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RGBWW-LED Lichtband über Steuerspannung auf blau schalten
Gatter dann zum invertieren, damit Du einen Umschalter hinbekommst. R-G-B-WW-WK gehen dann auf fünf FETs und die schalten immer durch. Wenn dein Steuersignal "extra-blau" anliegt, speerne diese Fünf, werden also Hochohmig und dein "+1" Mosfet steuert jetzt vorherrschend den Blauen Kanal. Vorausgesetzt,
betrachtet, es keine Konstantstromquellen sind, sondern einfach nur "Schaltelemente", die nach GND schalten (OpenCollector), wahrscheinlich FETs in irgendner Art.
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IRFZ48V als ersatz für SFP70N06? Für 12V SMT mit "Schaltbild"
sind einmal A916 Transistoren, und C2316 Transistoren. Diese versorgen insgesammt 16 SFP70N06 MosFETs (über jeweils einen 27Ohm Gate-Widerstand), die dann insgesamt 4 Wicklungen welche auf 2 Ringkerntrafos aufgewickelt sind schalten. Gemessen habe ich im unbelasteten zustand 4,2 µS Schaltzeit AUS
an Verlustleistung > - in den Tr., aber dann auch in den FETs, weil die halt nur langsam > schalten dann... schllll...echt. Und schlecht isses. Aber - nommal - der Strom (durchgeschaltet) ist zu hoch. Von der Verlustleistung mal abgesehen. ############
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12V mit Microkontroller Schalten
Ich habe eine 12V RGB-Led Leiste (gemeinsamer Masse) und möchte sie mit einem µC und einem P-Mosfet ansteuern. Kann ich den Fet einfach an den µC anschließen??
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Ströme bis 40 A schalten
eingegebenen Grenzwertes ab. Wie bzw. mit welchen Bauelement kann ich am idealsten einen elektronischen Schalter realisieren, der bis 40 A schalten kann? Ich dachte erst an Relais über Optokoppler, aber nicht alle machen den Strom mit. Ich würde also gern über MOSFETs schalten, die auf einem Kühlkörper befestigt
wenig info, also rate ich halt: wozu 40a schalten??? schalte trafo primär ab. oder nicht?
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2A mit Transistor über AtTiny schalten
Wenn du den nur als Schalter brauchst, kannst du z.B. mit einem IRLML2502 (SOT23) sogar bis 4,2 A schalten, aber in jedem Fall deine 2 A. Trotzdem solltest du dich in Transistoren einlesen. Hier wäre schon einmal eine gute
-24V-36V-geringe-Kontrolle-Hochspannung-E-Switch-MOS-FET-fur-Arduino-/272462323456
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12V mit 5V schalten?! P-kanal MOSFET?
wegnehmen (N-kanal) oder die Versorgungsspannung ausknipsen (P-Kanal) ? Bei deinem P-Kanal MosFET: Source an +12V Drain an deine LED oder deren Vorwiderstand Gate mit einem 100k Widerstand gegen Source schalten An deinem I/O-Pin dann einen Widerstand, der geht zu einem NPN-Transistor BC847C
Der Widestand ist eigentlich nur dann erforderlich wenn du mehrere MosFETs parallel schaltest. (die können in Schwingungen geraten) Pro MosFET nutze ich einen 3 bis 10 Ohm Widerstand.
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BUZ11 geht kaputt..
Netzteil (1A) geht das gerade noch ohne das er abpfeift. Wenn Du die Last zwischen Drain und +U schaltest geht es. Eine Schnelle Schottkydiode an der Spule muss schon sein sonst killt die Gegenspannung beim Abschalten der Spule den FET. Die genaue Schutzbeschaltung hängt natürlich davon ab was Du konkret
abblocken sonst kommt es zu unerwünschten Schwingungen. 2. Der LM555 wird es nicht gut schaffen den FET schnellgenug zu schalten (insbesondere die CMOS-Variante nicht). Besser eine Treiberstufe dazwischenschalten. Hab mir das Flankenverhalten (bei ähnlicher Schaltung mit 18kHz) mit und ohne Treiber mal
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Suche Controller zur Beleuchtung von Lego Modellfahrzeug
Hey Patrick, Leider muss ich für die Blaulichter (Doppelblitz) Schnell schalten, wird da das FET mitkommen? Meine Heckwarneinrichtung hat Insgesammt 12 Led's, mind. 6 muss ich damit Gleichzeitig Ansteuern,also bräuchte ich mind. 18V wenn ich die 6 in Reihe Anschließe. Eig.
. schrieb im Beitrag #4894879: > Leider muss ich für die Blaulichter (Doppelblitz) Schnell schalten, wird > da das FET mitkommen? DER FeldEffektTransistor. Bei "schnell" reden wir von Mikro- oder gar Nanosekunden. Blaulicht spielt bei etlichen Millisekunden, das kann jeder Transistor. > Meine
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Zu blöd für MOSFETs, wie ich fürchte
für die schnellen Antworten. Dass ich wegen des erst zu spät eingesetzten Pulldown Widerstands den FET direkt zerstört habe und dann kein Schalten mehr möglich war, klingt erstmal logisch. Da ich es gegen 2 Uhr letzter Nacht hingelegt habe, habe ich mir auch nicht mehr die Zeit genommen, den FET raus
Zieht er auch soviel Leistung wie deine Last und verbrennt. Du must also wenn du nicht die 0V schaltest dem FET einen definierten Pegel geben z.B. 12V über 1KOhm. Dein FET ist aber an wenn 12V am Gate anliegen. Der Ausgang kann aber nur =v Ausgeben. Soweit verstanden?
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Bidirektionaler DC-Schalter
#4373850: >> Oder fällt euch eine Alternative zu dem PhotoMOS ein? > > Wie schnell musst du max. schalten? Das ist wesentlich für den Aufwand > der Treiber. Und man sollte auch erwähnen, daß PhotoMOS vergleichsweise langsam sind. LE schrieb im Beitrag #4373952: > Brückengleichrichter mit FET
und sollte somit keine hohen Anforderungen an den Schalter stellen. > LE schrieb im Beitrag #4373952: >> Brückengleichrichter mit FET in der Brücke. Fast alle Spannungen und >> Stöme sind möglich, allerdings fällt zusätzlich die >> Diodendurchflusspannung
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IRF4905 PFET bei V_DS = 5V schalten
richtig? Nicht unbedingt. Schau Dir mal das DB an. Bei Vgs = -4,5V kann der 4905 schon ca. 8A schalten. Wenn Du also keine besonders hohen Ströme schalten willst, kannst Du den P-FET mit 5 und 0V ansteuern.
LEDs pro FET vierteln, wodurch ich nur noch 15A pro FET schalten müsste. Meine Pulsweite ist 400µs und mein DutyCycle liegt bei 4% Damit müsste dann doch sogar ein IRF7416 bei 0V/5V klarkommen, oder? Danke
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BLDC problem mit AVR - mega8
nun ich dachte, die interne diode der fets reicht aus?
Abgriff am Kollektor Deines BC847 nimmst (incl. dem 680R Pull-Up) ist das voll i.O. sowohl für den P-FET als auch für den N-FET.
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Wie SNT sek. schalten?
210W Schaltnetzteil dienen. Nun frage ich mich, wie ich auf der Sekundärseite die einzelnen Kanäle schalten kann. Ein Triac ein FET? Und um der Frechheit noch die Krone aufzusetzen welchen Typ? (max. 3A pro Kanal). Und da kommt gleich das nächste Problem. Ist der Optokoppler noch der richtige oder
Problem, das Du das Bauelemnet nach dem einschalten wieder ausschalten ("löschen") müßtest. Ein FET ist da unkomplizierter: Sobald da die Gatespanung wieder unter die Schwelle fällt, sperrt der FET. Ergo: FET. Z.B. BUZ 11 würde ich nehmen. Aber sicher passen auch viele andere Typen. hth,
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Attiny und LED´s auf 6V
des Tiny keine 40mA verträgt? Was spricht dagegen die Led's in reihe auf einen Pin oder über einen nFET zu schalten? Wäre da der Stromverbrauch nicht niedriger?
Tiny keine 40mA verträgt? > Was spricht dagegen die Led's in reihe auf einen Pin oder über einen > nFET zu schalten? Wäre da der Stromverbrauch nicht niedriger? Es reicht auch ein einfacher Transistor... aber du wolltest es so einfach wie möglich haben. RS schrieb im Beitrag #5341060: >> Hat einer
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Reparatur Makita XWT08Z (DTW1002Z)
auch sein kann das Makita hier nen speziellen MosFet hat, der nicht umbedingt frei verfügbar ist..
Jo, Hallo und danke Fet(t)!! Nachdem ich ungefähr wusste wie der Gehäusetyp jetzt heißt (DirectFET® ME) konnte ich die Suche eingrenzen und bin fündig geworden. Es ist ein IRL7486MTRPbF mit 40V Vdss und 209A Id , was wirklich
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PCA9685 + Leistungs-MOSFET
Kühlkörper. Deine Rechnung ist viel zu pessimistisch. https://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Schalt-Verluste Macht bei 1kHz PWM und 5us Schaltzeit ca. 0,6W. Das kann ein TO220 Gehäuse noch ohne [[Kühlkörper]] abführen. >Hier ist doppelt Toleranz drin: der Kühlkörper ist doppelt so >
@Conny G. (conny_g) >> https://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Schalt-Verluste >Der Knackpunkt ist dort der Faktor 1/4. Gibt es für den eine Begründung? Das ist die Leistungsanpassung zwischen Last und Schalttransistor. Mehr als 1/4 der Nennleistung der Last
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Shutdown PIN schalten
FET anzusteuern. viele Grüße Achim
> Oder wie? Wenn Du einen Taster nimmst, dann schon. Mit nem simplen Schalter nicht.
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Multiplexschaltung mit Transistoren oder MosFETs bei 18V 3A?
belastet? Mit Minusseite meinst du n-MosFET anstatt p-MosFET? Danke! Lg pingu
Kann auch sein, dass ich jetzt komplett in die falsche Richtung denke. Kurzfassung: - n-MosFET geht nicht, da positive Masse - die meisten p-MosFET gehen nicht, da die Drain meistens positiv ist - bleibt noch die Spannung invertieren und doch n-MosFETs verwenden? Vielleicht würde der IRFU
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100A per uC schalten (2)
Wie finde ich denn z.B. den passenden Treiber zu meinem FET?
sagte, nicht gerade billig die Dinger. Ginge das denn nicht, wenn ich diesen mit Diode parallel schalte? Die PowerMosFets haben ja auch eine parasitäre Diode von Source nach Drain.. >300V Das sind doch -300V, demnach ist das doch auch nicht von Uds des Fets abhängig, oder? Achso, ich habe mal
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150 W AC oder DC schalten für Heizelement/Lötkolben-Regelung?
Einen Bräter mit Gleichspannung zu betreiben, mit FET schalten, wohl möglich noch mit PWM... Sportlich. Gibt schöne Impulse an der Lötspitze, ideal für empfindliche Bauteile. :) Im ernst, Mit Trafo, über Triac im Nulldurchgang schalten, so machen das
Bräter Experte schrieb im Beitrag #5175957: > Einen Bräter mit Gleichspannung zu betreiben, mit FET schalten, wohl > möglich noch mit PWM... Sportlich. Gibt schöne Impulse an der Lötspitze, > ideal für empfindliche Bauteile. :) Na wenn ich nichts anders habe(n möchte). Bei ~3Hz sollte das zu
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Stromsparendes Schalten von 5V mit 3,3V
Nur mal ganz grob: "Schalter" zwischen +5V und Last: PMOS-FET "Schalter" zwischen Last und GND: NMOS-FET
Warum musst du die 5V schalten, kannst du nicht Masse schalten, das macht alles einfacher!
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P Channel Mosfet an Avr
erwischen. Und du willst jetzt ernsthaft behaupten der IRFR9024N könnte 0.34A nicht sicher mit -5V UGS schalten? Der IRFR9024N ist zum Schalten von 0.34A eigentlich sogar maßlos überdimensioniert.
diesem Thread ist primär das Problem, einen FET zu haben, der bei der geringen Gatespannung zuverlässig schaltet. Einen LL-P-FET in THT zu finden, scheint mittlerweile aussichtslos.
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PIC-I/O als input/tristate für weiteren output nutzen
und hohen Spannungen am Gate des unteren FET sorgen (laut Datenblatt liegt die Grenze bei etwa 2,1/2,2V, hier fließen nur 10 bis 40mA). Wenn Du meinst, daß die 100k/220k vor dem oberen FET zu groß seien, können die R auch um den Faktor 10 kleiner
Aber wenn ich schon zu SMD greifen muß .... dann kann ich auch gleich die Diode durch einen weiteren FET, der wie der untere FET angesteuert wird, ersetzen, und damit den oberen FET bei H "sauber" ausschalten. SOT23 ist SOT23 ....
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Geisterbilder auf einer 8 x 8 Matrix
schrieb im Beitrag #3824746: > Zeig mal deine Schaltung. Muss den erstmal suchen. Aufjedenfall schalte ich die Zeilen mit nem N-Kanal FET... Spannungsteiler ( 1 kOhm zum Gate --> 1MOhm gegen GND ) FET: PMN28UN
eingebauten Kondensator vorstellen muss. D.h. man braucht da am Gate schon ordentlich Power um den FET schnell zu schalten. Und schnell schalten ist bei einer Matrix so gut wie alles. Mit deinen paar Milliampere wirst du da nicht viel reissen.
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suche nach geeignetem Optokoppler
liefert im Ruhezustand High-Potential (3,3V). Daher würde ich beim ESP die GND-Versorgungsleitung schalten. Dann kann sich der ESP nicht über den TxD versorgen. Es braucht den einen N-Kanale FET. Außerdem würde ich alle Leitungen zwischen den MC und den ESP mit einem Tiefpass entkoppelen, da durch den
> Ruhezustand > High-Potential (3,3V). Daher würde ich beim ESP die > GND-Versorgungsleitung schalten. Dann kann sich der ESP nicht über den > TxD versorgen. Es braucht den einen N-Kanale FET. Außerdem würde ich > alle Leitungen zwischen den MC und den ESP mit einem Tiefpass > entkoppelen, da durch
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MOSFET 100V 40A - Arduino (Switch)
zwei parallel, die Spule anzutreiben, bei geeigneter Ansteuerung. Dazu noch eine Freilaufdiode schalten. MfG
nicht vergessen: >Ich würde nun gerne Potentialfrei via Arduino schalten.
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Highside N-Channel Fet
Wissbegieriger schrieb im Beitrag #7223518: > Der Fet sollte einen ebike Controller ein- und ausschalten. Also der Controller braucht doch wohl nie im Leben 30A? Offenbar willst Du auch den Fahrstrom schalten, oder? > Der MC des Controllers hat
Hier geht es doch um statisches Schalten. Da gibt eine einfache Möglichkeit einen N-FET anzusteuern. Mit dem Photovoltaic Mosfet Treiber APV1121 oder wer den als DIP braucht APV1122. Da braucht man nur die LED mit 10mA anzusteuern und spart
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"schalter" an rc steuerung
vermuten dass ich hier einen Tansistor einsetzen muss . Wenn Du noch nicht richtig weisst, was Du schalten willst, wäre ein Relais am besten geeignet. Gruss Harald
über diese Schalter zu > betreiben. Dann versuch doch erst einmal festzustellen, wieviel Last diese Ausgänge ohne Verstärkung treiben können. Gruss Harald
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Bordspannung reduzieren – Abblendlicht brennt durch
Übergangswiderstand vorhanden ist und während der Anstiegs- bzw. Abfallzeit. Die dort verbauten MOS-FETs haben einen sehr niedrigen Widerstand im durchgeschalteten Zustand und schalten so schnell, dass im Mittel kaum Leistung umgesetzt wird. Siehe auch https://www.mikrocontroller.net/articles/Motoransteuerung_mit_PWM
Übergangswiderstand vorhanden ist und während der Anstiegs- > bzw. Abfallzeit. Die dort verbauten MOS-FETs haben einen sehr niedrigen > Widerstand im durchgeschalteten Zustand und schalten so schnell, dass im > Mittel kaum Leistung umgesetzt wird. Siehe auch > https://www.mikrocontroller.net/articles
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Gegentaktstufe Kurzschluss
schnell abschalten und langsam einschalten sollen? Die meiste Verlustleistung im elektronischen Schalter (FET oder Bip.) entsteht im Zwischenbereich: bei U/2 und I/2. Deshalb muss disser Bereich so schnell durchfshrern wie möglich. Selbstverständlich dürfen beide Schalter nicht gleichzeitig geöffnet sein. Ein weniger guter Weg ist dann halt, den einen FET per RC langsamer zu machen. Der bessere Weg wäre, per Treiber-IC satt zu schalten oder mit einer Logik eine kurze Verzögerung herzustellen die den bei dem einen FET zu schnellen Ein- bzw Ausschaltvorgang
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Mosfet (Buzz11) zur Steuerung eines 12V-Relais
https://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Gate-Source_Threshold_Voltage
geschaltet werden. " Beachtlich, wie man dort Ströme bis 30A schalten möchte bei 5V am Gate. MfG
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PFC + Vollbrücken-Gegentaktwandler
Ratschläge, Dich mit "Bridgeless PFC" zu befassen, hast Du aber definitiv in den Wind geschlagen. FETs sind Dioden überlegen, allerdings bringt es auch nicht viel, statt einer Diode und (z.B.) 5 FETs nun 6 FETs im Gesamt-Strompfad zu haben (vor allem beim Eingangsgleichrichter mit den "erträglichen
in der ersten Iteration bei gewöhnlichem Diodengleichrichter mit nachgeschaltetem Boost Wandler (1 FET und 1 Diode - keine 2 FETs) bleiben. Auch würde ich im ersten Schritt auf eine analoge PFC Regelung mit einem gewöhnlichen PFC Chip setzen, zu dem es massig Informationen und Application Notes gibt
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Beamer verhält sich komisch
So mein Elektroniker hat den besagten fet Mit 8 A gefunden dieser liegt hinter dem widerstand wo meine spannung verschwindet. Dieser wie gesagt an D 3.4 volt an S GND und am gate die schalt spannung. Was er gemessen hat, hat dieser zwischen
2.5 Volt an habe die Si4442DY > noch da. Ich nehme an, du hast das Gerät trotz ausgelöteter MosFets eingeschaltet. Hast viel Glück, wenn bei einer solchen Aktion nicht gleich alles kaputt geht. Diese MosFets sind teil eines Step-Down Spannungsregler, und die müssen im Betrieb ständig schalten. Die
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Opamp als Spannungskomperator - Auswahl+Optimierung
Hysterese zu verpassen, kann man wohl eine Widerstand zwischen nichtinvertierten Eingang und Ausgang schalten. Wäre das in diesem Fall sinnvoll, um schnelles Schwingen zu vermeiden (am Regelpunkt). Ich denke nicht, da der FET ja vermutlich in Linearbetrieb geht und keine harte Zweipunktregelung macht? Müssen
Strom. > Der > HV-Kondensator (mit integrierten 10M-Entladewiderstand) lädt so nur bis > 3kV. Schalte ich das HV-Modul dagegen direkt an den LiIo-Akku, so geht > der Eingangsstrom auf 2,4A und der Kondensator lädt bis 4,5kV. Ich > überlege nun statt des FET direkt am OPV-Ausgang lieber ein NPN als
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Levelconverter von 2.5-3 auf 5V mit Mosfet-oder Bipolartransistor?
Wenn der Fet keine grossen Ströme schalten muss, kann man auf eine pulldown verzichten. Angesichts der lächerlichen Kosten eines einzelnen Widerstandes stellt sich die Frage auch für den anderen Fall meist nicht
Frequenz ganz bestimmt auch. Guck mal ins Datenblatt :-( Die Gatekapazität eines angemessenen kleinen FETs, der nur wenige mA schalten soll, ist IMHO nicht so /riesig/, dass da der Gatestrom großartig begrenzt werden muss.
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nulldurchgang mit weniger als 6kw/jahr?
möchte nun mit einem konstantstrom-zweipol (mit einem j-fet), aus einer variablen eingangspannung einen konstanten strom erzeugen. hat jemand einen schimmer welcher fet für so hohe spannungen in frage kommt? wegen dem zu hohen strom in sperrichtung würde
Der BSP125 ist ein Mosfet, der BF245 ist ein J-Fet. Das sind zwei völlig unterschiedliche Bauteile. Was bei Reichelt steht ist irrelevant, ausser der Typenbezeichnung. Nur das, was der Hersteller im Datenblatt sagt, gilt. Gibt es überhaupt J-Fets
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SATA Stromversorgung schalten MOSFET
leitungen eines normalen SATA Kabels auftrennen und mit einem AVR ein- bzw. ausschalten. Über den 5V FET laufen maximal 6A, über den 12V FET maximal 2A. Könnte mir jemand einen geeigneten MOSFET empfehlen mit dem ich möglichst wenig zusatzbeschaltung brauche? Gruß, Simon
Gar keinen, sondern die Platte per hdparm(1) schalten.
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MOSFET wird 150 Grad heiß
Gatewiderstand, ich glaube ich spinne! Muss ja nicht sonderlich schnell sein. Im Gegenteil: Langsames Schalten des FETs macht die EMV-Prüfung einfacher... Aber ein "echter" Mosfettreiber hätte nen Vorteil: Die gibts mit Under-Voltage-Lockout, d.H. wenn C1 zuwenig Saft hat, wird halt mal ein wenig pausiert
nochmal deine oben vorgeschlagene Variante versucht, R2 und den Opto zu vertauschen, sodass man mit Schalten des Optokopplers die 10V an das Gate legt. Prinzipiell funktioniert auch alles noch, nur bekomm ich die Lampe nicht mehr dunkel. Sobald ich den FET auch nur ganz kurz an und aus schalte in jedem Halbzyklus
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Logikpegel FET
Hallo! Kann mir mal einer von euch schnell ein 5V Logiklevel FET nennen bitte? Sollte 500 mA schalten können und für Pwm geeignet sein. Dankeschön!! gruß
Hallo, der BUK100-50GL kann ein bischen mehr schalten, aber vielleicht reicht Dir diese aus. Gruß, Dirk
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Potentiometer in Abhängigkeit vom Schalldruck möglich?
geht? Also weiterhin schaltet der Transistor die 9V Der 10K Widerstand sorgt dafür, das das Gate des FET sauber entladen wird. Ohne diesen hängt das Gate des FET /quasi/ in der "Luft" und der FET bleibt Leitfähig. Der PNP Transistor zieht sein Gate auf die 9V, womit der FET sauber durchschaltet. Eigentlich
was am D/S abfällt. Richtig! Der 10R dient wirklich nur zum Schutz der Transistoren PJT und FET ;.) Er begrenzt die Ströme, da ein FET eine relativ hohe Gatekapazität aufweist.
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Spule bei Schaltregler wird heiß
.. schrieb im Beitrag #5811973: > Der Regler eignet sich schon für 3A. Das sieht man schon an den FET (um > die 100mOhm). Nanana.. rechne mal nach: der Schalt-FET hat nen typischen Rdson von 180 mOhm und das macht bei 3 A dann etwa 540mV Spannungsabfall. Das mal 3 Ampere macht rund 1.5 Watt. OK,
. schrieb im Beitrag #5811973: >> Der Regler eignet sich schon für 3A. Das sieht man schon an den FET (um >> die 100mOhm). > > Nanana.. rechne mal nach: der Schalt-FET hat nen typischen Rdson von 180 > mOhm und das macht bei 3 A dann etwa 540mV Spannungsabfall. Das mal 3 > Ampere macht rund
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Umschalter mit MOS-FETs
schön komplex. Warum nicht einfach nur Schottkydioden? Ausserdem get es DEUTLICH einfacher, mit EINEM FET. http://www.mikrocontroller.net/topic/72275#591483 Die eine Diode kann man ggf, auch durch einen FET im Inversbetrieb ersetzen.
Merke gerade, dass ich durch Schalten nach Masse zwar den Schalten schließen, aber durch öffnen diesen nicht wieder öffnen kann, denn dazu ist ein Strom in die Gates nötig. In der Simulation hatte ich das erst nicht gemerkt, da ich den
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Schaltplan zur Prüfung - Mosfet mit Optokoppler schalten
Dazwischen ist der Faktor 3500! Aus Gründen des Stromverbrauches muss man also nicht so hoch gehen. Der FET hat eine Eingangskapazität von 2nF, beim Schalten braucht es in deiner Variante deutlich länger, deshalb oben der Hinweis auf die SOA. Der gewählte FET hat aber damit keine Probleme bei deinen Betriebsdaten
eher nicht. DIe Schaltung wird schon halbwegs funktionieren, solide ist sie aber nicht. Denn einen FET mit 100k Ausgangswiderstand anzusteuern, ist schon arg hochohmig. EinMOSFET-Treiber sollte das Gate eher niederohmig schalten, auch wenn man hier keine Schaltzzeiten von ein paar Dutzend Nanosekunden
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Arduino: max. Strom duch interne Schutzdioden
Ausgang mit seiner Push-Pull Stufe. Der TO hat angemerkt, dass er zum Ausschalten des Highside-FETs den Ausgang hochohmig schalten will: Manfred schrieb im Beitrag #6539340: > Den Arduino Pin würde ich zwischen 0V (Schalter ein) und Input (Schalter > aus) hin und her schalten. In dem Fall wirken
wird LOW-Side geschaltet oder ein Transistor spendiert. Aber eine 5V Rail mit 3.3V über pMOS schalten könnte mit passendem FET auf die Art gerade noch gehen: immerhin bleibt bei AUS nur noch 1V für UGS übrig. Gerade mal in ein paar Datenblätter angeschaut und den gefunden: Der AOD409 hat UGS_th
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Suche Bauteil, welches bei ca. 10 Volt den Strom durchlässt
Hermes schrieb im Beitrag #5975647: > Welcher Schalter kann 50 A schalten? Messerschalter, Modell Frankensteins Labor. ;-)
OpAmps gehen. Den OpAmp versorgst du mit 5V. Den Ausgang des OpAmps lässt du auf das Gate eines MosFETs gehen. Wenn du einen N-Kanal MosFET nutzt kannst du den Ausgang einfach auf das Gate schalten. Wenn du einen P-Kanal MosFET nutzt um den Strom HighSide zu schalten, dann lässt du den Ausgang auf
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Frage bezüglich Powerbooster Schaltung
Uralt-BUZ11 steuern können, oder ein Open-Collector-PWM-Signal auf Pin4, was sich auch leicht zum FET-Ansteuern eignen würde.
Einfach mal einen Lautsprecher mit einem 1k Widerstand in Serie schalten und das ganze parallel zum Lüfter schalten. Wenn es piepst ist es PWM.
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RaspiPi mit 3,3V einen 5V Kreis wie schalten?
Ich verwende dafür den 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET *ZXM61N02F* Der N-FET kann bis zu 1,7A schalten und ist von der Bauform sehr klein.
Sollte einmal mehr Strom erforderlich sein, wobei 1,2A schon viele Einsatzfälle abdecken, kann man die FETs, aufgrund des negativen TK, problemlos parallel schalten.
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FETs werden niederohmig.
Hallo, ich habe ein Problem mit mehreren P-Kanal FETs. Ich betreibe die angehängte Schaltung 4-fach, also 4 FETs am Mikrocontroller und schalte damit eine Last von ca. 20A (ohmesche Last, nichts induktives) pro FET. Die FETs werden mit einer PWM von
Danke für eure Antworten. Ich schalte eine reine ohmsche Last, nichts induktives. Steht aber oben :) Habe jetzt mal eine dicke Suppressor-Diode (was ich noch rumfliegen hatte) von der Batterie zur Masse gelegt und nun brennen die FETs
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Peltier Regelung PWM-Glättung
zumindest den Kondensator. Ausserdem brauchst du eine Freilaufdiode an der richtigen Stelle. Da am FET macht sie keinen Sinn als Freilaufdiode. Bei einem n Kanal FET solltest du Source auf Masse legen, dann ist die Ansteuerung mit uC einfacher, weil die Bezugsspannung konstant ist. Ich würd da gar nicht
samt seiner Ansteuerung ist ein Nebenschauplatz, Korrekt, lassen wir die weitere Diskussion über P-FET oder N-FET. > Das ist so unglaublich träge, da muss doch ganz logischerweise nichts im 20kHz Takt geregelt werden. Verstehe ich nicht, reden wir aneinander vorbei ? Die 20kHZ beziehen sich auf
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Vdd schalten MOSFET?
Hi, mal ne Frage. Will zum stromsparen in einer schaltung baugruppen spannungslos schalten können. Gibt es einen passenden FET oder sogar fertigen Vdd Switch für sowas? Die Versorgungsspannung ist 3,3V Wäre gut wenn Conrad oder Reichelt den auch hätten :-) Gruß
was genau meinst du mit "baugruppen spannungslos schalten" ?