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Porsche entwickelt Wechselstrombatterie
verzichten, sieht die Lage komplett anders aus. Dann würden 60V-Mosfets genügen. Einzige Bedingung wäre, dass die Akkus die dann viel höheren Impuls-Ströme verkraften müssen. Die mittlere Strombelastung ist allerdings nicht höher. Die hohen Ströme EMC-konform zu bekommen
Verluste - dafür mehr Statische. Unter Verzicht auf die Parallesschaltung, d.h. nur 4 Niederspannungs-Mosfets pro Brücke, kommt man allerdings in den Genuss der viel niedrigeren Kanalwiderstände dieser Mosfets (1mOhm). Marek N. schrieb im Beitrag #7921408: > Prinzip der Ladungspumpe Darauf kann man
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PWM Treiber für LEDs
vorgeschalteten Spannungsregler steuern (scheint mir eine recht unnötige Lösung) - Logik-Level MOSFET mit entsprechender Leistung und Ein-/Ausschaltzeiten für die nötige Frequenz. Da gibt es sicher einige zusätzlich Dinge zu beachten. - MOSFET mit MOSFET-Treiber - In DALI oder DMX LED und Treiber
man mit der Frequenz dafür extrem niedrig (ab 100Hz) fahren, sollte also auch mit einer einfachen MOSFET-Schaltung machbar sein.
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Photovoltaik on fire!
Anschlüsse der einzelnen Zellen. Die schwarzen dicken Kästen sind Induktivitäten, geschaltet über MOSFETs. Die "Designator9" (lol) ICs sind vermutlich Boost Converter. Über die fette Quer-Leiterbahn werden die Outputs davon parallel geschaltet. Dann kommt anscheinend noch ein Schaltregler um eine "saubere
ist dass die einzelnen Zellen über dicke Dioden angeschlossen sind, statt über "ideale Dioden" (MOSFETs). Das Board ist offensichtlich für 6 Zellen geeignet. Ein 0815 400W Panel kostet inkl. Wechselrichter 180€ und hat z.B. 108 Zellen, man bräuchte also 18 von diesen Boards. Der Teensy 4.0 da drauf
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elektronische Zuschaltung eines PV Strings
Prinzipiell könnte man den zweiten String am Minuspol mit einem n-Kanal MOSFET schalten. Das Problem ist halt nur, dass die Eingänge des Wechselrichters nicht potentialfrei sind. Ja nach Wechselrichter liegt hier sogar Netzspannung an, so dass die ganze Ansteuerschaltung isoliert
berührungsgeschützt aufgebaut werden müsste. Da nicht häufig geschaltet werden muss, wären evtl. Photovoltaic MOSFET Driver möglich. Ohne Erfahrung mit Netzspannungselektronik würde ich mich da nicht rantrauen.
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TP4056 Modul mit Ladequellen-Umschaltung
wäre erschließt sich mir nicht, wie das > funktionieren soll. Das Gate liegt immer auf VCC, der MOSFET wird nie > einschalten. Wenn SYS anfangs niedriger als VBUS ist, wird VGS negativ → MOSFET leitet. Steigt SYS auf fast VBUS, geht VGS gegen 0 und der MOSFET sperrt. So bekomme ich den gewünschten
Kurzschluss über dem MOSFET? In Schaltplänen bedeutet gleicher Signalname gleiches Netz, d.h. eine Verbindung. Spätestens bei einem Layout fällt dir das auf die Füße. Die fehlende Ansteuerung vom MOSFET wurde schon bemängelt.
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Ich suchen Transistorkennlinienmeß Zusatzgerät für Oszilloskop
Transistoren und Röhren unter einen Hut zu bekommen, könnte schwierig werden. Möchtest du BJTs und MOSFETs messen? https://www.elektormagazine.de/magazine/elektor-200902/3170
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Wie verhindern, dass DCM-Sperrwandler nicht in den CCM-Modus wechselt?
Ripple, Pfeifen). Ich setze nur noch ICs mit forced CCM ein. Ein Buck mit forced CCM enthält ja 2 MOSFETs, damit sich der Strom durch die Drossel umpolen kann. Dadurch entfällt der Spannungsabfall an der Shottky-Diode und der Wirkungsgrad ist höher.
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Kunststoff-Chatbot, Satelliten-LoraWAN für Europäer, Zukauf bei NXP
why-jfets-are-key-in-low-noise-sensor-amplification/ gibt es außerdem ein Paper, dass die Vorteile von JFETs gegenüber MOSFETs (Stichwort: Rauscharmut) en Detail bespricht.
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Isolierter Tastkopf, Isolated Oscilloscope Probe
Kommt der Piek auf der Sense-Leitung (Ch1) vom Opto aus der Sek-Seite oder über Spannungsteiler vom MosFET (siehe Bild). Ich kann aber mit dem zweiten Kanal nicht gleichzeitig im Sek-Teil messen. Oszi´s habe ich zwei alte Hantek Strahler, ein DSO5002 Speicheroszi und ein ZT702S Handoszilloskop.
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Gelöst: Entprellter Schalter für 230V AC/300V DC 1000W
MOSFETs wären als DC Schalter entprellt bei geeigneter Ansteuerung Bei AC prellt es halt immer (mit 50Hz). Wenn Nulldurchgang das ist was du dir wünscht nimm einen TRIAC. Ein MOSFET innerhalb eines Brückengleichrichters
Ich würde 2 MOSFETs antiseriell nehmen, da muß man nicht soviel kühlen, wie bei TRIACs.
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Schaltplan einer Hochspannungsstufe mit Villard-Kaskade
HV_PCB_1 +15V 330uH 330uH HV driver BC547B 470 22uF 22uF 22uF 2MOSFET drive FL1100 TR1 TR2 Villard cascade LD_ladder_H 33k 15k HV_out HV_PCB_4 HV_PCB_2 330uH HV_PCB_3 GND HV adjust LM317L_508 V+ 47 11.5V U14C LM393 U14A 2.2k 47 10k 5.1k 5.1k 22k 6 LM393 U14B MOSfet drive
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LT Spice: Transistorschaltung funktioniert nicht mit Gate/Widerstand
Hier ist einiges im Argen! Der STP55NF06 ist ein MOSFET und will mit Spannung angesteuert werden und nicht mit einer Stromquelle. Auch nicht mit 10 Ampere! LTspice bringt genügend n-MOSFETs mit, zum Testen reicht auch ein 2N7002, da braucht man nicht
von 1 V auf das Drain des MOSFETs schaltet. Denn wenn nichts weiter spezifiziert wird, arbeiten die Logik-Gatter von LTspice mit einer Vcc von nur 1 V. Außerdem gehört die LED in den Drain-Kreis (natürlich mit Vorwiderstand) und
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Schaltplan mit MOSFETs und Dioden
U1 1 2 3 STP55NF06L D1 D I2 10 U2 1 2 3 STP55NF06L D2 D U3 1 2 3 STP55NF06L R1 100 D3 D V1 3.3 .tran 0 100m 0
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Schaltplan mit MOSFETs und Dioden
U1 1 2 3 STP55NF06L D1 D I2 10 U2 1 2 3 STP55NF06L D2 D U3 1 2 3 STP55NF06L D3 CD4030B U4 V1 3.3 .tran 0 100m 0
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Neue Bauteile: vom Sicherungswiderstand bis zur intelligenten Steckplatine
essential components for a DC/DC power supply in a compact package: switching regulator with integrated MOSFETs, controller, compensation circuitry, and a shielded inductor. [/c] ### Chip Quik CQ-FE-1 - preiswerter Lötdampfabsauger Wer nicht - wie der Autor - Zigarren raucht, könnte vielleicht von einem
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4s LiFePO4: Schutzschaltung (BMS) mit 3,0V/3,5V gesucht
Gerade erst bemerkt, dass es ja um 4 Zellen in Reihe geht, da ist ja genug Spannung für "normale" MOSFETs vorhanden. Wie wärs mit IRF1404?
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Reparatur Schaltnetzteil
verlöten da es hier einige Pads weggesprengt hat. Also ich beschränke mich jetzt erstmal auf den MOSFET und die Shunt Widerstände.
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Schaltplan mit MOSFET und Transistor
+12V Q1 IRF4905 R1 10k S E A 5k R3 IC1 CLIP D1 5V6 R4 330R R2 10k LOAD Q2 BC337 S1 ON 1 2 GND
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Over-Discharge Protection mit TL431 - Verständnisfrage
transiente Einschaltprozess? Beide Male: Indem der Taster SW1 gedrückt wird. Dadurch leitet der MOSFET. Ohne das passiert nix. HTH (re)
OK. Was lernen wir daraus? Die Schaltung ist nicht sonderlich gut. Denn gerade mit einem MOSFET kann man sowas mit 0uA Ruhestrom hinkriegen. So etwa. Ein paar Bauteile mehr, dafür garantiert mit 0uA Ruhestrom.
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Schaltplan einer MOSFET-gesteuerten Schaltung mit TL431
12V IN Q1 IRF9540 12V OUT R1 10k R2 10k SW1 On 1 2 3 4 U1 TL431 RP1 10k GND
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Datenblatt-Ausschnitt eines Infineon MOSFETs
012N08N5 HSOF Tab Infineon 1 2 3 4 5 6 7 8 Drain Tab Gate Pin 1 Source Pin 2-8
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S: kleinen Mikrocontroller ohne Hühnerfutter für einmaligen Einschaltimpuls
Recht, Open-Collector-Ausgangsstufen sind ausgesprochen selten. Die meisten uCs sind heutzutage mit MOSFETs aufgebaut, d.h. das wird eine Open-Drain-Ausgangsstufe.
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Diode defekt und unbekanntes Bauteil
Als erstes die MOSFETs auf Kleinspannungsseite prüfen!
H. H. schrieb im Beitrag #7916264: > Als erstes die MOSFETs auf Kleinspannungsseite prüfen! Danke, werde ich tun.
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Schaltungsdesign mit KI
7443551470 – Ringkern 100 µH) Ein Bein → roter Draht von C1 + Anderes Bein → gelber Draht weiter zum MOSFET (Drain) und zur Schottky-Diode (Anode) 7. MOSFET IRF540N Gate (mittleres Bein) → Arduino D9 (PWM, gelber Draht) Drain (linkes Bein, wenn Metallseite zu dir) → gelber Draht von L1 Source (rechtes
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Regelbare Konstantstromquelle bei Variabel Schaltender Last
Kevin S. schrieb im Beitrag #7914714: > Dadurch kommt es durch Lade- und Entladevorgänge am MOSFET zu > Stromüberhöhungen Dann sind die Zeitkonstanten in deinem Regelkreis falsch eingestellt.
, 20uA 400uV) OPA197/2197/4197 (36V 1nF 20V/us 100uV) MAX4162/MAX4163/MAX4164 (2.5-10V any) und MOSFET mit geringer Gate-Kapazitat bei trotzdem grosser SOA ist natürlich Grundvoraussetzung.
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Schaltplan einer MOSFET-Treiberbeschaltung mit AD8628
V4 PULSE(0 1 0 1n 50m 100m 1000) +5V V1 5V +24V V2 24V fsw S1 MYSW .model MYSW SW(Ron=1n Roff=100Meg Vt=.5 Vh=-.5) R3 1R M1 IRF530 AD8628 U1 R1 100R +5V C1 10p R2 10k R4 10R V3 1V fsw S2 MYSW .model MYSW SW(Ron=1n Roff=100Meg Vt=.5 Vh=-.5) R5 1R R6 2k4 +24V
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Typenschlüssel für Halbleiterbauelemente
HF-Transistor T: Thyristor L: HF-Leistungstransistor Y: Halbleitergleichrichterdiode bis 10 A M: MOSFET Z: Z-Diode P: Strahlungsempfindliches Bauelement (z. B. lichtempfindlich)
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Tabellen von Silizium-Transistoren und MOSFETs
Schalttransistor 19 SS 219 200 100 15 Schalttransistor 19 g) Silizium-Metall-Oxid-Feldeffekttransistoren (MOSFET) Typ Maximale Verlustleistung P in mW Maximaler Drainstrom Id in mA Maximale Drain-Source-Spannung Uds in V Maximale Gate-Source-Spannung Ugs in V Steilheit S in mA/V Bauform SM 103 150 15 20 -15..
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Bauteilsuche
Das Foto ist völlig daneben. Das ist ein MOSFET, und es wird wohl 60N06 drauf stehen. "F" deutet auf Fairchild hin. Aber ohne ordentliches Foto wars das.
H. H. schrieb im Beitrag #7914106: > Das Foto ist völlig daneben. > > Das ist ein MOSFET, und es wird wohl 60N06 drauf stehen. "F" deutet auf > Fairchild hin. > > Aber ohne ordentliches Foto wars das. Tut mir leid für das Foto,geht mit meiner Kamera leider nicht besser. Nachtrag
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Schaltplan einer Strommessschaltung mit MOSFET und Shunt
VCC VCC R1 1k LOAD- LOAD + Q1 ZXMN2A01F R2 1k Q2 BC846 1 2 R3 100k C1 100n R_Shunt1 1 GND GND GND -
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18650 an Handy anschließen, Verpolschutz N Kanal Mosfet
den Akku ausversehen falschrum einlegt. Als Vorwiderstand eignet sich 1k - 2M SMD Resistor. Als Mosfet ein A2SHB SMD N Channel Mosfet. Als Ladegerät kann man prima ein LM2596S Buck + 5V Netzteil nehmen und den Buck mit 780 Ohm auf schonende 4,1V einstellen. Fazit: Mit diesem Trick ist man unabhängig
eine ableitende Z-Diode oder Widerstand helfen, bzw. ein Mosfet mit integriertem Schutz für das überspannungsempfindliche Gate.
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Schaltplan mit 18650 Akku und MOSFET
18650 + - A2SHB G S R=1k + - Der Gerät
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Reparatur: Metrawatt M5010 (Installationstester)
Ernsthaft, Rohrkondensator ? Ein TO3 MOSFET ist ja schon schräg genug.
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Laptops häufiger kaputt?
zig mal thermo-cyclen bis dann irgendwann mal die Lötstelle bricht. Wie z.B die tollen VT1326SF Mosfets im Thinkpad W530 für CPU Spannung....
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Schaltplan hilfe
Michael schrieb im Beitrag #7912633: > Weiter geht es zu Mosfets Und die eh' schon niedrige Ausgangsspnnung des ESP wird mit irgendwelchen "Angstdioden" erst mal reduziert, vor sie aufs Gate der Mosfet darf. > Es kommen 230 rein, und wird dann auf 12v gewandelt
werden. Der Schalter könnte sogar ohne Diode angeschlossen werden. Warum muß es denn überhaupt ein MOSFET als Schalter sein? Ein Bipolartransistor würde hier genau so gut funktionieren.
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BGA rework, noch nie gemacht - welches Flux?
Für Flussmittel gilt das gleiche wie für MOSFETs: bei ebay, aliexpress und Co. gibt es fast ausschließlich Fälschungen. Was da an angeblichen Amtech Flussmitteln verkauft wird kann alles mögliche sein, von ganz ordentlich bis unbrauchbar. Nimm
Stefan K. schrieb im Beitrag #7912037: > Für Flussmittel gilt das gleiche wie für MOSFETs: bei ebay, aliexpress > und Co. gibt es fast ausschließlich Fälschungen. selbst normales Baumharz könnte besser sein :-]
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Defektes unbekanntes Bauteil
dermaßen gefunkt hat, dass sogar ein Pin zu Plasma umgeformt wurde. > Meine Vermutung, es ist ein N-Mosfet mit 250 V Worauf basiert diese Vermutung? In welchem Gerät an welcher Stelle ist der eingebaut?
Lieber einen hier von https://www.mouser.de/c/semiconductors/discrete-semiconductors/transistors/mosfets/?package%20%2F%20case=TO-220-3&rds%20on%20-%20drain-source%20resistance=2%20mOhms&transistor%20polarity=N-Channel
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IRLZ44N MOSFET Bauteil
IRLZ44N IR P231D AA FU
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Linearregler 78xx neues TO220 ?
Habe aber noch neue IRLIZ44N gefunden. (MOSFET) Der ist komplett aus Plastik. Das ist doch Schrott. Wie soll man den denn kühlen?
Thomas B. schrieb im Beitrag #7911138: > Habe aber noch neue IRLIZ44N gefunden. (MOSFET) > Der ist komplett aus Plastik. Nein, nicht komplett. Da ist schon Metall unter dem Kunststoff: Isolated Package, l High Voltage Isolation = 2.5KVRMS > Das ist doch Schrott. > Wie soll man
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Wo ist der Massepin an diesem Supercap
ist das wo Minus drankommt. Die Jüngeren kennen sowas nicht, die haben keine thermisch aktivierten MOSFETs mehr erlebt.
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Verwendung TVS Diode
im Kühlkörper viele > Bohrungen sind... Als das gebaut wurde waren wohl noch keine so dicken MOSFET verfügbar. Deswegen wohl massive Parallelschaltung.
https://www.diodes.com/products/discrete-semiconductors/mosfets/intellifet-products/intellifet-high-side-power-switches#
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NiMh Lade Frage
XTR115 entspricht) verwende ich als Längstransistor einen BSP149 – einen Depletion-Mode N-Kanal MOSFET. Der große Vorteil dabei ist, dass er sich mit meiner Stromversorgung bequem über einen OPV ansteuern lässt, da die Gate-Source-Spannung innerhalb des Ausgangsspannungsbereichs des OPV bleibt. Bei
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Safe Operating Area Diagramm eines MOSFETs
FIGURE 3. MAXIMUM TRANSIENT THERMA 10³ 60 OPERATION IN THIS AREA MAY BE LIMITED BY RDS(ON) 10² 2.5µs 50 10µs ID, DRAIN CURRENT (A) 10¹ 100µs 40 TC = 25°C 100µs 30 TJ = MAX RATED 1ms 20 SINGLE PULSE 10ms 10 10⁰ 100ms 0 DC 0 10⁰ 10¹ 10² VDs, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) FIGURE 4. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA www.onsemi.com 3
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MOSFET als Stromregler
wenn ich denke es ist der Falsche FET für meinen Zweck? Die zweite Frage ist dann: Welcher MOSFET wäre für meine Anwendung der Geeignetere und ist eine Parallelschaltung mehrerer MOSFETs die richtigere Lösung? Ich danke schon einmal für Hilfe zu meinem Problem. Michael
Michael S. schrieb im Beitrag #7910247: > Welcher MOSFET wäre für meine Anwendung der Geeignetere und ist eine > Parallelschaltung mehrerer MOSFETs die richtigere Lösung? Es gibt ne Menge davon. Parallelschaltung ist möglich, ist jedoch sehr aufwändig
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E-Bike Ladegerät umbauen?
Beitrag #7910230: > Zeitschaltuhr. Den Fehler mit der Zeitschaltuhr habe ich auch mal gemacht! Der MOSFET Transistor im Ladegerät ist dann durchlegiert, weil er die Reverse-Spannung von 43 Volt (12 x 3,6V LiFePO4 Akkus) nicht ausgehalten hat!
#7910230: >> Zeitschaltuhr. > > Den Fehler mit der Zeitschaltuhr habe ich auch mal gemacht! Der MOSFET > Transistor im Ladegerät ist dann durchlegiert, weil er die > Reverse-Spannung von 43 Volt (12 x 3,6V LiFePO4 Akkus) nicht ausgehalten > hat! Durch das NT in den Netzstecker?😎 Edit: Was
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AC-DC Koppelung bei trafolosen Wechselrichter
einigen kVA schon ziemliche Schwergewichte, aber man konnte kleine Eingangsspannungen mit billigen Mosfets realisieren. Mit der Entwicklung von SiC und anderen Halbleitern über 1000 Volt sind heute praktisch alle WR aus Kostengründen trafolos. Die Schaltung ist ein einfacher Resonanzwandler wie er bei
sollten das aber jetzt auch können...war am Anfang mit den "normalen" WR auch so... Superjunction MOSFETs haben da viel ermöglicht. Genau so wie später SiC. 73
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Schaltplan mit 4017N Zähler und MOSFETs
+5V S1 R1 100k C1 100n IC1P VSS 8 16 C2 100n R2 10k GND Q0 3 Q1 2 Q2 4 Q3 7 Q4 10 Q5 5 Q6 6 Q7 9 Q8 11 Q9 12 CLK 14 ENA 13 RES CO 4017N PAL 1 Q1 BSS138 PAL 2 Q2 BSS138 PAL 3 Q3 BSS138 GND C3 100n D5 1N4148 +5V R4 10k GND D4 1N4148 R3 10k GND
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Elektronische steuerung von 3 Relais.
aber dann sind ja die Löcher umsonst gebohrt... BC817, oder halt IRLML6244, wenns unbedingt ein MOSFET sein soll.
10V UGS garantiert, Das ist wahrlich merkwürdig, schon weil Vgs(th) dort im Bereich eines LL-MOSFET liegt.
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VanMoof S5 BMS Unbekanntes Bauteil
TO-252-5? MOSFETs gibts da nicht viele. Zeig mal die Platine in dem Bereich.
Das wird ein Spannungsregler sein, kein MOSFET. Und es ist TO-252-5, nicht TO-263-5. Mal sehen was mir dazu noch einfällt.
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Welches Bauteil ist das?
Aber vor dem Tausch würde ich abklären, ob tatsächlich dieses Bauteil > das Problem ist nun der Mosfet ist zwar hochgegangen aber sicher nicht die Ursache für den Defekt. Die beiden Mosfets sind Teil der Eingangsschaltung um Rückspeisung bei Akkubetrieb ins Netzteil zu verhindern. Hinter dem Mosfet
dem Tausch würde ich abklären, ob tatsächlich dieses Bauteil >> das Problem ist > > nun der Mosfet ist zwar hochgegangen aber sicher nicht die Ursache für > den Defekt. ... > Hinter dem Mosfet gibts irgendwo einen Schluss auf dem Mainboard. Sehr > oft defekte Keramik Cs oder andere Mosfets
