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Probleme mit Konstantstromtreiber / gatetreiber
zwischen > "TP1 und TPGND" Nächstes Beispiel: Justus V. schrieb im Beitrag #6240835: > Und den Mosfet selbst Mosfet zu GND2 Was heißt "MOSFET zu GND"? Dein MOSFET hat drei Anschlüsse. Gib an, welchen du misst. Zum Inhalt deiner Messungen: Justus V. schrieb im Beitrag #6240835: > wird > an
in Zukunft verwende ich die Pin Bezeichnungen für die Erklärung wo gemessen wurde.. >> Und den Mosfet selbst Mosfet zu GND2 > Was heißt "MOSFET zu GND"? Dein MOSFET hat drei Anschlüsse. Gib an, > welchen du misst. In den Fall Drain zu Source. >> an dem Ein und Ausschalt verhalten liegen
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Stromsparendes Schalten von 5V mit 3,3V
Gibt es denn einen Mosfet der das so leistet (ohne zusätzlichen N mosfet)?
attiny: - Wenn er 0V ausgibt, ist Ugs 5V- 1,8V = 3,2V und der MOSFET leitet. - Wenn er 3,3V ausgibt, ist Ugs 5V-3,3V-1,8V = 0V und der MOSFET sperrt.
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Mosfet per Optokoppler
Hallo zusammen, ich würde gerne mit einem N Channel Mosfet einen LED Streifen ansteuern, allerdings ist es mir wichtig das ich eine galvanische trennung des steuersignals zur last habe. deshalb hatte ich die überlegung angestellt das gate des mosfets mit einem
Schaltung ist so ausgelegt, daß kein Kurzschluss stattfinden kann und kein 10k pull down vor dem MOSFET nötig ist.
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Aus Minus Plus machen?
Marcel V. schrieb im Beitrag #8074025: > Nicht jeder Mosfet hält eine GS-Spannung von -12 Volt aus. IRLZ44 aber problemlos.
Marcel V. schrieb im Beitrag #8074316: > Die beiden oberen N-Channel MOSFETs könnte man durch einen einzigen > P-Channel MOSFET ersetzen Die n-MOS hat er doch schon da.
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MOSFET Schaltung an µC
Atmega8. Es gibt zwei verschiedene Zustände. Zu einem das "Gas geben", welches über einen P-Kanal Mosfet geschieht und zum anderen das "Bremsen" mit einem N-Kanal Mosfet. Der Motor ist im Schaltplan angedeutet. Beim Bremsen wird der Motor mit der Masse über den N-Kanal Mosfet Kurzgeschlossen. Über den
selbe Aufgabe wie die internen Pullup Widerstände, oder ? Dadurch wird im Ruhezustand der "Brems MOSFET" Q2 durchgeschalten und der "Gas MOSFET" Q4 gesperrt. Ich habe mir gerade noch den Artikel der "Einfacher 1-Quadrantensteller mit P-Kanal Mosfet" durchgelesen. Soll ich diese Schaltungsvariante
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"Standard"-Mosfet gesucht
Hei. Ich möchte von Transistoren (als Schalter) auf Mosfets wechseln, welche günstigen (bei Reichelt erhältlichen!) Low-Level-Mosfets (N-Kanal) könnt ihr empfehlen bis 250mA? MfG Ton
https://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht
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BUZ11 geht kaputt..
transistor KSC5027 - power schottky rectifier STPS3045CW (wofür auch immer das ding gut is o_O) - mosfet 2SK2749 kann ich ersatzweise was davon verwenden? evtl. doch wieder den mosfet da der 900v und 150w aushält?
Also mit MOSFET geht das allemal und wird auch häufig gemacht. IRF540,IRF840,IRFBC40.... Was die Schaltverluste angeht sind MOSFET meist besser als Bipolar. Weniger Leistung zum Schalten bei höheren Schaltgeschwindigkeiten
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Sinnloses MOSFET-Sterben
oder man nimmt einen fetteren Mosfet der 100 Watt kann.
MOSFET killen. D.h. - Taster entprellen & Schmitt Trigger verwenden - Mosfet-Treiber verwenden - Anderen Mosfet verwenden (IRL3705N?) - Suppressordiode am Gate Ich werde das demnächst mal durchtesten
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RDSon zur Strombegrenzung nutzen?
zum Transistor. Das kommt der geplanten Strombegrenzung entgegen. Nachteil: bei ausgeschaltetem Mosfet fällt die gesamte Spannung an der DS-Strecke ab und der Mosfet lässt sich dann nicht mehr einschalten, weil die Strombegrenzung denkt, es würde der maximale Strom fließen. Es sei denn man verknüpft
Andreas B. schrieb im Beitrag #7797431: > Ob die Verluste nun im Mosfet oder an einem externen Widerstamnd > auftreten ist wohl ziemlich egal. Allerdings hat man den MOSFET sowieso und der Widerstand käme extra, mit zusätzlichen Verlusten. Arno R. schrieb im Beitrag
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Wann braucht man Freilaufdioden bei einem BLDC Regler?
>Platz und Kosten. Externe Freilaufdioden heizen den MOSFET-Chip nicht auf.
externe Freilaufdioden in der Regel näher an der induktiven Last angebracht werden, also vor dem MOSFET.
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Durchschaltgeschwindigkeit eines MOSFETs
Hi, weiß jemand wie schnell ein Mosfet typischerweise "durchschaltet", bzw. wie die dazugehörige Kenngröße heißt?? Praxiswissen
ist. Beim Abschalten des MOSFET kommt es noch auf die vorherige Stromrichtung an. Wenn der MOSFET vorher in Durchlassrichtung seiner internen Body Diode betrieben wurde muss beim Abschalten zusätzlich zur Cds noch der Reverse Recovery
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Mosfet Verluste
nicht schlauerweise der T2 auf Durchgang geschaltet wird. > Denn nur das ist der Zweck dieses Mosfets bei einem synchronen > Buck-Regler. In der Freilaufphase fließt also der volle Strom durch die Body Diode des Mosfets T2. Muss man dann die Verluste dieses MOSFETs nur über die Body Diode berücksichtigen? Also Verluste in der Freilaufphase: P_freilauf = Vdf*I,avg + Rdf * I,rms^2 P_Mosfet(ausgenommen Body Diode) = rDson * I,rms^2 = 0 (weil alles über Body Diode dieses Mosfets fließt)?
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Halb Brücke für 24V und 30A so ok?
Update 4 2 Mosfets parallel und Pull down für IN hinzugefügt
blöde Frage: Warum eine Halbbrücke? Reicht nicht ein MOSFET um den Motor zu steuern?
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Optokoppler & Transistor für 24V (800mA)?
Verbraucher ist ein "Tischnebler", der zweckentfremdet eingebaut > wird. Da reicht ein simpler n-MOSFET für niedrige Logikpegel.
Basiswiderstand]] und man kann das Ding per 3,3V ansteuern. Ist deutlich ESD-resistenter als ein MOSFET.
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12-V-DC-Motor mit ESP32 ansteuern
ca. 0.5A. Rechne mal das 5-fache als Blockierstrom. Dann bist Du bei <3A. Dazu braucht es keinen MosFet mit 60A.
Ansteuerleistung für PWM. Ist das eher ein Problem auf Seiten des µC oder wegen der Verluste am MOSFET?
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Effizienter Step Down converter gesucht
schrieb im Beitrag #7063558: > Mein Plan wäre es, das mit > einem Atmega328p, Spannungsteiler und Mosfet zu machen. TL431,Spannungsteiler und Mosfet wäre die einfachere Lösung.
#7063581: > David P. schrieb: >> Mein Plan wäre es, das mit >> einem Atmega328p, Spannungsteiler und Mosfet zu machen. > > TL431,Spannungsteiler und Mosfet wäre die einfachere Lösung. Ja, sozusagen eine Selbsthalteschaltung.
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MosFET Auslegung
RDson zu finden ist, gehe ich eben vom worst case aus. Persönlich würde ich daher einen geeigneten MosFet wählen. Aber wie Du schon sagtest: Wenn er den schon in der Kiste liegen hat spricht nichts dagegen, das mal auszuprobieren. Dann sollte man aber schon mal die T des MosFets im Betrieb prüfen.
das > noch viel schlimmer aus Tja... Bei 1.6A sehe ich auch knapp 0,1 Ohm und somit muss der MOSFET ~0,3W-0,35W verbraten.
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MOSFET Treiber wird immer nach einer bestimmten Zeit kaputt
#5321985: > Jetzt noch was Konstruktives: > > Bau mal eine vernünftige Freilaufdiode ein Der Mosfet ist schon richtig. Macht weniger Spannungsabfall als eine Schottky. Der Motorstrom beträgt im Leerlauf schon 5A. Um bei Belastung die Bodydiode des (oberen) Mosfet während der Totzeit zu überbrücken
Probleme mit den Induktivitäten der Leitungen im Kreis (Spannungsspitzen). Mach den Mosfet-Driver direkt so kurz wie möglich an Gate/Source/Drain der Mosfets, sonst bekommste ordentliche Peaks durch parasitäre Induktivitäten rein. Und BEtriebsspannung der Mosfets ebenfalls unmittelbar an
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Kann man das so machen? PNP Schaltung
Jörg R. schrieb im Beitrag #6217621: > Weshalb nicht Lowside mit einem N-Channel Mosfet? > Nur ein Transistor, Verlustleistung am Transistor ca. 200mW Weshalb nicht HighSide (wie gewünscht) mit einem pMOSFET? So, z.B.: [pre] 36V S D o--------o----+^+-----.
Extremfall so, typischerweise ist die Ucesat nur ~1V wie ich oben schrob. Aber egal, es kommt ja eh ein Mosfet rein.
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Abschalt-überschwinger am Mosfet -> Z-Diode zu langsam?
um den MosFET voll durch zu schalten sehe ich darin kein Problem.
Schaltung elko-frei sein. Ich hab nochmal über Thomas O.'s Vorschlag nachgedacht, das Gate der Mosfets spannungsgesteuert zu entladen. Wie Alexander Schmidt schrieb, geht das nicht so einfach, weil es P-Mosfets sind. Aber was haltet ihr von der angehängten Schaltung? Die Mosfets werden dadurch
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Elektroroller "frisieren"
ausgelegt werden. Es wäre auch nicht gut, wenn eine gerade von 30A gesättigte Spule dann von einem MOSFET geschaltet würde. Eine Sache der Steuerung und Schutzbeschaltung. Als MOSFET würde ein einziger 100V-Typ reichen und als Steuer-IC wäre der UC3844 oder UC3845 geeignet. Hat eine 1A-Treiberstufe
habe ich bereits mittels > in Reihe geschalteten Zusatzakkus getestet. Schätze, dass da 60V-MOSFETs drin sind, die real 5...15% mehr aushalten. Und 30A können die MOSFETs. Hat der Antrieb einen Freilauf?
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Einfache elektronische Last, 100W
Bei einem MOSFET für 50 V muss man mit der SAO Kurve aufpassen: Bei höheren Spannungen (z.B. 30V) sinkt ggf. die maximal zulässige Verlustleistung ganz massiv. Auch wenn der MOSFET ggf. für 200 W Verlustleistung angegeben
alle zum mitschreiben: Max. Verlustleistung 100 Watt. Also nix mit 100Volt & 10Ampere. Mosfet: huf75344g3.
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KFZ: Schaltung gesucht mit der ich einen kurzen Masseimpuls erzeugen kann
ein Monoflop ? mit Relais oder mit Mosfet ? Gruss Klaus
Klaus De lisson schrieb im Beitrag #3840244: > Ein Mosfet ist übrigens sowas ähnliches wie ein > Transistor Ein MOSFET *ist* ein Transistor...
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Endstufe 1kV mit Übertragungsbereich ab DC
einsetzen, die meisten sind für Schaltanwendungen gezüchtet und gehen im linear Betrieb "hops". MOSFET's gibt es mittlerweile ebenfalls bis 4kV und >300mA. Diese haben noch die Vorteile das sie eine gewisse Avalanche Festigkeit aufweisen und bezahlbar erhältlich sind. 1.2kV MOSFET ist heute "problemlos
eine Hälfte) von Fritz mal simuliert und es zeigte sich, dass die Schleifenverstärkung durch den Mosfet stärker erhöht wird, als sie durch die eingestellte Verstärkung abgesenkt wird. Dazu kommen noch die Phasendrehungen durch den Mosfet und die Last. Die Schaltung ist also so instabiler als der TL084
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Einfache Inverterschaltung
besseren Verständnis...0V auf der Steuerseite = Lampe an? Dann reicht ein Transistor, egal ob Mosfet oder Bipolar, und ein Widerstand. Mosfet = P-Channel, Bipolar = PNP.
was ausgelöst xD Jens G. schrieb im Beitrag #5864217: >>Dann reicht ein Transistor, egal ob Mosfet oder Bipolar, und ein >>Widerstand. Mosfet = P-Channel, Bipolar = PNP. Nicht so ganz. Also mit einem P- oder auch N-Kanal Mosfet bekomme ich das nicht hin. Ein IRF9540 z.b. schaltet bei 0V nicht
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Verbraucher mit Attiny45 über Mosfet zuschalten
Flets G. schrieb im Beitrag #6903793: > Dazu würde ich einen n-Kanal-Mosfet vom Attiny mit Spannung versorgen, > sodass er mir die Last zuschaltet. Der N-Kanal-Mosfet in deiner Schaltung wird dank der Bulkdiode immer leiten. Stell dir einfach mal vor, du würdest den Mosfet
0,7 Volt. Spielverderber ... Ich verstehe auch nicht, wieso es die ganzen Bastler immer nach MOSFET dürstet. MOSFETs sind wirklich ganz tolle Bauteile - für bestimmte Zwecke. Für andere Zwecke sind aber BJTs die bessere Wahl. Wer denk, MOSFETs sind die besseren Transistoren, und BJT‘s sind
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MIC5021 - Mosfet Schalter
Die MosFets noch anpassen an Spannung/Strom.
Aha Fahrzeugtechnik. Google mal nach "Trenn-MOSFET".
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Bekomme aus PWM bei LT-Spice keinen Sinus
, der high side MOSFET entsprechend der höhere MOSFET. Wenn der low side MOSFET eingeschaltet ist, zieht er sein Drain Potential auf GND. Ist der low side MOSFET komplett ausgeschaltet, wird er sein Drain Potential auf die Zwischenkreisspannung drücken. Das Drain Potential vom low side MOSFET ist das Source Potential vom high side MOSFET. Du wirst nun erkennen, dass das Source Potential vom high side MOSFET stark am springen ist - nämlich abhängig vom low side MOSFET. Und ein schlichter
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Schutz einer vierquadrantquelle
Zumindest erst mal eine (12V) Z-Diode direkt zwischen S und G der MOSFETs.
Elliot schrieb im Beitrag #6603584: > Die Mosfets kannst du direkt von den Kollektoren aus ansteuern. sollte heißen: "Die Mosfets kannst du direkt von den Kollektoren Q3/Q8 aus ansteuern."
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Freilaufdiode für Motor schwachsinnig?
sitzen muss, dass sie als Freilaufdiode wirken kann. Dann merkst du dass die /Bodydiode/ des Mosfets für den Freilauf verkehrt gepolt ist...
und hat nichts mit der Bodydiode enes MOSFets zu tun.
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Hilfe bei MOSFET Auswahl
> 1.) Kann ich für MOSFET 2 und 3 den gleichen MOSFET verwenden? > 2.) welche MOSFETS würdet ihr für diese Anwendung vorschlagen? Du suchst also einen (N-Kanal-) MOSFET, der auch am Lebensende der Batterie mit 0.9V schon
Gate des MOSFET erzeugt.
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Arduino Fast Pwm "multiplexing"
D10 erzeugen. Dieses soll gesteuert von mehreren Ausgängen jeweils einen Block bestehend aus einem Mosfet mit der Frequenz schalten. Auch gleichzeitig, also angenommen D1&D2 sind "on" soll der erste und zweite Mosfet mit 108khz geschalten werden. Wie würdet ihr das machen? Mit Transistoren als "AND"
Lösung mit Hardware. AND-Gatter (z.B. 74HC08) wären die kanonische Lösung und könnten kleine LL-MOSFETs auch direkt treiben. Man kann die Funktionalität auch mit Dioden (und Pullups) bauen. Oder man nimmt MOSFET-Treiber mit Enable-Eingang. Viele Wege führen nach Rom.
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MOSFET unglaublich Heiß
von 25 kann ein Strom geleitet werden. Dann verstehe ich nicht warum in der Mikrocontroller MOSFET übersicht steht das dieser MOSFET ab 1-2 VGS durchschaltet und auf Seite 2 des Datenblattes steht doch min Vgs 1 V? cO Wenn ich das jetz so auf mich einwirken lasse scheint dieser MOSFET das völlig
hast du nur deiner falschen MOSFET-Auswahl zu verdanken dass du die LEDs noch nicht verdampft hast, weil der MOSFET bei dieser geringen GS-Spannung als Vorwiderstand wirkt.
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NE555 / ICM7555
der des Mosfet ist bis hier mit null Ohm angenommen, Spannungsabfälle über dem Drahtwiderstand oder dem Mosfet reduzieren die Spannung an der Induktivität. Der Strom muss weiter steigen. 1Ohm Draht-/Mosfetwiderstand
du sie nicht zum laufen, ordentlich regeln würde sie sowieso nicht. Auch ein CMOS 555 könnte den MOSFET "voll durchschalten".
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Richis Lab Photomos AD6C111 - Funktionsweise?
Schaltung so, dass die dort dargestellte Masse mit den Sources der beiden MOSFETs verbunden ist. Grüßle, Volker
Argh, ich hab das Beispiel mit dem Koppler für externe MOSFETs extra gewählt, ganz genau so ist das ja auch bei internen MOSFETs gemacht.
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P-Kanal Mosfet bringt einem zum verzweifeln.
TO-252 MOSFET http://www.wellida.com/UploadFiles/2019520141457354.jpg
Schau dir Mal die Richtung der Bodydiode des MOSFETs an ...
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Mosfet, Jfet ?fet?
Als Bild angehängt sehr ihr unseren Versuchsaufbau. Uns ist leider nicht ganz klar ob wir den Mosfet so richtig verdrahtet haben. Könnte uns jemand dazu Feedback geben? Außerdem hätten wir nur noch den RFP70N06 Mosfet zur verfügung, bzw. hat dieser die geringste threshold Spannung mit 2-4V. Zur
hast, die Masse am NI hat die Schaltung zum funktionieren gebracht, mit einer Einschränkung,der Mosfet schält im falschen Spannungsbereich durch. Wir haben uns jetzt einige von deinen Vorgeschlagen Mosfet bestellt,damit sollten wir auf der sicheren Seite sein. Zum Thema Sicherheit, die Motoren um
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MOSFET energieeffizient galvanisch trennen
kurzzuschließen. Die einzige Methode wäre das panel selbst als Versorgung zu nutzen und damit den MOSFET anzusteuern. Das würde allerdings dazu führen, dass das panel auf ein paar Volt rumgammelt und der MOSFET ordentlich Leistung verbrät. Aber vielleicht fällt euch was anderes ein? Thor
Gate Spanung mehr. Um den Thyristor zu deaktivieren könnte eventuell parallel zum Thyristor ein Mosfet die Spannung vom Thyristor weg nehmen.
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Power-Mosfet per AVR schalten
schaltet (soweit meine Logik) :-) Eine 5mm breite Leiterbahn (35 µm) als Zuleitung von +12V an den Mosfet und zwischen den Mosfets und dem Peltier-Element sollte reichen oder? Danke für Eure Unterstützung.
der ausreicht. Er reicht. >Eine 5mm breite Leiterbahn (35 µm) als Zuleitung von +12V an den Mosfet >und zwischen den Mosfets und dem Peltier-Element sollte reichen oder? Locker. Für 3A reicht auch 1mm, siehe [[Leiterbahnbreite]].
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Stepup 180V - sackt völlig zusammen
abgewürgt. Verringere mal C3 auf 330pF und nimm für R34 nur 120 Ohm (oder besser NPN+PNP als MOSFET Treiber) VCC | +-|< BC338 | |E ---+--+ +-- MOSFET Gate | | |E 1k +-|< BC328 | | GND GND
allgemein verbreiteter Ruf ist. Ich denke, daß diese ganzen "12V auf höhere Spannung mit externem MOSFET" Schaltungen viel schlauer mit einem UC3843 aufgebaut werden sollten, denn der hat einen MOSFET geeigneten Ausgang und enthält bereits eine Undervol-Lockout Schaltung. --o-----------o---------
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IR Blitz Pufferung
Kondensator fällt dann dementsprechend die Spannung um 0,48V. Zusätzlich zum Spannungsabfall über die MOSFETs.
Reihe müssen. Habs mal mit Multisim simuliert da hats funktioniert.7 Evtl nur noch en besseren MOSFET.
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N-Kanal Mosfet mit U(th) << 3V gesucht
6.5A ab 4.5V UGS) N-MOSFET der bei 1.5V immerhin 1.5A durchschaltet: RUQ050N02 (20V 5A ab 2.5V UGS) N-MOSFET der bei 1.2V immerhin 4.5A durchschaltet: DMN1019 (41 mOhm 12V SC59 9.3A ab 4.5V UGS) N-MOSFET der bei 1.2V immerhin
20V 2.4A an 4.5V UGS) P-MOSFET der bei 1.8V immerhin 4A durchschaltet: FDC604 (60mOhm SuperSOT-6 20V 5.5A bei 4.5V UGS) P-MOSFET der bei 1.8V immerhin 1.6A durchschaltet: RQ6C065BC (50mOhm SOT457 20V 6.5A bei 2.5V UGS) P-MOSFET
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Mosfet über Taster und Microcontroller schalten
als Mosfet. Danke für eure Hilfe
Wenn ich statt des N Mosfet einen P Mosfet verwende und den auf der anderen Seite der Last verwende, funtioniert es dann?
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Welchen MOSFET für PWM?
Messung zwischen Drain und Source ergab 5.2V. Somit ist praktisch der gesamte Spannungsabfall dem MOSFET zuzuschreiben. Der hohe Potentialunterschied zwischen Drain und Source erklärt auch die recht starke Erwärmung der MOSFETs und den damit verbundenen Verlust. Das ist doch nicht normal, oder? Ich
Beitrag #5075109: > Eine Messung zwischen Drain und Source ergab 5.2V. Offenkundig LogicLevel MOSFETs in Source-Folger-Schaltung an den MOSFET-Treibern, auch das wäre anders als auf deinem Schaltplan. Laurin E. schrieb im Beitrag #5067732: > es ist mein Naturell, dass ich Probleme lösen will/muss
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nochmal zum IRLZ34N an GPIO
ist aber nicht optimal. IRLZ34N ist vor allem nicht optimal. Verältert. Frühere Generation von MOSFET. Dazu noch für 55 Volt... Bei MOSFETs ist das so, daß bessere Werte bei MOSFETS bis 30, selten 40 Volt sind. MOSFET für höhere Spannungen haben alle andere Werte deutlich schlechter. Es gibt Wert
nicht überschreitet. Wenn Unterschied mehrere Hundert %, dann ist das alles egal. Dann wird bessere MOSFET in jedem Fall besser. Wenn ich zwei MOSFETs sehe, und ein hat bei etwa gleichen Rds nur Hälfte von Qg, natürlich nehme ich den: das wird für Treiber leichter (Treiber hat auch Verluste), MOSFET
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IRF4905 Problem
beiden 10k? Der 7665 hat Open-Drain-Ausgänge. Die Widerstände sind nötig, damit die Leistungs-MOSFETs sperren können.
hier was übersehen? Die Diode hinter dem Überlade Mosfet kann man sich wahrscheinlich nicht sparen, oder wird die Nachtenladung über den Mosfet verhindert?
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Datenblatt Transistor SOT23, Frage zur Kühlfläche
board design." Produktseite des AO3004A mit Link zum Datenblatt: https://aosmd.com/products/mosfets/low-voltage-mosfets-12v-30v/ao3400a
Teppichklebeband hätte ich spätestens beim Fotografieren nicht nur kleine Bruchstücke sonden die ganzen MOSFETs verloren.
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Auslegung Kondensator für Klingelschaltung
ist falsch rum drin. > Ich hab gleich mal die Mosfet-Schaltung für den Step-Up angepasst. Statt des IRF4905 wäre ein Logic-Level-P-Kanal-Mosfet besser. > Ich hab gleich mal die Mosfet-Schaltung für den Step-Up angepasst. Du kannst dir die Inverterstufe mit dem Transistor sparen und den Mosfet direkt mit dem Arduino ansteuern. Ein Low-Pegel schaltet den Mosfet ein. Das kannst du leicht im Programm anpassen.
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Schaltregler TPS61196 - LED Treiber
jedoch finde ich keine mir nutzbare Bezugsquelle. Die 3 Variablen sind für mich offenbar: 1. Mosfet 2. Induktivität 3. Schaltfrequenz Könnte sich eine höhere Schaltfrequenz in Kombination mit einem anderen Mosfet - wie STP25N10F7 - lohnen?
Anforderungen erfüllt hat. Für einen Austausch von Mosfet, Diode und Induktivität hätte ich folgende Komponenten im Sinn: Mosfet: 1. STF25N10F7 U_DS = 100 V I_D = 25 A R_DS(on) = 0,035 Ohm Q_g = 14 nC C_iss = 920 pF t_r = 14 ns t_f = 4,6 ns
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Laden von Konensatoren Mittels MOSFET
Schaltung bei gegebener Spannung und Kapazität nun so dimensionieren, dass die Durchbruchenergie des MOSFETs groß genug ist. Beispiel: C = 1000uF U = 24V E = C*U^2/2 = 288mJ D.h. ich suche einen MOSFET, der eine Durchbruchenergie von min. 288mJ hat. Hat der MOSFET bereits erhöhte Temperatur vor
10ms), und hat somit mehr Spielraum, im MOSFET Energie zu verheizen (lokale Wärmeverteilung im MOSFET). Die externen Widerstände nehmen durch die vergleichsweise niedrigen Ströme kaum Energie auf, d.h. all die Energie landet im MOSFET. Jedes Mehr