger, weshalb ich den Verbraucher (I1) erst nach 30ms von 1 auf 30mA anschalten lasse
Vorname Nachname schrieb im Beitrag #2101086: > Habe mit LTspice mal einen LT1934 mit vorgeschaltetem JFET als > Strombegrenzer simuliert. Aber Achtung: die langsame Anstiegszeit kann für manchen uC (und evtl. auch für andere Schaltungen) ein Problem darstellen...
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VCR2N JFET VoltageControlledResistors vs. JFET
nem blick ins datenblatt frage ich mich nun, ob das einfach ein anderer name für ein stinknormalen JFET ist oder ob da intern mehr drinne ist als im datasheet ersichtlich. weiss jemand mehr ? gruss klaus
nix damit anfangen. hatte nur gedacht sie wären was tolles. im ende scheint es aber ja nur ein jfet zu sein. gruss klaus
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A/D D/A Problem
ein Prozessor und / oder Software verlassen. @stephan Henning (Stephan) Wenn man ein Amp mit JFET Eingang nimmt, der hat ein Rin von 10E12Ohm, sollte man sich Gedanken über die Selbstentladung des C machen. Wenn man eine menge solcher 8Bit D/A Wandler benötigt ist das sicher eine Plazt- und Kosten
der nach gewünschter Adresse einen C mit der gewünschten Spannung auf- end- läd. Ein OPA mit JFET Eingang würde die Ladung lange halten. Noch ein FET parallel zum C wird benötigt, damit beim einschalten oder Unterspannung ALLE Wandler, durch ein Resetbaustein, auf `0` gesetzt werden. Mit dieser
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MOSFET-wofür eine Freilaufdiode schon integriert?
JFETs haben diese Diode nicht, dafür aber logischerweise die am Gate, wie der Name schon sagt. Ich bin mir nicht sicher ob es auch "normale" MOSFETs ohne die Diode gibt, möglicherwiese welche in einem anderen
> JFETs haben diese Diode nicht, dafür aber logischerweise die am Gate, > wie der Name schon sagt. Ich bin mir nicht sicher ob es auch "normale" > MOSFETs ohne die Diode gibt, möglicherwiese welche in einem
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Kleinsignalersatzschaltbild
>Danach die Transistoren durch Spannungsgesteuerte Stromquellen ersetzen. Nicht alle! jFET und NPN sind hier zu unterscheiden.
Man kann sowohl Bipolartransistoren als auch JFets als spannungsgesteuerte Stromquelle betrachten. (Natürlich mit unterschiedlichen Leitwerten) Man kann den BJT zwar auch als stromgesteuerte Stromquelle abstrahieren aber das ist unüblich und nicht
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Kopfhörerausgang welche spannung?| verständnis frage bzgl. kopfhörerverstärker
ergibt sinn thx für die info was mir auch ein rätsel ist, sind die beiden ?jfets? im amplifier (bauteile:q1 und q2) was sollen die bewirken? :?
:? und die frage hier ist auch noch offen ^_^ was mir auch ein rätsel ist, sind die beiden ?jfets? im amplifier (bauteile:q1 und q2) hier nochmal der schaltkreis http://tangentsoft.net/audio/meta42/misc/schematic6.pdf
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ADC Eingang schützen
Hallo, JFET als Diode geschaltet haben exzellent niedrige Sperrströme und ebenso kleine Kapszitäten (Vishay macht so seine Picoamperedioden). Beim N-FET bilden S und D verbunden die Katode, Anode ist das Gate
Hallo, hier sind alle JFET-Produkte von Vishay, 2. von unten: http://www.vishay.com/fets-small-signal/ Offensichtlich alles dessen Bezeichnung "PAD" enthält. Second Sources gibt es auch: http://www.datasheetarchive.com/search.php
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Doppel- Diodenverzerrer
, dann wird man die Germaniumdiode schnell zu schätzen lernen. Auch Verstärkerstufen mit einem JFET (beispielsweise BF245) mit ihrer quadratischen Ugs-Ids-Charakteristik können verblüffend nach Röhre klingen. Auch ist der Aufwand viel geringer als mit einem Diodenbegrenzer. Leider haben JFET aber so erhebliche Herstellungstoleranzen, daß die gleiche Schaltung mit zwei "identischen" JFETs einmal super klingt und das andere mal garnicht. Deshalb mache ich das lieber mit Germanim-Dioden. Kai Klaas
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Womit Gehäuseanschluß 2N4117A verbinden?
die Kabelabschirmung, so ähnlich wie im Datenblatt beschrieben. Ebenso verwende ich die empfohlenen JFET 2N4117A. Dieset besitzt einen 4. Anschluß für das Gehäuse. Bin mir etwas unsicher, wo ich am besten diesen Anschließen soll: - Gar nicht - Mit Gate/Drain/Source - GND - Schirmtreiber Wobei
ist notorisch instabil und besonders empfindlich gegen ESD. >Ebenso verwende ich die empfohlenen JFET 2N4117A. In der Regel reicht eine BAV199 vollauf. >Dieset besitzt einen 4. Anschluß für das Gehäuse. Bin mir etwas unsicher, >wo ich am besten diesen Anschließen soll: Normalerweise an Masse
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[V] HP3400A RMS-Voltmeter
Nö, dies Gerät hat noch einen Nuvistor. JFET angeblich erst ab SN 2415A. Siehe http://www.gellerlabs.com/HP%203400A%20TRMS%20Meters.htm Grüße Michael
Michael S. schrieb im Beitrag #5751805: > Nö, dies Gerät hat noch einen Nuvistor. > JFET angeblich erst ab SN 2415A. So ist es. Dein Gerät hat die Serie 1248xxxxxx, ist also 1972 produziert worden. Die Geräte mit Nuvistor sind aber ebenfalls sehr zuverlässig. Deine ElkoLösung sollte
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Kleinsignalparameter bestimmen (JFET)
Hey, ich würde gerne die Kleinsignalparameter g und rd eines JFETS bestimmen. Den Arbeitspunkt habe ich bereits bestimmt. Jetzt muss ich nur noch die Kleinsignalparameter bestimmen. Ich weiß jedoch nicht ob mein Ansatz korrekt ist. Es gilt g=dId/dUgs und rd=dUds
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Wozu braucht man "später" Umrechnung Spannungsquelle in Stromquelle?
Konstantstromquellen durchaus aktuell. Von Dezember 2018 die Applikation Note 016 von Interfet: "JFET Implementations" Siehe: https://www.interfet.com/jfet-datasheets/jfet-an-016-interfet.pdf Mit freundlichem Gruß: Bernd Wiebus alias dl1eic http://www.l02.de
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Messung von PT100 PT500 PT1000 - Schaltungskonzept - gute Idee?
werden, sind dabei von höherer Genauigkeit. Das ganze arbeitet mit einer Konstantstromquelle aus JFET und Widerstand, als ADC kommt der uC-interne zum Einsatz. Mittels der zwei genauen Vergleichswiderstände wird durch eine zyklische Messung der drei Widerstände und anschließendem Vergleich der Wert
damit bleibt unterschiedlich viel Restspannung für die doch schlechte Konstantstromquelle aus dem JFET, die doch eher stark Bürdespannungsabhängig ist. Ausserdem ist der interne Widerstand RI1..RI3 unterschiedlich hoch, und in relevanter Grösse (Pt500 hat 2 Ohm/GradC, ein guter uC-Ausgang eher 10-30
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Philips PM 3230 Röhrenscope Erweiterung
Halbleitern. Geht mir auch so, nur kann ich mir den Sinn nicht erklären. Warum hat man das gemacht? JFETs (die dem Verhalten einer Pentode nahe kommen) gab es doch damals auch schon, oder?
> > Geht mir auch so, nur kann ich mir den Sinn nicht erklären. Warum hat > man das gemacht? JFETs (die dem Verhalten einer Pentode nahe kommen) gab > es doch damals auch schon, oder? Die Röhren dienen vermutlich als Endstufen für die Ablenkplatten. Dafür sind Spannungen von bis zu 200V nötig
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FPGA Oszilloskop mit VGA Ausgang
LMH6518. Hält man sich an das Schaltungsbeispiel des Datenblattes käme bspw. der PMBFJ620 als Dual JFET in Frage, dass sind im Wesentlichen zwei J310 in einem Gehäuse (SOT363) und statt des BFQ67 würde man heute wohl den Ersatztyp BFR520 verwenden. branadic
Hi Brandic ich habe in der Simulation die JFETs mit 5V und -5V versorgt. Das scheint auch bei einer kleineren Versorgungsspannung noch zu funktionieren. Und dann sind auch die Verluste im Fet kleiner. Dann sind ca. 140mW Verlust in jedem Fet.
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[V] Leiterplatten für aktiven Tastkopf
http://de.farnell.com/texas-instruments/opa659idrbt/op-verstaerker-650mhz-jfet-8son/dp/1710802
im Beitrag #2058072: > http://de.farnell.com/texas-instruments/opa659idrbt/op-verstaerker-650mhz-jfet-8son/dp/1710802 Beachte, dass der Link auf einen OPA659 im SON8-Gehäuse verweist. Für branadics Platine wird aber ein SOT23-5 benötigt.
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LM317 bipolar gepulst
allerdings schon zu viel Spannung, 6V reicht da nicht damit die LED leuchtet) oder eben besser ein BF245C JFET.
In deiner Schaltung könnte man allerdings die Dioden weglassen, der JFET leitet selbst in Gegenrichtung, es fliesst zwar mehr Gate-Strom als nach Datenblatt erlaubt, aber hey, es ist eine LED-Schaltung, ob der da rauschfrei bleibt ist eher egal. Dann sind's nur noch 3 Bauteile
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Elektronisches Poti, Mosfet, Transistor, Optokoppler, IGBT?
außer beim Vollanschlag, da tackert der GTIL und geht auf 40W Eignet sich ein Optokoppler mit JFet dafür? Es handelt sich um einen Regelkreis, Linearität ist also nicht wichtig. Welches Bauteil käme noch in Frage?
nicht. Optokoppler ging aber eben auch nur wie der Transistor. Daher evtl noch Optokoppler mit JFet, habe ich aber nicht hier bzw finde ich in meiner Kiste nicht
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Welche Dioden für Ringmodulator benutzen?
jede > schnelle Diode Bei 30MHz gehts nur mit Schottky-Didoen, schnellen Bipolar-Transistoren, JFets oder Mosfets.
>Bei 30MHz gehts nur mit Schottky-Didoen, schnellen Bipolar-Transistoren, >JFets oder Mosfets. ne 1n4148 mit 4ns soll bei 30 MHz nicht reichen ?
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Bipolartransistor als AC-Switch?
zu sein. Funktioniert das auch in SPICE? Mal was Neues für mich. Ist sowas besser als ein JFET in Kompressoren?
Abdul K. schrieb im Beitrag #7067982: > Ist sowas besser als ein JFET in Kompressoren? Nein. Der Fet ist leichter zu handhaben im Verstärker. Aber (bei Massenstückzahlen) ist der BJT günstiger. Wie gesagt, gilt nicht für Leistungsanwendung (s.o. 230V vs. NF-Abgrenzun
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Spannung erzeugen für blaue Segmentanzeigen aus 5V
der LEDs und du kannst die mit 8..15V betreiben. Keine Notwendigkeit für einen Step-Up. Ein paar JFETs + Widerstand reichen. MfG Falk
LEDs und > du kannst die mit 8..15V betreiben. Keine Notwendigkeit für einen > Step-Up. Ein paar JFETs + Widerstand reichen. > schaue ich mir mal an. Da bräuchte man dann allerdings pro Segment einen JFET, nicht wahr?... mal sehen :) > MfG > Falk lg Sammy
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1mVpp Sinus verstärken
Versorgungsspannung kommt erschwerdend hinzu... Die Kunst liegt jetzt dahinter, möglichst einen JFET (hoher Re) OPV zu finden mit Single Supply und 3V Spannungsversorgung... AD8605 wäre ein interessanter ansatz!
eingebaut. Bei 2V VDD hat er am Pin-14 150mV Empfindlickeit. So wenn man eine LC Resonanzschaltung mit JFET Opamp zur hochohmigen Isolation und Vorverstärkung nimmt müsste das auf Anhieb funktionieren. Da die LC Schaltung bei Resonanz schon eine Spannungüberhöhung hat, ist das Rauschproblem weniger kritisch
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AD711 / AD620 Verstärker 2-3 fach
Egon schrieb im Beitrag #7748211: > Was spricht gegen den AD711 Da er als JFET OpAmp mindestens 4V Abstand von der negativen Versorgung braucht, kann er die 2.34V fur -40 GradC vom LM335 nicht messen, er brauchte also eine negative Versorgungsspannung. Oder als Differenzverstärker
> Da er als JFET OpAmp mindestens 4V Abstand von der negativen Versorgung > braucht, kann er die 2.34V fur -40 GradC vom LM335 nicht messen, er > brauchte also eine negative Versorgungsspannung. > Mit +15 und
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OPA2277 Probleme
Hallo Dirk, da hilft nur ein Opamp mit Jfet Eingangsstufe, z. B. AD712.
einen benötigt vermeiden. Auch etwas weniger Spannung hilft. Der OPA2140 ist halt ein rauscharmer JFET OP. Je nach Anwendung und auch bei der Eigenerwärmung ist aber der OPA2277 besser. Kurzschlussfest sind übrigens die meisten OPs.
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Ersatz für 2N4338
JFET 50V 0.6mA Sowas braucht kein Mensch. Vielleicht kann man das nicht spezifizierte Gerät auch auf Röhren umbauen.
Die Amplitudenregelung sollte eher unkritisch sein. Da sollte es so ziemlich jeder kleine N-Kanal JFET tun. Eine kleine Schwell-Spannung und ein R_on in der richtigen Größenordnung wären ggf. noch der wichtigste Parameter. Niedriges Rauschen, Leckströme und die hohe Spannungsfestigkeit werden da nicht
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Stromquelle mit J-FET
JFET als Stromquelle ist in den meisten Fällen Mist. Was soll es denn werden?
j. c. schrieb im Beitrag #2310577: > JFET als Stromquelle ist in den meisten Fällen Mist. Habe ich aber oft so gesehen. Was soll daran Mist sein? > Was soll es denn werden? Der Strom soll halt einigermassen konstant sein, und nicht
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Differential amplifier
überhaupt dimensioniert werden? JFETS verhalten sich ja wie Widerstände wenn das Gate nicht angeschlossen wird. Allerdings weiss ich nicht, wie gross dieser Widerstand ist, bzw. wieviel Spannung darüber abfallen wird bei 0.1mA. kann
Hallo, >> JFETS verhalten sich ja wie Widerstände wenn das Gate nicht angeschlossen wird. - Nein. dann fangen sie irgend was ein oder sperren! (undefinierter Zustand!) Also die Gates müssen immer angeschlossen
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Spannungsdetektor mit <0.7V Versorgung?
Vllt ein Joule Thief mit JFET oder germanium-transe und Piezosummer als Last parallel zur Spule. Idealerweise bringt man die Resonanzfrequenz noch in den Hörbaren bereich.
geht ab 0,3V. Von TI gibt es Energie.Harvesting-IC, die gehen schon am 30...60mV. Schwingkreis mit JFET geht auch, aber da wird ein Übertrager benötigt.
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Kann billiges Digitalmultimeter die Spannungsmessung verfälschen?
Ich glaube die sind aber kein Vergleich zu JFET Opamps...
Simon K. schrieb im Beitrag #1816065: >Ich glaube die sind aber kein Vergleich zu JFET Opamps... Stimmt. Die Röhrenvoltmeter liegen wohl auch nur im einstelligen MOhm-Bereich. Zu der Zeit, als man hauptsächlich noch Drehspulinstrumente hatte, mit Werten um etwa 20kOhm/V, waren die
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collector emmiter stromrichtung egal?
die ich mich erinnere war in der Wireless World vor ca. 35Jahren. Seit Jahrzehnten gibt es so gute JFet- und Mosfet-Analogschalter, dass man diese "Krücken" nicht mehr haben will. Gruß Helmut
ich mich erinnere war in der Wireless >World vor ca. 35Jahren. >Seit Jahrzehnten gibt es so gute JFet- und Mosfet-Analogschalter, dass >man diese "Krücken" nicht mehr haben will. In 2.1 sind die Vor- und Nachteile des Inversbetriebs kurz skizziert: http://www.elektronik-kompendium.de/public/
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Bauteil-Identifizierung
hinsichtlich der > Werte mancher Bauteile - korrekt Was wäre denn, wenn der angebliche PNP ein JFET wäre...
Warum sollte man in /dieser/ Schaltung einen JFET einsetzen? Der Eingangswiderstand von Q2 spielt ja wohl kaum eine Rolle. Die Endstufe entspricht doch weitgehend (wenn man R6 mal ignoriert) einer Sziklai-Schaltung, also eine durchaus gebräuchlichen
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Intelligenter Widerstand
Wird wohl ein Linearregler à la LM317 o. ä. sein - oder ein JFET. Siehe [Konstantstromquelle] Kannst ja mal versuchen, die Schaltung und den IC-Aufdruck aus den Bildern zu rekonstruieren - bin da grad deutlich zu faul für (bzw. finde das deutlich zu unspannend)
Basti schrieb im Beitrag #4983700: > Weiß jemand wie die Intern > funktionieren? z.B. JFET mit G->S verbunden a.k.a. "Konstantstromdiode"/"Stromregeldiode".
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30mA Konstantstromquelle mit einem Bauteil
mit welchem Typ kann man 350mA KSQ so einfach ( "Einbauteil" ) aufbauen Nicht mit den Standard-JFETs. Der BF245C macht typ. 16mA. Es gibt natürlich auch fertige Konstantstromquellen auf JFET-Basis, aber ob du dir dafür wirklich Spezialbauteile antun willst?
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Wie misst man pA und fA Ströme?
So schwer ist das ganze nicht: Man nehme einen Opamp mit jFET Eingang und seeeeehr niedrigem Eingangsstrom, schließe einen Widerstand von 1M zwischen Ausgang und invertierendem Eingang an und lege den nichtinvertierenden Eingang an GND. Zwischen GND und invertierendem
+ mosfet in haben , jfet reicht da nicht mehr...
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Verstärkerschaltung aus µV-Bereich
rauscharm genauso wie der Ina116 oder hab ich > mich da vertan? Die haben halt einen Verstärker mit Jfet-Eingang genommen. Da gibt es welche die bei Raumtemperatur sub-pA EIngangsstrom haben. Ri = 1V/1pA = 1Tera-Ohm Jetzt suchst du dir einen mit 0,0xpA Eingangsstrom und gut ist. Wenn der Sensor
sonst helfen die besten Teile nichts. Eine Alternative zum OP oder INA ist eventuell auch ein JFET als Sourcefolger. Bei einigen Typen kann man da direkt mit kapazitver Kopplung am Eingang arbeiten, ohne sich um ein Vorspannung zu kümmern. Das Rauschen der Verstärker dahinter kann man dann schon
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Analogen Oszillator mit digitalem Frequenzzähler messen
etwas wie eine paar antiparallele Diode vor dem FET sind auch als Schutz ganz angebracht. Hinter dem JFET ist das zu spät und man müsste noch einen Sockel für den JFET einplanen. Kleine Dioden haben ja auch nicht so viel Kapazität (je 4 pF bei der 1N4148). Wenn das zu viel wird, könnte man je 2 Diode
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Bauteilebeschaffung !!
schon viele Datenblätter durchstöbert, aber nix passendes gefunden. Ich glaub das sind N-Channel JFETs, so wie 2sK222 oder ähnlich, aber können auch normale NPN Transistoren sein ?! Und wenn es solche währen, wo bekommt man dann solche Exzoten? Gibt es irgendwo Vergleichstypen ? Für K213 und K218 hab
K222 !! Das ist nämlich ein großer Unterschied, entweder ein normaler PNP Transistor oder ein JFET !! Datenblätter: 2SK222 -> http://www.ortodoxism.ro/datasheets/sanyo/ds_pdf_e/2SK222.pdf oder KTA1268 -> http://www.ortodoxism.ro/datasheets/kec/KTA1268.pdf Gruß Klaus
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Stromquelle mit BF511 für 0,5mA
liegen und danach auf GND. In einer Simulation funktioniert das wunderbar. Ich verwende dort den JFET 2N3819. Nun wollte ich aber auf eine SMD Variante umsteigen und hab mir den BF511 ausgesucht (den gibt es bei Reichelt). Nun frage ich mich, ob ich diesen für den verlangten Strom von etwa 500µA
Widerstand auflade, der an den 5V eines 78L05 SMD hängt. Im Anhang ist die Platine, wie sie für die JFET Variante gemacht werden würde.
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Blaue LED 3,1V an 3,3V über Widerstand ratsam?
Dummschwaezer schrieb im Beitrag #2529280: > Konstantstromquelle Die JFET Lösungen sollen ca. 0,5V drop für sich benötigen. Das wäre zuviel, weil ich nur 0,2V Reserve habe. Vielleicht gibt es einen low-drop JFET?
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Hohe Spannung bei sehr kleinem Strom schalten
Konstantstromquelle mit FETs geht nur mit depletion-Typen. Obiger MOSFET ist ein enhancement-Typ. JFETs sind grundsätzlich depletionartig. Wobei das Ganze nur eine Frage der Threshold-Spannung des Gate ist! Gibt sogar programmierbare, z.B. ALDinc bzw. alle Flash-Memory arbeiten so. Wenn du nämlich einen JFET in den positiven Bereich ansteuerst, wird er noch mehr leitend! Geht beim JFET aber nur bis seine parasitäre Gate-Diode anfängt zu leiten. Beim depletion-MOSFET kann man das Spiel dann aber dank der
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Eigenartiger Defekt eines JFETs: Niedriger Eingangswiderstand
eines 10MOhm-Widerstandes auf einen Eingangswiderstand von nur ca. 100kOhm gekommen. Nachdem ich den JFET vom Typ E103 (ist ähnlich BF244 oder BF245) gegen einen BF244C getauscht und den Arbeitspunkt neu eingestellt hatte, war der Eingangswiderstand bei ca. 30MOhm. Passt also jetzt wieder wunderbar! Habe
Danke. Das macht Sinn! Ich hatte mich gefragt, wie ein durchlegierter JFET trotzdem funktionieren kann. Wenn die Stufe als Drainfolger realisiert wäre, wäre ich drauf gekommen.
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FET SST113 Vergleichstyp ?
http://www.ortodoxism.ro/datasheets/vishay/70232.pdf Es handelt sich also um einen "N-Kanal JFET". Ich habe bisher immer nur mit MOSFETs gearbeitet (BSS138, IRF5210...). Nun stellt sich die Frage welchen Typ ich als Vergleichstyp dieses Exoten hernehmen kann, am besten einen den es bei Reichelt
gibt. Das wäre auch die Gelegenheit sich erklären zu lassen was denn der Unterschied zwischen einem JFET und einem MOSFET ist. Gruß Stefan
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JFET Parameter, Modell in LTSpice einbinden
Hallo, ich versuche den SiC JFET (UJ3N120070K3S) in LTSpice einzubinden. Jedoch wird im Modell von UnitedSiC der Parameter ascale benutzt. Heißt, dass hier eine sinnvolle Skalierung des jeweiligen Parameters eingefügt werden kann?muss
wird bspw. .param gos={0.0178*{ascale}} benutzt. Also eine Skalierung des Ausgangsleitwertes des JFETs. Wenn ich alle skalierbaren Parameter auf '1' festlege, bekomme ich unrealistisch hohe Ströme. Vielen Dank für eure Hilfe! €: https://unitedsic.com/spice/UJ3N120070K3S.txt (Spice Modell von