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IRF5305S - Hitzentwicklung - Alternative
Last testen können. Hierbei handelt es sich durch einen ESP32 gesteuerten LED Stripe. Um das ganze Schalten zu können liegt an der Spannungsquelle (entweder 8.4V oder 12V) ein IRF5305S P-Kanal Mosfet (Im D-Pak Design) an. Das Schalten funktioniert auch und ist zuverlässig. Maximal laufen hier ~4,5A bei
Philipp S. schrieb im Beitrag #7299894: > Um das ganze Schalten zu können liegt an der Spannungsquelle > (entweder 8.4V oder 12V) ein IRF5305S P-Kanal Mosfet (Im D-Pak Design) > an. Das Schalten funktioniert auch und ist zuverlässig. Wie steuerst du ihn an
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autobatterie im pv speicher
sind. Aber, kann es Sinn machen z.b. 3-5 dieser Batterien hinter dem vorhandenen PV-speicher zu schalten und diese über einen Regler erst dann anzuzapfen wenn der eigentliche PV-Speicher leer ist? Damit würden man doch das häufige auf und entladen umgehen (zumindest bei uns) und die Speicherkapazität
Entladezustand der PV Akku kenntlich macht. Darüber könnte ein (oder mehrere parallel) entsprechender FET den Pb-Akku aktivieren/umschalten.
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Verständnisfrage - MOSFET als Relais für Wechsel zw. 5V 12V
Da Baby schrieb im Beitrag #7300121: > Der AP des MosFet wird so gewählt, dass sich das beschriebene Verhalten Ein Mosfet, der schalten soll, hat keinen AP ...
Jens G. schrieb im Beitrag #7300134: > Da Baby schrieb: >> Der AP des MosFet wird so gewählt, dass sich das beschriebene Verhalten > > Ein Mosfet, der schalten soll, hat keinen AP ... Natürlich der AP liegt im ohmschen Bereich, dabei gilt U_DS << U_K (Kniespannung) so
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Transistor Verstärker Invertierend/nicht Invertierend?
ob eine Schaltung invertierendes Verhalten hat oder nicht? Es geht um Bipolartransistoren sowie FET-Transistoren. Ich hab mal ein Beispiel, angehangen. Die Frage bei dem Beispiel ist: Begründen Sie anhand der gemessenen Kennlinien, dass es sich hier um p-Kanal MOSFETs (PMOS-Transistoren) handeln
oder wen interessieren Kennlinien? Bei mir soll ein Transistor das tun, woür der ausgelegt ist: Schalten, verstärken, abschwächen... was andres interessiert mich nicht.. Kennlinien was für Horror?!! Wenn ein Mosfet, ein Triac, ein Diac oder Teansistor nicht das tut, was er soll- austauschen, neu
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Defekter Motor Controller Bauteil / Mosfet Identifizieren
Sind DirectFETs. Durch die kleine Bauform sind die parasitären Komponenten gering und das Schalten entsprechend schnell. Kannst du aber nur mit Heißluft löten. In welchem Pedelec waren die verbaut?
Lötpaste und so ne billig china Fön Reworkstation, befürchte aber, dass diese Platine mit den Direct Fets auch zu gut die Wärme ableitet und ich sehe nicht mal, ob die Pins Kontakt haben. Die DirectFets sollten in 2 Tagen da sein. Dann weiss ich mehr. Mir stehen schon beim Gedanken, die 2 alten Fets abzulöten
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ESP32 D1 Mini an Lipo
seinem originalen 3V3-Regler und eine SD-Karte mit MCP1702-3V3 davor. Der ganze Kram wird über einen P-FET geschaltet und kann sich selbst vom Akku trennen. Aufgrund der geringen Ströme fallen an den 1702 nur etwa 100mV ab. Ich überwache meine Akkuspannung und fahre bei 3,25 Volt definiert herunter,
Ich glaube etwas Schrumpfschlauch an den Schaltern wäre nicht verkehrt, da das Gehause der USB Buchse Masse führt. Sieht recht eng aus, nicht dass es einen Kurzen gibt.
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LED Lichterketten 33V umbauen
jetzt nur noch als Signalgenerator und soll die Gates von 2 MOSFETs ansteuern, die schon ab 3VDC schalten können. Vor die Draht-Lichterkette setze ich erstmal jeweils nen passenden Widerstand, sodass die LEDs nicht überstromt werden (später jeweils eine Konstantstromquelle, dann aber statt dem 3V-NT
damit die KSQ´s richtig arbeiten können). Frage: Wie muss die elektronische Schaltung mit 2 MOS-FETs aussehen, wobei ja die positiven und negativen Signale jeweils den entsprechenden MOSFET durchschalten sollen, sodass die Lichterketten abwechselnd aufleuchten? Kann ich 2 N-Kanal-MOSFETs nehmen oder
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PIR-Sensor wird von BME680 gestört, warum?
Spannungsversorgung. Du hast alles auf der gleichen Versorgungsspannung (3,3V). Wahrscheinlich wird FET schon ausreichen um den BS612 zu triggern. Schalte mit dem FET die +5V vor dem LM1117. Und dann über Spannungsteiler raus. PS; Du kannst noch versuchen alles Spannungen (+3,3V) mit einer RC-Kombination
> Thomas B. schrieb: >> Die einzige Lösung war. >> Funkmodul 3,3V über Zenerdiode betreiben (schalten). >> Den Rest über VLP Regler. > > Hört sich spannend an. Kannst du das einmal aufmalen? Eigentlich braucht man es nicht aufmalen. Du schaltest einfach die 4,8V oder was man gerade zur
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DDR- Oszilloskop OG2-30/ OG2-31 Restauration
-) Spannung fehlen. Dem war auch so, diese wird im Kippgenerator, Baueinheit "Elektronischer Schalter" erzeugt, und liegt am Stecker 3 zur Vertikal- Baugruppe (im Plan links unten, Pfeile). Erst mal war wieder ein Transi im eigentlichern Schalter (Ts411) defekt, weil dessen Basis durch die Säure
Ablenkplatten. Die Mehrstrahligkeit wird durch elektronische Umschalter realisiert. Also z. b. 4 Schalter, die 2 oder 4 Quellen wechselweise schalten, und dabei um einen Betrag in der Höhe verschieben. Die Umschaltung kann während des Signaldurchlaufs bewirkt werden ("Chopper"-Betrieb), was eine sehr
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Konstantstromquelle Impedanzunabhängig
Implementierung so wie bei jeder KSQ mit nur einem opamp. Externe Fet oder bist sind bei der Last die Du angegeben hast sowieso unnötig.
Ladungspumpe bräuchte. Ach, weil die Stromsenke "darunter" das Source-Potential auch der Lowside Fets (und zwar variabel, je nach Strom) anhebt, meinst Du. Nun ja... Trotzdem wären ja zumindest die Sources der Lowside Fets noch potentialgleich, und beide Lowside-Treiber könnten daher auch gemeinsam
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ULN2803 zusätzliche Freilaufdioden verbauen?
den 2x 100nH) und dass diese Spitze ganz schnell kleiner wird, wenn ein langsamer Transistor zum Schalten genommen wird. Denn wenn die Schaltgeschwindigkeit auf die 250ns..1µs reduziert wird, dann ist die Spitze blitzschnell Geschichte.
VOR* den avalanche-rated FETs.
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GaN reines Marketing
denn bitte "usd/rdson"? https://www.google.com/search?client=opera&q=figure+of+merit+GaN+Si+SiC+FET&sourceid=opera&ie=UTF-8&oe=UTF-8 Die FOM von GaN FETs ist super, also auch niedriger R_ON. Falk B. schrieb im Beitrag #7294442: > Die Dinger sind RATTENSCHNELL! Das > klingt erstmal toll, weil
schaltet. Aber: Schaltet man sie z.B. nur so schnell wie Si-Fets bzw. Si-SJ-Fets, entstehen um einiges _niedrigere_ Störpegel. Wegen ihrer viel niedrigeren parasitären Kapazitäten. (Nur damit der TO das nicht als Stütze für seine relativ verdreht erscheinenden
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Ladegerät Saito ProCharger XL lädt nicht
T1 F954ON T2 SGSD200 der scheint mir den Ladestrom zu schalten sitzt vor dem Ladekabel T3 IRL Z34N T4 L2203N Das weiß ich nicht. Wo muss ich da messen? Und wieviel V müssten da anliegen? Ein 7805 ist auch verbaut welcher sicher für die interne Stromversorgung
wieviel V müssten da > anliegen? Bei den FET kannst du zwischen G und S messen. Dort sollten ca. 8-10V anliegen, wenn die durchgesteuert werden. > Ein 7805 ist auch verbaut welcher sicher für die interne Stromversorgung > zuständig ist.
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Warum dominiert die N-Kanal Technik?
meist NPN und N-Ch. Die Als ungelernter klingt aber das Schalten der Versorgungsspannung sinnvoller als das der Masse. Woher kommt dieses Ungleichgewicht? Vllt kann da jemand Licht ins dunkel bringen :-) Vorab vielen Dank und einen schönen Abend euch
geringer als die von Elektronen (bei N-Kanal). Damit kann man wesentlich geringere RDS_ON bei N-Kanal FETs erreichen als bei P-Kanal FETs. N-Kanal sind also in diesem Sinne verlustärmer. Wenn es der Wirkungsgrad sehr wichtig ist geht man bei einer Schaltung sogar so weit, dass man N-Kanal FETs als High Side
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Batteriespannung messen (6,5V) mit nrf52832 IC
ein kleiner DMC2400UV sollte zur Abschaltung des U-Teilers taugen. P-FET/N-FET in einem SOT-563 Gehäuse Runout
bekommt. Der > Basisstrom kann sehr gering ausgelegt werden, C-E will ich ja nur ein > paar µA schalten. Ist auch ziemlich egal, wenn ich das alle > Viertelstunde mal für 5 Millisekunden bestrome. https://www.mikrocontroller.net/attachment/581558/P-FET_Messung.png Genauso würde ich es so machen
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Verbindung Akku zu PCB: Wie richtig absichern?
Frage mit dem BMS Versagen: ja, eindeutig die Sicherung einbauen. BMS schaltet mit Halbleiter (FET) ab...wenn der durchlegiert, bist du froh die Sicherung als Leitungsschutz zu haben Was bisher nicht erwähnt wurde: neben der Höhe Stroms ist auch die Länge der Leung für die Querschnitt Auswahl
nicht mit 16A Feinsicherung abgesichert werden kann, sondern mit 8A oder so, also weniger Leistung schalten kann als ohne Sicherung bzw. für die Last überdimensioniert sein muss.
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Begrenzung des Einschaltstromes eines Wechselrichters
und den Widerstand nach ein paar 100ms per Mosfet brücken. Damit müsste der Mosfet nur "hart" schalten und hätte die Stromspitze von der Backe. Kommt also ein guter alter 555 ins Spiel. (Nein, nicht R+C am Gate!) Ich würde aber wirklich mit N-Kanal Fets arbeiten, gibt es mit phantastischen Daten.
kann von einem ersten Teilerfolg berichten: Ein 25 Ohm Widerstand, welcher mit einem einfachen Schalter kurzgeschlossen wird, bewirkt, dass der Lastausgang des Ladereglers problemlos eingeschaltet wird. Jetzt nur noch die Automatisierung mit dem MosFET. LG Martin
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Verfügbarer Bidirektionaler Pegelwandler 5V - 3,3V
viele? Hätte da auch noch ein paar P82B715PN in SOIC8 an Lager... Alternativ tut es auch 2 x N-MosFET ;-)
für 2.75V. Aber praktisch werden sie sich wohl nichts nehmen. Du willst ja keine Leistungen schalten. Du kannst ruhig die maximale Threshold-Spannung als Anhaltspunkt nehmen. Der Drainstrom wird nur unwesentlich größer sein als der Wert bei dem diese gemessen wird.
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kleines Punktschweißgerät
wenn ich mal was punkten muss nehme ich 2 je 2F Car-HiFi Kondensator, lade die je nach Bedarf und schalte sie mit einem alten schweren Motorschütz (3 Phasen parallel), da hat dann auch ein 25mm² 2x50cm gut funktioniert, das hatte ich vorher schon als Provisorium. Hier noch eine andere tolle Umsetzung
dann quasi als Kurzschluss in ca. 5ms über den Schweißpunkt entladen. Gesteuert über 5 Stück potente FETs mit sehr geringem RdsOn. Über eine Stromzange mit Peak-Detekt habe ich so ca. 300A gemessen, allerdings sehr abhängig vom Blech und den Eletroden (auch deren Anpressdruck) > Fragt einer der es
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Spannungsindikator 15V
würde sicherheitshalber aber noch eine schnelle Z-Diode zwischen > Gate und Source des Mosfet schalten. Wenn die 1,5kV hart draufgeschaltet werden, ist das ratsam.
Threads, alle Jahre wieder, nur andere Spannung. Die Loesung war aehnlich wie Arnos Schaltung mit SiC Fet. Fuer die Hochvolt zusaetzlich noch eine zweite LED mit Vorwiderstaenden. Wenn die Schaltung mal versagt ...
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Mosfetschaltung 24V mit Mikrocontroller
Pavel schrieb im Beitrag #7283666: > Der uC-Pin liefert im high > Zustand 5V und soll den IRF7103 schalten. Dieser steuert ein SSR an, > welches etwa 50mA zieht laut Datenblatt. Ja, das sollte klappen. Aber die LED würde ich persönlich eher über den Ausgang schalten, dann hast du gleich Kontrolle,
Manfred schrieb im Beitrag #7287108: > FET So was hat kein Problem mit ESD. Ein MOSFET allerdings schon.
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PWM glätten und regelbar machen
das PWM-Signal zu glätten und den LED Stripe über eine regelbare Konstantstromquelle aus OP und N-FET anzusteuern. Weil ich die Eingangsschaltung (PWM-Signal) nicht zusätzlich belasten möchte, soll meine Schaltung komplett über die separate 12V Spannungsversorgung betrieben werden. Dachte da auch
125kHz Quelle niederohmig ist, also brauchst du beide RC-Glied-Eingänge einfach nur noch parallel schalten. Falls du mehr Sicherheit willst, kannst du die RC-Glieder auch von 10k und 220nF auf 22k und 100nF verändern, da deine Trimmer RV sowieso nur 1k8 klein ist, geht das. Mach RV ruhig etwas größer
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Vorgang Platine prüfen
Bauteile parallel, und zwar nicht nur Kondensatoren. Wenn du einen Spannungsregler-IC mit P-Kanal-FET dabei hast, wäre es kein Wunder wenn du einen Kurzschluß mißt, obwohl du aber eigentlich gar keinen Kurzschluß hast. Und hängt bei der Diode noch eine Induktivität parallel? Auch da wäre es kein
Mohammed F. schrieb im Beitrag #7280171: > Wie ist das jetzt zu verstehen? Du misst ohne (Schalt)Plan die Bauteile im eingebauten Zustand, daher sind die Bauteile vom Drumherum beeinflusst. Aus einem Schaltplan könnte man ersehen, wann umgebende Teile die Messung stören. Notfalls wird das Bauteile
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Probleme mit Konstantstromquelle (Eigene Schaltung)
Induktivität und Freilaufdiode ergänzt werden > um einen besseren Wirkungsgrad zu bekommen.) Ist der "FET" nicht verkehrt herum in der "Schaltung"?
> Ein externes Signal (ein/aus) soll genutzt werden um das Pertierelement > ein bzw. aus zu schalten - Möglicherweise Temperaturabhängig mit > Hysterese. Jede Aufgabe muss ja auch einen Sinn haben, jedenfalls für mich.
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DC/DC Spannungsdrops während Bootvorgang uC
Sinn sowieso fragwürdig. Ansonsten mußt du halt irgendwie zaubern. Ein RC Glied, was per Logic Level FET die Ausgangsspannung erst mit etwas Verzögerung freigibt, oder eine Z-Diode, die oder etwas in der Art. Ich hatte ein derartiges Konstrukt, als ich vor 30 Jahren einen Gegentaktwandler von 6 auf 6V
@ WF88 > Ja Die Idee an den PGOOD-Pin ein RC Glied dran zu hängen > was dann mittels Kleinsignal FET die 3,3V durchschaltet. Nein, genau das meine ich nicht. machst du das mit Absicht?
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R 1k lässt HF Rechteckspannung von IC 555 nicht durch DIY Erodiermaschine
wären die Schutzdioden D9, aber es kann natürlich auch über einen der Gatewiderstände und einen defekt FET gehen.
du Stück für Stück die Widerstände R16 - R21 herausnehmen. Da zeigt sich dann, welcher oder welche FET´s Gate-mäßig defekt sind. Im Zweifel alle Fet`s ersetzen. Aber auf jeden Fall vielleicht zu Weihnachten das Multimeter - Oszilloskop wünschen. Viel Glück. Gruß von Paulus
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Ledwandler identifizieren?
gänzlich unmöglich. U1 dürfte der Schaltregler sein, U2 (der 8 Beiner oben rechts) ein externer Treiber FET und U3 möglicherweise ein µC für den IR-Fernbedienungsport. Die LED dürfte was ab 5A aufwärts sein. Darum meine Vermutung, das der Schaltregler einen externen FET hat.
LED dürfte was ab 5A aufwärts sein. Darum meine Vermutung, das der > Schaltregler einen externen FET hat. Der Schalter ist der unleserlich in SOT-23.
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HC SR-501 + shematic + funktion + Bauteile spec
nicht stimmen, sonst würde es beim anschalten rauchen. Warum möchtest du mit einem Optokoppler den FET schalten? Der Optokoppler sollte allein schon reichen für einen SPS Eingang. Dann hättest du sogar die galvanische Trennung noch.
ist umgekehrt montiert, doch danke für den hinweis. > Warum möchtest du mit einem Optokoppler den FET schalten? Ja zu kompliziert gedacht :( > Der Optokoppler sollte allein schon reichen für einen SPS Eingang. Dann > hättest du sogar die galvanische Trennung noch. Wie sollte der IC2 beschaltet werden
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Statische Regelung eines LDOs mit Folded Flipped Voltage Follower
der durch MC1 fließt niedriger -> Das Potentail bei A sinkt -> VGs wird größer -> Transistor als Schalter Fließt wenig Strom aus VOut heraus ist die Spannung an A größer -> wenn MC2 für Sättigung dimensioniert/gebiast ist fällt vds ab.
der nächste Schritt! Darf man Fragen, welche Prozessart? Also Standard-CMOS, Triple Well/HV, FinFet, SOI?
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Rechteckgenerator 0-10sek Puls+Pause - NE555?
genannten (letzter von der Ali-Seite) ist der Pulse-Mode noch erwähnt. Der kann wohl sogar bis 8A schalten. Trotzdem werde ich noch ein FET oder Relais dahinter hängen. Ich hatte u.a. auch vor mal testweise eine KFZ-Zündspule damit zu zünden ähnlich dieser Schaltung https://mosfetkiller.de/image.php?c=
eine andere Variante mit einem deutlich größeren MOSFET, das ist die, die (angeblich) 8A schalten kann.
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LED E27 nach 14 Monaten schon defekt?
Wenn man weniger Licht braucht, kann man noch deutlich weiter runter mit dem Strom. Zum häufigen Schalten, Nulldurchgangsschalter.
solid-state-lighting-driver-ics/iw3658-dimmable-single-stage-15w-ssl-led-driver-integrated-high-voltage-fet (IW3658 phasenAN- und -ABschnitt dimmbarer 15W LED Treiber SO8) https://datasheets.maximintegrated.com/en/ds/MAX16841.pdf (dimmt durch reduzierten Konstantstrom trotz Phasenanschnitt und Phasenabschnitt
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MOSFET als Diode
Ich möchte eine Diode durch ein MOSFET ersetzen, um diese MOSFET-Diode schalten zu können. Gibt es einen dafür geeigneten MOSFET (ohne innere Diode) mit einer Sperrspannung von mehr als 60V ? Danke für Hinweise.
Wolfgang S. schrieb im Beitrag #7270314: > um diese MOSFET-Diode schalten zu können Was ist eine MOSFET-Diode? Und warum und was willst du daran schalten?
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Nur high wenn alle Open-Drains low?
auswerten, dass ich nur dann ein high/low rausbekomme, wenn ALLE > Open-Drains low sind? Du schaltest aller Open-Drains parallel und einen Pull-Down nach Gnd. Wenn alle FETs offen sind (P-Kanal) zieht der Pull-Down den Ausgang auf Low. Falls High rauskommen soll, brauchst du noch einen Inverter.
Früher hätte man die Open Drain FETs in Reihe geschaltet. Gruß Anja
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Analog Multiplexer 32 Kanäle, Binär addressiert, I2C ?
Bauelemente verwenden kann? Auch beim VGA bin ich für Vorschläge offen, z.B. Transistorschaltung/FET oder reine OPV-Schaltung.
will 25 (später 75) Analogsignale selektiv > (parallel) auswählen und auf einen Opamp/VCA/VGA schalten. Mit "selektiv" meinst du jeweils nur einen Kanal zum ADC des µC schalten? Dein "parallel" verstehe in dem Zusammenhang nicht. > Ein STM32F103C8T6 steht zur Verfügung. > A0-A3 sind Ausgänge
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Gatetreiber mit Ladungspumpe für 48V Applikation
der SW sollten schon laufen. Der Vorteil ist, das die Mosfets sicher bei jeder Betriebsspannung schalten. Die Strombegrenzung macht das NT des Motors. In der Zeichnung ein kleiner Auszug. Vielleicht ist das was für Dich. Gruß Carsten
Zu Bert S. Post... Was spricht gegen ein paar P-Fet parallel ? Ist doch viel einfacher.
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Ersatzbauteil - BMS incl. Balancer
jemand ein Batterieschutz-IC für 3 LI-Ionen Zellen in Reihe inkl. Balancer (am liebsten mit externen Fets für höhere Balanceströme). Ich habe nur einen älteren Typ gefunden, welcher wohl nicht beschaffbar ist: - BM3451: Über/Unterspannung, Überstrom, Temperatur, Balance mit ext. fet Dieser wäre eigentlich
(kennt jemand) auch welche, deren Fets im VCC-Pfad sitzen ? Anbei mal der aktuelle Stand. Gibt es Anmerkungen eurerseits ?
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PWM mit großer Leistung
> Eingangssppannug einfach einen der beiden mit einem Schütz überbrücken. Oder beie parallel schalten, wenn seine Stromquelle das hergibt. Old-Papa
auf 32Ohm sind das 25A, wenn der Heizstab kalt ist deutlich mehr. Also mit Sicherheiten ein 1200V Fet / IGBT der 50A+ schalten kann. Von mir aus sogar einen superschnellen SiC Fet. Steuer den mal so an das der von 800V/0A auf 2-3V/25A in einstelligen ns schaltet, was auch immer noch kein Rechteck
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Wie erkennen Wechselrichter Netzausfall?
einer der Toleranzgrenzen hinauslaufen, entweder Frequenz oder Spannung wird weglaufen und dann schalten die Wechselrichter ab. Es gibt auch Wechselrichter, die teils sehr aufwendig probieren, die Netzimpedanz zu messen oder sie schalten schon bei Frequenzsprüngen ab, die für sich genommen noch im
eine Tugend machen. Ist halt die einfachste Lösung die H-Brücke mit Zwischenkreis an das Netz zu schalten, ohne dass es rumst.
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Filterdaten gesucht
- und Ausgang eine Impedanz von 50 Ohm. Einstellbare Widerstände zwischen nanoVNA und Filter schalten, und die geringste Welligkeit suchen und dann die Widerstände messen. Und die 50 Ohm vom nanoVNA noch dazu addieren.
Ohm par 30 pF oder so. Guter Tip, also noch Trimmkondensatoren parallel zu Ein- und Ausgang schalten, die beeinflussen auch noch die Welligkeit.
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Diode aus einer Microwelle für einen Detektor nutzen?
µs, ± 2.5V bis ± 7.5V, SOIC, 8 Pin(s) oder OPA859 - 1.8 GHz Unity-Gain Bandwidth, 3.3 nV/√Hz, FET Input Amplifier oder OPA858 - 5.5 GHz Gain Bandwidth Product, Decompensated Transimpedance Amplifier with FET Input oder https://www.ti.com/de-de/amplifier-circuit/op-amps/high-speed/
> Anschlüssen gibt. Gibts auch nicht. Das ist ja auch kein HF-Transistor, sondern eher ein Schalter.
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Nuclear magnetic resonance (NMR) im Erdmagnetfeld
von Alexander Mumm spendiert. Darin arbeitet ein IRLR120N als 100V-Zenerdiode. Der mechanische Schalter besitzt eine Mittelstellung. Genau während sich der Schalter beim Umschalten kurze Zeit in dieser Mittelstellung befindet, entlädt sich die Spule. Erst dann wird mit etwas Fingerspitzengefühl die
Eingangsdioden und OP Verstärker Eingang permanennt zu kurzschließen mit Entladung beim schnellen schalten. Möglicher Halbleitet Kurzschluß ist aber leicht mit Multimeter zu finden.
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BLDC Terminus Haarspalterei
könnte, wenn man im angehängten Bild Dauerplus an "Neutral" hängt, dann würde es reichen die Low Side Fets nacheinander auf Masse zuschalten, die Phasen würde dann nur noch in eine Richtung vom Strom durchflossen werden und der Motor würde trotzdem drehen, aber mit schlechter Performance. Natürlich
controlled") heißen. Das würde den Kern eher treffen. Nachdem der Controller ja auch nur an- und aus schalten kann in der Endstufe, wäre es genauso sinnhaft, das Ding Digitalmotor zu nennen. Wäre ja richtig...
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Warum werden Konfigurationssignale an IC's immer mit einem Widerstand auf VCC oder GND gezogen?
damit man den Pin noch schalten kann
einen Pin auf Ausgang mit Vcc schaltet, aber ich habe noch niemanden gesehen, der z.B. seine DIP-Schalter mit 330 Ohm oder so nach Masse schaltet. Ungenutzte IO-Pins verbinde ich mit nichts, sondern definiere sie als Ausgang und schalte sie nach GND. Dann können sie sich keine Störungen einfangen und
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up1504T Datenblatt
wurde auf MB erfolgreich in up6103s8 geändert 24. März 2014 - 10:57 Streik >> 211 >> 39.05 Schalter up1504t erfolgreich durch up6103s8 auf MB MS-7732 VER:1.1 ersetzt" http://www.rom.by/comment/379294 https://www.chinafix.com/thread-804650-1-1.html Vielleicht irgendwie kompatibel, hab alles
Step-Down Synchronous Switching Regulator SO-8 Package Mit Sicherheit nicht. Der LTC1504 hat die FETs integriert, UP1504T und UP6103 nutzen externe FETs.
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Womit hohen Pulsstrom durch 1 Ohm Last jagen?
60mF allerdings ne Ansage) - Koaxiale Leitungsführung - Induktionsfreie Widerstände. - Behlke Schalter wenn das Budget anständig ist Ansonsten baust Du was mit IGBTs oder Fets. Massiv parallelschalten mit einem Gatetreiber der die auch schnell aufbekommt. Das macht Behlke auch nicht anders.
Beitrag #7257011: > Ignitron Hatte ich den TO falsch verstanden? Wollte der jetzt flauschige 400A Schalten oder 400KA wie ein echter Mann? 🙄 Also im Ernst, 400V und 400A sind nun nicht so das Ding. Da nimmt man einen billigen 600V Fet in x-facher Ausfertigung, jeder mit eigenem Gate Treiber weil man
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24V Relais - Mosfet Vds
Übertragungskennlinie nach um 0,3V nach recht schiebt, ist bei 3,3V UGS noch VIEL Luft, um SAGENHAFTE 8,3mA zu schalten . . . Es sind ja nicht 1,21 GW! ;-)
Alternative Ja, eine große Auswahl an NPN-Transistoren, z.B. BC847 oder BC846. Man muß nicht überall FETs einbauen und diese außerhalb der spezifizierten Daten betreiben.
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SSR mit normally closed verhalten
SSR mit 230V AC Steuerspannung und normally closed verhalten. Soll ohmsche Lasten bis 2000W schalten. Könnte man ein vorhandenes Lastrelais durch Austausch des Triacs entsprechend umbauen? Gibt es solche Triacs? Danke.
Mir ist mal eine Schaltung unter gekommen, die arbeitete mit einem Brückengleichrichter und einem FET. Der FET war zwischen + und - des BG geschaltet und konnte somit Wechselspannung schalten. Da dann einen selbstleitenden Typ nehmen und etwas Hühnerfutter, voila... M.
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NPN am STM32L4 ohne Basisvorwiderstand?
Wenn der Platz so knapp wird: Nimm einfach kleine LL-FETs statt den Bipolaren. Selbe Bauform, kein Vorwiderstand nötig.
Vorwiderstand gegen die 5V und schaltet low aktiv. Man kann auch rote LEDs von ner 3,3V CPU gegen 5V schalten. Die glimmen dann ganz schwach, wenn aus.