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MOSFET als Schalter für höhere DC Spannung
> Da der MOSFET als Schalter arbeiten soll, sollte VDSS von 100V > trotz 220V DC Betreibsspannungt unkritisch sein - oder ? Echt jetzt? Ueberleg doch mal welche Spannung der Mosfet sieht wenn er ausgeschaltet
> sollte VDSS von 100V trotz 220V DC Betreibsspannungt unkritisch sein - oder ? > Tut es dieser MOSFET oder meint ihr, der wird in diesem Betrieb zerstört ? Ein einzelner Mosfet ist sicherlich kaputt, wenn das nicht so gedacht war, dass dieser ein Relais schaltet. Ab vier bis fünf Mosfets in
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Dual Gate Mosfet oder Ersatz
Hallo Forum, ich will mir einen MW-Superhet bauen, für den ich einen n-kanal Dual Gate Mosfet benötige. Weiß jemand, woher ich einen solchen bekomme, ohne dafür gleich fünf Euro zahlen zu müssen? Oder gibt es eine Möglichkeit, einen solchen Mosfet aus zwei einzelnen zu erstellen?! Vielen
Dafür brauche ich den Dual Gate Mosfet: http://20469.foren.mysnip.de/file.php?15777,file=282
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Strombegrenzung 1kA
massiven DC-Brushmotor (12V/80A) brauche ich einen Überstromschutz (sowohl für Motor als auch die MOSFETs). Was gibt es da für Möglichkeiten? Die MOSFETs sind 7 Stk. mit je max. 200A I(ds), mehr als 1000A dürften nicht fließen.
massiven DC-Brushmotor (12V/80A) brauche ich einen > Überstromschutz (sowohl für Motor als auch die MOSFETs). Was gibt es da > für Möglichkeiten? Die MOSFETs sind 7 Stk. mit je max. 200A I(ds), mehr > als 1000A dürften nicht fließen. Na da du schon die MOSFETs hast, schaltet man sie bei Erreichen des
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Ansteuerung High-Side p-channel Mosfet
Muttu schauen was der mosfet an gate spannung so verträgt. 15V ist etwas viel. Eine 10V zehnerdiode entschärft das.
Pepe schrieb im Beitrag #7152984: > Muttu schauen was der mosfet an gate spannung so verträgt. 15V ist etwas > viel. Unsinn!
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PWM Steuerung von Peltier Module
Auswahl des MOSFETs hat bzw. Anmerkungen zur Schaltung, würde ich mich freuen. In der Schule (13. Klasse Technisches Gymnasium) haben wir bis jetzt mit MOSFETs noch nichts zu tun gehabt, Alles ist also selbst recherchiert
Ein MOSFET (IRFB4110), ein NE555, ein NTC und etwas Kleinkram genügen.
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Operationsverstärker explodiert
gemessen. Der OP sollte laut Datenblatt 32V Versorgungsspannung vertragen. Ziel ist mit dem MOSFET den Strom (bis ca. 12A) durch die Last zu begrenzen, funktioniert auch mit Netzteil am MOSFET ganz hervorragend. Die OP Aktion soll das ganze mit einem Arduino über den Poti steuerbar machen, was
Der IRF540 dürfte gerne völlig zu Recht explodieren, der LM358 jedoch nicht mal, wenn der MOSFET Spannung auf dessen Ausgang gibt. Die Schaltung ist grober Schwachsinn, die Gate-Spannung eines MOSFETs einzustellen um einen Drainstrom festzulegen, denn der Drainstrom hängt mehr von der Temperatur
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Layout Schaltregler Kritik erwünscht!
wusste ich :-) > -Falls Du irgendwelche Klemmen ranmachst, würde ich am Eingang noch aus > nem MosFET nen Verpolungsschutz dranbauen. Da kommt sowieso ein MOSFET, aber mehr als "Schalter" (siehe http://www.mikrocontroller.net/topic/332304 ich hoffe der arbeitet dann auch als Verpolungsschutz... aber
Schaltung. Wenn das kein Problem darstellt, kann man auch low-side schalten. Das wäre dann ein N-Kanal-MOSFET. Eigentlich haben sich die P-Kanal-MOSFETs gerade in den letzten Jahren bezüglich Verpolschutz stark verbessert. Den P-Kanal-MOSFET als Verpolschutz finde ich persönlich eleganter. >> Welche
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Induktives Erwämen von Metall
Mir scheint so, als wenn du noch nicht viel Erfahrung mit MOSFETs usw. hast. Ein MOSFET hat KEINEN Spannungsabfall von 0,7V, sondern stellt einen Widerstand dar, dessen Wert im Datenblatt steht. Die Dioden parallel zum MOSFET sind überflüssig, da in einem MOSFET
beim selbern versuch die Spule in Flammen aufgegangen (der Lack ist verbrannt) !!! Genau, der MOSFET Treiber verhindert, dass beide MOSFETs gleichzeitig leitend sind. Zwischen Treiber und Gate sollte man einen Widerstand 4-30 Ohm einbauen, und parallel dazu eine Diode, die den MOSFET schneller abschaltet
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Fragen zu MOSFET & PWM
Mist, wollte doch nochwas schreiben: man kann MOSFETs auch gut parallel schalten, die Verlustleistung verteilt sich somit und kommst ggfs. ohne Alu aus.
danke auch dir. Das Problem was ich habe, ich möchte das ganze effizient aufbauen, also mit 8 MOSFETS. Ich brauche einen Kompromiss, um bei geringer Verlustleistung (möglichst ohne Kühlkörper!!!) 24V bei 1,5A anzusteuern - aber auch gleichzeitig die Ansteuerschaltung der MOSFETS gering zu halten.
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Busch und müller led scheinwerfer defekt? :-(
Weidenberger Also ob es einen Schaden gegeben hat kannst nur du feststellen. Scheinbar ist einer der MosFETs durch. Wenn du die beiden MosFETs abwechselnd mal überbrücken würdest, dann könntest du sehen welcher defekt ist und ob die Z-Diode immer noch ganz ist. Also die Kabel wieder an die alten Anschlüsse stecken, Drain und Source vom MosFET 1 verbinden und ein mal testen. Wenn die LED genau so hell leuchtet wie zuvor hast du den richtigen MosFET erwischt, wenn nicht machst du das Gleiche mit dem anderen MosFET. Wenn es trotzdem nicht
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Einen Universaldimmer bauen - IGBT vs. Triac - 2015
oder gar keinen Snubbern auskommt: ❶ Snubberless Triac ❷ Zwei IGBTs in Reihe ❸ Zwei Hochvolt-MOSFETs in Reihe ❹ Ein IGBT + Gleichrichter-Brücke ❺ Ein Hochvolt-MOSFET + Gleichrichter-Brücke
die übrigen brauche ich EUCH! ¯¯¯¯ Deine Anmerkung bezieht sich auf ❺ (MOSFET + Gleichrichter), ich hatte jedoch mit ❸ (zwei antiparallele MOSFETs) gerechnet. Trotzdem: Es gibt weitere 2,24W Verlustleistung in der Drain-Source Diode des zweiten MOSFETs. Im Unterputz-Gehäuse
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Hubmagnet Schloss brennt immer durch
Ich werde das ganze Probeweise einmal mit diesem Mosfet probieren! https://datasheet.lcsc.com/lcsc/1912111437_Nexperia-BUK9880-55A-CUX_C461186.pdf Frage, kann mir jemand noch sagen, wie ich bei einem Mosfet den Gate Vorwiderstand berechne? welche angaben
Thomas L. schrieb im Beitrag #7327135: > Frage, kann mir jemand noch sagen, wie ich bei einem Mosfet den Gate > Vorwiderstand berechne? welche angaben im datenblatt sind für da > relevant? Das ist vorwiegend eine Frage der Ansteuerseite. Der Mosfet verhält sich von der Steuerseite aus gesehen
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12v LED Stripe mit NodeMCU und Mosfet betreiben
Müßte aber eigentlich verbunden sein. Denn der Arduino wird an Source(GND) und Gate(PWM-Pin) des Mosfets angeschlossen, der LED-Stripe an Drain. Ohne auf GND referenziertes Potential baumelt die Gatespannung irgendwo in der Quintessenz herum. Besser wäre es, wenn der Mosfet auch mit 100k (Gate gegen
Thomas H. schrieb im Beitrag #6498951: > Habe vor einiger Zeit die Mosfets IRFZ 44N gekauft. > Von den 10 Stück funktioniert genau einer! MOSFET reagieren empfindlich auf statische Ladungen. Vielleicht hast du sie nicht entsprechend gelagert und behandelt. Vermutlich
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PWM Stromquelle
mit Mosfet aufgebaut und diesen dann zum testen gegen den Transistor getauscht. Der Transistor tut das, was ich erwartet habe, der Mosfet tut nichts, bzw er sperrt. Mit dem Transistor kann ich den Ausgangsstrom
einmal mit >Mosfet aufgebaut und diesen dann zum testen gegen den Transistor >getauscht. Da steht Müll. Wann begreift ihr endlich, daß ein Mosfet auch ein Transistor ist? Das eine ist eben ein MOSFET, das andere
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Ansteuerung BLDC
Wenn ich mir selbst die Oszi-Bilder so ansehe, scheint es als würden die MOSFET nicht mehr richtig durchschalten? Diese sind vom Typen CSD18511KTT und werden bis 160 Ampere Spitzenstrom belastet. Das Verhalten zeigt sich mit zunehmendem Strom mehr. Geschalten werden die MOSFET
für eine Größe als erstes zu Empfehlen? Die Kondensatoren befindet sich direkt an den oberen MOSFET und gehen mit VIAS an GND, nicht an Source der unteren MOSFET.
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Mein erstes SNT
Habe noch was vergessen: Hier ein Bild vom Oszi. Die Messspitze ist am Bottom-Mosfet-Gate und Ground am Sourcebein des selben Mosfets. Y-Achse: 2V pro gestrichelter Linie X-Achse: 100us pro gestrichelter Linie
IC mindestens 4,5 Volt. Mindestens. Bei so niedriger Spannung brauchst Du dringend Logik-Level Mosfets. Seit wann gibt es Spulen mit 15uF ?
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MOSFET als DC Softstarter und gleichzeitig Strombegrenzer
nimm einen Hotplug-Controller mit externem MOSFET. Einige können sowohl den Inrush-Current beim Einschalten begrenzen, als auch den Maximalstrom im Betrieb. Das Timing läßt sich auf die Einhaltung der SOA des verwendeten MOSFETs konfigurieren.
man beide Bedingugen unter einen Hut bringen, weil ich befürchte, dass ein langsames Bringen des MOSFET in die Sättigung den MOSFET in Rauch auflösen könnte. Danke
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Problem beim Durchschalten von IRFP064N im Linear Betrieb.
Die Schaltung aus Deinem Bild benutzt einen P-Kanal-MOSFET. Du versuchst das Ganze mit einem N-Kanal-MOSFET. Um den komplett durchzusteuern, musst die Gate-Source-Spannung fast 6V größer sein als die maximale Ausgangsspannung. Willst Du bis an die 45V heran
Je nachdem ob man einen N-Kanal oder p-Kanal MOSFET nutzt, gibt das ein ganz anderes Schaltungverhalten. Mit dem N_Kanal MOSFET hätte man einen eher klassichen Regler, mit dem P-Kanal MOSFET einen low drop regler. Die Variante mit dem N_Kanal MOSFET
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Breitbandige Ferritantenne
Ok, dann benötigt man wohl eher eine MOSFET-Tetrode als Vorlage.
Schaltsymbol aus dem ZIP-Archiv verwendet werden, da sich die Pinreihenfolge im Vergleich zum Standard-MOSFET unterscheidet. Die DG-Mosfet-Modelle sind von hier: http://ltwiki.org/files/LTspiceIV/lib/sym/SBORKA/DUALGATE/
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Reihenschaltung von 3 Bleigel-Akkus überwachen
überwacht deren Spannung. Ist sie hoch genug, wird per Optokoppler ein Signal an den schon erwähnten Mosfet-Schalter weitergeleitet. Hier werden alle drei UND-verknüpft und erst dann gibt der MOSFET die Reihenschaltung frei...
Transistoren bildet ebenso ein UND und liefer von alleine nur 1/3 der Spannung an das Gate vom P-MOSFET. Da die OUT jedoch nach GND schalten, sollte eine PNP Kaskode einen N-MOSFET schalten
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Hilfe beim KiCad-Layout gesucht: 2-Fach Motorsteuerung (KFZ-Bereich)
ich habe dir mal ein Beispiel gemacht wie du das ändern kannst, also MOSFET drehen und spiegeln. C7 kannst du einfach genauso wie C8 einzeichnen. Aber diese Schaltung ist doch etwas doppelt gemoppelt. Erst sperrt die Z-Diode den MOSFET ab 12V (bisschen bald deine Schaltung
der MOSFET ist falschrum!
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Geeigneter N-MOSFET für mind. 6A-Schaltvermögen bei 24V?
MOSFET. MFG Manuel
https://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht
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step up converter selber bauen attiny
weitaus mehr als 2,4V (die unter Last auch noch etwas einbrechen), selbst mit modernen 3,3V Logiclevel Mosfets. Von daher wird man einen eigenen Hilfsstepup oder eine Ladungspumpe/Bootstrapschaltung für den Mosfet benötigen, der erstmal z.B. 12V für den eigentlichen Stepup Wandler erzeugt um dessen Mosfet
mir ist schon klar wieso er einen mosfet nutzen möchte. aber das einzige was direkt an 2V arbeitet ist wohl ein sperrschwinger. ich würd mit sowas die hilfsspannung erzeugen um ein regel-IC samt mosfet zu betreiben und mit diesem dann die
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MOSFET wird warm.
John Doë schrieb im Beitrag #3953004: > Aber warum wird > der MOSFET bei unter 3A schon warm? mit welcher Spannung betreibst du den Mosfet am gate?
des Mosfet ablesen kann?
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MOSFET brennt durch
Jason schrieb im Beitrag #5736419: > ein Dual-N-Mosfet Zum Glück gibts nur den einen...
Mosfet hops geht?
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Längsregler mit MOSFET
beim MOSFET eher 5V, der Verlust ist also höher, daher nimmt man sie nicht. Zudem können Emitterfolger (eine solche Schaltung war dein Regler mit NPN Transistor) schwingen, beim MOSFET ist die Neigung als Sourcefolger
z.B 1200 V ) Du willst aber moderate Spannungen verwenden, wozu also IGBT's. Um es mittels eines MOSFET hinzubekommen, brauchst du eine Spannungsquelle, ( z.B. http://de.wikipedia.org/wiki/Bootstrapping_(Elektrotechnik), Highside driver ) , die eine Ansteuerung des MOSFET unabhängig von der Spannungsdifferenz
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Leistungsstufe mit MOSFET
Testbetrieb zeigte sich, das noch einiges zu verbessern war. Der hohe Strom zur Gateumladung des Mosfets erwies sich als unnötig hoch und konnte daher ohne Nachteile etwas verringert werden. Dadurch sinkt natürlich auch die Belastung besonders von Q1. Es wurden die Widerstände R9 und R10 eingefügt. Als
guten Erfahrungen gemacht habe weil teuer und öfter kaputt. Dann liegt es in der Eigenheit der MOSFET´s, das sie einen recht hohen Strom zum umladen des Gates benötigen. Und dieser Strom steigt mit steigender Frequenz da ja die Umladung auch schneller gehen muss. Ein normaler Controller schafft das
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Mosfet (IRF540) summt
verbrauchen laut Datenblatt zusammen etwa 12A bei 12V. Zum schalten verwende ich einen IRF540-MOSFET (https://www.vishay.com/docs/91021/91021.pdf) Dieser Mosfet macht relativ laute Summgeräusche: - (1) Warum? - (2) Kann ich das irgendwie verhindern? - (3) Gibt es einen besseren Mosfet für diesen
andere Mosfets verwendet (gleicher Typ). keine ahnung woran das liegt - fertigungstoleranzen?
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Ladeschaltung für Ecoflow: Was hat den Mosfet überfordert?
Als Plan, denn ein Bild sagt mehr als 1000 Worte. > Hat jemand einen Verdacht, was genau den Mosfet überfordert hat? Der Farbe nach die Temperatur. > den Überschuss verbrät (maximal ca. 1kW). Bist du da um ein paar Zehnerpotenzen verrutscht? 1000W hält der Mosfet sicher nicht aus...
Wie willst Du denn das Gate des Mosfet schnell genug ausräumen?
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IC Messen mit Multimeter / auf Funktion überprüfen
korrekten Durchgang > bzw. Kurzschluss prüfen kann. Eher weniger, denn das ist kein IC, sondern ein MOSFET. Da ist nichts mit Durchgang messen wie bei bipolaren Typen.
Und miss mal die Spannung an TPSW_POWER. Nur wenn hier etwas > 0,7V liegt wird der MOSFET durchgeschaltet.
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Schaltplan für 1 kHz 10V PWM - so in Ordnung?
ist, müsste man durch Zoomen der Stelle mal näher anschauen. Außerdem: was spricht gegen einen MOSFET als Schalter an der Stelle. Nur der BSS138 ist jetzt nicht der Vorzugstyp. Eher so was wie FDV303.
Danke, das ist ein guter Hinweis! Ich befürche eben, dass bei einer einfachen PWM nur mit einem Mosfet ohne externe 10V ich Schwankungen bei den 100% hätte. Hier ist die Ausgangsleistung undefiniert und das hört sich für mich so an, als könnte es bei derselben Lampe ohne definiertes Signal (= Mosfet
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Hat schonmal jemand einen µC mit einem direkten Anschluss an ein FET-Gate gegrillt?
nicht durch den Gate-Aufladestrom, ein Ausgang ist selbst-limitierend durch den Abschüreffekt des MOSFETs, sondern durch den über COSS rückgekoppelten Strom, wenn das Drain des MOSFETs aus welchem grund auch immer in einer Mikrosekunde um mehrere hundert Volt hochschnellt, dann koppelt das ins Gate, zieht
soviel zu tun. Das ist nicht die einzig saubere Sache, sondern eine Alternative, wenn man fette Mosfets schnell umschalten will. Bei kleineren Mosfets kann auch der µC den Part des Treibers übernehmen. >> Die internen Kapazitäten des MOSFET stören auch beim Abschalten des >> Laststromes, besonders
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PWM-Motorregelung: Kollektives MOSFET sterben
- Diese MOSFETs UDSmax = 30V -> darüber MOSFET tot. Geht recht schnell mal da einen 30V Impuls rein zu hauen. Dagegen wären z.B. TVS-Dioden wirksam. - MOSFETs parallel zu schalten ist eine komplizierte Angelegenheit
ABX schrieb im Beitrag #4939657: > - Diese MOSFETs UDSmax = 30V -> darüber MOSFET tot. falsch... ersetzte tot mit wird sehr warm. hatte ich weiter oben schon beschrieben..
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Regelverhalten Labornetzgerät
welchem Jahrhundert stammst du denn? 3A bei 30V schaltet doch > jeder Wald-und-Wiesen Leistungs-MOSFET für weniger als 1€. Und im > Gegensatz zu einem mechanischen Kontakt prellt der auch nicht. Und wie schaltest du den Mosfet ein und wieder aus? ;)
. Geht auch, wenn man einen LL-MOSFET nimmt. Aber bei lediglich 3A hat man da genug Auswahl.
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Mostet ohne Ohne Parallele Diode.
irgendwie hat jeder Mostet solchen, Klar, bauartbedingt, alle vertikel durch den Chip gehenden MOSFET, also alle Leistungs-MOSFETs, müssen die haben. > wo finde ich welche ohne? Nur bei kleiner Leistung oder bei HF, Stichwort (z.B. bei alldatasheet) ist Lateral MOSFET, die meisten haben keine
nur klar machen, dass die Durchbruchspannung einer Bodydiode niemals unter der Sperrspannung des MOSFETs liegt. Gruß Christian
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50V/40A im Fehlerfall abschalten?
schalten und umgekehrt erst das Schütz schalten und dann den Thyristor. Aber ein ordentlicher MOSFET sollte das auch tun.
http://uk.farnell.com/nxp/psmn4r4-80ps/mosfet-n-ch-80v-100a-to-220/dp/1785649
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PWM mit Mosfet, Ausschaltflanke abflachen für EM-Störungsreduktion
ich gelesen gäbe es noch die Möglichkeit über Entlastungssnubbers die Ein-/Ausschaltleistung vom Mosfet zu nehmen. Allerdings heizen die auch (was vom Mosfet genommen wird wird über einen R verheizt), d.h. ich verteile eigentlich nur die Wärme.
Hier mal im Vergleich die Variante "langsam schaltender Mosfet" mit "Mosfet schnell, LC-Filter vor der Last".
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Freilaufdiode PWM-Motorsteuerung
Eine PWM-Regelung ohne Freilaufdiode ist bei einem Motor keine so gute Idee. Das kann mit MOSFETs eine Weile gut gehen, denn viele MOSFETS sind Avalanche fest, nehmen bei überspannung also keinen Schaden. Allerdings spart man mit der Freilaufdiode Strom, denn man nutzt die Restenergie aus der
die eingebaute Diode verbindung zu > GND Ja genau. -> Spannungsabfall 0,7V > und wenn der MOSFET durchschaltet, dann sperren Q3-6-9 Nein! Q3 ist der Mosfet. Wenn er durchschaltet dann überbrückt er die Diode. -> Spannungsabfall 0,008ohm x I
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Elektronik - Transistoren Schaltung
Bereich liegt. Cosinus schrieb im Beitrag #6316058: > Da es sich bei T3 um einen Verarmungs-MOSFET handelt, dürfen die > Anschlüsse Source und Drain vertauscht werden, genau wie bei einem > J-FET. Der verwendete Mosfet ist nicht symmetrisch, da – wie bei den meisten Mosfets – das Substrat
Yalu X. schrieb im Beitrag #6317070: > Der verwendete Mosfet ist nicht symmetrisch, da – wie bei den meisten > Mosfets – das Substrat intern mit Source verbunden ist. Das hat mit > Verarmung oder Anreicherung nichts zu tun Gut, aber einen normalen Mosfet
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Kupferdrahtdurchmesser bei Spulen
nächstes muss ich mal etwas .2 und .3 mm Draht besorgen. Bis die Tage ;) PS: zum treiben des Mosfets wollte ich mir einen 4046 holen und Mosfet Treiber hab ich sowieso hier (TC4421. nochmal danke an Hartmut !)
keine Clamp Dioden. Also sowas wie den L298 suche ich auch noch. evtl sogar mit clamp diodes und Mosfets. Ich geh mal auf die Suche..
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Kann jemand das fehlende Bauteil identifizieren ?
FET o.a. Mit den gefundenen Werten angezeigt auf dem Tester kannst du den Ersatz suchen PNP NPN MOSFET Hfe usw.
33mA braucht, um in Sättigung zu gehen. Liege ich mit meiner Vermutung richtig, dann kann als Mosfet jeder Logic-Level-Typ mit einem RDSon im maximal einstelligen Ohmbereich eingesetzt werden.
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12V 10A H-Brücke
Also MOSFET an Raspberry Pi, um 10A bei 12V zu schalten. Wie sieht der Schaltung aus?
Schon mal durchgeschaut? https://www.mikrocontroller.net/search?query=MOSFET+Raspberry
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Spannungsabfall in 74HC 238?
3.2A mit dem 74HC238 zu schalten. Das macht man sowieso nicht ohne nachgeschaltete (LogicLevel) MOSFETs.
Max H. schrieb im Beitrag #3598041: > Schon mal von P-Channel MOSFETs gehört? Hab die ganz vergessen :P Die Mosfets auf dem Schaltplan kann ich bloß nicht bei Reichelt finden, haben die Besonderheiten oder kann ich da einfach nach pChan MOSFETs suchen, die ähnliche
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DC Motor piepst/jault bei PWM-Ansteuerung mit Atmega 168p
Hallo zusammen, ich möchte mittels Arduino Nano (Nano v3 ATMega168P) und einem MOSFET (IRFZ44N) einen 5V DC Motor ansteuern, um dessen Drehzahl zu steuern. Dazu verwende ich folgenden Aufbau, nur nicht mit 9V Batterie, sondern mit einem 5V-Netzteil: https://www.aeq-web.com/media/IRFZ44N_Arduino_MOSFET_HIGH_Current_Motor_PWM_Controlling
5 V Beim Anlaufen und Blockieren also schätzungsweise 10-16 A. Gut dass du so einen "großen" MOSFET gewählt hast.
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Kontrolle der Kühlkörperberechnung
Hallo, Ich möchte für einen MOSFET den Kühlkörperberechnung durchführen, ich bitte die Berchnung zu kontrollieren, ob ich alles richtig gemacht habe. --------------------------------------- Ich habe einen MOSFET mit folgende Angaben
T=25°C. Wenn der MOSFET voll durchgeschaltet, beträgt die max. Leistung am MOSFET 66W. MfG
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LED Matrix - FET oder Bipolar
In der MOSFET Schaltung ist der high-side p-kanal Transistor falschrum gezeichnet.
Ich habe jetzt Widerstände an die "Drains" aller P-Mosfets gegen Masse und aller N-Mosfets gegen Vcc eingebaut. Im Ergebnis verschwindet das "Aufglimmen" der entfernten LEDs. Die direkten Nachbarn der angesteuerten LEDs bleiben allerdings relativ hell.
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Dimmer mit FET realisieren
Gleichrichter + MOSFET: http://www.elv-downloads.de/service/manuals/DI300/37378-DI300.pdf Eine Doppel-MOSFET Schaltung würde mich auch interessieren.
sagen hat. Das der Dimmer auch PhasenANschnitt machen kann ist logisch, das dürften wohl alle MOSFET Dimmer machen können :)
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Transistor/Mosfet identifizieren
Dann vermute ich einen 3A/600V n-MOSFET, aber welcher genau ist so nicht zu ermitteln.
werden. Nach dem Ausschalten werden wahrscheinlich die vier großen Elkos über die Widerstände und den Mosfet langsam entladen. Dafür ist wahrscheinlich auch diese Schaltung mit dem Mosfet verbaut.
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Hohe Spannung bei sehr kleinem Strom schalten
Wenn man richtige MOSFETs wählt gehts vielleicht doch. Schau dir mal den BSP125 an.
an einen IGBT gedacht, aber nachdem Marek N. darauf hingewiesen hatte, dass es inzwischen kleine MOSFETs gibt, die bis 600 V ausgelegt sind und extrem geringe Leckströme von nur 0,1 µA haben, bin ich sofort vom IGBT runter und habe mir diese MOSFETs bestellt. Sie sind wirklich sehr genial. So nah am
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Schaltplan WEMOS Wetterstation Prüfung
die sie zuständig sind. Natürlich ist R7 schon richtig. Das ist der Pulldown für den P-Channel MOSFET für das Load-Sharing. Der P-Channel MOSFET sorgt dafür dass wenn USB-Power gesteckt ist (sprich der Akku wird geladen) die Schaltung nicht mehr über die Batterie sondern über USB versorgt wird (über
zwar aber der Timer wacht nicht auf. Anbei Stromversorgung Aktuell und Danach was ich denke mit Mosfet. Anstelle des Mosfet könnte auch ein Transistor hin. Was ich bisher gefunden habe wäre VP3203N3-G Da ich wie bereits geschrieben gerne bei TO Bauform bleiben möchte.