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Big_Motor1.pdf
0.91 4.5 1.27 2.2 2.3 0.000390 11 58 0.55 M3BP 71 MB 2 2813 77.8 78.3 76.0 0.79 1.29 4.3 1.86 2.4 2.5 0.000510 11 56 0.75 M3BP 80 MB 2 2895 80.6 79.9 76.2 0.74 1.81 7.7 2.4 4.2 4.2 0.00100 16 57 1.1 M3BP 80 MC
in „Drehmoment beim Drehstrommotor im Anlauf berechnen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irlz24n.pdf
+n-ResistancFFF F 5S5w° Ω 1 GSFDF°S51 D@ FDF88mF FFF F 5S85° 1 GSFDFLS51 D@ FDFQS5mF 1GS(th) rateF=ydesyoGfF1oGta±e 8S5 IS5 1 1 DSFDFGS FD FDFI°59m ±fs lodpadfF=dansconfuctance PS3 k 1 DSFDFI°1 D@ FDF88m I° 9m 1 DSFDF°°1 FGSFDF51
in „IR2127 Beschaltung als Low Side Schalter + Mosfet“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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UPD43256.pdf
— — IOH = –0.02 mA VC–0.1 VC–0.1 Low level output voltage VOL IOL = 2.1 mA, V CC≥ 4.5 V 0.4 0.4 V IOL = 1.0 mA, V CC< 4.5 V 0.4 0.4 V OL1 IOL = 0.02 mA 0.1 0.1 Remarks 1. V I: Input voltage 2. These DC characteristics
in „IC P51256Sl-10 SRAM“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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4N32-4n33.pdf
CHARACTERISTICS(T =25°C) a Parameter Symbol Min Typ. Max Unit Test Condition Note INPUT Forward Voltage V F - 1.24 1.4 V IF=10mA Reverse Current R - - 10 μA VR=6V Input C in - 50 - pF V=0, f=1kHz Capacitance OUTPUT Collector Dark CEO - - 100 nA VCE10V Current Collector-Emitter Breakdown BV CEO 55 - - V C =0.1mA Voltage Collector-Base Breakdown BV CBO 55 - - V C =0.1mA Voltage Emitter-Collector Breakdown BV ECO 7 - - IE=0. 1mA V Voltage Emitter-Base Breakdown BV EBO 7 - - V IE= 0.1mA，IF=0 4N32/4N33 © ISOMICRON. 2023. All rights reserved www.isocom-micron.com
in „Optokoppler invertieren?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Transistor__Rauschen_in_Transistoren.pdf
Ra: 196 Ω 0,255 μV 2,55 μV R3: 511 Ω 0,411 μV 0,411 μV R4: 51,1 0,13 μV 1,3 μV Ω T1: --- 0,089 μV 0,89 μV Als Gesamtrauschen ergibt sich damit ein Wert von 3,02 μV, was bedeutet, daß sich das Rauschen auf nur noch 1,5 dB reduziert
in „Maximales Widerstandsrauschen am Bipolartransistor“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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4511_phillips.pdf
browsing through the pdf in the Acrobat reader. white to force landscape pages to be ... a P u B p y C s 1 D e 5 o c 7 n s u g o m s e n a c h d c o e / r v 3 r P H d F c 4 p M 1 c S c Fig.5 Logic diagram; for one latch see Fig.6. I B i n Philips Semiconductors Product specification HEF4511B BCD to 7-segment
in „Sieben-Segmentanzeige: Problem mit "6"“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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pbv.pdf
/ Precision resistors Technis che Daten / techni cal da ta Widerstandswerte Resistance values 0,5 mOhm - 1 Ohm Toleranz Tolerance 0.5 % , 1 %, 5 % Temperaturkoeffizient(MANGANIN®) Temperature coefficient (tcr) < 30 ppm/K ( 20 °C to 60 °C ); > R010 Temperaturbereich Applicable temperature range -55
in „Shunt von Isabellenhütte“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Hexfiles_in_Tabelle.pdf
3FFF MOVWI -1[FSR1] 0396 23D4 CALL M03D4 M03E8 0397 00B0 MOVWF 0x30 03E8 3FFF MOVWI -1[FSR1] 0398 0EB0 SWAPF 0x30,f 03E9 3FFF MOVWI -1[FSR1] 0399 0855 MOVF 0x55,w M03EA 039A 23D4 CALL M03D4 03EA 3FFF MOVWI -1[FSR1
in „Was kann einem PIC16Fxxx das Programm zerschießen?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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MAX712_MAX713_MAX.pdf
AT C/2 RATE CHARACTERISTICS AT C/2 RATE 2 2 M M 1.55 V 1.50 V C CUTOFF 40 C ) t CUTOFF 35 ( ) t ( ( R ( R G T G1.50 35 T T A T A L1.45 V 30 E O V E V M V M L T L1.45 30 T C L C L 1.40 T 25 E T E C 1.40 25 C 0 50 100 150 0 50 100 150 CHARGE TIME
in „Akku-/Batteriekapazität messen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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INA138.PDF
120 R = 500kΩ L ) G = 100 30 B 100 ( R L 50kΩ i 20 c 80 ) j ( R G = 10 i 10 e 60 a o G R L 5kΩ - G = 1 0 n 40 m m –10 o 20 C L 10nF CL= 1nF CL= 100pF C –20 0 100 1k 10k 100k 1M 10M 0.1 1 10 100 1k 10k 100k Frequency (Hz) Frequency (Hz) POWER-SUPPLY REJECTION vs FREQUENCY TOTAL OUTPUT ERROR vs V IN 140
in „Stromverbrauch am Akku messen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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YAMAICHI_TS-Katalog-2017_01_2.pdf
554 DUAL INLINE MEMORY MODULE (DIMM) 72 PINS - TH SPECIFICATIONS PART NUMBER Insulation Resistance: 1,000MΩ min. at 500V DC IC-554 - 1 - MF Dielectric Withstanding Voltage: 700V AC for 1 minute Contact Resistance: 30mΩ max. at 10mA/20mV max. Series No. Operating Temperature Range: –55°C to +170°C Mating
in „TSOP-66 Sockel zum testen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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LT3465.pdf
75 SW VOUT % Y VIN C 70 CIN LT3465/ COUT I 1µF LT3465A 1µF I 65 E CTRL FB GND R1 60 4Ω 3465A TA01a 55 C INTAIYO YUDEN JMK107BJ105 LT3465 C OUT: AVX 0603ZD105 LT3465A L1: MURATA LQH32CN220 50 0 10 20 30 40 50 LED CURRENT (mA) 3465A TA01b Li-Ion
in „s65 display stromversorgung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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MAX712-MAX713.pdf
BATTERY CHARGING CHARACTERISTICS AT C/2 RATE MAX712/13 toc08 CHARACTERISTICS AT C/2 RATE MAX712/13 toc09 1.55 40 1.50 ΔV ) ΔV CUTOFF ) ) Δt CUTOFF 35 ( ) Δt ( ( E ( E G U G1.50 35 U T A T R O 1.45 V 30 P O V P V M V M E T E1.45 30 T C T L C L 1.40 25 C T C 1.40 25 0 50 100 150 0 50 100 150 CHARGE TIME (MINUTES
in „Kleine Nimh ladeschaltung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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grundlagen-reed.pdf
Hallsensor Sensibilität Externes Magnetfeld 0,5 mT Externes Magnetfeld 1,5 mT Schaltabstand Bis zu 40 mm und gegebenenfalls mehr Bis zu 20 mm Gleichstrom > 10 mA, empfindlichkeits- Leistungsaufnahme Keine abhängig Konstante Energieversorgung Nein Zwingend
in „Wetterstation mit Kippwaage und Akkubetrieb“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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HCF4069UB.pdf
2 2 2 V 13.5/1.5 <1 15 2.5 2.5 2.5 IOH Output Drive 0/5 2.5 <1 5 -1.36 -3.2 -1.15 -1.1 Current 0/5 4.6 <1 5 -0.44 -1 -0.36 -0.36 mA 0/10 9.5 <1 10 -1.1 -2.6 -0.9 -0.9 0/15 13.5 <1 15 -3.0 -6.8 -2.4 -2.4 IOL Output
in „CD4049 in rauscharm, gibts das?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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WC24h_18x16_Test.xml
minute="55" wRef="w1 w2 w23 w38" hourInc="1" /> <Minute minute="56" wRef="w1 w2 w6 w38" hourInc="1" /> <Minute minute="57" wRef="w1 w2 w5 w38" hourInc="1" /> <Minute minute="58" wRef="w1 w2 w9 w38" hourInc="1"
in „Minutengenaue 24 Stunden-Wortuhr - wer will mitbauen?“ · Projekte & Code ·
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PSpice_LibraryguideOrCAD.pdf
SR1S14BM105Z SR1K20M105Z/SIE SIEMENS.OLB Epcos Metal Oxide Varistor SR1S14BM155Z SR1K20M155Z/SIE SIEMENS.OLB Epcos Metal Oxide Varistor SR1S14BM474X SR1K20M474X/SIE SIEMENS.OLB Epcos Metal Oxide Varistor
in „pSpice - Bauteil hinzufügen.“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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0s922lq6p7gwsc2hhzx6z4e3pl3y.pdf
(Vdc) Figure 7. Load Regulation Figure 8. Current Limit ) 3.0 A E ( 70 A ▯V out= 100 mV N L ) IL= 1.5 A R 65 V d 2.5 U U V( C 60 T IA I U T 1.0 A T 55 - E 2.0 E U E M 50 N FI S t D 500 mA J 45 o 1.5 A - 200 mA ,d 40 V IA 20 mA 35 1.0 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 -50 -25 0 25 50 75 100
in „LM317 Spannungsregler“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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CD4027.pdf
§ DC Electrical Characteristics CD4027BM (Note 2) b 55§C a 25§C a 125§C Symbol Parameter Conditions Units Min Max Min Typ Max Min Max IDD Quiescent Device CurrentDD e 5V, IN e VDD or SS 1 1 30 mA V e 10V, V e V or V 2 2 60 mA DD IN DD SS VDD e 15V, VINe
in „Ic's verbauen. Grundlagen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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bc557.pdf
-2.0 -5.0 -10 -20 -50 -100 IC, COLLECTOR CURRENT (mAdc) C , COLLECTOR CURRENT (mAdc) Figure 1. Normalized DC Current Gain Figure 2. “Saturation” and “On” Voltages -2.0 1.0 ( ⋅ E TA= 25⋅C V -55⋅C to +125⋅C A ( 1.2 L -1.6 T V I R I 1.6 T -1.2 F M O - C
in „bc557 kennlinie im datenblatt“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irs2453d.pdf
2.2 2.3 2.5 RT = 100 μA, --- 10 50 R T 140 kΩ V = 0 V V RTSD SD mode R oTtput voltage, V CC - VRT mV CT RT = 1 mA, --- 100 300 R = 14 kΩ T VCT = 0 V Bootstrap FET Characteristics V B1_ON VBwhen the bootstrap FET is on 13.7 14.0 --- V VB2_ON IB1_CAP IB2_CAP VBsource current when FET is on 40 55 ---
in „oscillator, 555, gate driver“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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datasheet.pdf
V,DI = 0.25 mA,jT = 25 °C 100 - - Gate threshold voltage V GS(th) V GS=VDS, D= 1 mA 2.1 3 4 Zero gate voltage drain current IDSS µA V DS= 100 V, VGS= 0 V, j = 25 °C - 0.1 1 V DS= 100 V, VGS= 0 V, j = 125 °C - 10 100
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VN02N.pdf
Supply Voltage -4 V ISTAT Status Current 〉 10 mA V ESD Electrostatic Discharge (1.5 k , 100 pF) 2000 V o Ptot Power Dissipation at c 25 C 29 W Tj Junction Operating Temperature -40 to 150 oC Tstg Storage Temperature -55 to 150 oC CONNECTION DIAGRAM
in „Schottky-Diode gegen "reverse supply"“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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ViertelKurve.ino
float p; //int p; int m; int n; int plot; int val; int l; //Sinussignal signed char S[400]= {0,0,1,1,2,2,2,3,3,3,4,4,5,5,5,6,6,7,7,7,8,8,9,9,9,10,10,10,11,11,12,12,12,13,13,14,14,14,15,15,15,16,16,17,17,17,18, 18,19,19,19,20,20,20,21,21,22,22,22,23,23,23,24,24,25,25,25,26,26,26,27,27,28,28,28,29,29,29,30,30,31,31,31,32,32,32
in „Arduino Micro char array Wert negieren“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Hoa2498_1.pdf
Collector-Emitter Voltage 30 V 15 V Emitter-Collector Voltage 5 V 5 V Power Dissipation 75 mW [À] 75 mW [À] Collector DC Current 30 mA 30 mA Notes 1. Derate linearly at 0.71 mW/¡C above 25¡C. changes in order to improve design and supply the best products possible. h © Honeywell Inc. 17 September
in „HOA2498_001 reflective sensor zu verschenken“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Hoa2498_1.pdf
Collector-Emitter Voltage 30 V 15 V Emitter-Collector Voltage 5 V 5 V Power Dissipation 75 mW [À] 75 mW [À] Collector DC Current 30 mA 30 mA Notes 1. Derate linearly at 0.71 mW/¡C above 25¡C. changes in order to improve design and supply the best products possible. h © Honeywell Inc. 17 September
in „EEproms 24C32 zu verschenken“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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ElektronikBauteile.pdf
1,00 M-Ohm METALL 1,00M 0,08 € 8,20 € 30 10 Kohleschichtwiderstand 1/4W, 5%, 10 K-Ohm 1/4W 10K 0,10 € 1,00 € Seite 1 reichelt 31 100 DIODE 1N 4001 0,02 € 2,00 € 32 25 Metallschichtwiderstand 12,0 K-Ohm
in „[V] - Elektroniksammlung“ · Markt ·
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001016774-da-01-en-IC_8BIT_SHFT_REG_SN74HC595N_PDIP_16_TID.pdf
T = 25°C SN54HC595 SN74HC595 PARAMETER TEST CONDITIONS VCC A UNIT MIN TYP MAX MIN MAX MIN MAX 2 V 1.9 1.998 1.9 1.9 IOH = −20 μA 4.5 V 4.4 4.499 4.4 4.4 6 V 5.9 5.999 5.9 5.9 VOH VI= V IHor VIL Q H′IOH = −4 mA 3.98 4.3 3.7 3.84 V 4.5 V Q AQ ,HI OH = −6 mA 3.98 4.3 3.7 3.84 Q H′IOH = −5.2 mA 6 V 5.48 5.8 5.2 5.34 Q AQ ,HI OH = −7.8 mA 5.48 5.8 5.2 5.34 2 V 0.002 0.1 0.1 0.1 IOL = 20 μA 4.5 V 0.001 0.1 0.1 0.1 6 V 0.001 0.1 0.1 0.1 VOL VI= V IHor VIL Q H′IOL = 4 mA 0.17 0.26 0.4 0.33 V 4.5 V Q AQ ,HI OL= 6 mA 0.17 0.26 0.4 0.33 Q
in „Schieberegister SN54HC595 mit Atmel atmega 88 ansteuern“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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lm324-n_OPV.pdf
TI -25 to 85 LM224J LM2902M NRND SOIC D 14 55 TBD Call TI Call TI -40 to 85 LM2902M LM2902M/NOPB ACTIVE SOIC D 14 55 Green (RoHS CU SN Level-1-260C-UNLIM -40 to 85 LM2902M & no Sb/Br) LM2902MT NRND TSSOP PW 14 94 TBD Call TI Call
in „Schwebende Magnetkugel - Simulation“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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GD32F350xx_DS_v1.1.pdf
1 1 HDMI CEC 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 GPIO 24 24 24 27 27 27 39 39 39 39 55 55 55 55 Capacitive Touch14 14 14 14 14 14 17 17 17 17 18 18 18 18 Channels Analog Comparator 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2
in „"NUCLEO"-Borads von GigaDevice“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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GD32F350xx_DS_v1.1.pdf
1 1 HDMI CEC 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 GPIO 24 24 24 27 27 27 39 39 39 39 55 55 55 55 Capacitive Touch14 14 14 14 14 14 17 17 17 17 18 18 18 18 Channels Analog Comparator 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2
in „"NUCLEO"-Borads von GigaDevice“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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MAX4508-MAX4509.pdf
HighVIN_H C, E, M 1.8 2.4 V A_ Input Logic Threshold Low V IN_L C, E, M 0.8 1.8 V A_ Input Current Logic IINH_ VIN_ 0.8V or 2.4V C, E, M -1 0.03 +1 µA High or Low INL_ _________________________________________________
in „Messsystem mit PhotoMOS“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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datasheetFilter.pdf
a . m * : EIAJ MONTHLY CODE KMFC626C- 6 7 R1 M * (A) (B) q w q w 1.0T0.1 1.0T0.1 C0.5 1.2T0.1 Rg E1 q R2 E2 R.F. a e e Voltmeter m S.S.G. 4 0 dBm 1.0 4.0 1.0 1.5 1.5 3.0 6.0 Sealing Sealing Connection (A)
in „Superhet mit einer Loop-Antenne=Empangsspule für KW“ · HF, Funk und Felder ·
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dn501f.pdf
w4 1μF D1 D2 4.7μF 50Ω BST2 10V IVINN 0.1μF C OUT 470nF BST1 4.7μF TG1 M1 0.1μF M4 1M 50V 499k 499k VINP w5 100 EN/UVLO SWI L1 10μH 99 OVLO BG1 M2 M3 34.2k 27.4k 43.2k INTVCC 98 BOOST BUCK LT3791 SNSP 97
in „12V Ausgangsspannung in Unabhängigkeit der Eingangsspannung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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hmc646.pdf
0 0 B -0.5 B-0.5 ( ( S S L L N -1 N -1 T T R R S +25C S +25C I -1.5 +85C I-1.5 +85C -40C -40C -2 -2 1.5 1.55 1.6 1.65 1.7 1.5 1.55 1.6 1.65 1.7 FREQUENCY (GHz) FREQUENCY (GHz) Isolation with 1600 MHz Tuning Return Los s with 1600 MHz Tuning 1 1 0 0 Tx, Input -10 RFC to Tx Rx, Inputt T RFC to RX B-10 Rx, Output B ( M (-20 S S I L A N-20 - O-30 U I E T R-30 D -40 P S -50 -40 1.5 1.55 1.6 1.65 1.7 1.5 1.55 1.6 1.65 1.7 - FREQUENCY (GHz) FREQUENCY
in „passiv Video Übertragung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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HI-200-201.pdf
0 to 75 16 Ld SOIC M16.15 0 ON ON HI9P0201-9 -40 to 85 16 Ld SOIC M16.15 1 OFF OFF 1 CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures. 1-888-INTERSIL or 407-727-9207pyrigh
in „Suche Informationen zu Bauteil“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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THB6064AH.PDF
hysteresis voltage VH 400 mV M1, M2, M3, CW/CCW, CLK, IN (H) RESET, ENABLE, DCY1, DCY2 55 80 Input current V IN 5.0 V A IN (L) V IN 0 V 1 Output open, IDD1 RESET: H, ENABLE: H 3 7 M1:L, M2:L, M3:L (1/2-step mode) VDD
in „CNC Fräse - komplette Steuerung kaufen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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hcf4094.pdf
V Supply Voltage -0.5 to +22 V DD V I DC Input Voltage -0.5 to DD + 0.5 V I DC Input Current ± 10 mA P Power Dissipation per Package 500 (*) mW D Power Dissipation per Output Transistor 100 mW T Operating Temperature op -55 to +125 °C Tstg Storage Temperature -65 to +150 °C Absolute Maximum Ratings
in „Einfache Schaltung mit 4094“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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ZLDO1117.pdf
+25°C, unless otherwise specified.) Parameter Conditions TA Min Typ Max Unit (VINVOUT) = 2V,OI = 10mA 25 1.238 1.250 1.263 Reference Voltage ZLDO1117-ADJ VOUT+1.4V < VIN 10V, V FT 1.225 1.275 10mA < IO< 1A O = 10mA, V IN3.2V 25 1.188 1.200 1.212 V ZLDO1117-1.2 10mA< IO< 1A, 2.7V <VIN 12V FT 1.176 1.224
in „Def. Mikrocontroller auf Geschirrspüler-Platine?“ · Haus & Smart Home ·
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LT3582-12_Datasheet.pdf
W ) 75 120 W ( 60 R ( R C O C 100 O E 65 50 S E 65 S I ( I 80 ( F 40 W F W E 55 ) E 55 60 ) 30 20 40 45 45 10 20 35 0 35 0 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 LOAD CURRENT (mA) LOAD CURRENT (mA) 3582512 TA02b 3582512 TA02c Efficiency and Power Loss, Load fromV OUTP to V OUTN 95 300 V IN= 3.3V
in „Stromverbrauch einer Schaltung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Infineon-BFQ790-DS-v02_00-EN.pdf
Dissipate Thermal Junction Mode Temperat Current Power 2) Power 3) 4) d Power 5) Resistanc Temperat ure1) e ofpcb 6) ure7) TA C P DC P RFout η P diss RTHSA TJ [°C] [mA] [mW] [mW] [%] [mW] [K/W] [°C] (dBm) Compressi 55 250 1250 500(27) 40 750 45 110 on Finalstage 55 200 1000 250(24) 25 750 45 110 HighT A
in „HF-Ausgangsleistung - Verständnisfrage“ · HF, Funk und Felder ·
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Technical_Information_Isabellenhuette.pdf
8,95 1,21 13,1 1,37 17,1 0,140 31,8 0,903 5,90 1,09 8,55 1,32 12,5 1,51 16,4 (0,150) 27,7 0,979 5,64 1,18 8,20 1,43 12,0 1,64 15,8 0,160 24,4 1,06 5,40 1,28 7,89 1,55 11,6 1,77 15,3 0,180 19,3 1,21 5,01 1,47
in „Temperatur des Heizdrahtes berechnen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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INA101.pdf
FREQUENCY 0.01 S G = 1000 F 60 p p0.003 % Max ) G = 100 y d40 r ( e a G = 10 l Typ G20 o 0.001 N i G = 1 1% Error G 0 0.0003 1 10 100 1000 100 1k 10k 100k 1M Gain (V/V) Frequency (Hz) CMR vs FREQUENCY WARM-UP DRIFT vs TIME 120 10 G = 100, 1000 ) ( e G = 10 a 8 100 o V B e 6 ( G = 1 f R 80 O M u C Balanced
in „Pulsmessung und Anzeige der Pulswelle auf einem LCD Display“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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2N3866.pdf
Breakdown Voltage V (BR)CBO IC= 100 µA 60 Volts Collector-Emitter Breakdown Voltage V (BR)CEO IC= 5 mA 30 Volts Emitter-Base Breakdown Voltage V (BR)EBO IE= 100 µA 3.5 Collector-Emitter Cutoff Current ICEO V CE= 28 Volts 20 µA Collector-Emitter Cutoff Current CES1 V CE= 55 Volts 100 µA CES2 V CE= 55
in „Gegentakt vs. Eintaktvorverstärker“ · HF, Funk und Felder ·
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rej03c0067_r1lp0408c.pdf
outputs • Battery backup operation. • Operating temperature: −40 to +85°C Rev.2.00, May.26.2004, page 1 of 12 R1LP0408C-I Series Ordering Information Type No. Access time Package R1LP0408CSP-5SI 55 ns 525-mil 32-pin plastic SOP (32P2M-A) R1LP0408CSP-7LI 70 ns R1LP0408CSB-5SI 55 ns 400-mil 32-pin plastic
in „atmega mit ext. sram“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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lm393-n.pdf
kΩ REF RL L Response Time V RLV, R =L.1 kΩ (4) 1.3 μs Output Sink Current V IN)=1V, V IN)=0, V ≈O.5 V 6.0 16 mA Saturation Voltage V IN)=1V, V IN)=0, I SINK≤4 mA 250 400 mV Output Leakage Current V IN)=0, V IN)=1V, V =O V 0.1 nA + + (1) At
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Haussteuerung_V27.txt
= 1 Sba(39) = 1 Sba(40) = 1 Sba(41) = 1 Sba(42) = 1 Sba(43) = 1 Sba(44) = 1 Sba(45) = 1 Sba(46) = 1 Sba(47) = 1 Sba(48) = 1 Sba(49) = 1 Sba(50) = 1 Sba(51) = 1 Sba(52) = 1 Sba(53) = 1 Sba(54) = 1 Sba(55)
in „Mega644 reset“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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H21A2.pdf
Current F = 20 mA, VCE = 5 V IC(ON) H21A2 2.0 — — mA H21A3 4.0 — — 1.9 — — H21A1 F = 30 mA, VCE = 5 V H21A2 3.0 — — H21A3 5.5 — — Saturation Voltage IF= 20 mA, IC= 1.8 mA V CE(SAT) H21A2/3 — — 0.40 V IF= 30 mA, IC= 1.8
in „Gabellichtschranke“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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0405SC-2200M.pdf
Width = 300us, DF = 6% 390 440 W ηd Drain Efficiency F = 450 MHz, Pout2200W 50 55 % ψ Load Mismatch F = 420 MHz, Pout 2200W 10:1 Po +1dB Power Output – Higher Drive F = 450 MHz, Pin = 490 W 2450 W Vgs Gate source Voltage Set for Idq(ave) = 120mA 3.0 10.0 Volts Rev A1 May 2010 Microsemi
in „Enhancement p-MOS und Depletion n-MOS in einem Gehäuse?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MCP25020.pdf
59 L 8 "] 9 8-5 8 3 % !E4M(= N 59 3 3 9# a 0,-:, 55 8: " 398: 8# !a #9& 8 -8 9 8-5 8 3 59 0,-:, 55 39 9 8 5 9, -& " 8 9 59 9:598 # 9# &,-5 5 8 5 5 -& A " - ( " '3 - 9 5 8 5 5 93-; 8-5 8 3 59 % ; ; -,,9 0-8# - % 1 ! '3 !7023,3
in „Modularer BUS Aufbau -> welches BUS System CAN,RS485,SPI ?!“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·