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MOSFET Treiber wird immer nach einer bestimmten Zeit kaputt
#5321985: > Jetzt noch was Konstruktives: > > Bau mal eine vernünftige Freilaufdiode ein Der Mosfet ist schon richtig. Macht weniger Spannungsabfall als eine Schottky. Der Motorstrom beträgt im Leerlauf schon 5A. Um bei Belastung die Bodydiode des (oberen) Mosfet während der Totzeit zu überbrücken
Probleme mit den Induktivitäten der Leitungen im Kreis (Spannungsspitzen). Mach den Mosfet-Driver direkt so kurz wie möglich an Gate/Source/Drain der Mosfets, sonst bekommste ordentliche Peaks durch parasitäre Induktivitäten rein. Und BEtriebsspannung der Mosfets ebenfalls unmittelbar an
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Einstellbare Konstantstromquelle
Danke, jo ich werde es nun mit einem MOSFET und einem LM347 lösen. DANKE euch ;)
könnte dazu führen, dass das MOSFET nicht weiter sperren kann und ein Reststrom fließen würde. Das wäre der Fall, wenn an dem Source-Pin eine Spannung von mehr als 3V anliegen würde. Hier würde die Schaltung mit dem N-MOSFET (wie im
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R 1k lässt HF Rechteckspannung von IC 555 nicht durch DIY Erodiermaschine
zur Kühlung? Eine Ferndiagnose ist in diesem Fall schwer. Evtl. stimmte auch der Arbeitspunkt der MOSFETS nicht und die haben viel zu gemächlich geschaltet?
deinen Treibertest kann man auch erstmal R16-R19 einseitig auslöten, dann läuft nur der Treiber ohne MOSFETs. Dann muss die Spannung halbwegs passen. Wenn das geht, schrittweise die MOSFETs wieder zuschalten und wieder testen.
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Lüftersteuerung mit dem Arduino
jetzt für MOSFETs? Ich würde auch gerne an jeden Lüfter-PWM-Output einen MOSFET haben, weil ich eben auch rumprobieren will und da je nach Output evtl. was ändern will im Code. Außerdem bin ich mir auch nicht im
natürlich nicht. Ein paar ganz ganz grundlegende Elektronik-Grundlagen fehlen dir... AVR-Pin = 0V => Mosfet-Spannung Gate-Source = 0V => Mosfet Sperrt. Lüfter hängt mit einem Bein an +12V, mit dem anderen "in der Luft" => Kein Strom fließt AVR-Pin = 5V => Mosfet leitet => Verbindung zwischen Source
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120dB SNR Endstufe
nicht zu vernachläsigbare Rauschart, welche nur bei PN übergängen auftritt, und somit bei einem MOSFET im Class A betrieb wegfallen würde. Das mit der hohen Ausgangsimpedanz der MOSFETS (du sprichst von der Ausgangsimpedanz oder?) ist ein Problem welches jedoch nicht zum THD ind schon gar nicht zum
ich einen OP-Amp finde welcher 120dB THD+N finde)andere Vorschläge?), wesentlich effektiver bei Mosfets ist, da die Induktivität des BJT für den OP-Amp mehr ins Gewicht fällt als die Kapatzität des Mosfet. Unabhängig davon ob BJT oder Mosfet habe ich im Sinn, die Speisung nicht über eine Konstanntstromquelle
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Suche Hilfe für arduino programmierung
Relais zieht an, nochmal Relais lässt los, 3sek halten 2. Relais geht. Es soll wenn möglich über mosfet gehen. Gut wäre wenn man per Jumper switschen kann ob man Masse oder Plus schaltet. Leitungen bräuchte ich: 1 mal Eingang Taster, 1x Eingang Schaltleitung, die dann auf ein Mosfet umgelegt wird
Originale schaltleitung durchgeschliffen werden, die aktiviert bzw deaktiviert wird. Dachte ein Mosfet wäre besser
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MOSFET Schaltung an µC
Atmega8. Es gibt zwei verschiedene Zustände. Zu einem das "Gas geben", welches über einen P-Kanal Mosfet geschieht und zum anderen das "Bremsen" mit einem N-Kanal Mosfet. Der Motor ist im Schaltplan angedeutet. Beim Bremsen wird der Motor mit der Masse über den N-Kanal Mosfet Kurzgeschlossen. Über den
selbe Aufgabe wie die internen Pullup Widerstände, oder ? Dadurch wird im Ruhezustand der "Brems MOSFET" Q2 durchgeschalten und der "Gas MOSFET" Q4 gesperrt. Ich habe mir gerade noch den Artikel der "Einfacher 1-Quadrantensteller mit P-Kanal Mosfet" durchgelesen. Soll ich diese Schaltungsvariante
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Halbbrücke schaltet nur mit minimaler überlappung und nicht im Dutycycle
schalten soll. Das Funktioniert soweit so gut auch, doch leider hab ich ein Problem. Wenn ich die Mosfets mit einem kleineren Dutycycle ansteuere also zum beispiel oben 30% und unten 30% habe ich das Problem, dass die Mosfets nur einschalten bzw. Ausschalten wenn der jeweilig andere Mosfet seinen Status
schrieb im Beitrag #7877014: > Genau 1 und 4 ist die Gatespannung 1+2 gehören zu einem Mosfet > und 3+4 gehören zum anderen. Wie gehören dazu? Grün ist die Spannung D-S von Mosfet Gelb? Und Blau die D_S Spannung von Mosfet Rosa? > > Deadtime ist Softwareseitig vom µC eingebaut und
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uC verlustfrei an 230V
es helfen zwei MosFETs > antiparallel zu schalten? lassen die sich dann noch vernünftig > durchsteuern? Nein, das funktioniert weder mit MOSFETs noch mit bipolaren Transistoren vernünftig, jedenfalls nicht so einfach
. Würde es helfen zwei MosFETs >> antiparallel zu schalten? lassen die sich dann noch vernünftig >> durchsteuern? > > Nein, das funktioniert weder mit MOSFETs noch mit bipolaren Transistoren > vernünftig, jedenfalls nicht
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"Standard"-Mosfet gesucht
Hei. Ich möchte von Transistoren (als Schalter) auf Mosfets wechseln, welche günstigen (bei Reichelt erhältlichen!) Low-Level-Mosfets (N-Kanal) könnt ihr empfehlen bis 250mA? MfG Ton
https://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht
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150A mit Mikrocontroller messen
> wie soll ich die MOSFET Ansteuerung machen, Da du MOSFET Treiber verwendest würde ich einfach die richtigen MOSFET-Treiber verwenden. Wenn du kein PWM machst (also dauernd eingeschaltet möglich ist:) LT1158, mit
für die MOSFETs hab ich an eine MBR1045 gedacht, falls diese schnell genug sein sollte.
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MOSFET, NCh IRLML6244 Alternative (größere Bauform)
18650 Li-Ion 3.7 V 3400 mAh versorgt wird. Der Atmega schaltet über einen Digitalen-Außgang den MOSFET IRLML 6244. Der MOSFET schalten die GND für ein SIM-800l Modul. Jetzt meine Frage: Da der MOSFET IRLML 6244 eine SMD Bauform hat und ich meine Schaltung auf einer Lochraster-Platine aufgebaut
(9600) gestartet. Meine Annahme war, dass ich den Mosfet davor anschalte und die Schaltung so funktionieren kann. Code-Ausschnitt: digitalWrite(mosfet1, HIGH); // Mosfet-Schalter auf High setzen delay(13000); // Give time to your GSM shield log
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E-Bike Controller: Probleme mit MOSFETs
so niedriger Spannung, dass die Gate Spannung viel zu niedrig ist und somit der DS-Widerstand des MOSFET so hoch ist, dass er in die Luft geht. Stefanus F. schrieb im Beitrag #5410105: >> Der MOSFET wurde allerdings heiß beim anfühlen. > > Damit der MOSFET nicht heiß wird muss er nicht nur ausreichend
Bernd K. schrieb im Beitrag #5414636: > Wie wäre es mit einem besser geeignetem MOSFET: SCHLECHT!
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Servomotor aus KFZ ansteuern 100 MHz PWM
Leistungs-MOSFET ? Wozu brauchst du da einen Leistungs-Mosfet? Das Ding hat 3 Anschlüsse: * Masse + Spannungsversorgung: Masse ist klar, muss sein. Aus der Spannungsversorgung holt sich das Teil den Strom,
reissen wirst. Nimm halt einen stink normalen Bipolartransistor. Kein Mensch braucht da einen MOSFET der 200V bei 8A schalten kann.
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Mosfet (ohne Body Diode) im Inversbetrieb dennoch leitend?
Mosfets sind eigentlich immer in Reverse Richtung leitfähig, weil sich durch den PN Übergang immer eine Bodydiode ausbildet. Das kann man nur durch 2 Mosfets back-to-back angeordnet verhindern. Nur ein
ohne > Millerkapazität ohne Griechströme usw. Dann verstehe ich die Frage nicht. Ein idealer MOSFET verhält sich wie ein idealer MOSFET. Siehe Lehrbuch. Allerdings ist das was da *gezeichnet* ist, eben *kein* MOSFET mit separatem Substrat- (aka Bulk-) Anschluß. Denn dann müßte er ja 4 Anschlüsse
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Verbraucher mit Attiny45 über Mosfet zuschalten
Flets G. schrieb im Beitrag #6903793: > Dazu würde ich einen n-Kanal-Mosfet vom Attiny mit Spannung versorgen, > sodass er mir die Last zuschaltet. Der N-Kanal-Mosfet in deiner Schaltung wird dank der Bulkdiode immer leiten. Stell dir einfach mal vor, du würdest den Mosfet
0,7 Volt. Spielverderber ... Ich verstehe auch nicht, wieso es die ganzen Bastler immer nach MOSFET dürstet. MOSFETs sind wirklich ganz tolle Bauteile - für bestimmte Zwecke. Für andere Zwecke sind aber BJTs die bessere Wahl. Wer denk, MOSFETs sind die besseren Transistoren, und BJT‘s sind
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IRF4905 Problem
beiden 10k? Der 7665 hat Open-Drain-Ausgänge. Die Widerstände sind nötig, damit die Leistungs-MOSFETs sperren können.
hier was übersehen? Die Diode hinter dem Überlade Mosfet kann man sich wahrscheinlich nicht sparen, oder wird die Nachtenladung über den Mosfet verhindert?
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Germanium Dioden oder Transistoren
... Es werden dabei selbstleitende Mosfets verwendet. ... Wo werden die genau verwendet?
MOSFET eingezeichnet, sondern der enhancement mode Typ.
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PWM-Endstufe gesucht
zu beachten, weshalb ein geringer Rdson gefordert ist. Ich habe überlegt, einen eigensicheren MOSFET wie z.B. einen Omnifet zu nutzen, auf die Schnelle fällt mir hier der VNP20N07 ein. Mit der Wahl dieses MOSFETs würde ich mir ja sämtliche externen Schutzmaßnahmen, wie etwa Freilauf-Dioden, oder?
Hallo zusammen, Marcel V. schrieb im Beitrag #7606802: > Schon ab 1 Hz. Der Mosfet will zügig seine Gatekapazität ge- und > entladen bekommen. Du hattest vorher Q1 erwähnt, aber Q1 ist doch der PNP-Invertierer und nicht der MOSFET. Da gibt es doch keine Kapazität, oder? Anbei
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Arduino Fast Pwm "multiplexing"
D10 erzeugen. Dieses soll gesteuert von mehreren Ausgängen jeweils einen Block bestehend aus einem Mosfet mit der Frequenz schalten. Auch gleichzeitig, also angenommen D1&D2 sind "on" soll der erste und zweite Mosfet mit 108khz geschalten werden. Wie würdet ihr das machen? Mit Transistoren als "AND"
Lösung mit Hardware. AND-Gatter (z.B. 74HC08) wären die kanonische Lösung und könnten kleine LL-MOSFETs auch direkt treiben. Man kann die Funktionalität auch mit Dioden (und Pullups) bauen. Oder man nimmt MOSFET-Treiber mit Enable-Eingang. Viele Wege führen nach Rom.
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RDSon zur Strombegrenzung nutzen?
zum Transistor. Das kommt der geplanten Strombegrenzung entgegen. Nachteil: bei ausgeschaltetem Mosfet fällt die gesamte Spannung an der DS-Strecke ab und der Mosfet lässt sich dann nicht mehr einschalten, weil die Strombegrenzung denkt, es würde der maximale Strom fließen. Es sei denn man verknüpft
Andreas B. schrieb im Beitrag #7797431: > Ob die Verluste nun im Mosfet oder an einem externen Widerstamnd > auftreten ist wohl ziemlich egal. Allerdings hat man den MOSFET sowieso und der Widerstand käme extra, mit zusätzlichen Verlusten. Arno R. schrieb im Beitrag
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FET Ansteuerung über AVR, Problem mit Pulldown/Gate-Source Widerstand
Strom leiten. Das macht nur Hardware. Es gibt komplementare Paar von Transistoren. Wenn wir obere, P-MOSFET, ausschalten, bekommen wir N-MOSFET alleine, d.h. mit offenem Drain. Wenn wir untere, N-MOSFET, ausschalten, bekommen wir P-MOSFET alleine. Das alles macht Hardware. Wäre separate Steuerung von Transistoren
man dafür auf 1 oder auf 0 setzen, ist nicht prinzipiell. Also, wir haben in AVR Möglichkeit, N-MOSFET oder P-MOSFET mit offenem Drain benutzen. Im Fall von N-MOSFET ist dann Ausgang invertierend, aber das ist kein Problem für einen Mikrocontroller: entweder gibt man "~" in C, oder in Assembler schreibt
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RC Empfänger PWM Signal Mosfet Motorregler
Hej Leute. ich habe einige kleine Mosfets hier rum liegen und wollte gern eine Schaltung aufbauen mit der ich einen Mosfet über das PWM Signal was aus meinem RC Empfänger kommt an zu steuern. Ziel des ganzen ist es einen kleinen Regler zu
Nimm einen PIC10 + Mosfet. Kleiner und einfacher geht es nicht.
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Step-Up Transistor laufend defekt
noch ein Monoflop (mit logischer &-Verknüpfung) eingeschleift werden um die maximale On-Zeit des Mosfet zu begrenzen.
Flanken wären, dann würde der MOSFET heiß werden. mfg Klaus
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Perpetummobile (über Elektromagnet)
Emil schrieb im Beitrag #2316322: > warum spannungsfester Transistor anstatt des Mosfets? Begriffsklärung: ein MOSFET ist (auch) ein Transistor.
Emil schrieb im Beitrag #2316322: > Hi, > warum spannungsfester Transistor anstatt des Mosfets? Wo genau ist der > Vorteil? Habe noch nie damit gearbeitet und bin mit meinen N-Mosfets aus > älteren Projekten gut vertraut. Worauf muss ich achten? Was meinst Du, für was das T in MOSFET steht
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HILFE Wer kann ein Solarregler mit ATMega programmieren ?
+---------+ | | | |S | | +-R13-|Out2 Out1|---)---+---(----|I P-MOSFET | | N-MOSFET | | | | | | + | I|----+-----(-----|Hys2 Hys1|---+ | | Solarmodul S| | | | | | | + | - |
Mosfet Solarzelle zu Bleiakku macht im einfachsten Fall bei Ladeschlußspannung (irgendwo bei 14 Volt auf). Der Akku überlebt das Laden.;-) Verbessung danach PWM als Step-Down mit MPP. Nächster Mosfet von
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PNP High Side Switch
Statt einem Mosfet, hättest Du auch einen Transistor nehmen können. Der wäre einfacher und robuster. Ein Mosfet ist viel mehr ESD-empfindlicher.
Dieter D. schrieb im Beitrag #8057796: > Statt einem Mosfet, hättest Du auch einen Transistor nehmen > können. Ein Mosfet ist auch ein Transistor.
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Abschalt-überschwinger am Mosfet -> Z-Diode zu langsam?
um den MosFET voll durch zu schalten sehe ich darin kein Problem.
Schaltung elko-frei sein. Ich hab nochmal über Thomas O.'s Vorschlag nachgedacht, das Gate der Mosfets spannungsgesteuert zu entladen. Wie Alexander Schmidt schrieb, geht das nicht so einfach, weil es P-Mosfets sind. Aber was haltet ihr von der angehängten Schaltung? Die Mosfets werden dadurch
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Audio Verstärker Problem Frequenzgangkompensation?
Schaltung völlig umstricken? Warum funktioniert die Schaltung nicht wenn ich die Transistoren durch MOSFETs ersetze?
Es hängt vom Typ der MOSFETs ab wie gut man die parallel schalten kann. Auch die tatsächliche thermische Belastung ist unterschiedlich, denn auch die MOSFETs kennen so etwas wie eine SOA Kurve. Vor allem die Typen die man nicht
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IRLZ44 an 3,3V ?
heisst: einen Mosfet mit zu niedriger U_gs zu betreiben ist für den Dauerbetrieb ÜBERHAUPT NICHT empfehlenswert. D.h. unbedingt einen MOSFET suchen, wo das Miller-Niveau unter den 3.3V ist. Bei dem IRLZ44 liegt es
bis paar Hundert Hz ist einfach und reicht hier. Und welche Schaltgeschwindigkeit kann man für den MOSFET bzgl. Schaltverlusten erreichen, zu langsames Schalten = höhere Schaltverluste / größere Erwärmung des MOSFET. Müsste bei 4A und 200 Hz aber ok sein. Sollte bei den ersten Versuchen der MOSFET schnell
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Magnetventil ansteuern
Relais_mit_Logik_ansteuern Wichtig ist hier R1. Dieser Pull-Down-Widerstand sorgt dafür, dass der MOSFET sicher sperrt wenn der steuernde Mikrocontroller sich im Reset befindet oder gerade programmiert wird. Dann sind nämlich die IO-Pins als Eingänge geschaltet und das Gate des MOSFET würde "in der Luft
noch einen Optokoppler bauen. Ich dachte z.B. an einen CNY17. Funktioniert das mit dem Logic Level Mosfet?
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MOSFET unglaublich Heiß
von 25 kann ein Strom geleitet werden. Dann verstehe ich nicht warum in der Mikrocontroller MOSFET übersicht steht das dieser MOSFET ab 1-2 VGS durchschaltet und auf Seite 2 des Datenblattes steht doch min Vgs 1 V? cO Wenn ich das jetz so auf mich einwirken lasse scheint dieser MOSFET das völlig
hast du nur deiner falschen MOSFET-Auswahl zu verdanken dass du die LEDs noch nicht verdampft hast, weil der MOSFET bei dieser geringen GS-Spannung als Vorwiderstand wirkt.
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Wer kennt dieses Bauteil? Gesperrt
Dr. Christoph P. schrieb im Beitrag #6938602: > Bedeutet das, ich kann alle A04468-Mosfets, auch mit unterschiedlichen > Chargennummern, nehmen? Ja natürlich! Diese Charge, aus der dein MOSFET stammt, ist sicher längst verbaut.
AO4468 30V N-Channel MOSFET
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Stromsparendes Schalten von 5V mit 3,3V
Gibt es denn einen Mosfet der das so leistet (ohne zusätzlichen N mosfet)?
attiny: - Wenn er 0V ausgibt, ist Ugs 5V- 1,8V = 3,2V und der MOSFET leitet. - Wenn er 3,3V ausgibt, ist Ugs 5V-3,3V-1,8V = 0V und der MOSFET sperrt.
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Selbsthalung mit MOSFET
Nein, das geht so nicht. Damit der Mosfet durchgeschaltet wird, müsste der Mikrocontroller an PB5 deutlich mehr als 12V (die zu schaltende Spannung) liefern. Und nein, mit einem P-Mosfet geht deine Schaltung ebensowenig. Grund dafür
Ich würde es jetzt einfach so machen dann brauch ich gar keinen MOSFET :) irgend welche Einwände ???
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Mosfet Treiber
Dob S. schrieb im Beitrag #7949035: > ich versuche gerade einen rudimentären Mosfet Treiber aufzubauen. Im Forum "Mikrocontroller und Digitale Elektronik"?
Nur um die ganze Schaltung zu verstehen. Wie hoch ist der Strom die der MOSFET schalten soll? mfg KLaus
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Überschwingen MOSFET
mögliche Alternativen am > besten? Dieser Überschwinger kommt mit Sicherheit über die Cdg des Mosfet. Also Mosfet mit möglichst kleiner Cdg suchen, oder noch besser gleich einen "normalen" npn-Transistor mit niedriger Uce_sat nehmen.
besser gleich einen > "normalen" npn-Transistor mit niedriger Uce_sat nehmen Die MOSFETs ergeben im ausgeschaltenen Zustand eine Spannung von rund 4mV über R5. Mir ist kein NPN mit nur ansatzweise so niedriger Sättigungsspannung bekannt.
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Verständnisfrage zum Mosfet
dass ich das verstanden habe. Ich habe mich etwas eingelesen und das sollte mit dem oben genannten Mosfet funktionieren. Auf Seite 4 steht, dass der Mosfet ab 2V am Gate leitend wird(wenn ich es richtig verstanden habe). MfG
99% der Fälle ungewünscht ist. Du brauchst allerdings in jedem Fall ein neues Bauteil, denn der MOSFet ist ja nicht geeignet, um mit 3,3V voll durchzuschalten. Nötig ist ein LowLogicLevel MOSFet.
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Hilfe bei Bauteilsuche
Gehäuse TO220 mit 120A ??? MOSFET in solchem Gehäuse konnten (können?) lt. Spec. angeblich bis 60A dauernd, aber 2-mal soviel ?
William W. schrieb im Beitrag #5033724: > IRF840PBF Das sind MOSFET, keine IGBT!
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Freilaufdiode für Motor schwachsinnig?
sitzen muss, dass sie als Freilaufdiode wirken kann. Dann merkst du dass die /Bodydiode/ des Mosfets für den Freilauf verkehrt gepolt ist...
und hat nichts mit der Bodydiode enes MOSFets zu tun.
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Richis Lab Photomos AD6C111 - Funktionsweise?
Schaltung so, dass die dort dargestellte Masse mit den Sources der beiden MOSFETs verbunden ist. Grüßle, Volker
Argh, ich hab das Beispiel mit dem Koppler für externe MOSFETs extra gewählt, ganz genau so ist das ja auch bei internen MOSFETs gemacht.
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Volt wechselt von 5V auf 3V bei Gerätewechsel
, dass ich mit (max.) 3.3V den Mosfet schalten kann?
Eine Frage zu dem IRLML6244/Mosfets: Gate Threshold Voltage ist vermutlich bei wie viel Volt der Mosfet schaltet, in dem Fall >0.5, <0.9V. Und warum ist bei Mosfets die Benennung so "komisch"? An Source kommt der Pumpen-Minus
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Halb Brücke für 24V und 30A so ok?
Update 4 2 Mosfets parallel und Pull down für IN hinzugefügt
blöde Frage: Warum eine Halbbrücke? Reicht nicht ein MOSFET um den Motor zu steuern?
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Auslegung Kondensator für Klingelschaltung
ist falsch rum drin. > Ich hab gleich mal die Mosfet-Schaltung für den Step-Up angepasst. Statt des IRF4905 wäre ein Logic-Level-P-Kanal-Mosfet besser. > Ich hab gleich mal die Mosfet-Schaltung für den Step-Up angepasst. Du kannst dir die Inverterstufe mit dem Transistor sparen und den Mosfet direkt mit dem Arduino ansteuern. Ein Low-Pegel schaltet den Mosfet ein. Das kannst du leicht im Programm anpassen.
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Supercap mit Solarzelle laden / ab Schwelle einschalten
@Martin: jetzt das ganze noch mit MOSFETs :)
Schönes Simulationsergebnis! Bei dem Spike hast Du vermutlich Recht, der MOSFET wird ja auch zügig eingeschaltet, Q2 wirkt da als Gate-Treiber. Beim Ausschalten gehts ja wesendlich ruhiger zu. Ja, das wäre auch mein Gedanke gewesen, Q3 durch einen P-MOSFET zu ersetzen, sollte
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N-Kanal Mosfet mit U(th) << 3V gesucht
6.5A ab 4.5V UGS) N-MOSFET der bei 1.5V immerhin 1.5A durchschaltet: RUQ050N02 (20V 5A ab 2.5V UGS) N-MOSFET der bei 1.2V immerhin 4.5A durchschaltet: DMN1019 (41 mOhm 12V SC59 9.3A ab 4.5V UGS) N-MOSFET der bei 1.2V immerhin
20V 2.4A an 4.5V UGS) P-MOSFET der bei 1.8V immerhin 4A durchschaltet: FDC604 (60mOhm SuperSOT-6 20V 5.5A bei 4.5V UGS) P-MOSFET der bei 1.8V immerhin 1.6A durchschaltet: RQ6C065BC (50mOhm SOT457 20V 6.5A bei 2.5V UGS) P-MOSFET
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mit was Schalten 15A und 50V
mit den 15A sollte das passen. Der muss eh langsam anlaufen. Ist jetzt nur die Frage ob ein P Mosfet oder ein N Mosfet. Habe mal irgendwo gelesen das P Mosfets schlechtere Werte haben als N Mosfet. Grüße Stefan
Stefan S. schrieb im Beitrag #7309359: > Ist jetzt nur die Frage ob ein P Mosfet oder ein N Mosfet. Habe mal > irgendwo gelesen das P Mosfets schlechtere Werte haben als N Mosfet. Das stimmt. Kommt daher, dass die Beweglichkeit der Löcher beim P-Kanal niedriger ist als die
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nochmal zum IRLZ34N an GPIO
ist aber nicht optimal. IRLZ34N ist vor allem nicht optimal. Verältert. Frühere Generation von MOSFET. Dazu noch für 55 Volt... Bei MOSFETs ist das so, daß bessere Werte bei MOSFETS bis 30, selten 40 Volt sind. MOSFET für höhere Spannungen haben alle andere Werte deutlich schlechter. Es gibt Wert
nicht überschreitet. Wenn Unterschied mehrere Hundert %, dann ist das alles egal. Dann wird bessere MOSFET in jedem Fall besser. Wenn ich zwei MOSFETs sehe, und ein hat bei etwa gleichen Rds nur Hälfte von Qg, natürlich nehme ich den: das wird für Treiber leichter (Treiber hat auch Verluste), MOSFET
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P-Kanal Mosfet bringt einem zum verzweifeln.
TO-252 MOSFET http://www.wellida.com/UploadFiles/2019520141457354.jpg
Schau dir Mal die Richtung der Bodydiode des MOSFETs an ...
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MIC5021 - Mosfet Schalter
Die MosFets noch anpassen an Spannung/Strom.
Aha Fahrzeugtechnik. Google mal nach "Trenn-MOSFET".