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Ladepumpenverfahren-Spannungverdoppler
Lass doch einfach das PWM durchsteuern.Transistor als Schalter. W.
nachrechnen, wieviel man effektiv an Abwärme erzeugt. Bei größeren Strömen sind schon eher die IRF FETs interessant oder man nimmt etwas im DPak (SMD-TO220). Damit kann man dan aber auch schon mal 20 und mehr Ampere schalten. Kurz: 100mA --> BSS123, 60mW Verlust -> 12% Verlust im Transistor 500mA
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Pull Up Atmega32 schalten
Monte nicht mehr mit meinem Mega gearbeitet und habs vergessen... Ich Will an Port A 4 eine LED Schalten und den Pull up auf Masse (in wirklichkeit schalte ich einen FET) Nun schalte ich mir DDRA.4 den Portbin als Eingang dann kann ich ihn mit PortA.4 := 1; oder 0 ein und ausschalten... Aber
Wozu? Die Frage lautet doch Wie ich den Pull up schalte...
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3 Phasen PWM - Verständnisfrage
@Michael Ja, so meine ich das auch! AC wird gleichgerichtet, sodass ich DC hab. Und mit 6 FET werden dann die 3 Phasen geschaltet. Die PWM-Ansteuerung für jeden FET sieht dann so aus, dass der Tastgrad des Signals einfach sinusförmig verändert wird. Im Endeffekt ergeben sich dann ja Sinusförmige
Artikel ist weiter von sog. Ausgangsmustern die Rede. Die Treiber- Bausteine für die Halbbrücken schalten immer eine der beiden FET´s durchgeschaltet. Die Treiber brauchen dann nur noch ein Signal am Eingang und Schalten dann immer einen der beiden FET´s durch. Die Signale für die drei Brücken ergeben
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Mosfets absichern (DC-DC Schaltregler)
Hallo, Danke für die Erklärung mit den Dioden. Nur wie die von dir genannte Kapazität schalten? Für was genau ist die? Ich bin dann schon am Überlegen, wie ich die Spannungsversorgung fürs Gate mach. Selbst bei einem Fet mit 1,7nF brauch ich so ca 20W!! Matthias Lipinsky wrote: > Wozu
Bootstrap-Schaltung dimensioniert bzw. einsetzt. Es erläutert auch die allgemeinen Probleme beim Schalten von Fets. http://www.irf.com/technical-info/designtp/dt04-4.pdf ---- Da das Thema ein Dauerbrenner ist, könnte man ja mal nen Artikel abfassen. Würde die Redudanz im Forum verringern ;) Schönen
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Transistor/MOS-Fet als Schalter
Hallo Forum, ich möchte gern Q5 dazu verwenden, um den Trimmer R8 dem Trimmer R22 parallel zu schalten. Der RDSoff sollte ja weit über den 500kOhm liegen, um im abgeschalteten Zustand den Spannungsteiler nicht zu beeinflussen. Anders der RDSon sollte ja im Ohm Bereich liegen. Dazu kommt, dass ich die 2 unterschiedlichen Verstärkungsfaktoren des OPV ( V=1+(Trimmer/R7) ) einstellen kann. Lt. Simulation funktioniert das so; Realität??? Gibt es vll. bessere Möglichkeiten, 2 verschiedene Verstärkungen an einem OPV einstellen zu können? Danke!!!
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AVR + FET als Schalter
bis +20V erstrecken (differential-Mode ADC). Die Umschaltung habe ich gedacht realisiere ich mit FETs, die verschiedenen Spannungsteiler schalten. Könnt ihr mir einen FET empfehlen, den ich mit +5V und 0V ansteuern kann, und für den oben gennannten Zweck einsetzbar ist? Ich habe an den BS170 gedacht
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fet schaltung
Hallo, hab diese Schaltung gestern mal zusammengebaut. Damit sollte man locker 20A schalten bzw. stellen können (per PWM). Denke darüber nach, das ganze mit 20FETs aufzubauen alá brushless Motorregler -> Modellbau. Die oben genannte Schaltung funktioniert übrigens auch in der Realität. Allerdings
benötigst du einen höheren Schaltstrom um besagte Kapazitäten zu laden. ERGO: Einen entsprechenden Schalt-FET aussuchen und die parallelschalterei lieber sein lassen wenn es auch anders geht.
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Brushless Regler
. Sie bilden zusammen mit der Gatekapazität einen Tiefpass, die den FET langsamer schalten lassen. So was macht man eigentlich nur aus EMV-Gründen. Die dürften bei einem Bastelprojekt so lange kein Problem sein, bis das Radio von Frau/Kind/Nachbar nur noch Fiepen und Rauschen
einwas sofort auf. Überlege dir mal, wieviel Strom von der Stromversorgung durch die Fets zu deinem Motor fließt. Mit diesen Fets kannst du locker 30A schalten. Nur müssen diese 30A auch über die Leiterbahnen fließen. Ich hab dir einfach mal mein Layout angehangen, habe alles, was ging in
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Treiber FET Schaltnetzteil
Hey, ich mach es mir derzeit schwer mit der Ansteuerung eines FETs. Ich möchte ca 5A bei 30V schalten. Das Ziel soll ein kleines Schaltnetzteil sein (f ca 10-16kHz). Das Ganze soll mit einem atmega32 gesteuert+geregelt werden, der Code dazu wird schon. Die Wahl
Ich fahr ja mit einer PWM drauf. Aber selbst wenn, der FET dürfte sich nach dem Schalten doch selbst halten, schließlich habe ich die Gatekapazität aufgeladen, oder?
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Halogenlampe sanft hochdimmen
Der FET wird auch rückwärts durchgesteuert, siehe Synchrongleichrichter.
Lampe. Wie gesagt, die hat 60W und 13,2V. Die Vorheizung funzt in der Sim nicht. Müßte ich Schalter einbauen. Warum hast du nicht NMOS-FET genommen? SPICE-Problem: Die Kurve power zeigt die Lampenleistung an. Funzt aber nicht mit der Formel. Weiß jemand warum? Eigentlich soll die Leistung
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Hochsetzsteller mit p Kanal FET
Hochsetzsteller mit einem Current Mode PWM Controller realisieren. Problematik ist hierbei der p Kanal FET als aktiver Schalter. Ein p Kanal FET benötigt ja eine negative V_GS Spannung und ich bin momentan am Grübeln, wie ich das mit dem PWM IC und der negativen V_GS vereinbaren kann. Normalerweise würde
Source Anschluss konstant mit 15 V. Somit wäre bei 0 V am Gate eine negative V_GS erreicht und der Schalter schaltet ein. Sind am Gate 15 V, ist V_GS = 0 V und der Schalter schaltet ab. Allerdings ist der Source Anschluss des FETs ja normalerweise mit GND verbunden (low-side Schalter). Meine Frage
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Weichenansteuerung per ATTiny2313 und IRLZ34N
ich kenne die FETs mit der Bezeichnung "N-Kanal bzw. P-Kanal" Was sind denn LL-FETs? Das mit den ULN2803 ist ne gute Idee. Da sind doch 8 Treiber mit Freilaufdiode im Chip, oder? Werde sehen, daß ich von meiner Klappertechnik
Rolf H. schrieb im Beitrag #3064091: > ich kenne die FETs mit der Bezeichnung "N-Kanal bzw. P-Kanal" Diese Klassifizierung gilt auch weiterhin. > Was sind denn LL-FETs? Das sind LogicLevel-FETs. Sie haben eine geringere Schwellenspannung für das Gate
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Mosfet Treiberspannung
leider nicht möglich den Mosfet auf der "Low"-Seite einzudrahteln geht leider nicht (ist noch ein Schalter und noch mehr Elektronik dazwischen). Mein Problem, ich brauch eine Spannung die höher ist als die Versorgungsspannung um den Fet einzuschalten. Hab im Anhang mal etwas aufgezeichnet. Überzeugt
wie wärs mit einem P-Kanal FET?
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Brushless Regler: Mysteriöse Spannungsspitzen
PWM in einem Zweig ist besser. Ich habs bisher in den N-Zweigen gemacht, weil die N-Fets meist schneller schalten können als P-Fets. Die Phasen müssen halt umgeschaltet werden, wenn die PWM aus ist. guido
macht sind die hohen Ströme die zu fliessen scheinen; Der Motor wird sehr heiss, genau wie die P Fets, ich wage es nicht den Motor über mehr als 10 sekunden eingeschaltet zu lassen ! Kann natürlich damit zusammenhängen das die P Fets falsch schalten. Beim gekauften Regler wird der Motor und die
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MOFET will nicht
ausschalten ? Sieh Dir mal die BTS... Reihe bei Infineon (richtig geschrieben?) an. Das sind ProFET (Smart High Side Switch). Die setzen wir jetzt auch ein um Ströme zu schalten. Für ganz Dumme: TTL-Eingang und schaltet etliche Amperes. Bei Kurzschluß oder ä. wird abgeschaltet und gemeldet. Echt
SoftStart-Funktion). Die BUZze brauchen dann vermutlich einen Kühlkörper. Außerdem R4 durch eine Diode mit Schalter (Reset) ersetzen, damit die Sicherung ausgelöst bleibt (Selbsthaltung). die 35V würde ich auf 38 erhöhen, damit der FET wirklich niederohmig wird.
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MSP430 Aufkündigung?
wo man a la ST ne Funktion SetPort(Port,Bit,HiOderLo) hat, > sondern wo man eine Funktion a la SchalteLampe(EinOdeAus) hat. Idealerweise hat man beides, denn auch SchalteLampe() greift hoffentlich nicht direkt auf die Register zu, sondern auf SetPort(). Dann ist es nämlich egal, ob SchalteLampe(
Du das G2-Launchpad (wenn ja, welches), oder verwendest Du eines der "großen" JTAG-Interfaces (MSP-FET bzw. MSP-FET430UIF)?
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Dimensionierung der Leiterbahnen
irgendwie muss ich doch die beiden Massen verbinden, oder? Oder soll Steuerkreis vom 7805 (mit AVR + Schaltern) und der FET-Schaltkreis wirklich komplett galvanisch getrennt sein? Etwa so dann: plus ----+ +---- plus Steuerseite | | Lastkreis GND
Da dran hängen Schalter ;-)
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+20V 5A mit Highside Mosfet schalten
Paul schrieb im Beitrag #6042109: > ich würde gerne +20V über einen FET schalten, habe mal eine > Schaltung entworfen, ist die so Okay. Wenn Du einen P-Kanal-FET nimmst, sollte das gehen. Dein Schaltplan sieht aber eher nach N-FET aus und der geht nicht.
Noch ein Tipp, ich würde auch den NPN Transistor durch einen NMOS FET ersetzen. Die größte Verlustleistung entsteht beim Schaltvorgang. Je schneller dieser ist, um so geringer die Verluste. FETs schalten schneller als Transistoren .
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Welcher P-Fet?
Schaltplan, der so in etwa die optimale Verschaltung im KFZ darstellt? Am besten mit einem NPN der ein P-Fet versorgt. Gibts vllt auch noch bessere P-Fets für diese Aufgabe? Ich bin echt ratlos und für jeden Vorschlag dankbar. Achso, als Spannungsversorgung habe ich diese hier gewählt, allerdings
Du schaltest damit dein LICHT am Auto?!?!? Fahr nie nachts...
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Brauche mehr Ampere
Peter schrieb im Beitrag #2053329: > Jürgen Schmitt schrieb: >> ein relais ist ja gut als schalter. > > und was macht ein schalter? Es (kann) den strom erhöhen. Was man versuch dir zu sagen ist, dass du eine FET oder Relais nutzen sollst um wahrscheinlich einen höheren Strom aus einer Secundärquelle
holen. Mit anderen worten. Du nutzt nur das signal des µC (Microcontroller) um eine elektronischen schalter umzulegen, der dann den weg von der Secundärquelle auf dein Moto freigibt. Und das geht halt super gut mit Relais oder NPN oder PNP transistoren oder FETs. Ich persönlich mag FETs sehr gerne.
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wieso haben Mosfets in Akku-Schutzschaltungen keine Gate-Treiber?
viel Gatestrom ab, wieso verbruzzeln die Mosfets dabei nicht (vorallem beim Ausschalten der Charge-Fet)?
Beitrag #4037256: >>> Tau = 160nC * 1MOhm = 160 ms 30nC Ladung Qg im linearen Betrieb bei 140nC Fet. 30nC * 1MOhm / 5V = 6ms epikao schrieb im Beitrag #4037110: > Aber was nimmt man als Anhaltspunkt für statisches Schalten (also nicht > wiederholendes) SOA Diagramm Single Pulse, bzw. Maximal
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parallel schalten von Spannungsreglern
interessieren ob ich die Dinger einfach so parallel schalten kann oder ob ich da noch was beachten muß. Danke & Gruß, Sebastian
Du könntest ja noch eine Diode vor den Spannungsregler schalten, nur so als Idee
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Relais schalten, schwache Spannungsquelle
... Mit kleinerem Widerstand trägt der Strom aus der Quelle auch noch etwa mehr bei zum Relais schalten.
mehr zu holen ist, wär schön. aber versuch doch mal, ob die 20-21V ein 24V (19V) Relais sicher schalten.
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schematic review
Status LED die mit die höchste Flussspannung hat sollten die 5V locker reichen um den Opto zu schalten. Der Opto verstärkt selbst geringe Ströme wodurch die Gate Spannung ansteigt. Selbst wenig Spannung führt bei einem FET dazu das e anfängt zu leiten. Da der kanalwiderstand jedoch in diesem Bereich
schalten will, dass man mehr als Widerstand und Zenerdiode braucht. Bei vernünftigen Frequenzen ist man doch froh, wenn der FET nicht so steile Flanken raus wirft. Irgendwer muss hinten dran ja auch filtern
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250V Schalten mit Mikrokontroller?
typenbezeichnung von sowas? Wie gross ist das Bauteil denn? Je kleiner je besser, am besten so MosFet-Grösse.
Highside Treiber gedacht. Aber ein N-Mosfet kann ich nicht einsetzen, da ich den "V+"-Draht schalten muss, und nicht den "GND" Draht
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12 Volt 0,6 Ampere mit Raspberry und Mosfet schalten
Die in der Spule gespeicherte Energie wird in Wärme umgesetzt. Wenn das unter 150mJ sind, und der FET beim Abschalten nicht heißer als 50°C war: alles kein Problem, der FET schluckt das problemlos. Also: Bei kleinen Relais(-Spulen) und dicken FETs braucht man keine Freilaufdiode. Steht so im Datenblatt
Die in der Spule gespeicherte Energie wird in Wärme umgesetzt. > Wenn das unter 150mJ sind, und der FET beim Abschalten nicht heißer als > 50°C war: alles kein Problem, der FET schluckt das problemlos. > > Also: Bei kleinen Relais(-Spulen) und dicken FETs braucht man keine > Freilaufdiode. Steht
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Nabendynamo - Überspannung begrenzen
Mosfets als AC-Schalter zum an/abschalten -> Abgriff für Rücklicht (damit dieses mitgeschaltet wird, und trotzdem AC kriegt) -> Brückengleichrichter -> ... Die Z-Diode könnte man auch nach die Schalt-FETs legen, für 12W
bekanntermaßen > hoch, da es sich um eine Stromquelle handelt. Eigentlich braucht man dazu einen "Schalter", beim überschreiten einer Spannung ausschaltet. Mir fällt außer Komparator, Referenz und FET nichts einfaches ein. MfG Klaus
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DCDC-Wandler 48V/400V (200-300W)
bei Light Load aufgrund von ZVS und ZCS einen hohen Wirkungsgrad der jeden Boost, welcher dann 500V Fets braucht, schlägt! Denn die Fets werden bestimmt einige 100mOhm haben und ~8Arms. Nimmt man niederohmigere frisst die Kapzität aufgrund des harten Schaltens alles weg. MFG
nimmt man IGBTs, hat man andere Probleme ;) ...doch bei 400Vrms Nennspannung würde ich jene den FETs vorziehen.
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Schaltgeschwindigkeit BUZ73L => Spannung fällt zusammen
Mach den Printscreen so gross, dass man etwas sieht. Ich hab den AD auch, und es geht. Ich sah die FETs, das scheinen N Fets zu sein, die die Last in der Source haben. Das wird nie was. Fuer eine vernuenftige Schaltgeschwindigkeit braucht man natuerlich FET Treiber, da geht ein Port nicht mehr.
Nilp schrieb: > Ich sah die FETs, das scheinen N Fets zu sein, die > die Last in der Source haben. Das wird nie was. Wieso meinst du das? Was ist falsch > Fuer eine vernuenftige Schaltgeschwindigkeit braucht man natuerlich FET
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Frage zu D-Channel FET IRFD9024
Dank für diese Rückmeldung! D = P sorry. Naja, geringer Strom? Ich habe 25x 50mA Peak zu schalten. Das ist schon eher knapp. Ich bin kein FET spezialist, deswegen hier diese Frage, möchte ja was dazu lernen und das passiert gerade dank der Postings hier. :-) OK, im Datenblatt steht ein RDSon
her. Maddin schrieb im Beitrag #6491896: > Naja, geringer Strom? Ich habe 25x 50mA Peak zu schalten. Das ist schon > eher knapp. Wenn du alle 25 LED gleichzeitig bestromen willst, d.h. der FET 1.25A schalten soll, musst du dir mit deinen 5V schon sehr sicher sein (s.Fig 1+3 im DS).
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DRAM und SRAM ltSpice-Beispiele
#5196550: > https://en.wikipedia.org/wiki/Memory_cell_(computing)#Implementation ist zwar ein jFET als Schalter gezeichnet. Aber in allen DRAM, die ich gesehen habe, sitzen an der Stelle MOSFETs. Der jFET in deiner Simu - sperrt nicht bei 0V - lässt bei angesteuerter WL einen Strom durchs Gate
Erklärungshilfen, keine irgendwie vernünftig dimensionierten Schaltungsbeschreibungen. Du könntest dir die FETs dort auch durch ideale Schalter ersetzt denken. In der Simu hast du aber keine idealen Schalter sondern Modelle von realen FETs. In dem Artikel, den ich heute morgen verlinkt hatte, sind zumindest
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Mosfet Endstufe für Zündung A-Brückenzünder
Low Level Logic FETs schalten bei normal 2.5V bis 5V, aber ich habe nur welche bis zu 1A gefunden. Hat hier jemand welche zur Auswahl oder ist 1A zu klein ?
Du auch keinen zwangläufigen FET.
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FET Mute-Schaltung
N-MOSFETs Q1..Q4 falsch herum eingezeichnet sind (S und D vertauscht). Das Ziel ist ja nach LO-GND zu schalten. Im vorliegenden Fall wären die V_GS ja VCC - LO-{RF,LF,RR,LR}; die FETs schalten also mal mehr, mal weniger durch. In dem Fall müsse dann evtl. auch die Ansteuerung über Q5 invertiert werden,
etwas gedauert :). Ok also Quasi so (siehe Anhang). Sollte man auf GND oder auf Audio-Masse schalten (daher ist aktuell auch noch die Lötbrücke eingezeichet) und sollte man vor oder nach dem 22u schalten? Weil die diese Version erzeugt ein Knacken beim Muten.
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Arduino RGB-LED Steuerung
ganz naiv: Kann ich auch statt den MosFets einfache npn-Transitoren nutzen um die 12 V mit den 5V des digital-Pins zu schalten oder ist das jetzt komplett daneben?
einen Port auf Masse ziehen, aber welche > Spannung musst Du am Gate anlegen, damit der FET sperrt? OK ich benutze einen selbstsperrenden P-Kanal FET. 12 V an Source. D.h. damit der FET sperrt müssten an Gate 12 V liegen, damit UGS = 0V wird. Wenn der Transistor schalten soll muss am Gate
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Step Down von 135VDC auf 15VDC @ 2-30mA
zuverlässiger? Clemens S. schrieb im Beitrag #2669298: > Da das nicht > ohne lichtbogen gehen wird schalten wir zuerst das relais ein, dann den > fet ein und dann wieder den fet aus und dann das relais aus. Die Reihenfolge ist irgendwie komplett falsch. Meines Wissens gibt es z.B. in einem FET keinen
Lothar Miller schrieb im Beitrag #2670290: >> Da das nicht >> ohne lichtbogen gehen wird schalten wir zuerst das relais ein, dann den >> fet ein und dann wieder den fet aus und dann das relais aus. > Die Reihenfolge ist irgendwie komplett falsch. Meines Wissens gibt es > z.B. in einem FET keinen
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Elektronische Last mit 2 MOSFETs
Hi Tany, einen IRF3205 habe ich nicht zur Hand. Ich habe fast nur Logic-level FETs hier liegen...
MOSFET und dann von x auf y schalten (schalten tun sie ja alle gut). Mit Trapez kann man die Anstiegsgeschwindigkeit einstellen/reduzieren (probieren und nachmessen). Mir schwant Böses wenn ich an den 100/470 pF Kondensator in der
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24V LED Versorgung mittels FET schalten
Am Gate liegt eine 5V PWM, die zum Durchschalten des FETs eiegntlich reichen müsste oder? Es fließt zwischen Drain und Source ein Strom von ca. 950mA. Da das Dimmen funktioniert muss das Durchschalten des FETs doch funktionieren oder? Probleme gibt es
Probier doch mal den Fet manuell ein- und auszuschalten. Wenn das funktioniert solltest du dein Programm nochmal angucken. Hast du einen Pull-Down-Widerstand an deinem Fet? Sollte dran...
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Schalter mit Widerstand <2R
Ein gut durchgeschalteter MosFET hat ein R im unteren MilliOhm-Bereich. Oder geht die NF nicht über so'n MosFET drüber? War kein Scherz - nur 'ne Frage von 'nem Ahnungslosen ... Nomen est Omen
Darum hab ich mir überlegt feste Widerstände einzusetzen und diese über eine Art Dip-switch zu schalten. Am besten wäre das natürlich elektronisch. Bin leider in sachen Elektronik immer noch ein bisschen eingerostet. Aber trotzdem scheint mir ein MosFET nicht geeignet. Da dieser auf etwas Referenziert
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RPi pico PWM Ansteuerung 24V
Definitiv. Da würden einige 10Hz mehr als locker reichen. Damit ist U1 komplett überflüssig und als FETs brauchst du welche, die mit 3,3V LL 2A schalten können. Da gibt es viele.
Ob S. schrieb im Beitrag #7894276: > Damit ist U1 komplett überflüssig und als FETs brauchst du welche, die > mit 3,3V LL 2A schalten können. Da gibt es viele. Ach so: natürlich sind aus diesen "vielen" wiederum nur die geeignet, die Vds >24V abkönnen. Aber selbst mit dieser Einschränkung
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FET Schaltungsproblem
Hallo, ich möchte wie im Bild ersichtlich, eine FET als Relais / Schalter Ersatz nehmen. Der Tiefentladeschutz gibt solange Spannung auf das Gate (ca 11 bis 13,6V) bis ca 10,6 V Akku Spannung unterschritten werden. Ich hab das Problem das der IRF3803
Jens K. schrieb im Beitrag #3100058: > ich möchte wie im Bild ersichtlich, eine FET als Relais / Schalter > Ersatz nehmen. Nun, ein FET ist eben kein idealer Relaisersatz. Wenn genaue Daten nicht bekannt sind, ist ein "echtes" Relais meist die beste Lösung. Gruss Harald
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DIY 10kW/20kWh eta=99% Insel ESS Projektvorstellung
Sorry, aber 10kW gibt um die 40Arms. Für 100W Verluste bleiben dir dann für 12 Schalter (6 H-Brücken in Serie) 8W pro Schalter... Das wären also 5mOhm Dinger! Monolithische Inverter und Drehstrom macht man nicht ohne Grund! Stell dich auf SiC/GaN um gutes Geld ein... 73
durch die Induktivitäten von Case und Layout wirst du schon 20W+ Schaltverluste am jeweils schaltenden FET einfahren. Dazu die Leitverluste. Schnelles Schalten geht mit den Induktivitäten nicht. Für EMI vielleicht ganz gut, aber die Wärme muss weg. Vielleicht kann eine ganze H-Brücke auf 1 KK, wären dann
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diskrete doppel H-Brücke für Schrittmotoren
Deine P-Kanal FETs (IRF5305) sind falsch eingebaut: die Diode ist immer leitend.
Der NPN-Transistor muß nach "unten" und der PNP nach "oben". Wie sollen die denn schalten? Also Emitter vom NPN an Masse (das negativste Potenzial), sein Collector an den Collector vom PNP und dessen Emitter an Plus. Die gemeinsame Collector-Leitung geht zum Gate des FETs Blackbird
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Stromsparender Impulsgeber
der Schaltung) schalten. Letzteres wäre kein Problem, aber ersteres geht nicht direkt mit dem µC - der FET wäre also dauerhaft leitend. Soweit richtig? Und nen Pullup auf 12V am FET killt mir den µC... Dann vieleicht
Michael W. schrieb im Beitrag #7880360: > Den Teil verstehe ich immer noch nicht. Wenn der FET durchschaltet und > der Schnecken-Zaun einen Kurzschluss, dürften doch am SchneckDetect fast > 12V anliegen, oder? R_DS(on) liegt ja beim FET im mOhm Bereich. Der FET schaltet ab, wenn die Spannung
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Kondensator mit einem FET entladen
Dielektrische Absorbtionswerte. Ladungseinkoppelung: Ueber die Gate-Drain Kapazitaet koppelst du beim schalten eine Ladung auf dem Speicherkondensator ein. Abhilfe: Entweder einen Fet mit geringer Kapaziatet suchen oder aus einem gegen phasigen Signal ueber eine kleine Kapaziatet (Trimmer) die entgegengesetzte
@Helmut Lenzen: Du bist hier heute der Held. Negative Gatespannung des I-FET richtig schalten. Ich bin ebenfalls aufgelaufen :-( Ein einfacher BC547 mit Basisvorwiderstand hätte sicher gereicht.
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Regler Galvanisch getrennt 3 Kanäle
wandelt. Fur sollen die FETs schnell schalten und nicht zu lange im Ohmischen Bereich bleiben (schnell 50..100ns). Sprich für das Einschalten brauche ich noch einen MosFET Treiber (zB. FAN3217) Jens
Welche Ströme sollen denn die FETs schalten? Ich nehme gerne Opto-FETs, z.B. TLP172A (Mouser: 1,41€).
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High Side Level Schalter
Hast Du beim P-Kanal FET Source auf VCC ? Dort muss es sein. Drain, also der mittlere Pin muss zum LM317
genau so Das Problem ist das aber auch das Schalten nur mit dem N-Fet nicht funktioniert. Also LED(mit Vorwiderstand) an VCC - LED an Drain des N-Fets _> Source an GND und Gate an mC. Ein mal etwas Heller, dann etwas Dunkler leuchtet die LED, aber
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Schützen eines Ausganges vor 24VDC
> Der Fet schaltet nur ca. 100mA und wirde mit 100Hz geschalten. Bei diesen Werten schliesse ich mich holger an. Was soll dann die Trennung von Controller und Schalter, das kriegst du doch über jedes Kabel
habe um noch einen Power Mosfet anzubringen. Denn es können bis zu 60 Platinen mit dem kleinen Fet parallel am ATMega hängen und das wären dann schon 6A die ich schalten müsste. Also kurz gesagt ich teile den zu schaltenden Strom in kleine Ströme auf.
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Suche nach schnellem Mosfet
Sowas löst man nicht über das Bauteil, sondern in der Ansteuerung. Denn wie lange ein FET wirklich braucht um zu schalten, hängt auch von Dingen wie der Spannung ab. Will heißen: Es wird schwierig, das über das Bauteil sicher zu steuern!
thermischen Zeitkonstanten im ms-Bereich. Hat mir so auch ein Hersteller bestätigt. Also kann man 30nC-FET durchaus verwenden- je nach Frequenz. Probleme sehe ich eher beim FET. Denn will man z.B: einen mit 10nC Miller-Ladung und 2V Treshold schalten, liefert ein 50Ohm-Port gerade noch 26mA. Da ist man
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Li-Ion im Betrieb laden
d.h. zu beginn messen bei bedarf fet schalten nach einiger zeit sollten alle zellen die selbe spannung haben ( fet sperrt) und dann werden alle zellen mit gleichem strom geladen. dann eigentlich nur noch messen ob alles ok ist. wenn
8,2Ohm = 2,15 Watt >PWM Wenn ich es richtig verstehe soll die Integration des PWM Signals vor dem FET erfolgen und der FET als analoger Widerstand arbeiten. Das geht sicherlich, aber warum nicht den Akku als Integrator nutzen? Also den FET als digitalen Schalter, der direkt vom PWM gesteuert wird. Für
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Relais-Kontakt mit FET schützen
Hi Das Relais, damit der Kontakt möglichst wenig Widerstand aufweist, und der FET, um den Kontakt das Schalten zu ermöglichen. Müsste eh PLUS schalten - dazu muß ich mir mal P-FET's anschauen (welche hier rumliegen, aber noch nix mit gemacht - also Kleinteile, nix für Leistung).
>Ja aber Dein FET wird doch Stromlos aufgesteuert. Also beim Schalten von FETs entstehen immer noch ne Menge Verluste, allein schon das Umladen der Gate-Source-Kapazität benötigt einigen Strom, je nach Geschwindigkeit