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Fritz Repeater 2400
Da ist auch ein defekter MOSFET zu sehen. Sieht nach einem Kurzschluss auf der Sekundärseite aus.
Engelbert S. schrieb im Beitrag #8074234: > Da ist auch ein defekter MOSFET zu sehen. Oder einfach ein schlechtes Foto.
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Turbinensteuerung
Software PWM... Die Drehzahlmessung per ICP1. Als Leistungstransistor kommt bei 20A+ nur ein Mosfet mit entsprechendem Treiber in frage. [[MOSFET-Übersicht]]
[[MOSFET-Übersicht#MOSFET-Treiber]]
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Stromquelle - Mosfet?
Mosfet mit großer GC prinzipiell besser für den Analogbetrieb geeignet sind, da ihre Kennlinie im linearen Betrieb deutlich flacher verläuft, als es bei schaltungsoptimierten Mosfet der Fall sei. abc schrieb
dem TE ein MOSFET mit 400V oder noch hoher zu raten.
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Bekomme aus PWM bei LT-Spice keinen Sinus
, der high side MOSFET entsprechend der höhere MOSFET. Wenn der low side MOSFET eingeschaltet ist, zieht er sein Drain Potential auf GND. Ist der low side MOSFET komplett ausgeschaltet, wird er sein Drain Potential auf die Zwischenkreisspannung drücken. Das Drain Potential vom low side MOSFET ist das Source Potential vom high side MOSFET. Du wirst nun erkennen, dass das Source Potential vom high side MOSFET stark am springen ist - nämlich abhängig vom low side MOSFET. Und ein schlichter
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Bauteilauswahl 1-Q-Steller für Gleichstrommotor
schwächer, aber diese Überstromabschaltung muss jeden PWM Impuls dann sofort zurücksetzen und der MOSFET muss aus bleiben bis zum nächsten PWM, das schafft nur externe Hardware. Einen MOSFET-Treiber sollte man nicht nur wegen der 10V UGS, nicht nur wegen des schnelleren Umschaltens, nicht nur wegen
Verlustleistung auf ein Viertel. Und noch deutlich weniger, wenn man sich die Temperaturcharakteristik von Mosfets ansieht. Nur der kalte Mosfet ist auch der gute Mosfet ;-) magic smoke schrieb im Beitrag #3619622: > Bei so großen Motoren würd ich mit möglichst geringer Frequenz arbeiten. > Gerade so viel
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Probleme mit 24v DC Motorsteuerung
Aber die Freilaufdiode ist immer noch falsch: die gehört parallel zum Motor und nicht parallel zum MOSFET. Gruß Dietrich
Das ist ja eine brute force Ansteuerung eines Mosfets !
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Suche depletion-mode MOSFET (selbstleitend)
Mouser findet ein paar "Depletion N-Channel MOSFET" von drei Herstellern IXYS, SemiQ und UnitedSiC Die URL ist etwas lang: https://www.mouser.de/c/semiconductors/discrete-semiconductors/transistors/mosfet/?channel%20mode=Depletion&id%20-%20continuous
daran aber auch die Mouser-Suchfunktion schuld. https://www.aldinc.com/pdf/IntroDepletionModeMOSFET.pdf Der "MOSFET Family Tree" auf der ersten Seite zeigt wie viele Varianten es gibt, außerdem sind heute noch Schutzfunktionen und Vorstufen integriert, das macht es noch unübersichtlicher.
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Ersatz SM104 Milli-Pico-Meter MV40
Diese MOSFET hatte ich hier bezogen: Konsum-Elektronik-Versand, 07264 Wermsdorf, Clara-Zetkin-Straße 21.
nicht garantiert, dass beide MOSFETs gleichmäßig oder in die gleiche Richtung driften. Lösung: Ich habe die SM104 MOSFET-s durch J111 Jfets ersetzt. Nur zum Spaß habe ich nicht versucht, die Jfet-s zusammenzubringen, weil ich nicht
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Überprüfung meiner Verdrahtung
Auf dem MOSFET-Modul werkeln bestimmt IRF520. Die sind ungeeignet für 5V Ansteuerung.
H. H. schrieb im Beitrag #7946265: > Auf dem MOSFET-Modul werkeln bestimmt IRF520. Die sind ungeeignet > für 5V > Ansteuerung. Dieses Modul sieht genau so aus wie so China-MOSFET-Module die ich hier rumliegen habe. Da sind 2x D4184 drauf. Die
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PowerLed Mosfet als Vorwiderstand
Ich habe es so verstanden, das der Mosfet nicht gesättigt betrieben wird. Also als gesteuerter Widerstand wirkt!?
Spannung bei der der Mosfet minimal leitend wird.
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Step-Up-Schaltregler Eigenbau
einstelligen Milliohm-Bereich. Schau am besten bei der Firma IRF nach, die haben sehr gute MOSFETS. Beachte vor allem auch UGS. Die meisten Typen sind auf 12V Versorgungsspannung ausgelegt. Für TTL-Pegel sind es schon deutlich weniger. Wahrscheinlich brauchst Du einen MOSFET-Treiber
Akkuspannung vergleichen, liegt die Eingangsspannung unter der Ausgangsspannung wird der "Step-Down-MOSFET" durchgeschaltet und der "Step-Up-MOSFET" arbeitet ganz normal. Liegt die Eingangsspannung über der Akkuspannung, sperrt der "Step-Up-MOSFET" und der "Step-Down-MOSFET" erhält (grob gesagt) das Invertierte
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SD Modul im Batteriebetrieb
benötigt, kann man den einfach auslöten... Alternative: Spannung vom SD Modul komplett mit P-Channel MOSFET abtrennen.
Zur Not tut es ein P-MOSFET in Reihe zu einem Strombegrenzenden Spannungsregler.
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Hilfe bei MOSFET Auswahl
> 1.) Kann ich für MOSFET 2 und 3 den gleichen MOSFET verwenden? > 2.) welche MOSFETS würdet ihr für diese Anwendung vorschlagen? Du suchst also einen (N-Kanal-) MOSFET, der auch am Lebensende der Batterie mit 0.9V schon
Gate des MOSFET erzeugt.
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Relais oder Transistor
ein Bipolar-Oldie? Oder bipolare Störung? ;-) Für Ströme über 1A nimmt man heute meistens einen MOSFET. Wenn man denn unbedingt VCC schalten muss, halt einen P-Kanal MOSFET. Die gibt es auch im Doppelpack SO8, Z.B. IRF7314. Der hat ca. 50mOhm pro MOSFET, macht bei 4A ~0,8W, im Doppelpack halt 1,6W.
Habe mal gelesen der max. angeschlossene Strom die hälfte des Nennstrom des Mosfet sein sollte. Dann wäre wahrscheinlich ein: IRF 7425 angemessener. Diese Mosfets brauchen wahrscheinlich kein extra Kühlkörper in gegensatz zum: IRF 9530.
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Konstanstromlast bauen
Was mir spontan auffällt: 1. Deine Strommessung schliesst den unteren Mosfet mit ein. Wozu dient der untere Mosfet eigentlich 2. Du hast keine Referenz für den Sollwert. Wenn deine Versorgung links genau genug ist, dann ist das ok. 3. Du hast keine Frequenzkompensation -
aushalten. Also einfach ein LM317 gemäss Datenblatt als Konstanstromquelle und dann über ein Mosfet nach GND "kurzschliessen" Der Mosfet wird dann von einem GPIO ein und ausgeschaltet
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Laden von Konensatoren Mittels MOSFET
Schaltung bei gegebener Spannung und Kapazität nun so dimensionieren, dass die Durchbruchenergie des MOSFETs groß genug ist. Beispiel: C = 1000uF U = 24V E = C*U^2/2 = 288mJ D.h. ich suche einen MOSFET, der eine Durchbruchenergie von min. 288mJ hat. Hat der MOSFET bereits erhöhte Temperatur vor
10ms), und hat somit mehr Spielraum, im MOSFET Energie zu verheizen (lokale Wärmeverteilung im MOSFET). Die externen Widerstände nehmen durch die vergleichsweise niedrigen Ströme kaum Energie auf, d.h. all die Energie landet im MOSFET. Jedes Mehr
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NPN Transistor durch N-MOSFET ersetzen?
des N-MOSFETS ersetzen > und... läuft? Sofern man einen geeigneten MOSFET verwendet geht das. > P.S.: > Der Arduino Nano ist hier nur ein Platzhalter, ich schiele eher auf den > RP2040-Zero, das Prinzip
Entsprechungen des N-MOSFETS ersetzen >> und... läuft? > > Sofern man einen geeigneten MOSFET verwendet geht das. IRLML2502, allerdings SMD.
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Amplifier OP-Amp mit Endstufe
Ja das stimmt. Aber woran liegt es das die mosfets nicht richtig arbeiten ?
Anbei ein Beispiel, wie es funktionieren könnte: https://www.electroschematics.com/mosfet-audio-amplifier-irf9530-irf530/
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5V TTL--> 12V/4W Magnet steuern
in dem Tutorial steht, das der Mosfet das signal dreht ? 5V ansteuerung Mosfet sperrt? so soll es nicht sein. 5V = durchsteuern.
@ Thorsten S. (bitthor) >in dem Tutorial steht, das der Mosfet das signal dreht ? Kommt auf die Schaltung an. >5V ansteuerung Mosfet sperrt? so soll es nicht sein. ist aber so, wenn man die Betriebsspanung mit einem P-kanal MOSFET schaltet. >5V = durchsteuern
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Flusswandler-Trafo 10kHz, 5kW
>MOSFET werden nur bei HF Invertern eingesetzt und hier auch nur ungern. >Hochspannungs-FETs altern und sterben nach wenigen Jahren scheinbar ohne >Grund. Haha, gerade bei Mosfets im Spannungsbereich bis
der PFC. Da rinnt Prinzibbedingt der Strom verkehrt rum, Mosfet kann man ja trotzdem einschalten. Warum bei diesem merwürdigen Serienresonanzwanlder IGBTs eingesetzt werden weis ich nicht. Man kennt ja den Rest nicht. Und alter tun Mosfets nicht wie du es
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Mosfettreiber - Zenderdiode dimensionieren?
Vgs wird mit +/-20V angegeben. Demnach wäre er eher ein "standard" Mosfet, oder? Warum wird in der Schaltung eine Z_Diode mit 8V (genau 8,2V)genommen? Eine Z-Diode mit 5V wäre doch ausreichend und auch nicht teurer. Ein standard Mosfet braucht rund 10V, ein LL Mosfet
Abbildung Id/Vds, wird Sättigung scheinbar schon > bei 4V erreicht. Ist das dann ein Logic Level Mosfet? 1. Die Sättigung beim MOSFET tritt bei /kleinen/ Gatespannungen (oder großen Drain-Source-Spannungen) auf (U_gs-U_th < U_ds), bei Leistungs-MOSFETen interessiert das einen nicht, bis darauf, dass
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Bipolare FET-Konstantstromquelle für 5A
Für nur ein Peltierlement muss die Endstufe nicht schnell sein. Die beiden MOSFETs sind auch in getrennten Regelkreisen und entsprechend ist es nicht nötig das die MOSFETs irgendwie ähnlich sind. Wenn man will könnte man auch einen NPN Darlington oder IGBT (statt N_MOSFET) mit einem P_MOSFET kombinieren. Die P-MOSFETs haben bei gleicher chip Größe i.A. einen merklich geringere Steilheit und sind entsprechend oft besser für den Linearbetrieb geeignet, ähnliche den älteren MOSFET Typen
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Wie ist dieser blinkgeber realisiert
Was mir aber nach wie vor nicht klar ist, wie man mit dem 7555 und einem > gewöhnlichen N- oder P-MOSFET die Kurzschlussfestigkeit hinbekommt. Z.B.: http://de.farnell.com/on-semiconductor/nif5003nt1g/smart-mosfet-n-42v-1-25w-sot-223/dp/1453670?_requestid=766857 Peter
Hey hier ist ja was los :) Ich habe nochmal eine Frage zu dem MOSFET, muss in dieser Anwendung nicht ein P-Kanal MOSFET genutzt werden? Ich finde beim besten Willen keinen der auch geschützt ist...? Oder sehe ich das falsch?
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High-Side-Switch mit N-Kanal MOSFET und langen on-Zeiten
parallel. Damit verringerst du mit geringerem Aufwand die Verlustleistung mehr als mit einem N-Mosfet. Der Nachteil bei P-Mosfets liegt eher darin, dass bei gleichem RDSon die Gatekapazität größer wird, weswegen für höherfrequentes Schalten lieber N-Mosfets genommen werden. Das ist aber bei dir
bissi schrieb im Beitrag #5532915: > Ich dachte immer, ein High-Side Switch WÄRE ein P-Kanal Mosfet und ein > Low-Side Switch wäre ein N-Kanal Mosfet. Ist so am einfachsten mit der Beschaltung. Aber nicht zwingend. Wenn du 5V mit einem nMOSFET schalten willst, musst du dem Gate eben eine Spannung
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Highside N-Channel Fet
Wackelkontakt zu GND, das hat wohl die 3 Fets überhitzt. Wenn du drei parallel geschaltete p-MOSFETs für zusammen gut 100A kaputt bekommen hast, dann bekommst du auch einen n-MOSFET kaputt. Im Zweifelfall auf die gleiche dämliche Art. Statt auf die prinzipiell besseren Eigenschaften von n-MOSFET
stehen und eine Abschätzung machen Es besteht schlicht keine Notwendigkeit, dafür einen n-Kanal MOSFET zu verwenden. Es muß auch kein einzelner MOSFET die 30A schaffen, in Schaltanwendungen wie dieser kann man problemlos mehrere MOSFET parallel schalten. Aber das Problem des TE besteht nicht in
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Bridgeless PFC
gemessen habe sind 200 w und 400 w. Das unsymmetrische Verhalten tritt in beiden fällen auf. alle mosfet erhalten, dasselbe Signal am Gate vom Treiber. Das in einem Zweig zwei Mosfets sind liegt, daran dass ich die Durchlassverluste minimieren möchte. Folgende Bauteile habe ich verwendet: Mosfet
Oliver, bist Du jetzt verzweifelt genug, um wenigstens versuchsweise auf die Parallelschaltung der Mosfet`s zu verzichten?
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Eigenen Chip produzieren. Kosten
unverdrossen einen Schaltkreis in der Art eines > ULN2803 oder "anderstrum" den UDN2981 a, nur mit MOSFET statt bipolarer > Kollegen im Inneren. Ich bin der Meinung, das man den loswürde, wie > warme Semmeln.MfG Paul Was für ein Problem hast du, dass du Mosfets dadrin brauchst ? Wenn du solche Leistungen drüberbraten willst, dass du Mosfets brauchst dann wirst du die Wärme in einem solchen Gehäuse nimmer los.
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Geräuschreduzierung über Gegenschall
Ich werfe da mal SiC-Mosfets als Schaltelement in die Runde... mfg mf
über die Schaltschwelle "gehoben". 3. MosFET schaltet aus Und beim Ausschalten dann das ganze rückwärts: 1. MosFET schaltet ein 2. Spule des Relais wird mit konstant abfallender Spannung bis zum "lösen" des Relais gebracht, also wieder
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12 V Max 1 Ampere am Stm32 3,3V
auch Versionen mit Inversion: TC4421A und TC4429. Gemeint ist, diese Treiber ohne zusätzlichen MOSFET, alleine. P.S: auf deiner Schaltung hast du für P-MOSFET falschen Symbol gewählt, von N-MOSFET. Für P-MOSFET sollte Pfeil von Gate zeigen. Außerdem solltest du Drain und Source tauschen. So wie
samuel schrieb im Beitrag #6320931: > Vgs von dem IR Mosfet ist zu klein, 10V IRF 7316 MOSFET, P-CH, 30V VGS +- 20 V ?
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Mosfet Treiberspannung
Hallo, ich hab einen "High-Side" Mosfet der einen Motor anschaltet. Es ist leider nicht möglich den Mosfet auf der "Low"-Seite einzudrahteln geht leider nicht (ist noch ein Schalter und noch mehr Elektronik dazwischen). Mein Problem,
Lothar Miller wrote: >> Eigentlich nicht. Es zerschießt nur den Mosfet. > Ja schon, aber der geht nur kaputt, /weil/ die Versorgung versaut ist. Nein. Ersetz mal den Motor durch eine Spule. Wenn der Mosfet aus ist, ist der Mosfet hochohmig, daher fließt kein Strom
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Temperaturmessung MOSFETs
Jau, das ist mir vorhin auch aufgefallen. Die Frage ist, inwiefern sich über den PTC/NTC auf die MOSFET-Temperatur schließen lässt... bzw. wo könnte man den platzieren? Parallel zur Source des oberen MOSFETs der Halbbrücke?
Ach ja: es gibt auch MOSFETs mit Temperaturfühler on Die.
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IRF5305S - Hitzentwicklung - Alternative
meine Glaskugel sagt, direkt vom ESP ohne (vernünftigen) Gatetreiber an den Mosfet, dann sind es zu hohe Schaltverluste. Alternativ viel schlechteren Mosfet erhalten, da würde mal 100% an und Spannung über DS messen helfen.
wegnehme fällt sie ab auf, 0,13V, am GND und Drain des Mosfet gemessen. Da erwärmt sich auch nix.
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Induktions Heizer
einfach aufgebaut in der Luft und mir ist aufgefallen dass es im Leerlauf 1A bei 12V verbracht die Mosfets werden nicht warm nur die Spule und der Kondensator.
so ein mini digital Oszilloskop angewiesen . Im Anhang ist ein Foto von dem signal am gate der Mosfets . MFG Luca?
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Mosfet über Taster und Microcontroller schalten
als Mosfet. Danke für eure Hilfe
Wenn ich statt des N Mosfet einen P Mosfet verwende und den auf der anderen Seite der Last verwende, funtioniert es dann?
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Sleepytroll - Akkutausch zerstört Elektronik?
Aus Interesse: Wie muss ich einen MOSFET verschalten um Ihn bei Spannungsfreiheit durchlegieren zu lassen?
Du hast möglicherweise den MOSFET gekillt, indem du mit elektrostatischer Aufladung drangefasst hast.
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Schaltregler dimensionieren
Hallo, ich hab eine PWM, die über einen Treiber einen P-Kanal MOSFET treibt. Die Schaltung entspricht quasi dem eines Buck-Converters, d.h. nach dem MOSFET kommt die Schottky-Diode, eine Spule und ein Kondensator. Die PWM krieg ich ungefähr mit 100kHz (Treiber und
und warum eigentlich den MOSFET-Treiber Q6/Q7 mit Vorwiderstand zum Gate Q5? Dann macht die Treiberstufe irgendwie keinen Sinn mehr... @ A. K. (prx) Q6 und Q7 bilden eine MOSFET-Treiberstufe, die über eine OpenCollector-Schaltung
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MP3-Player Bauteile für wenig Geld
@Joern, habe zZ. das gleiche Problem wie du ;) Ich vermute aber das die MCU über die MOSFETs während des Betriebes die Spannungsversorgung variabel ein/ausschalten wird. Gruß Hagen
Habe jetzt die Mail von Torex bekommen. Hier ein Auszug: <zitat> Your information: 212=Power MOSFET, Single, SOP-8 package The search result: Marking 2 : XP132AxxxxSx Marking 12 :XP13xA12xxSx The device is XP132A1275Sx, P-channel Single Power MOSFET. Your information: 412=Power MOSFET,
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Step up von 18v (M.ta Akku) auf 55V Led
gesagt hat funktioniert... Allerdings sterben seit dem auch mit neuen Boards und selben Umbau die Mosfets ab (irfp4110 und Hy3912)... Kürzlich geschehen auch ohne Last... Meine Frage ist jetzt, gibt es Alternativen um von 18V auf 55V zu kommen bei ca. 5A? Oder woran könnte es liegen das die Mosfets
hat (einige Stunden Betrieb ohne Probleme) Bis eines Tages der erste Mosfet kaputt ging und seit dem hab ich zwei weitere Boards vernichtet. Beim zweiten hat es kurz funktioniert bis der Mosfet abgeraucht ist. Und beim dritten ging gar nichts. Ich muss noch erwähnen, dass
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Elektronische steuerung von 3 Relais.
aber dann sind ja die Löcher umsonst gebohrt... BC817, oder halt IRLML6244, wenns unbedingt ein MOSFET sein soll.
10V UGS garantiert, Das ist wahrlich merkwürdig, schon weil Vgs(th) dort im Bereich eines LL-MOSFET liegt.
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MOSFET an langer Leitung betreiben.
Guest schrieb im Beitrag #4218924: > Und ich würde gerne 5V Mosfets verwenden. (8Stk) Du meinst Logic-Level-Mosfets, oder? Was sollen die schalten? Welche Mosfets hast du da im Visier? > Die örtliche Trennung brauche ich Ich würde das Ganze recht niederohmig
Die örtliche Trennung brauche ich > Ich würde das Ganze recht niederohmig halten (10k-Pulldown am Mosfet und > 100 Ohm Serienwiderstand am uC-Pin) und einen 100nF-Kondensator Den 100nF Kondensator dicht am MOSFET von Gate auf Source, nehme ich an, oder? ---100R----o-----MOSFET |
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Macht die Schaltung Sinn?
> Da die Gates aller Mosfets floaten, ist das Verhalten der Schaltung > eher zufällig. Leute das ist ein Prinzipschaltplan. Hier gilt Mosfet ::= Schalter. Da ist es total Wurst ob JFET oder MOSFET oder IGBT oder P oder N
Ich meine die Schaltung macht keinen Sinn. Auf der linken Seite, wenn der obere Mosfet den Strom durch die obere Diode abschaltet, gibt es eine extreme Spannungsspitze. Die Induktivität würde den Strom weiterfließen lassen, der Mosfet würde beschädigt werden.
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MPP (Maximum Power Point ) Solarmodul Solaranlage messtechnisch ermitteln
Vergiss es. So macht man das nicht. Die Ugs/Id Kennlinie des BUZ streut wie bei jedem anderen Mosfet auch und ist auch noch Temperaturabhängig. Dazu gibts zig Kurven im Datenblatt. Du braucht eine regelbare Konstantstromquelle mit Mosfet. Hier werden sie geholfen: https://www.mikrocontroller.net
Prinzipschaltung mit BUZ11 im Parallelbetrieb Kurz gesagt: so nicht. Weisst du denn überhaupt nicht, wir MOSFETs funktionieren ?
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Bitte gegenlesen: Verlustleistungsrechnung SOT-23 MOSFET
Hi Leute, habe schon eine Weile keinen MOSFET mehr ausgerechnet. Konzipiere gerade an einer kleinen Schaltung, die kurzfristig per Input von einem Touch-Schalter (AT42QT1011 Chip) über ein T-Flip-Flop einen MOSFET und damit einen LED-Streifen
die SOT-23 MOSFETs?
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MOSFet Datenblatt negative Ströme Bedeutung?
p-MOSFET vs n-MOSFET.
Effizienz (Wirkungsgrad) das > Gerätes erhöhen. Das einzige an dem man da drehen kann sind die MOSFets. > Ich bin mit N Kanal MOSFets mehr vertraut, aber bei den P dotierten > scheinen ein bisschen andere Gesetze zu herrschen. Du hast weder von MOSFETs eine Ahnung, noch von Schaltreglern. Du
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Wie ist ein billiger Grid Tie Inverter aufgebaut ?
ist, welcher den Strom limitiert. Aber da ich ja stolz auf mein Halbwissen bin und eh die drei Mosfet schon draussen hatte, hätte ich durchaus gerne drei neue Mosfet wieder eingelötet. Vielleicht wäre mir das Ding dann wirklich nicht beim nächsten Einschalten gleich wieder kaputt gegangen. Diesmal ist ein Mosfet auf der Hochvoltseite hops gegangen: https://www.mouser.de/datasheet/2/308/1/FCPF190N60E_D-2312211.pdf Es war übrigens einer der zwei Mosfet die einen Transistor in der Gate-Schaltung haben. Ich blicke
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Schaltgeschwindigkeit BUZ73L => Spannung fällt zusammen
gewählt. Und nicht nur das, er ist auch vollkommen falsch angeschlossen. Denn das ist ein N-Kanal MOSFET. Du brauchst aber ein P-Kanal MOSFET, sogar einen Logic Level Typen, da du nur 3,3V am Gate zur Verfügung hast. Für deine 700mA wäre ein IRF 7104 OK, ist aber SMD, siehe [[MOSFET-Übersicht]] Und zum
... Falk Brunner schrieb: > Hör auf zu "überlegen", fang an zu lesen und zu lernen. Auch ein MOSFET > ist ein Transistor! MOSFET -> Metaloxid-Halbleiter-Feldeffekt-Transistor (oder etwas in der Art) Ich weiss das ein MOSFET ein Transistor ist, nur eben ohne die Transistor-Effekte (Basisstrom
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Negative Spannung selbst erzeugen
Wozu den AD_Wandler? Das Gleichspannungssignal des OPV-Gleichrichters kann doch gleich den MOSFET steuern? Pegelanpassung und Verstärkung für den MOSFET sollte einfach sein. Blackbird
weder noch richtig sehen, greifen - geschweige denn löten kann. Und einen Vorteil haben die großen MOSFETs auch noch: Sie sind in dieser Anwendung wirklich schwer kaputt zu kriegen ... und das ist beim Prototypenbau schon mal von Vorteil. Außerdem denke ich, hätten kleine SMD MOSFETs nicht wirklich viel
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Heizstab an PV.Mudule anschliessen
im Netz vorhanden? Ist die Systemübersicht der Schaltung grundsätzlich fehlerhaft. Welcher MOSFET ist da geeignet? Gruß
konstant ist, ist per µC mittels U*I Auswertung eine selbstoptimierende Arbeitspunkt-Regelung über MOSFet kein Hexenwerk. Zusätzliche Investitionskosten: Leistungs-PWM in Selbstbau mit MOSFet-Brücke gegen Elektromigration. Zeitaufwand für Hard- und Softwareerstellung samt Testphase und evtl. "
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Unbekannte Bauteile in EVG für Leuchtstofflampe
der > Stelle ausgeschlossen. OK, dann müssen aber D8 und D9 Z-Dioden sein, damit das Gate vom Mosfet auf 0 gezogen werden kann.
der Zündung. Frage mich nur > vorher die kommt. Schau dir doch mal die Ansteuerung das Heiz-MOSFET an.
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Warum noch KFZ-Relais?
Scheibenwischer, Luefter, ...) Und jemand koennte mal eine Batterie falsch anschliessen. Dein Mosfet hat eine Body-Diode, die dann leitend wird. Also brauchst du einen Verpolschutz (und nein, eine Diode ist bei den Leistungen zu schlecht!) Einen Mosfet, falls er als High-Side Schalter verbaut wird
". Manchmal findet man jedoch in diversen Steuergeräten noch Kleinrelais. Läuft fast alles über MOSFET's und "abrauchen" (wie oben bezeichnet) wird da garnix.