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Volt wechselt von 5V auf 3V bei Gerätewechsel
, dass ich mit (max.) 3.3V den Mosfet schalten kann?
Eine Frage zu dem IRLML6244/Mosfets: Gate Threshold Voltage ist vermutlich bei wie viel Volt der Mosfet schaltet, in dem Fall >0.5, <0.9V. Und warum ist bei Mosfets die Benennung so "komisch"? An Source kommt der Pumpen-Minus
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12V auf 54V/2kW mit höchster Leistungsdichte und Wirkungrad
vergessen. Der Regler erzeugt sich intern eine Spannung von 5,4V, die er zum Ansteuern der Bottom-MOSFETs nutzt. Er setzt die 5,4V auf die Source-Spannung vom Top-MOSFET drauf, um auch diesen MOSFET sauber durchsteuern zu können. Natürlich müssen Logic-Level-MOSFETs genutzt werden. Aber das ist
>Er setzt die 5,4V auf die Source-Spannung vom Top-MOSFET >drauf, um auch diesen MOSFET sauber durchsteuern zu können. >Natürlich müssen Logic-Level-MOSFETs genutzt werden. Und das ist das Problem. >Aber das ist ja das kleinste Problem. Für Spannungen
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IRLZ44 an 3,3V ?
heisst: einen Mosfet mit zu niedriger U_gs zu betreiben ist für den Dauerbetrieb ÜBERHAUPT NICHT empfehlenswert. D.h. unbedingt einen MOSFET suchen, wo das Miller-Niveau unter den 3.3V ist. Bei dem IRLZ44 liegt es
bis paar Hundert Hz ist einfach und reicht hier. Und welche Schaltgeschwindigkeit kann man für den MOSFET bzgl. Schaltverlusten erreichen, zu langsames Schalten = höhere Schaltverluste / größere Erwärmung des MOSFET. Müsste bei 4A und 200 Hz aber ok sein. Sollte bei den ersten Versuchen der MOSFET schnell
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Suche Bauteil, welches bei ca. 10 Volt den Strom durchlässt
das Ergebnis? Das ist schon richtig so. Wenn der Schalter auf 1 steht, blockiert er die beiden MOSFET Transistoren, weil er ihnen den Steuerstrom klaut.
OpAmps gehen. Den OpAmp versorgst du mit 5V. Den Ausgang des OpAmps lässt du auf das Gate eines MosFETs gehen. Wenn du einen N-Kanal MosFET nutzt kannst du den Ausgang einfach auf das Gate schalten. Wenn du einen P-Kanal MosFET nutzt um den Strom HighSide zu schalten, dann lässt du den Ausgang auf
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E-Bike Controller: Probleme mit MOSFETs
so niedriger Spannung, dass die Gate Spannung viel zu niedrig ist und somit der DS-Widerstand des MOSFET so hoch ist, dass er in die Luft geht. Stefanus F. schrieb im Beitrag #5410105: >> Der MOSFET wurde allerdings heiß beim anfühlen. > > Damit der MOSFET nicht heiß wird muss er nicht nur ausreichend
Bernd K. schrieb im Beitrag #5414636: > Wie wäre es mit einem besser geeignetem MOSFET: SCHLECHT!
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Mehrere Minuten Spannung halten
Im Prinzip wie bei jedem Laptop: - Taster "öffnet" MOSFET, Strom an uC - uC (zB der von MaWin genannte ATtiny) fährt hoch, hält MOSFET offen, startet Timer - Timer am Ende: uC läßt MOSFET schließen Vorraussetzungen: Taster muss nur lange genug gedrückt
datasheets.maxim-ic.com/en/ds/MAX1722-MAX1724.pdf Und dann über einen µC zeitgesteuert per LL-MOSFET schalten.
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PWM-Signal 24V 500Hz wandeln in 10V PWM
Buchstaben durch übliche Kürzel ersetzt) Also doch PNP-Ausgang. Machs wie vorgeschlagen mit MOSFET. Ich würde den Spannungsteiler allerdings aus Widerstand und Z-Diode aufbauen, dann ist der MOSFET besser geschützt.
. Wahrscheinlich wird es einfacher sein, wenn du erzählst, was du für Kleinleistungs N-Kanal MOSFETs greifbar hast.
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Gate Treiber diskret
Wenn man anstelle des oberen N-Mosfet einen P-Mosfet verwendet, wird nicht nur die Ansteuerung viel einfacher, sondern man kann außerdem 100% Einschaltdauer machen.
Arno R. schrieb im Beitrag #8036684: > Wenn man anstelle des oberen N-Mosfet einen P-Mosfet verwendet, > wird > nicht nur die Ansteuerung viel einfacher, sondern man kann außerdem 100% > Einschaltdauer machen. Kannst Du mir einen P Mosfet nennen, der 36V Gatespannung erträgt
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Mosfettreiber - Zenderdiode dimensionieren?
Vgs wird mit +/-20V angegeben. Demnach wäre er eher ein "standard" Mosfet, oder? Warum wird in der Schaltung eine Z_Diode mit 8V (genau 8,2V)genommen? Eine Z-Diode mit 5V wäre doch ausreichend und auch nicht teurer. Ein standard Mosfet braucht rund 10V, ein LL Mosfet
Abbildung Id/Vds, wird Sättigung scheinbar schon > bei 4V erreicht. Ist das dann ein Logic Level Mosfet? 1. Die Sättigung beim MOSFET tritt bei /kleinen/ Gatespannungen (oder großen Drain-Source-Spannungen) auf (U_gs-U_th < U_ds), bei Leistungs-MOSFETen interessiert das einen nicht, bis darauf, dass
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MOSFET an langer Leitung betreiben.
Guest schrieb im Beitrag #4218924: > Und ich würde gerne 5V Mosfets verwenden. (8Stk) Du meinst Logic-Level-Mosfets, oder? Was sollen die schalten? Welche Mosfets hast du da im Visier? > Die örtliche Trennung brauche ich Ich würde das Ganze recht niederohmig
Die örtliche Trennung brauche ich > Ich würde das Ganze recht niederohmig halten (10k-Pulldown am Mosfet und > 100 Ohm Serienwiderstand am uC-Pin) und einen 100nF-Kondensator Den 100nF Kondensator dicht am MOSFET von Gate auf Source, nehme ich an, oder? ---100R----o-----MOSFET |
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Mosfet sperrt nicht
ist aus, mit dem Mosfet aber an.
René W. schrieb im Beitrag #4210347: > Aber ich kann mir vorstellen, dass ich für den Mosfet > das Signal des Pins wie oben genannt invertieren muss; > ... > Wenn ich nur die LED, ohne den MOSFET anschließe, ist sie glaube ich > gegen Vdd angeschlossen. Die LED mit MOSFET ist also invertiert
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Mosfet Dimensionierung
Hallo zusammen, Ich hätte eine Frage zur Mosfet Dimensionierung. Ich möchte von meinem Raspberry PI mit einem GPIO sprich 3,3V und 2mA auf ein Mosfet fahren und möchte danach eine Spule mit 2,5 A schalten. Ich wäre sehr dankbar über ein paar
2ma ins Gate? Der Mosfet schaltet dann ewig
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Arduino und MOSFET
Karl schrieb im Beitrag #7227981: > V_GS(th) Ist die Spannung, unter der der Mosfet sicher sperrt. Wenn man sich mental die Ugsth nicht mit "leiten", sondern mit "sperren" verknüpft, kommt man nicht so leicht auf die Idee, den falschen Mosfet zu verwenden. > ist als min 2.1V, typ
> Wäre der BUZ11 ein geeigneter MOSFET? Nein, nicht gut. > - V_GS(th) ist als min 2.1V, typ 3V, max 4V angegeben, die Werte machen > mir Sorgen. Möglichkeit 2a: Das ist die Spannung bis zu der der Mosfet "sperrt". Z.B. ein IRLZ34N
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Wie 240 Volt DC direkt in 240 Volt AC wandeln ?
" machen meist nicht anderes als +220 Volt / 0 Volt / -220 Volt. Im Grunde kann ich das mit 4 Mosfets (Vollbrücke auch selber bauen = BILLIG :-) Die VDE blenden wir hier beim Brainstorming erstmal aus !!! Bei 0 Volt würden die PV-Module allerdings keine Leistung abgeben :-/ Also mit 6 Mosfets
Links beziehen sich aber auch wieder nur auf den Problemfall 36 DC nach 120-240V AC. Also zwei Mosfets und dann Trafo. Bei 240V DC könnten aber doch auch vier Mosfets reichen ? Ich hab aber ja nur erfahrung mit 40V Mosfets..
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Schaltnetzteil läuft erst nach mehrmaligen einstecken des Netzes an
welcher Wiederstand ist der shunt-Widerstand am Source des MOSFETs
Das MOSFET was am PIN 6 ist?
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Turbinensteuerung
Software PWM... Die Drehzahlmessung per ICP1. Als Leistungstransistor kommt bei 20A+ nur ein Mosfet mit entsprechendem Treiber in frage. [[MOSFET-Übersicht]]
[[MOSFET-Übersicht#MOSFET-Treiber]]
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Projekt Labornetzteil 2024
betrieben? > Der VMOS benötigt am Gate aber über 20V. Fehler in der > Zeichnung? Der TL072 Mosfet Treiber wird mit VCC betrieben. Ist trotzdem nicht optimal, da 5 Volt an Spannung verloren gehen. Der Mosfet ist völlig unnötig, und sollte durch einen NPN ersetzt werden. Die sind auch günstiger
Runterteilen und Verstärken ist nur notwendig, weil die 5V Versorgung am Vout- hängt, anstatt am Mosfet Ausgang.
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FET Ansteuerung über AVR, Problem mit Pulldown/Gate-Source Widerstand
Strom leiten. Das macht nur Hardware. Es gibt komplementare Paar von Transistoren. Wenn wir obere, P-MOSFET, ausschalten, bekommen wir N-MOSFET alleine, d.h. mit offenem Drain. Wenn wir untere, N-MOSFET, ausschalten, bekommen wir P-MOSFET alleine. Das alles macht Hardware. Wäre separate Steuerung von Transistoren
man dafür auf 1 oder auf 0 setzen, ist nicht prinzipiell. Also, wir haben in AVR Möglichkeit, N-MOSFET oder P-MOSFET mit offenem Drain benutzen. Im Fall von N-MOSFET ist dann Ausgang invertierend, aber das ist kein Problem für einen Mikrocontroller: entweder gibt man "~" in C, oder in Assembler schreibt
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Selbstleitender Transistor gesucht oder alternative Lösung für einen Öffner.
depletion-mode". Auf altdeutsch auch Verarmungstyp genannt. https://www.infineon.com/cms/de/product/power/mosfet/small-signal-mosfet/60v-600v-n-channel-depletion-mode-mosfet/ Aber aufpassen: zum Sperren braucht man eine gegen Source negative Spannung.
braucht man eine gegen Source negative > Spannung. Und genau deswegen ist ein /depletion mode/ MOSFET auch keine Lösung.
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Transistor hemmt Leistung?
Stromstärke des Motors. Steht weder auf dem Motor noch sonst irgendwo online. Ich werde dann aber MOSFETs nehmen.
. Eher ein IRLML2502 & Co. [[MOSFET-Übersicht]]
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Schwellert Ansteuerung für Transistor
Mosfets? (P-Channel oder sowas in der Art). Vielen Dank!
noch andere Mosfets? (P-Channel >oder sowas in der Art). Sowas macht man üblicherweise mit Triac. Wenn es unbedingt ein Mosfet sein soll, dann muß zw. 230V-Spannungsquelle und Lampe/Mosfet ein Gleichrichter (Graetzbrücke
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Sehr eng bestückte Platine entflechten
es zwangsläufig eine Menge Kreuzungspunkte. Am Nordpol befinden sich Anschluss-Lötpunkte. Die MOSFETs sollten sich in der Nähe der Lötpunkte befinden, da hier bis zu 0,5A Leistung über die MOSFETs geschaltet werden. Viele Grüße
R1 und R9 neben die mosfets und was sind das für riesen-vias? restring ans minimum vom prozess, bohrung ebenfalls.
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150A mit Mikrocontroller messen
> wie soll ich die MOSFET Ansteuerung machen, Da du MOSFET Treiber verwendest würde ich einfach die richtigen MOSFET-Treiber verwenden. Wenn du kein PWM machst (also dauernd eingeschaltet möglich ist:) LT1158, mit
für die MOSFETs hab ich an eine MBR1045 gedacht, falls diese schnell genug sein sollte.
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Inventer Lüfter Ansteuerung
könnte ich das so umsetzen. und anschlußplan, kann ich den von Dir Bernhard oben nehmen? ausser N-Mosfets 2 Relais oder?
Deswegen nimmt man ja auch einen Mosfet und PWM. Wie gesagt - bei mir läuft es ohne Glättung, man kann aber über ein LC Glied die Spannung glätten. Bei steiler Schaltflanke hast du wenig Verluste im Mosfet. Bei Durchgang nur einige wenige
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Stromquelle - Mosfet?
Mosfet mit großer GC prinzipiell besser für den Analogbetrieb geeignet sind, da ihre Kennlinie im linearen Betrieb deutlich flacher verläuft, als es bei schaltungsoptimierten Mosfet der Fall sei. abc schrieb
dem TE ein MOSFET mit 400V oder noch hoher zu raten.
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Trianglewave opamps
habe noch zwei fragen: 1. Wie erzeuge ich -5V am Effektivsten? 2. Wie Treibe ich nachher die MOSFETs mit +-5V?
Klaus R. schrieb im Beitrag #4685504: > Dann genügt auch ein 555er Timer, vorzugsweise ein MOSFET - Typ. Insbesondere, wenn man ihn mit einer KSQ statt des Ladewiderstands "pimpt".
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Fragen zum Buch Elektronik Dieter Zastrow
verdreifacht, die Verlustleistung gedrittelt. Ist das korrekt? These: Bei parallel geschalteten Mosfets muss zur Vermeidung von Schwingungen jedem Gateanschluss ein Entkopplungswiderstand vorgeschaltet werden. Frage: Warum nur bei parallel geschalteten. Ich habe ja bei einem einzigen Mosfet auch
Datenblattangabe Qtotal, wenn ich mir die Werte einzeln herauspicke aus einem beliebigen Datenblatte eines Mosfets...
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Highside N-Channel Fet
Wackelkontakt zu GND, das hat wohl die 3 Fets überhitzt. Wenn du drei parallel geschaltete p-MOSFETs für zusammen gut 100A kaputt bekommen hast, dann bekommst du auch einen n-MOSFET kaputt. Im Zweifelfall auf die gleiche dämliche Art. Statt auf die prinzipiell besseren Eigenschaften von n-MOSFET
stehen und eine Abschätzung machen Es besteht schlicht keine Notwendigkeit, dafür einen n-Kanal MOSFET zu verwenden. Es muß auch kein einzelner MOSFET die 30A schaffen, in Schaltanwendungen wie dieser kann man problemlos mehrere MOSFET parallel schalten. Aber das Problem des TE besteht nicht in
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High-Side-Switch mit N-Kanal MOSFET und langen on-Zeiten
parallel. Damit verringerst du mit geringerem Aufwand die Verlustleistung mehr als mit einem N-Mosfet. Der Nachteil bei P-Mosfets liegt eher darin, dass bei gleichem RDSon die Gatekapazität größer wird, weswegen für höherfrequentes Schalten lieber N-Mosfets genommen werden. Das ist aber bei dir
bissi schrieb im Beitrag #5532915: > Ich dachte immer, ein High-Side Switch WÄRE ein P-Kanal Mosfet und ein > Low-Side Switch wäre ein N-Kanal Mosfet. Ist so am einfachsten mit der Beschaltung. Aber nicht zwingend. Wenn du 5V mit einem nMOSFET schalten willst, musst du dem Gate eben eine Spannung
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mit was Schalten 15A und 50V
mit den 15A sollte das passen. Der muss eh langsam anlaufen. Ist jetzt nur die Frage ob ein P Mosfet oder ein N Mosfet. Habe mal irgendwo gelesen das P Mosfets schlechtere Werte haben als N Mosfet. Grüße Stefan
Stefan S. schrieb im Beitrag #7309359: > Ist jetzt nur die Frage ob ein P Mosfet oder ein N Mosfet. Habe mal > irgendwo gelesen das P Mosfets schlechtere Werte haben als N Mosfet. Das stimmt. Kommt daher, dass die Beweglichkeit der Löcher beim P-Kanal niedriger ist als die
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PNP High Side Switch
Statt einem Mosfet, hättest Du auch einen Transistor nehmen können. Der wäre einfacher und robuster. Ein Mosfet ist viel mehr ESD-empfindlicher.
Dieter D. schrieb im Beitrag #8057796: > Statt einem Mosfet, hättest Du auch einen Transistor nehmen > können. Ein Mosfet ist auch ein Transistor.
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Amplifier OP-Amp mit Endstufe
Ja das stimmt. Aber woran liegt es das die mosfets nicht richtig arbeiten ?
Anbei ein Beispiel, wie es funktionieren könnte: https://www.electroschematics.com/mosfet-audio-amplifier-irf9530-irf530/
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suche LL FET mit Vgs von 0,8-3,3V
von 0.8V und es ok ist, wenn die Hälfte deiner Geräte nicht funktioniert ... ja, dann ist dieser MOSFET genau richtig.
ist das Problem mit SICHERHEIT anders lösbar als mit seinen merkwürdigen Anforderungen an einen MOSFET.
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PowerLed Mosfet als Vorwiderstand
Ich habe es so verstanden, das der Mosfet nicht gesättigt betrieben wird. Also als gesteuerter Widerstand wirkt!?
Spannung bei der der Mosfet minimal leitend wird.
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IRF5305S - Hitzentwicklung - Alternative
meine Glaskugel sagt, direkt vom ESP ohne (vernünftigen) Gatetreiber an den Mosfet, dann sind es zu hohe Schaltverluste. Alternativ viel schlechteren Mosfet erhalten, da würde mal 100% an und Spannung über DS messen helfen.
wegnehme fällt sie ab auf, 0,13V, am GND und Drain des Mosfet gemessen. Da erwärmt sich auch nix.
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Am Rande des Wahnsinns.
Spule in der jedes Magnetfeld eine Störspannung bzw. Strom induziert. Das lange Kabel wo das MOSFET Gate drüber angeschlossen ist, sieht auch höchst merkwürdigst aus. Der Treiber muss direkt ans Gate. *Davor* darfst du dann auch mehr Leitung legen. Ist nur eine Sache der Zeit bis der MOSFET mal an
Ohje ohje. Junge junge, dir fehlt einiges! Guck dir die lange Hinleitung zum MOSFET Gate an. Guck dir vor allem den Rückweg des Stromes wieder an, der von Source aus zurück zur Stromversorgung des MOSFET Treibers (=dein AVR) fließt. Das gibt doch nix. Der 1000µF ist wie oben schon
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Step-Up Transistor laufend defekt
noch ein Monoflop (mit logischer &-Verknüpfung) eingeschleift werden um die maximale On-Zeit des Mosfet zu begrenzen.
Flanken wären, dann würde der MOSFET heiß werden. mfg Klaus
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Wie treibt man am besten Kapazitive Lasten?
fliegen schon nach etwa 1s die Mosfets. Die Mosfets sind SiC MOSFETS. Tot Zeiten stimmen.. ich denke das Problem liegt bei den zu hohen Spitzenstrom beim Umladen der Lastkapazität (68nF). Habe daraufhin eine Spule mit etwa 15µH zwischen
Last "makelos" aus. Wenn ich eine Ohmsche Last ranhänge sind selbst 400kHz kein Problem und die Mosfets werden nicht warm trotzt einiger hundert Watt Schaltleistung
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Sleepytroll - Akkutausch zerstört Elektronik?
Aus Interesse: Wie muss ich einen MOSFET verschalten um Ihn bei Spannungsfreiheit durchlegieren zu lassen?
Du hast möglicherweise den MOSFET gekillt, indem du mit elektrostatischer Aufladung drangefasst hast.
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Operationsverstärker explodiert
gemessen. Der OP sollte laut Datenblatt 32V Versorgungsspannung vertragen. Ziel ist mit dem MOSFET den Strom (bis ca. 12A) durch die Last zu begrenzen, funktioniert auch mit Netzteil am MOSFET ganz hervorragend. Die OP Aktion soll das ganze mit einem Arduino über den Poti steuerbar machen, was
Der IRF540 dürfte gerne völlig zu Recht explodieren, der LM358 jedoch nicht mal, wenn der MOSFET Spannung auf dessen Ausgang gibt. Die Schaltung ist grober Schwachsinn, die Gate-Spannung eines MOSFETs einzustellen um einen Drainstrom festzulegen, denn der Drainstrom hängt mehr von der Temperatur
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Transistor-Schutzschalung
erklären wie die Schaltung funktioniert? Und unter welcher Bedingung leitet der selbstsperrende Mosfet Q3?
ist, es war ein Sperrschicht-FET (z.B. ein BF245). Letzterer verhält sich deutlich anders als ein MOSFET.
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12 V Max 1 Ampere am Stm32 3,3V
auch Versionen mit Inversion: TC4421A und TC4429. Gemeint ist, diese Treiber ohne zusätzlichen MOSFET, alleine. P.S: auf deiner Schaltung hast du für P-MOSFET falschen Symbol gewählt, von N-MOSFET. Für P-MOSFET sollte Pfeil von Gate zeigen. Außerdem solltest du Drain und Source tauschen. So wie
samuel schrieb im Beitrag #6320931: > Vgs von dem IR Mosfet ist zu klein, 10V IRF 7316 MOSFET, P-CH, 30V VGS +- 20 V ?
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Spannungsregler low drop 32V
Ugs-Kennlinie entgegenwirkt und zweitens eine symmetrierende Stromgegenkopplung zwischen den "Elementar-Mosfets" auf dem Chip bewirkt.
haben: IXTH30N60P und IXTH30N60L2. https://eepower.com/technical-articles/understanding-linear-mosfets-and-their-applications/
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Bridgeless PFC
gemessen habe sind 200 w und 400 w. Das unsymmetrische Verhalten tritt in beiden fällen auf. alle mosfet erhalten, dasselbe Signal am Gate vom Treiber. Das in einem Zweig zwei Mosfets sind liegt, daran dass ich die Durchlassverluste minimieren möchte. Folgende Bauteile habe ich verwendet: Mosfet
Oliver, bist Du jetzt verzweifelt genug, um wenigstens versuchsweise auf die Parallelschaltung der Mosfet`s zu verzichten?
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IRLZ34N Anschlussproblem
Einstellung wirst du weit kommen. >ganz normale Glühlampen, siehe Bild. Passt, die bringt einen MOSFET nicht um. >Ich weiß nicht was an den FET's kaputt ist, sobald ich die einstecke >leuchtet die Led dauerhaft. Nach deinem Bild zu urteilen ist der MOSFET richtig angeschlossen. Hmm?
Erklär uns mal wie diese den Mosfet vor der induzierten Spannung schützt.
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PWM-Endstufe gesucht
zu beachten, weshalb ein geringer Rdson gefordert ist. Ich habe überlegt, einen eigensicheren MOSFET wie z.B. einen Omnifet zu nutzen, auf die Schnelle fällt mir hier der VNP20N07 ein. Mit der Wahl dieses MOSFETs würde ich mir ja sämtliche externen Schutzmaßnahmen, wie etwa Freilauf-Dioden, oder?
Hallo zusammen, Marcel V. schrieb im Beitrag #7606802: > Schon ab 1 Hz. Der Mosfet will zügig seine Gatekapazität ge- und > entladen bekommen. Du hattest vorher Q1 erwähnt, aber Q1 ist doch der PNP-Invertierer und nicht der MOSFET. Da gibt es doch keine Kapazität, oder? Anbei
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Konstanstromlast bauen
Was mir spontan auffällt: 1. Deine Strommessung schliesst den unteren Mosfet mit ein. Wozu dient der untere Mosfet eigentlich 2. Du hast keine Referenz für den Sollwert. Wenn deine Versorgung links genau genug ist, dann ist das ok. 3. Du hast keine Frequenzkompensation -
aushalten. Also einfach ein LM317 gemäss Datenblatt als Konstanstromquelle und dann über ein Mosfet nach GND "kurzschliessen" Der Mosfet wird dann von einem GPIO ein und ausgeschaltet
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Mosfet (IRF540) summt
verbrauchen laut Datenblatt zusammen etwa 12A bei 12V. Zum schalten verwende ich einen IRF540-MOSFET (https://www.vishay.com/docs/91021/91021.pdf) Dieser Mosfet macht relativ laute Summgeräusche: - (1) Warum? - (2) Kann ich das irgendwie verhindern? - (3) Gibt es einen besseren Mosfet für diesen
andere Mosfets verwendet (gleicher Typ). keine ahnung woran das liegt - fertigungstoleranzen?
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Suche depletion-mode MOSFET (selbstleitend)
Mouser findet ein paar "Depletion N-Channel MOSFET" von drei Herstellern IXYS, SemiQ und UnitedSiC Die URL ist etwas lang: https://www.mouser.de/c/semiconductors/discrete-semiconductors/transistors/mosfet/?channel%20mode=Depletion&id%20-%20continuous
daran aber auch die Mouser-Suchfunktion schuld. https://www.aldinc.com/pdf/IntroDepletionModeMOSFET.pdf Der "MOSFET Family Tree" auf der ersten Seite zeigt wie viele Varianten es gibt, außerdem sind heute noch Schutzfunktionen und Vorstufen integriert, das macht es noch unübersichtlicher.
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MOSFet Datenblatt negative Ströme Bedeutung?
p-MOSFET vs n-MOSFET.
Effizienz (Wirkungsgrad) das > Gerätes erhöhen. Das einzige an dem man da drehen kann sind die MOSFets. > Ich bin mit N Kanal MOSFets mehr vertraut, aber bei den P dotierten > scheinen ein bisschen andere Gesetze zu herrschen. Du hast weder von MOSFETs eine Ahnung, noch von Schaltreglern. Du