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Photoverstärker mit Gleichlichtunterdrückung (Verständnisfrage)
verraten, was da als Eingangstransistor zum Einsatz gekommen ist? Ich hab häufiger schonmal nach JFETs mit kleinen Kapazitäten gesucht, aber nichts so gutes gefunden. Und soweit ich weiß, kann man die Eingangskapazität des Verstärkers selbst nicht mit einer Trickschatung isolieren, oder?
verraten, was da als Eingangstransistor zum Einsatz gekommen > ist? Ich hab häufiger schonmal nach JFETs mit kleinen Kapazitäten > gesucht, aber nichts so gutes gefunden. Und soweit ich weiß, kann man > die Eingangskapazität des Verstärkers selbst nicht mit einer > Trickschatung isolieren, oder?
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Was kann man mit JFETs machen?
Ich hab mir einige JFETs bestellt. Jetzt sind sie die ersten (2N5457) da. Was kann man für spannende Experimente mit JFETs machen? Irgendwelche Ideen?
Du kannst Oszillatoren bauen, Differenzverstärker mit JFET, Amplitudenregelung für Sinusoszillatoren... MfG
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Sehr schwache audiosignal messen
5546d462602a9dc801607a0e46511a2e Ich werde allerdings die Vermutung nicht los, dass man mit einem Kondensatormikrophon mit JFET-Verstärker doch noch besser fährt. Nur, wo bekommt man so etwas, ohne Unsummen auszugeben?
> Ich werde allerdings die Vermutung nicht los, dass man mit einem > Kondensatormikrophon mit JFET-Verstärker doch noch besser fährt. Nur, wo > bekommt man so etwas, ohne Unsummen auszugeben? In jedem Elektronikladen als sog. Elektretmikrofon für ca. 1EUR.
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Burmester 933 Nachbau
eine (bekannt) schlechte Linearität. Die DC > Übertragungsfunktion hat eine krumme Kennlinie JFETs am Eingang sollten das Problem lösen. LG old.
wir das am Objekt machen für die notwendige Modifikation der Stromquelle, des Stromspiegels und JFETs im Eingang, braucht man nicht mal das Layout zu verändern. LG old.
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Heizelement mittels Solid State Relais steuern
richtiger Beschriftung. Das sieht so gar nicht nach Konstantstrom aus, man könnte erwarten einen JFET als Stromlimiter in Reihe mit der IR-LED aber selbst dafür ist es zu wenig konstant, 20mA reichen also bei 5V locker und damit ein Ausgang. Das Datenblatt schweigt sich DAZU allerdings aus, das redet
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Körperultraschall mit Arduino (Sonographie)
Ein Hybrid (Vor)verstaerker in diskreter Bauweise, ein JFET oder Mosfet(auch dual gate ) mit einem pnp Transistor (BC bis BF Typ) am Drain Widerstand ( Basis und Emitter des pnp T.) und entsprechender RC( L) auslegung, sind weit einfacher zu realisieren
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Alternative für J310 - Mini Whip
weiterhin verfügbar. https://www.mouser.de/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/JFET/_/N-ax1rs?Keyword=J310&FS=True
hast, dann sind in 10 Minuten die zugehörigen Datenblätter runtergeladen, in weiteren 10Minuten die JFets von BJT und sonstigen Fets separiert, und in weiteren 10 Minuten die DB der übriggebliebenen JFets verglichen, und auf Tauglichkeit abgeschätzt. Aber man läßt ja gerne andere für sich arbeiten, und
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20mA konst. Stromquelle als Schaltregler für LED gesucht
Michael B. schrieb im Beitrag #5404491: > JFETs (und Konstantstromdioden) brauchen eine deutliche Spannung bevor > sie den vorgesehenen Strom fliessen lassen, sie funktionieren erst so ab > 3V (und höchstens bei 25V weil sonst die Verlustleistung
mit einem > einzigen Feldeffekttransistor vom Typ BF245C realisieren. Auch für Stefanus gilt: JFET limitieren den Strom erst ab ca. 3V verbleibender Restspannung an ihnen auf den gewünschten Wert. http://www2.eng.cam.ac.uk/~dmh/ptialcd/csink/csink.htm
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Wie DCF77 Antenne mit Spekki prüfen?
Mit 50 Ohm Belastung wird die Resonanzkurve platt wie Ostfriesland... Da würde ich besser einen JFET-Impedanzwandler vorschalten. Gute Nacht.
Puffi schrieb im Beitrag #5398134: > JFET-Impedanzwandler Einfach 10+ Windungen Kupferlackdraht (oder dünnen Schaltdraht) auf eine freie Stelle des Ferritstabes wickeln und damit auf den Eingang gehen.
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kleine Spannung verstärken mit nur +5V Ub möglich?
dann die Flussspannungen der Schutzdioden bzw. die Spannungsfestigkeit der Eingangsstufen (z.B. bei JFET-Typen ohne Schutzdioden, Stichwort Elektrometerverstärker). Nebenbei: ein Opamp interessiert sich nur für seine beiden Powerrails. Ob die Versorgung symmetrisch, oder mit einer künstlichen 0V, oder
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Elektrospinning 15kV Feld Schalten
Pockelszellen. Du kannst auch nach "A compact, high voltage 25kW, 50 kHz DC-DC converter based on SiC JFETs", lesen, das findest Du zb. hier: https://www.pes-publications.ee.ethz.ch/uploads/tx_ethpublications/aggeler_APEC08.pdf Viel Erfolg und laß von Dir hören wenn es läuft
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Piezo Film Sensor OPV
1 MΩ, > recommended: 10 MΩ Das bezieht sich wohl auf den Eingang des OPV. Also wäre z.B. ein JFet - Eingang erforderlich, die sind sehr hochohmig. Der TL071 wäre ein klassischer Kandidat, kostest nur ein paar Cent. Müßte für die ersten Tests genügen. https://www.reichelt.de/?ACTION=3;ARTICLE=
einwirken, gut unterdrückt. Allerdings baut man so etwas nicht mit dem LM1458, sondern einem JFet Chip, wie z.B. dem o.a. TL071-074, oder auch dem LF355/356. Die sind alle etwas älter, aber es gibt natürlich auch moderne OpAmps mit FET Eingängen.
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Laserdiode schnell 50mA klauen
habe schon mal einen BF256 verwendet, welcher aber viel zu wenig >Strom durchläßt. Das ist ein JFET VHF Transistor. Der braucht ne negative Steuerspannung. Schnell genug ist er ganz sicher, kann aber bestenfalls 18mA "schalten". >Die beiden Arbeitspunkte sind ca. 170mA 1,93V und 120mA 1,89V, die
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Oszillator moduliert sich selbst
Resonator kein Datenblatt habe. Bild 4: ich habe dann einen Goral-Oszillator aufgebaut mit einem J310 JFET und einem BFR93 NPN Transistor. Bild 400mhzosci.png: in LTSpice habe ich das ganze simuliert. Die Bauteilwerte habe ich so bestimmt, dass der Loopgain ausreichend gross ist. Daher schwingt der Oszi
akzeptabel... Danke. Das weiss ich wohl selber. Ich habe ja geschrieben, dass ich verschiedene JFETs ausprobiert habe. Den J310 zu Beginn. Danach habe ich einen MMBFJ310 genommen, im SOT-23. Ich glaube nicht, dass dessen Pins zu lang sind. Diejenigen des J310 waren auch sehr kurz, so 4mm. Das Bild
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Wien oszillator
kurze Frage ot: hab keinen BF254 JFET in meinem ltSpice hab die phil_fet.lib von http://ltwiki.org/files/LTspiceIV/Vendor%20List/Spice-Models-collection/ in lib/sub gepackt, wo finde ich die nun in den Components von ltSpice?
ersetzt deine Standard-datei durch diese. das ist die originale, die ich auch hab, da sind nur ~15 JFets drin du meinst sicher diese hier: http://ltwiki.org/index.php5?title=Standard.jft
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Schaltungen gesucht
(Vactrols). Man braucht aber noch etwas Elektronik drum herum. Eine andere Möglichkeit ist, einen JFet als gesteuerten Widerstand zu nehmen. Willst du einen amplitudenstabilen Oszillator bauen?
so mit beifügen können. Vactrols, höre ich zum ersten mal Vactrols = Optokoppler, kenne ich JFet`s habe ich versucht in Circuit Simulator Applet zu nutzen kam aber nur nutzloses heraus amplitudenstabilen Oszillator = Sinusgenerator
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BF862 Ersatztyp für TIA Photodioden Frontend
bald den Weg alles Irdischen: https://www.nxp.com/products/rf/rf-discrete-components-low-power/jfets/n-channel-fet:BF861C "Not recommended for new design in." Gruß, Bernhard
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Transistorschaltung mit 1,5 Volt
Schafft es jemand, die im Video gezeigte Schaltung erfolgreich zu simulieren? Hab den obsoleten JFET-Typ ersetzt.
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Signal durchschleifen ohne Versorgungsspannung
JFET ist hier vielleicht besser als MOSFET.
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Verstärker Fotodiode mit sehr großer Kapazität
/N, auch über einen bessern OP (OPA4192) kann ich kaum etwas rausholen. N.B: Mit einem BF862 JFET als Buffer erreiche ich bisher nur 20kHz Bandbreite.
simulierten RMS Rauschen von 6mV. Dort sind aber 100pF (PICOFarad drin) >N.B: Mit einem BF862 JFET als Buffer erreiche ich bisher nur 20kHz >Bandbreite. Worin soll der Vorteil zum "einfachen" TIA liegen?
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Operationsverstärker
jedoch prinzipiell das gleiche. Es gibt drei verschiedene Arten von Operationsverstärkern Bipolar, JFET und CMOS Verstärker, aber wozu zählt dieser? http://www.ti.com/lit/ds/symlink/opa4376.pdf Könnte ich diesen als zweiten Verstärker nach dem hochpräzisen Vorverstärker verwenden? Denn laut Datenblatt
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Stromrichtung FET
FETs weil bei einem stets die Body-Diode leitet). Hier gibt es auch ein schönes Bild eines JFET auf dem man die Symmetrie erkennt http://hrsasa.asn.au/docs/Fetron.pdf Ob Drain oder Source mehr befingert sind, das Gate liegt wzasichen beiden.
ja warum? Ja, wegen des symmetrischen Aufbaus. Der bekannte BF245 z.B. sowie etliche weitere JFETs sind explizit als symmetrische Typen ausgewiesen, d.h. du darfst ungestraft D und S vertauschen. MOSFETs hingegen sind wegen der parasitären Substratdiode meist unsymmetrisch.
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JFET CC für Optokoppler
geht lediglich darum die Spannung zu detektieren). Dafür habe ich eine Konstantstromquelle aus einem JFET (J112) aufgebaut (siehe Schematic). Auf dem Steckbrett kurz zusammen gesteckt wird der JFET bei >10V allerdings sehr heiß. Da ich mir nicht sicher bin ob der CNY oder der J112 noch in Ordnung waren
würde ich anstelle des JFET >gerne vermeiden (die Dinger sind schwer zu bekommen). Das sind auch nur ausgemessene JFETs.
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Vorverstärker: Miller Kompensation an gefalteter Kaskode nach Bob Cordells Vorschlag für LSK489
Fachleute! folgende Vorverstärker Schaltung findet man als Anwendungsbeispiel für den N-Channel JFet LSK489, siehe "Discrete JFet Amplifier.png". Im Internet zu finden unter "LSK489 Application Note" von Bob Cordell. Es handelt sich um eine JFet Verstärkerschaltung ohne Gegenkopplung mit einer gefalteten
#5289334: > folgende Vorverstärker Schaltung findet man als Anwendungsbeispiel für > den N-Channel JFet LSK489, siehe "Discrete JFet Amplifier.png". Im > Internet zu finden unter "LSK489 Application Note" von Bob Cordell. LG old.
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Mosfet-IGBT Cascode -geht das?
Schlussfolgerungen sind ansonsten gleich. Mark, ja. Mann findet interessanterweise Cascode mit BJT, JFET, SIC, GTO aber nirgends mit normalen SI IGBTs. nachtmix, zulässige Gatespannung IGBT kann nicht überschritten werden, da fest auf 18V. D.h. 18V bei an, bei Aus fast 0 zwischen Sorce-Gate IGBT. Klar
scheitert: Wie sieht die Anbindung an den Gates aus? Infineon hatte damals mit dem normally on SiC JFET eine Kaskode präsentiert. Der cascode Mosfet war einzig und allein ein Schutz, um dem normally on vom IGBT entgegen zu wirken. Da war die "Logik" in der Ansteuerung zwischen JFET und Mosfet relativ
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Selbstleitender Transistor gesucht oder alternative Lösung für einen Öffner.
Feldeffekttransistor wie BF 199, J300 oder JFET sind Verarmungstypen.
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Was ist das für ein Transistor?
Nein, ein JFET.
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Low-Power Current Feedback OpAmp für 3V Single-Supply
ADA4805-1: Der geht ab 2.7V, 105MHz Bandbreite, extrem niedriges Rauschen. Aber Achtung: Durch die JFET-Eingangsstufe ist der Bereich der Eingangsspannung eingegrenzt.
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JFET Messchaltung: Verstärkung und Rauschen
Hallo zusammen, Ich möchte JFET Transistoren, den BF862, nach der Steilheit gm und Rauschen eN selektieren. Hierzu habe ich vor die angehängte Schaltung zu verwenden. Die Verstärkung der Schaltung ergibt sich zu ca. A = gm * R2
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AC Widerstand ( elektronisch )
Vielleicht hilft das weiter, jfet als Widerstand : https://www.vishay.com/docs/70598/70598.pdf
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Verarmungs- oder Anreicherungstyp
Ist n Anreicherungstyp. Vielleicht ein SiC JFET? http://unitedsic.com/sic-jfets/ Cheers,
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Suche low voltage AC relais
Wie wärs mit einem kleinen Trafo? Die haben keine Mindestspannung. Vielleicht kann man auch per JFETs einen Gleichrichter im 100mV-Bereich bauen.
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Mat 02/03 heute besser als damals?
Bipolartransistoren sind abgesehen davon sowieso einer wie der andere, da hilft Selektion garnix. Bei JFETs ist das grundlegend anders. Der Qualitätsfaktor ist hier das Verhältnis von Eingangskapazität zu Steilheit. Man kann hier auch beliebig viele FETs parallelschalten, aber die Eingangskapazität wird dann sehr schnell sehr gigantisch, und Miller hilft fleißig mit. Bei JFETs variiert die notwendige Gate-Bias sehr stark und es kann durchaus vorkommen, dass nur einer der Transistoren den gesamten Strom übernimmt und er dann der einzige ist, der einen Beitrag zur Steilheit
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Wirkungsgrad Kondensatornetzteil
. Hier mal der Vergleich. Ist schon ein großer Unterschied. Bei anderen Bauelementen wie npn oder jfet ist es noch krasser. Nimm besser echte Typen!!
mal der > Vergleich. Ist schon ein großer Unterschied. Bei anderen Bauelementen > wie npn oder jfet ist es noch krasser. Nimm besser echte Typen!! Schon klar, aber mich interessiert die Frage warum der Wirkungsgrad besser wird, wenn ich 150n statt 100n einbaue. Da ist es doch egal ob ich Dioden
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Wann sperrt ein selbstleit. N-Kanal MOSFET?
wenn man sie auf das Breadboard integrieren will... https://www.ebay.de/itm/SST310-LF-N-CHANNEL-JFET-SOT-23-SURFACE-MOUNT-SST310-CALOGIC-25-PCS-J310-SMD/301174904154?hash=item461f6c555a:g:uScAAMXQNo5TZzpS
dem Aufputz steht nur hier, (2.von unten) https://www.ebay.de/sch/i.html?_from=R40&_sacat=0&_nkw=jfet+j310&_sop=15
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JFET input TL084 Bias current Richtung
p-Kanal JFET. Die Isolation des Gates wird hier durch die Sperrschicht zwischen Gate und dem Kanal (vulgo: sowohl Drain als auch Source) gebildet. Im Normalbetrieb muß deswegen bei einem p-Kanal JFET die Spannung
schrieb im Beitrag #5203623: > Wie du richtig erkannt hast, sind die Eingangstransistoren p-Kanal JFET. > Die Isolation des Gates wird hier durch die Sperrschicht zwischen Gate > und dem Kanal (vulgo: sowohl Drain als auch Source) gebildet. Im > Normalbetrieb muß deswegen bei einem p-Kanal JFET die
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DRAM und SRAM ltSpice-Beispiele
#5196550: > https://en.wikipedia.org/wiki/Memory_cell_(computing)#Implementation ist zwar ein jFET als Schalter gezeichnet. Aber in allen DRAM, die ich gesehen habe, sitzen an der Stelle MOSFETs. Der jFET in deiner Simu - sperrt nicht bei 0V - lässt bei angesteuerter WL einen Strom durchs Gate auf die BL fließen Zwei Gründe, warum die Simu nicht funktionieren kann. Also: ersetze den jFET durch einen passenden n-Kanal MOSFET. Als ich zum letzten Mal was mit dem Thema zu tun hatte waren typische Werte - für die Zellkapazität: ~25fF - für die BL-Kapazität: ~ das 10-fache davon (250fF
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rauschen Dynamisches Mic (250 Ohm) am Differenzverstärker
gering. Als OPV habe ich mehrere mit gleichen resultaten getestet. (TI) NE5532 (bipolar) und die JFET Typen: (STM) TL072 und (DDR) B082 Da ich keinen unterschied zu unserem alten "Rauschgenerator" B082 feststellen konnte, tippe ich auf das rauschen des Eingangswiderstandes. Wenn es der doch
10 zu liegen....den würde ich hier wegen den bipolaren Eingängen vorziehen. Von den hohohmigen JFET Typen TL072 auch noch 10 und von den B082/B084 (TL082/084) noch etliche Stangen aus Restbeständen des RFT Sternradio Berlin (Die lagen nach der Wende zu Haufen auf dem Elektronikschrott in Berlin Hoppegarten
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MOSFET PN-Dioden
Möglichkeit über diesem Sperrschicht-FET die Leitfähigkeit des Kanals zu beeinflussen. Da das bei JFETs aber immer nur in Richtung "sperren" geht, kann man das Substrat nicht einfach in der Luft hängen lassen. Es würde sich aufladen und die Steuerbarkeit über das Gate verschlechtern. Im Übrigen ist
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KiCAD: Standard-DC-Buchse 5.5mm/2.1mm ?
korrekt waren, in der nächsten dann plötzlich fehlerhaft sind. So ist mir z.B. aufgefallen, dass die N-JFETs BF244 und BF245 in 4.0.6 noch richtig waren und in 4.0.7 ist der BF244 nun plötzlich ein NPN-Bipolartransistor und der BF245 ist ein MOSFET. Da kommt die Qualitätskontrolle ein bisschen zu kurz.
waren, in der nächsten dann plötzlich fehlerhaft sind. So ist mir z.B. > aufgefallen, dass die N-JFETs BF244 und BF245 in 4.0.6 noch richtig > waren und in 4.0.7 ist der BF244 nun plötzlich ein NPN-Bipolartransistor > und der BF245 ist ein MOSFET. > Da kommt die Qualitätskontrolle ein bisschen
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Transistor Frage zur Hfe
durchbrennen, hier würde ein MOSFET dauerleiten > und somit Dauerheizen. Mein Fehler, das ist beim JFET so, der MOSFET hat dieses Problem nicht. Also aus dem Gesichtspunkt ist ein MOSFET ok.
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NF-Generator nach LT-App.
Das Poti am JFET ist schon etwas ungewöhnlich. Ich kenne 2 gleiche Widerstände und dann ein Poti eher im parallelen Zweig. Der Gleichlauf der 2 Poties für die Frequenz muss ggf. relativ gut sein. Der JFET type sollte
In SMD Bauform kriegt man JFETs noch ohne Probleme. Bei der TO92 Form wird es langsam weniger. Reichelt hat aber noch ein ganz Menge. Weil die JFETs recht stark streuen, muss man bei den Parametern keine so genaue Übereinstimmung
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HP Signalgenerator reparierbar?
das Mainframe reparieren (Das verrückte delaminierte Gedruckte Hochspannungskabel zur CRT und ein JFET im HV Generator FB Zweig. ) dann hatte ich mal Schwierigkeiten mit der CRT Storage Logik Steuerung. Da biß ich mir fast die Zähne aus. Von wegen Kunstschaltungen;-) Deine UKW Berichte Artikel kenne
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Mosfet, Jfet ?fet?
Guten Tag Zusammen, ich bin neu in dem Forum und komme, wie soll es anders sein mit einer Frage zu euch. Vor ab, mein Wissen über Elektronik hält sich leider stark in Grenzen. Ich arbeite seit einer weile mit Labview und möchte folgendes realisieren: An meinem Prüfstand wird ein Motor mit 14 V Betrieben. Dieser kann mit einem manuellen Schalter ein und ausgeschalten werden. Das ganze würde ich gerne über meine kleine NI-Box steuern können. Mit einem Magnetventil und einem Mosfet(+treiber) funktioniert das super. Allerdings möchte ich im Fall des Motors, dass der manuelle Schalter der "master" bleibt
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NICOS – der Negative Impedance Converter - Oszillator
Im Anhang eine LTspice-Simulation. von den NJF JFETs eignen sich nicht alle, einfach ausprobieren, ob die Spannung an der Basis der PNP ca. 8,2V beträgt. Mit den Bauteil-Werten spielen. Bei mir schwang er zuerst nicht an, deshalb habe ich ein paar
Schaltung lässt sich aber tatsächlich vereinfachen, wenn man den pnp durch einen der selteneren P-JFETs ersetzt und den mit dem n-JFET zu einer Lambda-Diode zusammenkleistert. Die Lambda-Diode kann dann als Ersatz für die TD dienen, wenngleich eine Ge-TD schon mit 100mV läuft. https://de.wikipedia.org