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Selbstbau Mikrofon Array für Akkordeon
eine Oktave. > Die große Kostenfrage wäre, ob man einfach mehrere Elektretmikros > parallel schalten kann. lieber über eine Summierschaltung mit OV. Je Widerstand und Kondensator pro Mikrofonkapsel, das ist nicht zu aufwendig.
Also: ich würde besser Stromquellen in Reihe schalten und Spanungsquellen Parallel. ( hab aber auch noch nicht danach gegoogelt) Aber wenn lt. TI-Appnote https://www.mikrocontroller.net/topic/562366#7842830 eine Kapsel 8µA pro Pascal Stromänderung
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einfache Zeitverzögerung
Elkos. Und natürlich das: Steve van de Grens schrieb im Beitrag #7555010: > MOSFET sind keine Schalter! Das sing analoge Bauteile. Für kurze Zeiten bei geringer Last kann man den FET mißbrauchen, aber das Ergebnis wird eher zufällig - Bastelpfusch. Michael B. schrieb im Beitrag #7555014: >>
Carypt C. schrieb im Beitrag #7556913: > ich weiß ja nicht. Ein FET, der die Batterie kurzschließt. Was gibt eher auf?
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Widerstände mit Mikrocontroller messen
> Wie sieht diese Box aus? Wie schließt du den Stecker dieser Box da an? Bild hängt an -> die Schalter/Taster auf der linken Seite haben eine andere Funktion und können erstmal ignoriert werden.
Dani S. schrieb im Beitrag #7553928: > Bild hängt an > -> die Schalter/Taster auf der linken Seite haben eine andere Funktion > und können erstmal ignoriert werden. Jetzt bräuchte man noch einen Schaltplan wie die Motoren und Bremsen an besagtem X10 aufgelegt sind
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MOSFET-Treiber; Supply Voltage Problem
Transistors ist und alles niederinduktiv auf der Leiterplatte aufgebaut. Das Layout ist da wichtig. SiC-FET sind in der Ansteuerung noch kritischer als normale Si-FETs. Und am übelsten sind wohl GaN-FETs, die schalten aber auch am schnellsten. Warum wurde eigentlich ein Logik-Level MOSFET ausgewählt? Und
denn die Spannung geht quadratisch in die (Verlust)leistung mit ein. Ehe du dich versiehst, ist der FET abgeraucht ;-)
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Capacitor Charger
aufgebaut werden können 10A auf Lochraster, das ist schon heftig. Ich nehme bei sowas 70µm Cu und schalte auch mal 2-4 Layer parallel.
den Anfangs genannten 10A ist der schon an der Lastgrenze. Bei 50% Duty Cycle muß er ja schon 20A schalten damit 10A aus der Batterie entnommen werden. Wenn da jetzt ca 20A(40peek) durchgehen müssen bedarf es einem zweiten. Oder einen Leistungsstärkeren. Ein großer Kondensator sollte nahe bei dem Fet
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H-Brückenschaltung
Cross Conducting (also das gleichzeitige Schalten der Halbleiter "über Kreuz") wird bei integrierten Schaltungen durch das einbringen einer sogenannten death time vermieden. Heißt, du wartest ein paar Mikro / mill Sekunden, nachdem der eine Schalter
soll an einer H-Brücke mit P-Kanal in der Highside denn nicht State > of the Art sein? P-Kanal Fets haben einen deutlich höheren Rdson als N-Kanal Fets. Deswegen. Ob das eine Rolle spielt hängt von der Anwendung, besonders dem Strom, ab. > Wenn man es richtig verschaltet, ist das einfach und narrensicher
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Treiber für High-Side N-FET (single-shot)
Viele Schaltregler-ICs arbeiten so. Problem: Das low-side FET muss auch zyklisch geschaltet werden, damit das funktioniert. Wie könnte man einen high-side Treiber für ein N-FET als single-shot Lösung realisieren, sodass man z.b. mit dem N-FET gegen 200V schalten
Xx X. schrieb im Beitrag #7546676: > Ok, ich konkretisiere: > Wenn das N-FET mit Drain an 200V DC hinge und eine Kapazität an Source > auf diese 200V aufgeladen werden soll, bist du in Begriff, SEHR große Ströme zu schalten und den FET zu sprengen. Ohne Strombegrenzung
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MOSFET: muss ich parallel schalten?
aber erstmal nur für den eingeschwungenen Zustand. Viel interessanter ist wie lange es dauert bis der Fet foll durchgeschaltet ist und wie lange dieser irgendwo mittendrin im Linearbetrieb ist mit entsprechend höhere Verlustleistung. Bei einmal schalten je Stunde meist kein Problem, aber bei PWM in einigen
schalte ich eben den GND", dann lass dir gesagt sein, dass es eine schlechte Idee ist, einer elektronischen Schaltung den Bezugspunkt (aka GND) hochohmig zu schalten.
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RF AMP 100W 1-30MHZ
Max M. schrieb im Beitrag #7551929: > Etliche 2EDB8259Y um den FET.... Das ist doch auch ein ganz wesentlich Punkt. Welche(n) FET(s) willst du nehmen? Sieh dich bei den ganzen Amateurbauten um. Meist nur IRF510, IRF530, und (vernünftig) ist meist nicht mehr als
OZ1PIF_HOMEPAGE/50MHz_IRF510.htm Das hatten wir schon. https://www.dl9ah.de/mosfet_2/Ultraliniere%20FET%20Endstufe%20von%20DL9AH.pdf Arno, DL9AH, ist schon seit Jahrzehnten für seine PAs bekannt. Aber das ist auch nicht mal eben.... Viel Erfolg 73 Wilhelm
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Strombegrenzung bei Ansteuerung Bodenfeuchtesensor G1188
schrieb im Beitrag #7543136: > Wie würdet ihr so etwas lösen? Mit einem Transistor pnp als Schalter wird der Einschaltstrom über den Basiswiderstand mal Verstärkungsfaktor begrenzt. Dabei fallen 0,1...0,3V bei 150mA zwischen C-E ab.
Dieter D. schrieb im Beitrag #7543244: > Mit einem Transistor pnp als Schalter Das klingt ja super elegant und einfach! LG, Sebastian
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18650-Tester-bessere Beschreibung
280mA und bei Temperaturen von 20 oder 25 Grad zu erfolgen. Als Annäherung solltest Du einen Schalter einbauen, der die beiden Widerstände in Reihe schaltet und ggf. mit einem kleinen Lüfter die Testzelle kühlen.
Jahren einen Eigenbau gemacht, der bis 0,5V herunter spielt und maximal 1,5A kann. Neben zwei per FET geschalteten Widerständen dient ein MOS-FET in Analogbetrieb als Last. Das Gerät muß keine Batterie haben, für µC und Display habe ich Strom aus der Steckdose. Ralf X. schrieb im Beitrag #7542438
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Mosfet Strombegrenzung
die Lösung mit dem Flipflop. Aber im Grunde eben so aufgebaut, dass > sie auch für die Highside-Fets funktioniert. Die High-Side Mosfets sind noch nie durchgebrannt, immer nur der Low-Sid. Sehe ich das richtig: wenn der Ausgang des OP high wird, damit auf den SET Eingang des FlipFlops und den CLR
Alles sehr langsam. Was zeigt denn das Oszi bei der Gate-Spannung? Ich vermute durch das langsame Schalten eher Halbbrücken-Kurzschlüsse.
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100 Lampen getrennt ansteuern mit ESP32 - Welcher Datenbus Typ?
Andreas B. schrieb im Beitrag #7536651: > Die > galvanische Trennung: das machen wir über die MOS-FETs. Also nicht. ;) Und: Warum die 24V-Seite schalten? Wenn wirklich nur geschaltet werden soll und nicht gedimmt, sollte man das aus Ruhestrom und Lebensdauergründen vielleicht an der 230V-Seite
Andreas B. schrieb im Beitrag #7536651: >> Die >> galvanische Trennung: das machen wir über die MOS-FETs. > > Also nicht. ;) > > Und: Warum die 24V-Seite schalten? > Wenn wirklich nur geschaltet werden soll und nicht gedimmt, sollte man > das aus Ruhestrom und Lebensdauergründen vielleicht an
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+-250V Rechteck aus 250VDC erzeugen
Man kann auch die Gate-Widerstände mit einer Diode brücken, so daß die FETs schneller sperren. Das verschafft einem etwas mehr Totzeit, weil beim Öffnen der anderen Seite die Widerstände wirksam sind - aber kann Störungen verursachen. IGBTs sind so eine Sache, die sind zuweilen
Dir die schwereren Projekte an, ab 100kW? Der allererste Gedanke war: DC mit ein paar IGBT schalten und fertig . . . -> ganz einfach :-)
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12V LED Spot über MOSFET mit 24V ansteuern
immer da sein, wenn der Pegel mal undefiniert werden könnte, aber der Längswiderstand macht das Schalten nur unnötig langsam.
Mosfet der 24Vgs ab kann und spar Dir den Spannungsteiler. Dann zeige uns einen leicht beschaffbaren FET, der mehr als 20V U(GS) verträgt. Johnny hat jede Menge Steuerspannug und eine geringe Last, da geht so ziemlich jeder FET. Es gibt beim Chinesen diese schwachsinnigen FET-Module "for Arduino"
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Lautsprechertreiber 4,5V
empfehlen? Bau den NF-Verstärker vom Taschenradio Cora nach, der hat mit nur 3V funktioniert. Schalte aber ein Tiefpass vorneweg, damit der Verstärker ein analoges Signal bekommt und keine PWM.
Dauer auch etwas zu hoch ist. Ist es irgendwie möglich die Versorgungsspannung über ein GPIO zu schalten (Transistor oder FET?), dass man es halt immer nur wenn benötigt anschaltet um den Ruhestrom zu umgehen?
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welchen Gatetreiber für esp12 zu einem Mosfet mit min 5V Gatespannung?
Helmut H. schrieb im Beitrag #7533273: > Daher die Suche. Wie schnell musst du schalten ? Jeder 74HCT Chip lädt mit 20mA um. MIC4414/4415 mit 1.5A
Ist denn überhaupt eine Massenproduktion geplant, so dass die Mehrkosten "3.3V LL Fet" vs "5V LL Fet" den ganzen Zusatzaufwand mit Single-Logikgatter, Treiber-IC, Transistoren oder auch dem Drei-Dioden-Pullup-Murks aufwiegen? Ich würde davon ausgehen: "passenden FET kaufen" ist billiger
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"Bastelgeschenk" für 9 Jährigen gesucht
Holzbrett mit Flachbatterie, ein paar Lämpchen, > Klingel und Summer und verschiedenen Tastern und Schaltern. Ja und schau was aus dir geworden ist: Ein alter Brummel im µC Forum der anderen Weihnachten ruinieren will. Super!
Blech auf eine heiße Kochplatte und Krümel vom Salmiakstein drauf gaben perfekten Disconebel auf Feten.
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teures Spielzeug-Leselampe Henry macht nichts mehr
die LED leuchten nicht ! Lars B. schrieb im Beitrag #7533271: > Also die LEDs brennen, die Schalter funktionieren, aber irgendwas > ist eben defekt an der Schaltung. Hä?
Beitrag #7533402: > Was sind das für Bauteile? Alles >= 6 Pins kann ein MC sein, viele Power-FETs sind auch im SO-8.
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Helligkeitsschalter mit Phototransistor.
Gaming-PC nehmen und den Analogeingang eines Gamepads als Eingang verwenden und ne USB-Relaiskarte zum Schalten der Displaybeleuchtung verwenden.
ich die hier rein stellen. Dafür hatte ich sogar die Platine (als Nutzen) selbst geätzt. Ein LL-Fet und Photodiode. Schaltet auch ohne Schmitttrigger ziemlich steil.
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DIY 10kW/20kWh eta=99% Insel ESS Projektvorstellung
Sorry, aber 10kW gibt um die 40Arms. Für 100W Verluste bleiben dir dann für 12 Schalter (6 H-Brücken in Serie) 8W pro Schalter... Das wären also 5mOhm Dinger! Monolithische Inverter und Drehstrom macht man nicht ohne Grund! Stell dich auf SiC/GaN um gutes Geld ein... 73
durch die Induktivitäten von Case und Layout wirst du schon 20W+ Schaltverluste am jeweils schaltenden FET einfahren. Dazu die Leitverluste. Schnelles Schalten geht mit den Induktivitäten nicht. Für EMI vielleicht ganz gut, aber die Wärme muss weg. Vielleicht kann eine ganze H-Brücke auf 1 KK, wären dann
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PCF8574 mit ULN2003
Pull-Up, aber dafür funktioniert es. In deiner Anwendung hat der TPIC noch den Vorteil, dass er FET-Ausgänge hat, also ist der Spannungsabfall kleiner als bei den Darlington-Ausgängen. Allerdings haben diese FET bis zu 18 Ohm bei 3 Volt, ab 75mA wird er also schlechter als ein ULN und mehr Strom ist
Tom W. schrieb im Beitrag #7532219: > ich meinte TBD62083APG Naja, schalten würde er, aber genauso wie der ULN, also gegen das eigentliche Problem hilft er nicht Tom W. schrieb im Beitrag #7531123: > beim Booten alle Ausgänge kurz HIGH zu schalten
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P Channel Mosfet an Avr
erwischen. Und du willst jetzt ernsthaft behaupten der IRFR9024N könnte 0.34A nicht sicher mit -5V UGS schalten? Der IRFR9024N ist zum Schalten von 0.34A eigentlich sogar maßlos überdimensioniert.
diesem Thread ist primär das Problem, einen FET zu haben, der bei der geringen Gatespannung zuverlässig schaltet. Einen LL-P-FET in THT zu finden, scheint mittlerweile aussichtslos.
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Bassverstärker setzt aus - bitte Hilfe bei Analyse
Schieberegler auch verdächtig. Wie o.a., teste an den Effektinserts, ob da immer Audio rauskommt, und alle Schalter auf der Frontplatte. Wimre ist die ganze Vorverstärkung auf bzw. hinter der Frontplatte montiert. Die Dinger taugen m.M.n. nicht viel - die 150W Kiste, die ich von denen hatte, klang wirklich
ich immer noch spiele. Die Röhrenvorstufe habe ich später mal durch eine Vorstufe mit selektiertem FET ersetzt.
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? zu DS3234 Batterieüberwachung
belasten würde als die RTC selber. Nicht zwangsläufig. In einer Anwendung mit µC habe ich einen P-FET am Akku, der diesen für 2ms an den Teiler zum A/D-Eingang schaltet. Warum nicht auch hier: Wenn der ESP aufwacht, mal *kurz* die Batterie der RTC zur Messung aufschalten. Thomas P. schrieb im
Mit dem Interrupt kann man den ESP aus seinem(!) Sleep-Modus wecken, ohne dessen Versorgung schalten zu müssen. Die 18650 hat 2600 mAh, das reicht so einer Uhr bei 2,5 µA für mehr als 100 Jahre, verkürzt also die Nutzungsdauer der 18650 praktisch nicht.
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Minimale Schaltung für Arduino
mit zwei Dioden, oder einer BAV70 ODER-verknüpfen und anschließend auf die LED vom Optokoppler schalten, dann geht's.
Die Variante mit einem einfachen Schalter oder rastenden Taster ist wohl zu "old school"?
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Verriegelung von Gate Trebern
noch nicht klar wie das gemacht werden kann. Es ist wichtig, dass der eine Schalter entsprechend der Halbperiode bloß nur im aktiven Zustand bleibt und nicht zum Schalten kommt. Danke und herzliche Grüße
vorher mal zum Schalten kommen? Eine Verriegelung soll doch i.d.R. das Einschalten verhindern, bis ein anderer Schalter sicher ausgeschaltet hat.
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MCP 16301 Schottky Diode
ist zum einem definierter und führt dadurch idR zu einem effizienteren Verhalten. Dazu kommt, dass FETs idR einen wesentlich geringeren ON-Widerstand haben statt Dioden was auch hierbei zu deutlich geringeren Verlusten führt.
auch nicht kurzfristig überlasten. LDOs regeln meist thermisch ab, DC/DC messen meist Strom und schalten oft direkt ab wenn der Strom zu groß wird. Auch die Spule geht sofort in Sättigung wenn Ihr Strom überschritten wird. Marcel B. schrieb im Beitrag #7526319: > Ich meine, das wirkt sich ja auch
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SWR, Endstufe, TP-Filter
minimalen Eigenverlusten verwenden kann. Wenn du dir einen uSDX ansiehst, dann werkelt da ein kleiner FET im SOT-23-Gehäuse, aus dem bis zu 5 W HF rauskommen – ohne dass er groß warm wird.
man aber rausbekommen. Ich kann ja mal spaßeshalber eine Matchbox zwischen pa und Tiefpassfilter schalten.
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3A SMD PWM led Treiber
zu dimmen? Wenn man die Verlustleistung der Vorwiderstände in Kauf nimmt, sollte ein einfacher N-FET als low-side PWM Schalter zum Dimmen ausreichen. Nuri O. schrieb im Beitrag #7523861: > Blöd ausgedrückt, meinte einfach eine Schaltung mit einem pwm Treiber. Was ist ein "PWM Treiber"? Meinst
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SMD Mosfet mit Z-Diode für induktive Last
aber lange nicht den Strom, eher 0.15A. Eine Zener Diode zwischen Drain und Gate macht den ganzen FET zur quasi leistungs-zener. Evtl. kann man die Interne Beschaltung aus dem Datenblatt an einem starken FET extern ergänzen.
und OTP und nennen sich IntelliFet oder Profet oder einen anderen wohlklingenden Namen zu einem Preis der ein Vielfaches eines Fets + Diode beträgt. Ist aber alles am falschen Ende. Die Energie einer Freilaufdiode ist Vf * I, also
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Frust mit Speeduino Arduino Mega Erweiterung.
die Düsen Freilaufdioden? > - Ich nehme an das nicht, Das kommt mir etwas eigenartig vor, ob die FET das aushalten? Das würde das einmalige Schalten erklären. Was durch den Spannungsimpuls beim Abschalten mitgestorben ist, ist schwer zu sagen. Wenn es in der Beschreibung Punkte mit Spannungsangaben
T. schrieb im Beitrag #7518967: > Bei 8 Ohm sind deine 0.6 Ohm immerhin schon fast 10%. Ob der FET jetzt 1A oder 2A schalten muss ist bei 63A die er können soll, ziemlich egal. Mich stören da eher die 1k am Gate. Wenn doch der FET dadurch defekt wurde, dann wäre wohl kaum das ganze rundherum auch
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Bootstrapping ohne NPN-Transistor
schrieb? Um einen Nmos zu verwenden muss dessen Gate Source Spannung GRÖßER sein als die 36V die er schalten soll. Außerdem schaltet ein Fet mit 4K7 Gatewiderstand extremst gemütlich. Du must bei LTspice auch hinsehen. Simulieren alleine reicht nicht. Du kannst jedes Detail sehen, wenn du nur willst
Um einen Nmos zu verwenden muss dessen Gate Source Spannung GRÖßER sein > als die 36V die er schalten soll. > > Außerdem schaltet ein Fet mit 4K7 Gatewiderstand extremst gemütlich. > Du must bei LTspice auch hinsehen. > Simulieren alleine reicht nicht. > Du kannst jedes Detail sehen, wenn du
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Strombegrenzung gesucht
Eigentlich erstaunlich, man sollte doch meinen das man gerade im 24V auch gerne mal etwas begrenzt schalten moechte, seufz Vanye
loesen... Dann müßtest Du auf eine TPS2H000 ausweichen, mit dem eine Kanal eine Widerstand schalten als "pre-charge". dann nach (software?) eingestellteer Zeit den zweiten Kanal zuschalten der den precharge Pfad überbrückt. Es ist immer das Thema bei "ich schalte große Kapazität" das man
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Gebrauchtes Notebook-Netzteil kaufen?
für meine alten Laptops, weil der ORIGINALSCHEISS längst kaputt ist. Immer wieder mit überlastetem Fet oder Diode oder aufgekochtem billigschrott Allgebrauchselko mit 85°C. Beim Billoteil: 105°C low ESR. Die Billoteile sind kleiner, effizienter, billiger und halten schon ewig. Das gleiche mit original
mit Erfahrung. Zum Beispiel alles Mechanische. Kabel, Stecker (gerne eine gebrochene Lötstelle), Schalter. Ersatzteile gibt es von Aliexpress. Nicht zu vergessen geplatzte Elkos. Wenn man Glück hat war es nur ein Elko und vielleicht noch eine Sicherung (leider meist der besonderen Art). > Wenn man
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Fritzbox 7590 fiept
irgend ein > Leckstrom einstellen ich vermute eher, dass zum Zeitpunkt des Abschalten des lowside-Fets die Logic oder der HS-Driver spinnt; der HS-Fet wird ab dann seltsam angesteuert; die Ansteuerung des LS-Fets scheint ok zu sein, erkennbar an dem niedrigeren L-Pegel <0V durch die Body-Diode; das
der Regler fällt wegen der wegfallenden Last in einen Fehlermode mit gestörter Ansteuerung des HS-Fets - der HS-Fet wird im Fehlerfall zulange durchgesteuert, die Spule geht in Sättigung - HS-Fet wird überlastet, Regler überhitzt und schmort, das LP-Material wird niederohmig und es schmort zwischen
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3,3 V schalten mit möglichgst geringem Spannungsabfall
schalten.
ausschalten > ? > .. > > Wenn er seine Logik umdreht und als Schaltspannung 0V/3.3V hat und 3.3V > schalten will tut es ein P-MOSFET wie NDS332. Wenn beide Spannungen identisch sind und der µC-Ausgang low für Ein sein darf, kann ein LL-P-FET direkt an dessen Ausgang. Das ist so offensichtlich, dass wir
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Suche Sender Empfänger Paar 2 Kanal für eigene Taster
etwas komplizierter, weil die ueblicherweise nur ein Kommando dekodieren, um damit ein Relais zu schalten. Da muss man dann bei der 2. Empfaengerplatine den Empfaenger "funktionslos" machen, und den Dekoder mit an den ersten Empfaenger anschliessen. Mit wie viel Spannung der Empfaenger betrieben wird
Empfängerseitig dann ein Schaltnetzteil 24V zu 3,3V und ein paar Relais oder OptoMos. Evtl reichen auch einfach FETs. Je nach Anwendungsfall.
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Zweipolige Trennung mit Verpolschutz
Q5 gegen Verpolung schützen. Momentan habe ich den vereinfachten Stromlaufplan mit drei n-Kanal FETs. Das möchte ich noch günstiger hinbekommen. Sieht ihr eine Möglichkeit, die Anzahl der FETs auf zwei (2) zu reduzieren? Verpolschutz mit Sicherung und Diode kommt nicht in Frage. danke vorab!
können, dass kein Personenschaden entsteht, wenn einer deiner Schalter "versagt".
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ESP32 3.3V Versorgung aufrecht erhalten mit MOSFETs bis fertig mit Aktion
Spannung. Deshalb dachte > ich ein Mosfet ist hier besser. Egal, der BJT muß halt das Gate vom P-FET nach GND ziehen, was bei dem geringen Strom unkritisch ist. Wenn Du bei 10k G-S bleibst, muß er 360µA schalten und ist sauber offen, wenn er vom µC 40µA bekommt, 56k Basiswiderstand. > Ich muss
also NPN nehmen sollte, > weil man den mit Strom schaltet und Mosfets mit Spannung. Der Q? (N-FET) besitzt als Arbeitswiderstand R? (562kΩ) und muss dessen Strom schalten. Der Q? (P-FET) guckt sich mit dem Gate die daraus resultierende Spannung an. Ob da auf Grund der U_CE von einem BJT irgendetwas
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Projekt für BehindertenWerk, Anker Durchlass in Gigaohm anzeigen.
kurzer Zeit, es können auch deutlich weniger als 10 s sein, schließe ich über einen hochohmigen Schalter (Reed-Relais?) ein Elektrometer-Verstärker (Op-Amp mit FET-Eingängen) an. Der hat auch eine (ebenfalls bekannte bzw. bestimmbare) Eingangskapazität, aber deren Effekt lässt sich leicht berechnen bzw
Widerstände bis 20 MOhm messen. Wenn ich einem 10 MOhm-Widerstand einen 10 GOhm-Prüfling parallel schalte, ändert sich die _vorletzte_ Stelle um 1, also um das 10-fache der Auflösung. Die Über- oder Unterschreitung von 10 GOhm ist so vollkommen ausreichend deutlich zu erkennen. Erst bei 100 GOhm hört
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Miniaturrelais über Konstantstromquelle/Treiber ansteuern
aber schon: ich lese in Datenblättern zu Relais oft zwei Werte für den Strom: den zum Anziehen/Schalten und den Haltestrom. Wenn man nur den Haltestrom durchlässt, mag’s nicht so ganz zuverlässig schalten.
Wenn man aber eine PWM-Regelung vors Relais schaltet, fällt bei PWM 100% nur die Restspannung am Schalter an. Wird für den Schalter ein FET verwendet, sind das nur wenige mV.
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P-FET Back to Back Ansteuerung
Moin, ich habe ein paar Fragen zur Ansteuerung von P-Fets in Back to back Anordnung. Die Anwendung ist ein 24V Akku welcher von einem Laderegler getrennt werden soll, damit dieser ihn nicht rückwärts entleert. Beim googeln der back to back Anordnung für P-Fets
ich verstehe, der rGS ist einfach nur ein Pull Up. Der Kondensator lasst den Mosfet nur langsam schalten. Mir kam einfach nur nicht in den Sinn warum man das mutwillig machen sollte. Es ergibt aber sinn in der Anwendung als Schalter diesen langsam zu schalten. Im Gegensatz zu der Anwendung als PWM
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ATTiny85 Projekt macht Probleme
Netzbereitschafts-LED. Digital ging nicht da nur 1,7V zur Verfügung stehen. PB4 = Digitalausgang zum Schalten von Q1. Zuerst wurde nur ein Transistor verbaut. Beim entfernen der Spannungsversorgung lag aber unregelmäßig am Tiny PB4 HIGH an und schaltete dann den Router aus. Deshalb schaltet Q1 beim entfernen
Durch Temperaturänderung liegst du wohl außerhalb des zulässigen Bereichs der controller Pins. n-Fets und Widerstände nehmen. Leistung nie durch die PINs wenn nicht nötig.
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BLDC Low-Side drei Phasenstrommessung
eine Sechs-Stufen-Kommutation betrieben - Duty Cycle von 100% wird eingestellt, d. h. High-Side FETs schalten voll durch - Motor dreht frei (keine Last) - Es wird die Spannung über einem Shunt-Widerstand mittels Oszilloskop gemessen Bei diesem Aufbau messe ich den in Abbildung 1 skizzierten Spannungsverlauf über dem Shunt-Widerstand, wenn die Phase gegen GND geschaltet wird, d. h. Low-Side FET aktiv ist. Mit ist klar, warum ich in dem Spannungsverlauf die zwei sinusförmigen Einkerbungen erhalte (die kommen durch die vom Rotor induzierte Spannung). Warum jedoch messe ich mit dem Oszi über
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ATmega328/Arduino und weiter?
Testlauf kam auf 456 Stunden, kanpp 2500mAh. Der LG-Akku hat 2800mAh bis 2,50 V Entladeschluß. Ich schalte bei 3,25V ab, darunter spielt mein System nicht mehr. Das ist durchaus realistisch, im Mittel 5,5 mA - Display aus. > Übrigens, zur Kommunikation mit dem P.M. verwende ich CP210x USB Kabel
setze auf Lochraster. Und ja, da sind die "duplo Steine" eine feine Sache. Natürlich in Grenzen, einen FET und ein Relais kaufe ich nicht als Board zu.
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Hochvolt Batterieladegerät
hinreichend zu begrenzen, aber das ist ja irgendwie das Prinzip eines Bucks. Den Buck würde ich mit 2 FETs aufbauen und dann einfach einen entsprechend spannungsfesten Halbbrückentreiber nehmen. Lediglich die Spannungsversorgung des High-FETs muss vermutlich über einen isolierten DC DC Wandler erzeugt werden
Jahren aufgegeben, da digitale Regelung viel zu viele Vorteile bietet. > Den Buck würde ich mit 2 FETs aufbauen und dann einfach einen > entsprechend spannungsfesten Halbbrückentreiber nehmen. Lediglich die > Spannungsversorgung des High-FETs muss vermutlich über einen isolierten > DC DC Wandler
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IC 4066 4 fach Schalter
an die lieben Spezialisten, In einer Schaltung möchte ich das 4066 einsetzen. 4 integrierte Schalter, von denen ich aber nur einen brauche. Was mache ich mit den anderen 3? Komplett offen lassen? Komplett an "0" legen? Oder vielleicht alle 4 parallel schalten? Ich bin nur Hobbyelektroniker,
Noch immer wurde nicht genannt, was er damit schalten will. Der 4066 kann maximal niedrige einstellige mA schalten. Wenn auch immer da irgendwo 3A fließen können ist etwas oberfaul.
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MosFET schaltet PWM Signal nicht
ich den Duty Cycle auf HIGH setze geht das Rauschen am Drain weg ebenso bei 0% Duty Cycle. Der MosFET ist ein billiger 2302P/D. Datenblatt im Anhang. Ebenso im Anhang ein Screenshot der Schaltung. Die 5 Volt (VOUT5) kommen von einem AMS1117 5V. Habe ich einen falschen MosFET gewählt wenn ja
mit 100µ abblocken, den Pull-up von den 5V wegnehmen. Der Mosfet reicht locker, um das alles zu schalten. Auch bei 3V3, 3V2, die aus dem GPIO rauskommen. Aber dran denken, dass der Tastgrad nun durch den FET invertiert wird. muss man dann (bei 8bit) 255-pwm rechnen oder das eben anders invertieren.