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MOSFET-Treiber; Supply Voltage Problem
ein MOSFET aktiv angesteuert wird. Dieser schaltet dann in Verbindung mit weiteren Schaltelementen (JFETs) eine höhere Spannung (>1kV). Der MOSFET wird über einen Gate-Treiber betrieben. - n-Kanal MOSFET IRLU024NPbF (UGS 16V, UDS < 55V, Q_U = 15nC). - Treiber IXDI609CI (I_Out <9A) - Zwischen Treiber
Soll das ein Kaskoden-Hochspannungsschalter mit SiC-JFETs von Qorvo (UniSic) werden? Der technische Chef von der Bude hat mich mal agitiert, dass sie damit bis 40 kV mal geschaltet hätten. Ich habe irgendwo einen Entwurf rumliegen, der bis 60 kV können sollte
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Fragen zu einer AGC-Schaltung
einen Bandpass. In der zweiten Varianten habe ich versuchsweise den Darlington aus Q3, Q4 mit einem JFet-OpAmp ersetzt. Die Ausgangsspannung schwankt mit +-0,7V um die halbe Betriebsspannung von 6V. Welche Werte müssen geändert werden damit auch schnellere Lautstärkeschwankungen (>1Hz) ausgeregelt werden
OpAmp-Typ sollte als Ersatz für die Darlingtonschaltung aus Q1 und Q3 gewählt werden ? Macht ein JFet-Typ Sinn ?
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Mat 02/03 heute besser als damals?
Bipolartransistoren sind abgesehen davon sowieso einer wie der andere, da hilft Selektion garnix. Bei JFETs ist das grundlegend anders. Der Qualitätsfaktor ist hier das Verhältnis von Eingangskapazität zu Steilheit. Man kann hier auch beliebig viele FETs parallelschalten, aber die Eingangskapazität wird dann sehr schnell sehr gigantisch, und Miller hilft fleißig mit. Bei JFETs variiert die notwendige Gate-Bias sehr stark und es kann durchaus vorkommen, dass nur einer der Transistoren den gesamten Strom übernimmt und er dann der einzige ist, der einen Beitrag zur Steilheit
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2P903A / KP903W Wo Kaufen?
ein HF Projekt (Colpitts Oszillator) bin ich auf der Suche nach dem sowjetischen N-Kanal Leistungs-JFET vom Typ 2P903A (2П903А) bzw. der zivilen Version KP903A. Hat zufällig noch jemand ein oder zwei Exemplare aus alten NOS-Beständen in der Bastelkiste liegen, die er abgeben möchte? Falls niemand
erhältlichen, westlichen Ersatztyp im ähnlichen Leistungsbereich (ca. 6W Verlustleistung, N-Kanal Depletion/JFET, VHF-tauglich)? Mir fallen spontan leider nur schwer beschaffbare Klassiker wie der CP643 oder U310 (der hat aber deutlich weniger Leistung) ein. Ich freue mich über Angebote oder Tipps zur Beschaffung
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Swob5 Einschub E3 log-Verstärker wer kennt sich hiermit aus?
Wenn das funktioniert, könnte man ein Problem in der nachfolgenden Schaltung vermuten. B703 ist ein JFET-Opamp, vielleicht hat der einen Schlag weg und sein Eingang einen zu hohen Bias-Strom (sollten lt. Datenblatt typ. 30pA sein), so dass C710 und C708 entladen werden. C710 würde ich auch mal checken,
https://www.analog.com/media/en/training-seminars/tutorials/MT-036.pdf Dazu neigen aber eher JFET-Opamps (der TL072 ist ein typischer Kandidat), und es geht dabei um die Übersteuerung der Differenzverstärkerstufe. D.h. das Phänomen kann auftreten, wenn der common mode input voltage range verlassen
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FT1234 N-JFET Daten ?
Hallo, ich habe eine analoge Schaltung, in der ein paar FT1234 N-JFET Transistoren sind. Suche dringend Daten über diesen Typ. Wer kann mir weiter helfen. Im www finde ich leider nichts. Der Transistor wurde mal von Temic anscheinend produziert. Oder gibts Ersatztypen
mit der Aufschrift M 1022 K9011 zu finden. (Auch keine Ahnung was das für ein Typ ist.) Die N-JFET sollen als Analogschalter funktionieren, nur muss ich halt den Strom, die Gate-Source Spannung wissen, um etwas anderes zu finden. Vermutlich hat das auch einen Einfluss auf den Regelkreis. Eventuell
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MC33182 Ersatztyp. Wie finden?
bin auf der Suche nach einem Ersatztyp für einen MC33182 Low-Power Doppel-Operationsverstärker mit JFET Eingang. Wie sucht man am besten nach einem Ersatztypen? Die Homepage vom Hersteller listet leider keinen Nachfolgertypen. Nach den Eckdaten wie Slewrate und Bandbreite suchen kann man ja bei diversen
und gleichzeitig so wenig Strom benötigt. Außerdem bin ich nicht so sicher wie ich das mit dem JFET Eingang verstehen muss. Der OP-Amp ist vor dem Eingang eines AD-Wandlers und darf das gemessene Signal nur möglichst wenig belasten. Hier ist der Link zum Datenblatt. http://pdf1.alldatasheet.com
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Kontrolleinheit abklemmen
Mikrocontroller die Kontrolleinheit abklemmen, in dem es eine 1, bzw. 5V auf die selbstleitenden p-JFETs gibt. Würde das ganze so funktionieren?
wirklich so groß ist, könnte ich eigentlich auch einfach die Versorgungsspannung der Kontrolleinheit per JFET kappen und hoffen, dass der interne Mikrocontroller in High Z schaltet, damit ich bei der PC Messung keine Verfälschung habe. Aber die Schaltung ist sonnst richtig, oder?
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Überspannung Widerstand Abschaltung
die dazu passende Schaltung bauen? Mir fällt leider nichts sinnvolles ein, ohne viel Aufwand, die Jfet durchzuschalten... AKtuelle Lösung ist Komparator -> Jfet... Geht das nicht irgendwie einfacher? Ich habe auf meiner aktuellen Platine leider nicht mehr soviel Platz...
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Peak Hold Sample Hold LT1122
bestimmten OP-Typen? Habe schon ein paar mal gelesen es sollte ein FET Typ sein, der LT1122 ist ein JFET. Fotos von der aufgebauten Schaltung ist angehängt. (Ohne den 1Meg Pull-Down)
> Habe schon ein paar mal gelesen es sollte ein FET Typ sein, der LT1122 > ist ein JFET. Was oft vergessen wird: Ein OP hat einen Eingangsstrom! Der Strom fließt durchgehend, das ist der Basisstrom der ersten Verstärkerstufe. Im Anhang ein Ausschnitt aus dem Schaltplan und dem Datenblatt
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Suche normally on Schalter für min. 4A
gravierenden Denkfehler gemacht habe, ergibt sich die Suche als sehr schwer. Die von mir gefundenen JFETs bei farnell.de können nur recht kleine Ströme aushalten. MOSFETs habe ich auch keine wirklichen in der Leistungsklasse gefunden. Bei IXYS habe ich welche gesehen, wie z.B. den IXTP6N50D2 Wenn
Wenn Geld keine Rolle spielt kannst du einen JFET von Semisouth nehmen (gibt es bei Farnell). Ich würde aber fast wetten, dass es eine schaltungstechnische Lösung für dein Problem mit selbstsperrenden MOSFET gibt.
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Schnelle TTL-Ansteuerung einer LED, f>1MHz
Dein "kleiner FET" ist hoffentlich kein JFET wie gezeichnet, sondern ein MOSFET. Nimm mal statt dem LS125 (dessen OE keinerlei Sinn macht) einen HC04 und lass in beiden Fällen R7 weg. Der Trick wäre wohl bei beiden Schaltungen, den Transistor
Hallo MaWin, das JFet-Symbol sollte das N-Mos-Symbol sein. Leider habe ich auf diesem Rechner nur eine KiCad-Version von 2008. Da sah das Symbol noch so aus. Ich bin auf den HC125 angewiesen, da dieser an eine Busstruktur
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PIN Dioden Geiger
wie hochohmig/welche Kapazität hat der Eingang? Der Original-Schaltplan nutzt da noch einen BF245-JFET als Impedanzwandler, könnte der auch entfallen? Und wie simuliert man so eine PIN-Diode am günstigsten in LTSpice? Als Stromquelle, die kurze xx nA-Pulse erzeugt?
speziell für Current Messungen gemacht ist, > Der Original-Schaltplan nutzt da noch einen BF245-JFET als > Impedanzwandler, könnte der auch entfallen? Müsste man einfach ein geeigneter S&H Kondensator (CerCo) nachschalten,(Nach dem TIA0) dann sollte das passen auch ohne JFET ;-) Bei 7pF und 5pA
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Eingang für 74xx KW Super
z.Z. die Eingangsstufe. Ich hab das Original an einigen Stellen etwas verändert und dem Teil einen JFET als Frontend verpasst. In Ltspice sieht das erstmal gar nicht so schlecht aus. Aus 100µV macht das Ding ca 40mV. (Siehe den Screenshot). Aber: Ich habe nicht die blasseste Ahnung von HF. Deshalb
viel sind. Eine reicht wohl. Ich werde wohl Q1 weglassen und Q2 nur als Emitterfolger hinter den JFET packen. Mal sehen, ob der überhaupt notwendig ist. > > Wo soll das Poti für VV-Gain hin? > (Das möchtest Du haben.... sobald von der Antenne etwas mehr signal > kommt.. meist nicht auf
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Fragen über Fragen bei der OpAmp Wahl
von der Kapazität des Piezos ab. Ein Kandidat wäre etwa ein OP743 oder weniger exotisch ein gute JFET Audio OP wie OPA134, OPA2604 oder ähnliche. Weniger Rauschen wäre mit einem diskreten JFET (z.B. 2SK170) möglich. Der TL72 wäre eventuell ausreichen, weil man sowieso soviel Hintergrundgeräusche
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Bester Audio OPV
Das Rauschärmste, was ich kenne, wurde mal von Götz Corinth mit einem 1:30 Übertrager und einem JFET-Buffer gebaut: http://studerblog.files.wordpress.com/2009/02/gcorinth-aufsatz_vdt_98.pdf Kai Klaas
Das Rauschärmste, was ich kenne, wurde mal von Götz Corinth mit einem > 1:30 Übertrager und einem JFET-Buffer gebaut: > http://studerblog.files.wordpress.com/2009/02/gcor... So oder so ähnlich dürften die aktuellen Spitzen-MVV wohl auch noch aussehen, obwohl die Hersteller sicher nach Möglichkeit
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Positive Gate-Source-Spannung am N-Kanal JFET! Was nun?
Was passiert wenn ich beim n-Kanal-JFET ausversehen eine Positive Gate-Sourcespannung anlege? Anstelle von -3.3V hab ich +3.3V angelegt! Ist er dann deffekt? Grüße fse
pn-Übergang. Wie eine Diode also. Falls der Strom ins Gate nicht begrenzt war, kann es sein, dass du den JFET beschädigt hast. Solange der Strom unterhalb der maximum Ratings lag, kann er aber auch noch voll funktionsfähig sein.
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Einfacher Messverstärker 10 Hz - 100 KHz
einem diskreten Aufbau? Ich meine mich an eine Schaltung zu erinnern, bei der ein ultrarauscharmer JFET eingesetzt wird, der für besonders niedriges Rauschen bei einem recht hohen Drainstrom betrieben wird. JFET haben den Vorteil, daß sie (bei nicht zu hohen Temperaturen!) praktisch keinen Rauschstrom
. Wenn die Platine gute Ergebnisse liefert, kann ich damit auch die Eingangsschutzbeschaltung mit JFETs damit mal untersuchen. Die Idee mit dem Kennlinienschreiber hatte ich auch schon, um die ganzen JFETs zu selektieren. Ich kenne auch das oben genannte Projekt. Allerdings hat mich, wie bei Ralf,
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Justierbarer Spannungsregler / Transistorschaltung
mich daran an diesem Artikel orientiert (http://www.allaboutcircuits.com/vol_6/chpt_5/15.html). Den JFET habe ich aber gegen einen npn-Transistor ausgetauscht und es probiert, da ich keinen JFET hatte. Das ganze hat auch einigermaßen gut geklappt, bis ich im Datasheet gesehen habe, dass der Transistor
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Clapp-Oszillator Frequenz trimmen
wenn man die Rückkopplung wieder schliesst, weil der Emitterfolger (bzw. Sourcefolger im Fall eines JFET) belastet wird. Dann empfiehlt sich allenfalls noch ein Goral-Oszillator. Dieser hat den Vorteil, dass sein Ausgang eher wie eine Spannungsquelle aussieht, und man kann mittels eines Widerstands den
Gleichrichtung den Kondensator Ck aufladen. Je höher er geladen wird, umso geringer wird die Verstärkung des JFET. Dadurch erhält man eine einfache Verstärkungsregelung. N.B. 1: den Kondensator C kann man ganz weglassen, die Schwingkreiskapazität besteht dann nur noch aus C1 und C2 und den Varaktoren. N.B
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Arduino per kurzen Tastendruck einschalten
und 3 Megaohm. Ich bilde mir ein, mit der Lupe "662" auszumachen, was eventuell auf einen 2SK662 JFET hindeuten würde? Dann wären Pins 1 und 2 Source und Drain. Kuno schrieb im Beitrag #6717221: > Kondensator kann klappen ist aber relativ undefiniert. Ugs des P-MOSFET > ist eh schon gering mit
3 Megaohm. Ich bilde mir ein, mit der Lupe "662" > auszumachen, was eventuell auf einen 2SK662 JFET hindeuten würde? Dann > wären Pins 1 und 2 Source und Drain. Wenn du noch von den NMOS bzw. PMOS Transistoren welche hast, würde ich eher die nehmen anstatt einen unbekannten Typ. Gate und Source
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Induktivitätswert für eine 77,5kHz Ferritantenne
muss nicht riesig sein. Mein Vorhaben sieht so aus, dass ich das Antennensignal mit einem BF256 (JFET) vorverstärken möchte und dann mit weiteren Verstärkerstufen (Bipolar) auf ein brauchbares Signal bringen möchte. Um später mögliche Probleme mit der Verstärkerstufe zu vermeiden möchte ich die Antenne
pulsierender Gleichstrom sind, könnte man auch mit Operationsverstärkern anstelle von diskreteen JFETs und BJTs arbeiten. Schon mit den beiden OPVs im TL072 erreichst Du locker eine 1000x-fache Spannungsverstärkung - mit FET-Eingang!
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Schaltnetzteil dimmen
fuer 32kHz, Überschlagsrechnung. Wegen AC werden 2 benoetigt, wie yxcv schon feststellte. Bei JFET ist die Auswahl groesser. Trick waere dabei die untere Grenze leicht zu unterwandern. Mindestlast beim An/Einschwingen jeder Halbwelle...
> C bei Imax fuer U-Ripple kleiner 5% fuer 32kHz, Überschlagsrechnung. Humbug halt. > Bei JFET ist > die Auswahl groesser. Zeig einen geeigneten.
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Simulationssoftware für Anfänger?
Z-Dioden 112 Schottky-Dioden 71 C-Dioden 1062 npn 557 pnp 422 n-Mos 133 p-Mos 228 n-JFet 25 p-JFet 686 OPV 298 SMPS ... Die genannten Zahlen sind manchmal tatsächlich höher, weil sich die Modelle je nach Modellart in verschiedenen Bibliotheken verstecken, die ich jetzt nicht
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Schülerversuche mit Feldeffekttransistoren
Na ja, JFETs sind ja eigentlich nur Dioden, die sollten Robust sein gegen ESD. Aber mit der Strombelastbarkeit siehts da schon knapper aus.
CMS03CC3336F8987B66C125707B004C6F27 Wenn davon mal einer defekt sein sollte - was soll's! Interessant wären auch noch JFETs BF245 o.ä., die sich ähnlich wie eine Röhre verhalten. Damit hatte ich vor Jahrzehnten gespielt: hochohmiger Vorverstärker für Plattenspieler, UKW-Sender gingen auch gut :-)
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Welcher BF245 ist der richtige ? Gesperrt
gleich zum BF245A. Man bekommt den J113 und PN4393 bei Farnell: Artikel-Nr. --------- 101-7713 JFET J113 146-7957 JFET PN4393 Gruss Thomas
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Datenblatt und SPICE-Modelle JFET gesucht
Hallo zusammen, besitze eine Handvoll alter JFET BF246C, BF256B, SFE210 und 3N211. Letztere sind sogar Dual-Gate-Typen. Ja, ich weiß, einiges davon ist obsolet, nicht für Neudesign. Teile aus Tütchen von einer Ramschmesse vor längerer Zeit sind
, nur den BF246, und SPICE-Modelle erst recht nicht. Also ich will was damit basteln, was mit den JFET einfach besser funktioniert als mit BJT, die sind ja mit den Jahren noch nicht schlecht geworden. Wenn ich irgendwo Daten bekomme, erübrigt sich eine Neubestellung, die ich nicht für dringend nötig
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Eigenbau KW-Empfänger für angehenden Amateur (SWL)gesucht
026 FM-Tuner RFT mit Drehkondensator 4,50 240 003 Trimmkondensator 0,95 Einen JFet hab ich leider noch nicht gefunden, nur einen Dual-Gate-Mosfet. Gabs damit nicht auch einen gutes Audion?
Anfänger ist Hartpapier wesentlich besser handhabbar, ansonsten hat Bernd völlig recht! > Einen JFet hab ich leider noch nicht gefunden, nur einen > Dual-Gate-Mosfet. Gabs damit nicht auch einen gutes Audion? Das "Detektoraudion" vom Konverteraudion hat einen DG-MOSFET, siehe "Empfangsprinzipien
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Werden Atmel Mikrocontroller aussterben/nicht mehr verfügbar sein?
wurde er inzwischen von allen großen Herstellern abgekündigt und allgemein wird der Markt um die JFETs immer dünner.
er > inzwischen von allen großen Herstellern abgekündigt und allgemein wird > der Markt um die JFETs immer dünner. Das ist schon seltsam. Vor 30 Jahren hat man sehr, sehr viele Oszillatorschaltungen mit Unijunctions-Transistoren gebaut. Trotzdem hat man deren Produktion eingestellt. Heute sind
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Rauschen Mikrofonverstärker
Elektretkapseln haben einen von der Kapsel abhängigen passenden Arbeitsstrom. Damit der interne Transistor (JFET) arbeitet sollte die Spannung im passenden Bereich von etwa 1-5 V sein. Ein hoher Widerstand zum einstellen des Stromes ist an sich gut, weil er das Signal weniger belastet, viel mehr also die 10 K|
Elektretkapseln haben einen von der Kapsel abhängigen passenden > Arbeitsstrom. Damit der interne Transistor (JFET) arbeitet sollte die > Spannung im passenden Bereich von etwa 1-5 V sein. Ein hoher Widerstand > zum einstellen des Stromes ist an sich gut, weil er das Signal weniger > belastet, viel mehr also
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LO-Signal versträrken / formen
hab ich zunächst einen BF959 verwendet > Eine Cascoden Entkopplungsstufe mit BF245 Für einen JFet ist die Betriebsspannung zu niedrig. Der BJT hat wahrscheinlich Probleme mit der Sättigung. Mit einem BFR93 sollte es problemlos funktionieren, der kommt 10 x schneller aus der Sättigung als ein
> Eine Cascoden Entkopplungsstufe mit BF245 BF959 ist kein FET sondern Bipolar. > Für einen JFet ist die Betriebsspannung zu niedrig. > > Der BJT hat wahrscheinlich Probleme mit der Sättigung. Mit einem BFR93 > sollte es problemlos funktionieren, der kommt 10 x schneller aus der > Sättigung
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Realisierung PLL, VCO-Kennlinie nicht linear, problematisch?
ich habe mir die ersten Berichte zu Gemüte geführt. Auffällig ist, dass immer wieder die gleichen JFET-Typen zum Einsatz kommen, nämlich BF 246C, U310 oder P8002. Es hat eine ganze Weile gedauert bis ich einen der Typen mit der aktuellen Bezeichnung finden konnte. Der U310 wird mittlerweile als MMBFJ310
MMBFJ310 bei Farnell schon im Bereich <50Cent pro Stück kostet. Ich habe mich jetzt auf diesen JFET festgelegt und lege den Oszillator jetzt mit diesem Bauteil aus. Praktischerweise kommt er auch im SOT23-Package daher. Henri
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Nochmal LC-Meter nach AADE: dessen Oszillator
Ein Ansatz könnte auch der Oszillator in (Grid-) Dipmetern sein: dort schafft eine Triode oder ein JFET einen weiten Bereich von ca 1 ... 150 MHz, nur durch Umschalten einer Spule. Könnte man vielleicht auch umdimensionieren für das LC-Meter.
von Mohandes H. (Firma: مهندس) schrieb: > dort >schafft eine Triode oder ein JFET einen weiten Bereich von ca 1 ... 150 >MHz, nur durch Umschalten einer Spule. Wenn man zwischen mehreren Spulen umschaltet, schaft das sein Oszillator auch. Hatte ich schon vorgeschlagen, also
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Eingangsschutz/Diode mit geringem Leckstrom für OPV zur Strommessung im KFZ
www.elektronik-kompendium.de/public/schaerer/ovprot.htm gibt es noch die Variante im nA-Bereich mit JFET als Zwischenlösung. Hier ist der Teil mit JFET nur für die Diode nach Vcc im ersten Schaltbild: https://electronics.stackexchange.com/questions/549757/why-do-op-amps-need-input-protection-when-the-input-impedance-is-very-high
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Schaltplan einer JFET-Schaltung
60µ (2x30µ) 40V well broun grn 90M 2SK 30R 1k 10µ 35V 1,5n G D S 90M 270 L
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Schaltplan eines Kristalloszillators mit JFET
OSCILLATOR MPF102 G D S 47k .01 RF OUT + VDD Fig. 4 - Crystal oscillator which employs a JFET.
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Schaltplan einer JFET-Verstärkerschaltung
V3 9V Q2 BF256B C3 100nF R8 50Ω R5 100kΩ R6 100Ω V(dc): 4.16 V TK5 R9 1kΩ V(dc): 4.57 V I(dc): 4.16 mA R7 390 V4 100mVrms 455kHz 0°
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Schaltplan eines JFET-Verstärkers
FET:Amp_2N4416.asc .tran 0.01 R2 3900 11.997869V DRAIN 3.6854596V J1 2N4416 C2 100n OUT V2 12 Rser=1 SOURCE 1.5985402V R3 10k C3 1µ R1 750 R4 10e6 GATE C1 10n IN V1 SINE(0 0.1 10k) AC 1
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Schaltplan einer JFET-Schaltung
+10V 10mA to 25mA RD 300Ω G ≈ -13 Q1 BF862 A.
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Großer Bumms mit ELKO und IGBTs
geeignet dimensionierte NTC und PTC in Reihe. Nächste Idee: Mit dem Eingangswiderstand in Reihe ein JFET vom Verarmungstyp, der "isolierend geschaltet" wird, sobalt getriggert wird. Gruß, Arno
Idiotenfeature. So langsam >wirds echt albern. Ein Hochpass! Gute Idee ;-) Die Idee mit dem JFET hatte ich, um alle Eingänge UND den Schalter unwirksam zu machen, weil man da ja alles Mögliche 'reinstecken kann. Aber Du hast recht. Irgendwann WIRD es albern. Im übrigen ist dieser Nachrichtentechniker
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FET Kleinsignalersatzschaltbild
FET als Unterbrechung dargestellt wird? http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/4/4b/JFET_Ersatzsch.svg/220px-JFET_Ersatzsch.svg.png Meine Idee: Mit dem FET ist eine fast leistungslose Steuerung des Drainstromes möglich, sodass der Steuerstrom in dem Gate-Pfad erst garnicht berücksichtig
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sauberes Bestromen von ESP mit Solar und Batterie
das Solarpanel diese paar mA liefern kann. Bin mir gerade am überlegen, mittels eines P-Kanal JFETs (selbstleitend) den Spannungsregler am EN Eingang zu deaktivieren, bis sich ein Puffer-Kondensator soweit aufladen konnte, um diesen kurzzeitigen "Startstrom" zu liefern, auch wenn das Solarpanel in
Johnny B. schrieb im Beitrag #7231247: > Bin mir gerade am überlegen, mittels eines P-Kanal JFETs (selbstleitend) > den Spannungsregler am EN Eingang zu deaktivieren Vorsicht, der EN Eingang funktionier erst, *nachdem* der ESP8266 gebooted hat.
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[V] Viele Bauteile 2.
http://www.motorschrauber.de/Motorschrauberde/Temp/Bauteile/Minischiebeschalter.jpg 44. J201A-N-JFET http://www.motorschrauber.de/Motorschrauberde/Temp/Bauteile/J201A-N-JFET.jpg 45.Folientastatur+Mix http://www.motorschrauber.de/Motorschrauberde/Temp/Bauteile/Folientastatur+Mix.jpg 46. MC33064P5
