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30 wählbare Pull-Ups
des Gesamtwiderstandes einsetzen. Also statt 3k16 z.B. 3k0 (E24) oder 2k94 (E96) den 56k parallel schalten.
erwarten, das im Datenblatt dokumentiert ist. Im Fall hier wäre mein Ansatz ganz klar der mit DIP-Schalter+3k16 gebrückte 56k Widerstand. Oder wenns unbedingt in Software sein muss: die Schieberegister samt brückendem P-Kanal-Fet dahinter.
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12V/ 2A mit P_MOS und 10mA Schalter schalten
oh oh, deutsche Grammatik. Joachim B. schrieb im Beitrag #7485926: > Aber warum soll es zum Schalten > Har schrieb: >> mit einem P_MOS > sein? > Wer keine Ahnung hat sollte keine unsinnigen Vorgaben machen. Wie kommst Du zu der Aussage "unsinnige Vorgabe"? Eine Last plusseitig per P-FET zu
Beitrag #7485942: > Wie kommst Du zu der Aussage "unsinnige Vorgabe"? > Eine Last plusseitig per P-FET zu schalten, ist üblich und vom Prinzip > her passt seine Schaltung. 5 Bauteile ohne Werteangabe statt 3 Bauteile soll jemand löten und berechnen der keine Ahnung hat halte ich für unsinnig wenn
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Selbsthalteschaltung GND
einen Transistor der idealerweise ohne > Spannungsabfall sauber bis runter auf GND schaltet. N-FETs haben Rdson im Milliohmbereich. Reichen die nicht? LG, Sebastian
ein Relais anschließt, kannst du den Relaiskontakt beliebig platzieren wo du willst, auch GND schalten. Meistens haben Relais ja umschaltekontakte, kannst also als Ruhekontakt oder Arbeitskontakt benutzen. Wenn es kein Relais sein soll, ein Transistor in Emitterschaltung als Schalter, schaltet
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Lebensdauerverlängernde Maßnahmen für Flash-LEDs
ungleichmäßig Strom aufnehmen. Wie sichert man das ab? Eine Idee wäre, Kondensatoren über die LEDs zu schalten, die für gleiche Spannungsverhältnisse im Fall dynamischer Ansteuerung sorgen. Weitere Idee?
und Appnotes zum design schneller und langlebiger LED-Treiber, da eins vom Hersteller der Leistungs-FET dafür: https://epc-co.com/epc/products/demo-boards/epc9126
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Tiefenentladungsschutz für Li-Ion Akku mit MAX6457
OUT-Ausgang von der Logik her invertiert > werden. Gibt es da eine einfache Möglichkeit für? zweiter FET, N-Kanal.
noch ein PROFET, das sind robuste High Side Schalter, von denen sich einige mit einer positiven Logik ansteuern lassen. Gibts in fast allen üblichen Leistungsklassen. Ich würde hier trotzdem zu einem anderen IC raten, nämlich einen der dir alle
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N-Canal MOSFET Modul
fest an GND hängt müsstest Du mit einem P-Channel schalten.
MOSFET ausgelegt sein. Und man schaltet das Gate von 2 MOSFETs niemals direkt parallel denn sie schalten nicht gleichzeitig, jeder bekommt eigene Widerstände dann klappt das. Du musst auch deren Drain nicht parallel schalten, jeder einzeln zu einer Glühlampe passt besser.
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Probleme mit Gate-Treiber
sperrt. > Ich möchte ihn aber gerne, um Schaltverluste zu reduzieren, 1. mit > höheren Strömen schalten Achtung, kleine Fußangel: "schneller Umschalten" bedeutet auch "steilere Flanken" und damit "mehr hochfrequente Störungen". Mein Tipp: steuere den Fet einfach direkt mit dem µC-Pin an. Mit
deshalb suche ich nach einer IC-Lösung. Lothar M. schrieb im Beitrag #7475233: > steuere den Fet einfach direkt mit dem µC-Pin an. Mit 5V > schaltet der auf unter 1mOhm durch. Mein Ziel war, Rds(On) weiter zu reduzieren, weil ich doch recht große Ströme schalten muss (Airsoftmotor, d.h. durchschnittlich
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Differenztastkopf 200Mhz
Neue Zeiten bringen neue Herausforderungen und brauchen neue Antworten. SiC und GaN Halbleiter schalten noch schneller als die ohnehin schon schnellen, modernen Si-FETs. Da muss man irgendwann man die Meßtechnik verbessern.
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Suche PROFET TO-220 5A und 10A schaltbar mit 5V
noch verfügbar und einen Nachfolger konnte ich nicht finden. Mir wäre jedenfalls wichtig: - Schalten von KFZ Spannung 13,8V mit ~5A und ~10A - Geschaltet wird mit einem 5V Ausgang von einem µC. - TO-220 Gehäuse da Lochrastermontage Habt ihr mir eventuell Tipps bzw. Teilnummern? Viele Grüße
nach BTS500.... um. Die sind ja noch seltener als BTS432. Das sind doch die blöden uralten ProFET, die nicht mit TTL kompatiblen Eingang sondern Stromquelle von VCC arbeiten und einen bis 60V spannungsfesten open collector Ausgang erfordern. Gerade das will er wohl nicht, da musste man ja dem uC
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Schaltregler Design Aufschwinger?
Eingangsspannung springt, ist die Regelung wohl zu träge zum Nachregeln. Besser sind Regler mit 2. unterem FET statt Diode, der kann die Energie der Drossel schneller ausräumen. Ich würde am Ausgang noch ne 5V TVS-Diode vorsehen. Für 20mA würde ich allerdings nen klassischen Linearregler nehmen.
Eingangsspannung springt, > ist die Regelung wohl zu träge zum Nachregeln. > Besser sind Regler mit 2. unterem FET statt Diode, der kann die Energie > der Drossel schneller ausräumen. > Ich würde am Ausgang noch ne 5V TVS-Diode vorsehen. > > Für 20mA würde ich allerdings nen klassischen Linearregler nehmen
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Step-up Converter 2,5V->5V mit LM78S40
(Wären 300 mA zu ambitioniert?) 2) Macht es prinzipiell Sinn, 2 dieser Schaltungen parallel zu schalten, um mehr Strom liefern zu können? Bei Versorgung mit Labornetzteil habe ich mit einem Handmultimeter folgende Ausgangsspannungen gemessen: 2,9V Betriebsspannung: [code] RL [Ohm] UOut [V]
Ringkern für Speicherdrosseln > 2) Macht es prinzipiell Sinn, 2 dieser Schaltungen parallel zu schalten, > um mehr Strom liefern zu können? Nein. nicht hier gucken und immer die Experten-Ratschläge brav befolgen: https://www.mikrocontroller.net/topic/392231 mfg
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FET bewusst langsam schalten
Hallo ich möchte einen FET mit einem 1,8V Digital-Signal ansteuern. Der FET soll allerdings nicht innerhalb von ein paar us voll durchgesteuert werden sondern eher im Bereich von 50ms bis 100ms einen Widerstandswert von ca.
) der Arbeiten soll. Wenn das einer der heutzutage üblichen FETs ist, die auf einen kleinen RDSon getrimmt sind und du zu nah an seine Spannungs-/Stromlimits gehst, dann fliegt dir der sowieso beim ersten mal langsam schalten um die Ohren
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Merkwürdiges Verhalten eines IRS21876S
den höheren Strom Stress von den MosFet beim Schalten vermindern. Werd wohl weiter den zuverlässigen Oldie IR2101 einsetzen auch wen die Fets etwas wärmer werden scheinen das aber auszuhalten. Eine ältere Steuerung, mit IR2101 die auch IRFP2907
Schaltplan(auszug). > Wollte ja eigentlich mit den Treibern durch den höheren Strom Stress > von den MosFet beim Schalten vermindern. Der Schuss kann nach hinten losgehen, da EMV in der Regel schlimmer wird. Moderation: Beitragsmeldung war ein Versehen
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Optimierung Mosfet Schaltung gegen Überhitzung
man das Gate auch mit einem Pullup-Widerstand von wenigen 100 Ohm hochziehen und mit einem kleinen FET das Gate gegen Masse schalten. Um welche Last handelt es sich nun? Wenn man die Spule zu lange bestrom und diese gesättigt ist, geht der induktive Widerstand gegen null und es greift nur noch der
Es bleibt also die die Binsenweisheit, das man entweder mit einem auf niedrigen RDSon getrimmten Fet langsam schalten kann und an den Flanken verliert, mit einem schnellen Fet schnell schalten kann und dafür mehr Durchlassverluste in kauf nimmt, oder mit einem teuren Fet schnell und mit niedrigem RDSon
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DC-DC Wandler für IGBT/MOSFET Treiber dimensionieren (Leistung)
So sähe die gesamte Schaltung aus. Redundante Schalter. Keiner von beiden ist ein Low Side Schalter.
Dirk F. schrieb im Beitrag #7469091: > So sähe die gesamte Schaltung aus. > Redundante Schalter. Keiner von beiden ist ein Low Side Schalter. Was soll das denn INSGESAMT werden? Was wird da angesteuert?
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Mit Mosfet Festplatte schalten
könnte durchaus ein gefälschter Transistor sein, der mehr als die > 3,3V braucht, um voll ein zu schalten. Ich tippe eher auf die fehlende Verbindung "FET-Source" zu "Wemos-GND".
. wenn man 3mA aus dem Port hat reicht u.U. ein Photomosrelais, galv. getrennt und kann +VCC schalten
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E-Magnet mit Sinus steuern
Verstärker? > > Es lohnt sich, die PWM vorher zu filtern Typiscer Labekopp BULLSHIT Er will einen FET ansteuern! Er will ABSOLUT KEINEN SINUS AM GATE!!!
;-) Ich wüsste jetzt nicht wie ich das messen könnte.... > Ja, aber halt nicht bipolar. Du schaltest den Magneten ein, der zieht > an. Bei Ausschalten bleibt der wegen der Freilaufdiode und der > gespeicherten Magnetenergie recht lange angezogen, das Magnetfeld ändert > sich nur wenig. Eine
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Unterstützung bei Orgel-Erneuerung
, 61 Tasten ja Manual und 2 Manualen > macht das: 9 * 61 * 2 was sich zu knapp 1100 Transistoren/FETs/... Wie hier gerechnet wird, ist nicht nachvollziehbar. Es sollen nicht die unterschiedlichen Register einzeln geschaltet werden, sondern nur die Tasten. Davon gäbe es 2 Manuale. Ich sehe da 128 Schalter
Testlautsprecher auch. Nun kommt die Frage nach dem MIDI. Ich ersehe aktuell noch nicht, wie das Schalten der Töne gemacht wird. Warum braucht es unbedingt diese mehrkanaligen Schalter?
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Temperaturmessung Gewächshaus. BMS Problem.
problemlos mit weniger als 5V zurecht, der läuft direkt an einer Li-On Zelle. Also, Li-On parallel schalten, ein einfacher Li-On Über/Tief Entladeschutz dran, Arduino, SIM900 und passendes Solarmodul direkt dran. fertig.
hochgehen. Zumindest in der Theorie, die meisten Zellen haben eine interne Schutzbeschaltung und schalten vorher ab. Die Abschaltschwelle liegt aber sehr weit unten, es ist also eher eine Sicherheitseinrichtung als eine gewollte Unterspannungsabschaltung. Daher ist es deutlich praktikabler nur eine
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Schmitt Trigger Ausgang mit Enable
Hallo, über einen konstanten Strom lade ich C1 auf eine Spannung. Der FET M1 schaltet ein sobald die Spannung an C1 einen Schwellenwert überschreitet und schaltet aus wenn die Spannung eine untere Grenze unterschreitet. Das Steuersignal erzeuge ich deshalb mit einem Schmitt-Trigger
wird weiter geladen über R2 und R1. Ohne eine passende Last an C1 wird der Komparator nie wieder schalten.
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Einfache kontrolleuchte bzw. eine schaltung dafür
nächsten Einschalten wieder "scharf" ist. Erstmal geht der Entladeweg nach oben über R2 - R1 - FET, bis der FET vollständig sperrt. Eine schnellere Entladung erreicht man mit einer Diode (1N4148) über R2, dem Klassiker dieser Simpelschaltung.
Manfred P. schrieb im Beitrag #7460176: > Erstmal geht der Entladeweg nach oben über R2 - R1 - FET, bis der FET > vollständig sperrt. Eine schnellere Entladung erreicht man mit einer > Diode (1N4148) über R2, dem Klassiker dieser Simpelschaltung. Aber wenn die Threshold Spannung am Gate zufällig
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IGBT-Audioendstufe mit 600V/400A-Modulen möglich?
Schaltfrequenz um den Faktor 4 zu viel sind und das eine Ampere, was der IRS2092 zum Treiben von FETs kann, auch nicht reichen wird.
dann ist mindestens > einer von beiden nichtlinear ... Ist nicht einfach umsetzbar mit dicken Fets für hunderte Volt/Ampere. Die haben hohe Schalterluste, wodurch hohe Modulationsfrequenzen schwierig werden. Im Wohnzimmer Class-D sind wir bei 500 kHz - X MHz. Wenn die Leustungsfets mit 200kHz schalten
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Clapp Oszillator mit oder ohne Bandpassfilter
schlechte Güte. L2 soll ja die Schwingkreisspule sein, da würde ich noch ein Kondensator parallel schalten. C1 sorgt ja für die Rückkopplung. C2 würde ich 5 bis 10 mal größer machen, wegen den niederohmigen Widerstand von R1. C1,C2 transformiert dann die Impedanz runter.
Das ist ein Source-gekoppelter Oszillator, der kann sich nicht wehren, der muss schwingen! GAS-Fets sind nicht von Nöten, ein paar einfache BF256, BF245 o.ä. vollführen den Zweck. Wenn du keine hast, ich schenke dir gerne ein paar! Diese Art Oszillator schwingt IMMER! Selbst Steckbrett auf 10MHz.
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Tempsensoren "Massenüberwachung", Lösungsvorschläge erbeten.
Wenn die Sensoren NTCs sind, könnte man sie parallel oder in Reihe schalten...
währen gar keine Sensoren vorhanden. Nichts kann man aber problemlos in Reihe oder auch parallel schalten. Ausnahme: Eine gut funktionierende Glaskugel.
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ESP 32 (Mikrokontroller) Mittels FlipFlop oder Transistor nur bei Tastendruck an- bzw ausschalten
schrieb im Beitrag #7451447: > Na so einfach ist das leider nicht. Schaue Dir den Anhang an, der P-FET links oben. Zum Einschalten muß der Taster den FET überbrücken. Wenn der µC oben ist, hält er über den N-FET (gerne auch ein BC_irgendwas) seinen Strom offen, bis er sich dann irgendwann selbst abschaltet
ich mir sicher nicht machen, wenn es weit einfacher ist, einfach den Mikrokontroller stromlos zu schalten? 🤷♂️
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Widerstände berechnen und Schaltung verstehen
Ich würde folgende Änderungen durchführen: - R4 gegen Ground schalten - Q2 mit einem Emitterwiderstand versehen, an dem im durchgestalteten Zustand von Q2 1V am Emitterwiderstand abfallen (der FET schaltet bei 1 V noch nicht durch). Damit wird verhindert, dass Q2 in
Selbstinduktionsspannung am Motor rascher abzubauen https://www.electronics-tutorials.ws/de/transistoren/mosfet-als-schalter.html#Einfacher_Leistungs-MOSFET-Motor-Controller, auch kann es notwenig sein eine Diode zwischen Motor und FET zu schalten, da sonst die Induktionsspannung von der Substratdiode des FETs geklammert
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Fehlersuche am Netzteil/Backlight BN44-00622B (Samsung LED TV)
Boost Stufen hinüber ist die der SLC2013m ansteuert. Mess mal die beiden MUR360 Dioden und deren Fets in den beiden Boost Stufen und auch das Gate nach GND.
Hab die 4 Dioden geprüft sind ok. Die Fet`s haben ~13k Gate zu Masse. 3x Fets haben ~26k D/S (Wert schwankt, ist bestimmt abhängig vom parallelen C) Nur der eine Fet Q9151C hat 3k D/S. Wenn ich mit dem Diodentester am Q9151C teste, + an D
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zwei Akkus gleichmäßig entladen ohne Parallelschaltung
entladen ohne Parallelschaltung Die Loesung ist so einfach und naheliegend: Einfach in Reihe schalten. :)
Lösungen mit MosFets, die Verluste sind dann vernachlässigbar. Die ist z.B. im Modellbau üblich. Bekannte Vertreter sind z.B. der LM74700 (oben schon erwähnt) oder der LM5050.
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Batteriemanagementsystem für Blei oder AGM Batterie?
auf die paar mA Verbrauch des OP nicht an. Sauber und sparsam könnte man es mit dem ICL7665 plus FET bauen, aber ob das notwendig ist? Thomas F. schrieb im Beitrag #7448891: > Auf dem Papier ist aktuell geplant 600W Spitze (bei voller Lautstärle > wahrscheinlich _100W im mittel_ ) mit Symmetrischer
SPANNUNGSquelle und wer den Unterschied nicht kennt, sollte lieber die Klappe halten. Einfache Solarregler schalten einfach den Eingang direkt auf den Ausgang so lange die Akku nicht voll ist, und zwingen damit die PV Modul Spannung runter auf die aktuelle Akkuspannung. Das macht ein Festspannungsnetzteil nicht
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SIM800L v2 Modul Spannungstoleranz Frage
als der bei 5V fließende Strom. Bei einem Abwärtswandler musst Du aber mehrere Zellen in Reihe schalten, um eine ausreichend hohe Spannung zu erhalten. Reihenschaltung von Zellen ist problematisch, da bei Schwankungen in der Entladecharakteristik zwischen den Einzelzellen bereits eine einzelne Zelle
entwickelt und ein Relais ist auch kein Stromsparwunder, wenn es anziehen muß. Nimm einen Logilevel FET, den nahe an den SIM 800 und vor den FET einen low ESR Elko mit 1000µ. Achte darauf, das der bei Minusgraden ebenfalls einen geringen Innenwiderstand hat. Notfalls mehrere 100µ KerKos parallel, denen
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Die nächste Temperaturregelung
habe keine Mosfet Treiber also habe ich vor einen NPN zu nehmen. Also entweder man will seinen FET schnell schalten, dann sicher nicht mit OC+Widerstand, oder Geschwindigkeit ist dir relativ egal, dann kannst du das Teil direkt an den "Regler" haengen. Ich wuerde also entweder 0 oder 2Transistoren
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Schweissgeraet ADC200 TIG von Felzen GmbH
Treiber des PowerFETs leuchten nicht an. Ich habe eine 220V Gluehbirne am Ausgang angeschlossen, die leuchtet schwach. Sobald ich aber den connector des Hochspannungsmoduls rausziehe, leuchtet die Gluehbirne nicht mehr. Beim betaetigen der Potentiometer oder Schalter aendert sich nichts. An die grossen Elkos laesst sich ca 320V messen. Hat jemand eine Idee ? Das Controllerboard (das grosse) ist WSME200C Danke und Gruss
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Totes Mainboard
hier noch ein Schaltungsbeispiel zu den FETs
Das hängt davon ab, ob der Schalttransistor als Low-Side Schalter oder High-Side Schalter verwendet wird.
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Schiebepoti kratzt und Kontaktprobleme: WD40 nehmen oder lassen?
schon hunderte Male bei erfreuten Kunden und meinen Geräten angewendet. Bei Potis, Steckern und Schaltern. Und im Gegensatz zu diesem bläulich-grünlichen Kontaktspray hält das lange und hat keine Nebenwirkungen.
Wie gesagt, ich hatte MOsFET und "herkömmliche" BJT Endstufen. Beide hatten sehr guten Klang, ich konnte da keinen Unterschied raushören. Wer mir das nicht glaubt, lest mal die Kataloge von Sony und Pioneer aus den 1990er Jahren
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Dämmerungsschalter Modul Hysterese wesentlich erweitern
Hi Thorsten, Du könntest C1 dort lassen, wo er ist, und zwischen C1 und Transistor ne ZD schalten. Ist aber nur ne Idee "aus dem Bauch heraus". Und ja, klar kannst Du R4 vergrößern. Teste es halt mit verschiedenen Werten, oder bau für R4 und R7 gleich Trimmer ein. Du solltest wissen, dass du
kleine Idee - ich kann nicht einschätzen, wie groß dieser Einfluss ist. Oder den Bipolar T. gegen einen FET austauschen? BS170 vielleicht - das ist aber nur schlechtes Halbwissen. TS
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Erzeugung von Vcc für Komparator bei Stromeingang
, wann der FET schalten soll wird über einen Spannungsteiler und Vcc erzeugt. Die Vcc Spannung für den Komparator soll jedoch auch "intern" erzeugt werden. Meine Idee wäre nun, mittels LDO eine fixe Spannung
Alexander Z. schrieb im Beitrag #7443260: > . Der M1 soll der FET sein? Nein, ein 1 MegaOhm Widerstand, der die Hysterese bestimmt. Der FET M1 hängt nicht gezeichnet rechts am Ausgang.
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Netzteil für Peltier-Element
Welcher Mosfet würde dann in Frage kommen, um mit meinem 3,3V die 230V/10A zu schalten?
. Dietrich hat ja schon das Wesentliche dazu gesagt. Da Du aber wohl sehr niederfrequent schalten willst: ein einfacher Levelshifter (= ein BC5xx Transistor + 2 Widerstände) der die 3.3V auf 15 V (aus dem Meanwell umsetzt) -- und schon geht es mit einem "non-logic level FET" (den du vermutlich
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ESP32 3.3V Logik Level Mosfet
Die Platine ist für den Arduino Bereich und soll mit TO92 oder TO220 bestückt werden. Momentan schalte ich das Display mit einem Schalter gegen GND ein und aus. Es funktioniert zwar auch über einen BC547 aber ich hab keine Ahnung wieviel das Display unter Vollast zieht. Ich habe die Forumssuche bemüht
habe ich gemessen, siehe mein zweites Post. Was ist denn mit dem BC638 damit kann ich doch VCC schalten?
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Active Clamp 400 W Flyback Converter
, sodass es annähernd verlustfrei arbeitet bzw. Verluste nur noch durch das Schalten und im Übertrager und dahinter entstehen. Ist das soweit im wesentlichen korrekt? Wenn man das ganze falsch ansteuert gibt's eine Spannungsspitze durch die Spulen und man kann einen neuen FET nehmen
ohmische Verluste in den Wicklungen und Transistoren sowie Umschaltverluste in den Transistoren. Bei FETs ist es bei hohen Strömen sehr sinnvoll, mindestens zwei parallel zu schalten, denn das halbiert den ohmischen Widerstand und halbiert die Verlustleistung an dieser Stelle, jeder der beiden FETs bekommt
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Lasttrennung zwischen USB +5V und externen +5V. MOSFET
Clemens L. schrieb im Beitrag #7436728: > Zwei FETs hintereinander Hallo Clemens, Wenn ich jetzt noch ein P-Channel in umgedrehter Richtung dahinter schalte, wie schaut das dann mit der Ansteuerung aus? Das Gate muss ja negativer sein als Vgs(
Clemens L. schrieb im Beitrag #7436831: > Nein. Die Source beider FETs verbinden, und die Gates normal ansteuern. So wie auf dem angehängten Bild eingezeichnet? An sich bin ich mit der Lösung mit den FETs nicht mehr interessiert da der TPS Baustein für mein Problem
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Hilfe bei JFET Impedanzwandler
Vorstufe, sollte der Gatewiderstand 1M groß sein. Jetzt hast du den perfekten Impedanzwandler mit Fet.
gewünschte > Verstärkung am Ende exakt auf 1 einstellen. Aber nicht an 50 Ohm. Dazu müsste der FET eine Steilheit von mehr als 20mA/V haben, aber der 2N4416 hat nur max. 7,5mS. Selbst der BF246 kommt da nicht ran, aber man kann zwei oder drei parallel schalten. P.S.: Ausserdem ist es evtl nicht
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NRF24L01 RF-Front-End Datenblatt Verständnis - dBm Begrenzung
möglich ist doch war dies mein ursprünglicher Plan. Für ein Auto Ack müsste man jedoch 3 Pins mit FETs schalten, das würde etwa 10ns zum Umschalten benötigen, ich denke also dass selbst dies kein Problem darstellt. Vielleicht sind hier aber auch 10ns zu viel, da bin ich zu unerfahren. Der SKY66114
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Unerwünschter Peak beim Ausschalten eines Kleinsignal-MOSFET
die Werte, die ganz unten in Datenblatt stehen. VDD ≈25V, VGS=10V, ID=1A Nur um zu sehen, wie der FET sich dann verhält. Kannst du ja außerhalb deiner Schaltung aufbauen und einzeln testen. Auch wenn du gar nicht so schnell schalten willst, wie der FET das unter den Daten können sollte, so kannst
Frank O. schrieb im Beitrag #7432290: > VDD ≈25V, VGS=10V, ID=1A > Nur um zu sehen, wie der FET sich dann verhält. kann ich mal machen. Allerdings sollte laut Datenblatt bei VGS = 5V und VDS = 0.5V schon ordentlich was gehen - jedenfalls deutlich mehr, als Strom durch den Spannungsteiler fliesst
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Neue Bauteile: Hitzeresistente Leuchtdioden, I3C-Sensoren und vieles andere mehr
png) Bildquelle: Broadcom. ### Diodes Incorporated PSMUX136 Wer hochfrequente Signale zu schalten hat, greift nur allzu gern zu verschiedenen elektromechanischen Bauteilen. Mit der in Hunderterstückzahlen um rund 60 Eurocent erhältlichen PSMUX136 bietet Diodes Incorporated nun eine „Alternative
Belastungen unterliegen, dürfte bekannt sein. Mit der NCV8415-Familie schickt On Semi nun eine Serie von Fets in seinen, die - wie in der Abbildung gezeigt - verschiedene „Absicherungen“ direkt auf dem Chip mitbringen.  Bildquelle: OnSemi. ### PEM: SMD-„Schraubkopf“
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Strommessung im µA-mA Bereich - Automatischen Umschalten, Ansätze, Fragen
eins ist das Zusammenführen beider Adapter bzw. deren Funktionen zu einem. Zusätzlich zu einem Schalter um zwischen Bootloader- und normalem Flashen zu wechseln, soll ich die Spannung ebenso bequem per Schalter wechseln können (3.3V und 5V). Dazu ein eigener Verbindungsstandard mit eigener Zange und
Zusatzwissen aufeinmal voraus, was ich nicht besitze. Einige Ansätze, über die ich gelesen habe: 1) Schalten des Messbereiches über einen µC: Geht das Messen, Erkennen der Umschaltnotwendigkeit plus das Umschalten denn überhaupt schnell genug? 2) Beide Shunt-Widerstände parallel schalten, den kleineren
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Lineares Netzteil
parallelen FETs über einen Operationsverstärker auf gleichen Stromfluss einregeln.
einen FET im Analogbetrieb. Beide FETs sind aus der gleichen Charge, der Drainstrom gegenüber Gatespannung differiert erheblich. > Unser Statron Typ 3203 (30V/10A) mit BJTs parallel war dagegen mehr > kaputt