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Mosfet Sourcefolger als Buffer gibt negative Spannung
Ja :-) aber das beeinflusst nicht das Verhalten des Mosfets..
Georg S. schrieb im Beitrag #7865482: > Ja :-) aber das beeinflusst nicht das Verhalten des Mosfets.. Ach so, du bist der große Experte. Dann viel Glück noch.
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PWM Lüfter Steuerung mit ESP8266 Tacho Problem
Tim schrieb im Beitrag #7865267: > Also brauche ich im Prinzip ein P-Channel MOSFET richtig? Richtig.
Kannst du bitte mal gucken ob ich das so richtig gemacht habe. Ich habe leider kein P-Channel MOSFET zum testen da und bin noch ziemlicher Anfänger... Geht nur um den "MOSFET PWM" Teil. Wenn nötig kann ich dir auch die BOM mit Links schicken.
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Klackerndes Relais im CD-Player - obwohl vom Netz getrennt.
das Netzteil gepulst, um unter die 0,5W Mittelwert zu kommen. Bessere Geräte machen das über einen MOSFET, der klackert nicht beim Schalten.
Netzteil gepulst, um unter die 0,5W Mittelwert > zu kommen. Bessere Geräte machen das über einen MOSFET, der klackert > nicht beim Schalten. Den MOSFET hat er ja auch (siehe Bild) und wenn ich das Datasheet richtig lese ist dies auch so wie du es beschreibst; er pulst und macht ja auch sein Ding
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Trapez-Ansteuerung von KFZ LEDs
www.reichelt.de/de/de/shop/produkt/drahtwiderstand_axial_5_w_2_2_ohm_10_-2607 Man kann auch einen P-Kanal MOSFET nehmen und den als Integrator beschalten und vieles mehr. Achso: wenn dort ne Regelung in der LED-Lampe drin ist (Konstantstromquelle), dann geht das alles nicht. Also: nicht so.
maximal ca. 3.3 V ankommen – sicher für den Pico. [code] GP16 (PWM) ---+-- 220 Ohm -- Gate MOSFET | GND (Pico & LED-Schaltung gemeinsam) +12V --- LED --- Drain MOSFET Source MOSFET --- GND [/code] ChatGPT liefert den Basis-Code: [code] from
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Brio Lok Tuning
H. H. schrieb im Beitrag #7864680: > MOSFETs kommen hier ja eher nicht in Frage, wegen der geringen > Versorgungsspannung. Naja, es gibt seit längerem auch Mosfets die für 2,5V Gatespannung spezifiziert sind. Wenn natürlich der Preis das
Gerd E. schrieb im Beitrag #7864706: > Naja, es gibt seit längerem auch Mosfets die für 2,5V Gatespannung > spezifiziert sind. Es müssten schon 1,8V sein.
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5V-12V auf ca 60-80V 50mA
nicht sonderlich stark. Von unten kommend startet die > Schaltung bei 5,6V. Sollte mit einen LL-MOSFET noch besser gehen.
Gegentakt-Ausgängen für Mosfet-Ansteuerung. Den TL598 kann man auch aktuell kaufen, z.B. bei Mouser.
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PCA9557 Source Strom per Pin
einzuschalten, glitscht mein Debug UART herum, bzw. es kommt nur noch Müll an. (Ich wollte ja unbedingt die Mosfets einsparen..) Ich habe "[3] The total current sourced by all I/Os must be limited to 85 mA and 20 mA per bit." als Referenz genommen. Meine 3,3V nach dem Regler sind stabil, soweit ich es sehe.
Chip zu tauschen oder eine externe Frankenstein-Lösung zu finden. Für alle vier TMAGs sind wohl MOSFETs dringend nötig - und ich dachte beim Suchen nach Portexpandern schon, ich hätte die Ausnahme gefunden. I²C LED-Treiber habe ich auch nur oder in der Regel als Sink gefunden, nicht als Source. Danke
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Hilfe bei H-Brücke und OPVs fürs Studium
Die Aufgabe besteht darin eine H-Brücke für einen Elektromotor zu entwickeln. Dabei sind nur die MOSFETs (IRFZ44N) und die maximale Spannung (30V), die PWM-Frequenz (20kHz) und der Strom (5A) gegeben. Es soll hierbei ein passender Treiber für die MOSFETs gewählt werden, in meinem Fall (IR2110) und eine
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Power LEDs richtig ansteuern
1: Wie kann das sein, dass er trotz passender Leistung abbrennt? x) Frage 2: Ich nehme einen Mosfet (erstmal nur theoretisch) und schließe hier die LED an. Brauche ich immernoch einen fetten Vorwiderstand, meinetwegen 5W 12Ohm oder reicht der Mosfet als Widerstand, an den ich einen Kühlkörper anbringe? Kann ich dann einen 1/4W Widerstand an das Gate des Mosfets anschießen? Frage 3: wie kann ich das ganze auf 2 LEDs erweitern? Und evtl. 4 Potis zum Dimmen einzelner Farben nutzen? Ich hoffe, meine Frage ist einigermaßen verständlich. Gruß Henning
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Kurzschluss auf Mainboard - kein Hotspot sichtbar
der Baumarkt die oder eine gleich große noch hat? Etwas gelesen, nachdem ich den Defekt in einem Mosfet gefunden hatte. Gingen wohl reihenweise kaputt. Der Ersatz war etwas größer und passt so gerade auf die Pads, kann dafür mehr Strom. Denke die Lampe überlebt mich. Also immer individuell. Bei
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Universum Radiorekorder restaurieren
haben, wäre es fürs Erste ok erstmal alle Elkos raus zu werfen? Vor allem die 1000uf Kracher an der Mosfet Endstufe als Puffer? Dann noch zahlreiche kleine auf der Verstärkerplatine? Den Superet Empfänger habe ich nicht im Verdacht. Oder was würdet ihr tun? Gruss Thorsten
Thorsten M. schrieb im Beitrag #7862231: > Mosfet Endstufe Wohl eher nicht! ;-) Wenn überhaupt, dann irgend was hybrides, oder nen damals topmodernen LM oder TDA irgendwas. Bei "MOSFET-Endstufe" denke ich auch eher an dicke PA als an 2x5W Radiorekorder
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Pufferschaltung zwischen Powerbank und USB-Last
verschwendet werden... Vielleicht hat ja jemand eine nette Lösung für mich :) Mit Transistoren/MOSFETs kenne ich mich leider gar nicht aus, unter anderem, weil die immer irgendwelche Zusatzbeschaltungen brauchen und ich davon leider nichts verstehe.. LG und vielen Dank schon mal Benni
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Tiefentladung eines 12V Akkus verhindern
+---------+ | | | |S | | +-R13-|Out2 Out1|---)---+---(----|I P-MOSFET | | N-MOSFET | | | | | | + | I|----+-----(-----|Hys2 Hys1|---+ | | Solarmodul S| | | | | | | + | - |
einen > Unterspannungsschutz drin zu haben, wie in jedem Ladegerät. Danke! In Zeiten von MosFets ist es auch egal, ob Serien- oder Shuntregler, von Ruhestrom zu faseln bei Unterspannung und die Abschaltung (wovon?)... Selbst bei Relaissteuerungen ist das Relais abgefallen bei Nachladung,
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BMS 4s Anschließen
geladen sind hat das BMS doch gar keinen Grund noch > irgendetwas zu machen. Es sollte aber die MOSFETs einschalten, so dass auch Saft raus kommt.
Widerstände des Balancers. Da haben die Akkus wohl mehr Spannung als die Reglerchips erlauben, oder die MOSFETs sind kaputt.
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Ladealgorithmus LiFePO4
Die Klemmenspannung des Akkus liegt wegen des Spannungsabfalls an Zuleitung und BMS shunt und BMS MOSFETs immer etwas neben der Zellensummenspannung. Nur der Balancer kann über seine Kelvin-Verbindungen die reale Zellspannung erfahren, nur der Balancer/BMS kann bestimmen wann noch geladen werden muss,
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Einplatinenrechner für Industrieeinsatz, LEDs und Accelerometer mit 100°C Maximaltemperatur uvam
LEDs are available in blue, green, yellow, amber, and red. [/c] ### ROHM DFN5060-8S – neues MOSFET-Gehäuse für geringeren Innenwiderstand Seit einiger Zeit ist im Bereich der Hableitertechnik ein Punkt erreicht, an dem vor allem Gehäuse und Außenverbindungen die Parameter der resultierenden Produkte
supports the packaging of a larger die compared to conventional designs, resulting in a lineup of power MOSFETs that achieve industry-leading* low ON-resistance along with wide SOA capability. [/c] Das an ein normales 5060er-Gehäuse errinernde Design präsentiert sich wie in der Abbildung gezeigt.
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Selbsthaltung, Probleme mit Potenzial
man mal ausprobieren. Ja Und Q1 weg lassen, der funktioniert nicht. Und für Q3 einen P-Kanal Mosfet benutzen, der für 5V spezifiziert ist. Dessen Drain ist dann der Ausgang der Schaltung.
, als an Emitter. Also noch > höher als VCC. Du verwechselst das mit den isolierten Gates von Mosfets. Denn hier wird lustigerweise der Q2 sogar irgendwie "funktionieren", wenn die Spannung an der Basis so hoch wird, dass die BC-Diode leitet. Nur leitet er halt ganz schlecht mit einer lausigen Stromverstärkung
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Enable pin bei LDO Reglern
nachzulesen, wenn man sich vergegenwärtigt, woher sich die Bezeichnungen ableiten. Die meistverbreiteten MOSFETs sind nun mal N-Kanal. Da liegt Drain gewöhnlich auf dem positiveren und Source auf dem negativeren Potential. Entsprechen sieht es bei BJTs mit Collector (VCC) und Emitter (VEE) aus.
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Kondensator (1 µF) an Vlcp / IBIAS über DIP-Schalter zuschaltbar
schon umgesetzt hat – oder Erfahrungswerte mit alternativen Lösungen (z. B. Jumper, SMD-Optionen, MOSFET-Schalter) teilen kann. Vielen Dank & viele Grüße GF [/pre]
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Ersatztyp für "ND1X"
> ein fetter IRF520N Wird nicht geeignet sein, braucht höhere Gatespannung als der originale MOSFET.
Dem MOSFET reichen ja 5V am Gate aus, auch dem IRLZ34.
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SIM808 Probleme
Level Shifter Das könnte es evtl. sein... Hole dir mal so einen Level Shifter mit BSS138 Mosfet.
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Maximale Strombelastbarkeit von Leiterbahnen im Kurzschlussfall
Wenn man mal schaut, wieviele Ampere durch so einen Bonding-Draht eines Mosfet im TO220 Gehäuse gehen, 100-200A stehen da in Datenblättern.
Beitrag #7860335: > Wenn man mal schaut, wieviele Ampere durch so einen Bonding-Draht > eines Mosfet im TO220 Gehäuse gehen, 100-200A stehen da in > Datenblättern. Die haben keinen Bonding-Draht mehr, da ist der Pin direkt auf den Chip gelötet. https://www.researchgate.net/figure/A-1200-V-Triac-assembled-in-a-TOP3
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Was ist das für ein IC?
Dieses IC sitzt in einer HF-PA (10W, Gegentakt-MOSFET-Endstufe). Es stellt die Gatevorspannung der beiden MOSFETS bereit (pro MOSFET ein Pin), drei andere Leitungen führen zu einem STM32F407. Ich nehme an, es handelt sich um einen Zweikanal-DAC (SPI oder
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PCF8574 mit ULN2003A wird Gestört
Rainer W. schrieb im Beitrag #7858573: > Alternative ist ... ... ein Logic-Level-Mosfet mit niedriger Ugsth. Ich würde hier nicht den uralten ULN mit der pfundigen Sättigungsspannung (laut obigem Screenshot bei diesen Werten immerhin 2V) nehmen.
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Welcher Transistor
liegt am Mosfet die erhöhte Spannung vom Elko an, so dass die Verlustleistung nicht so hoch am Mosfet wird. https://www.elektronik-labor.de/Notizen/0911Blinker.html Allerdings ist dieser Durchbruch bei einigen
dort: https://electronics.stackexchange.com/questions/661080/why-does-this-automotive-blinkers-n-mosfet-get-so-hot
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sensibler operationsverstaerker
ich denke bei den Transistoren ist es ähnlich, nur daß hier +0,2V bis -0,2V begrenzt ist, wenn es Mosfet wäre, hier kann aber der Leckstrom bei Transistoren kleiner sein, Transistor als Diode. Mein Halbwissen
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analog Signal 5v ausgeben mit 3v3 µC
Katalog eines Distributors > (Mouser, Digikey, uswusf), nach eigendwelchen R2R-OP. Bei OPs mit MOSFET-Ausgang hängt die Spannung zusätzlich vom Ausgangsstrom ab.
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Motorsteuerung per H Brücke mit HIP4081
High-Side-Treiber Bootstrapkondensatoren. Um diese aufzuladen, müssen zuerst die zugeh. Low-Side-MOSFETs aktiviert werden. Die Ladungspumpe des Treibers ermöglicht dann auch Dauer-Ein der Highside-MOSFETs. Grüßle, Volker
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I2C als Hausbus
z.B. LM75). Die Auswirkungen eines lokalen Stromausfalls begrenzt ein klassischer Pegelshifter mit MOSFET, zwischen Bus und Slave geschaltet, bereits zuverlässig. Das Erlauben von Clock-Stretching ist generell ein Problem, da das Bus-Timing und somit die Reaktion des Gesamtsystems in Echtzeit nicht mehr
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Verständnisfrage FET
Zwei MOSFETs so "antiseriell" zu verschalten wird oft gemacht, auch bei großen Leistungen, eben um den Stromfluss in beide Richtungen zu verhindern. Manche BMS ICs haben das genau so integriert. Wenn die MOSFETs
leiten sie (effizient) in beide Richtungen. Kann man auch beim High-Side schalten mit p-Channel-MOSFETs machen, oder auch high-side mit n-Channel-MOSFETs und Ladungspumpe. Die Body-Dioden kann man auch gewinnbringend einsetzen, indem man z.B. nur *einen* der MOSFETs einschaltet, sodass der andere
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Komischer Sinus im Oszi
einklemmen,Nagel einklemmen ... man braucht eine Spitze und keine Krokoklemme wenn man z.b. ein TO-220 Mosfet messen möchte. Wie ofts hats da schon gekracht. Hat jemand einen Trick? Ich kann ja nicht an jedes zu messende Bauteil ein Draht anlöten. Im übrigen hab ich das an der Krokoklemme versucht. Irgendwann
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Stromteiler für Status-LED nach Optokoppler
Die IOs sind leider alle belegt, sonst hätte ich es mir einfach gemacht > :´) Der OK treibt einen Mosfet und ist nur dafür da, galvanisch zu > trennen, weil ich unterschiedliche Spannungen und Stromquellen nutze. Dafür braucht man aber keine 30mA sondern einen galvanisch getrennten MOSFET-Treiber.
im Beitrag #7856382: > Dafür braucht man aber keine 30mA sondern einen galvanisch getrennten > MOSFET-Treiber. Die brauchen je nach Typ 5-10mA am Eingang. Schau ich mir mal an. Mir war nicht bewusst, dass es sowas galvanisch getrennt gibt, sehr praktisch. Was Mosfets angeht, bin ich noch ziemlich
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L6203 DMOS Full Bridge Driver testen
Diodentest eines Multimeters (Voltcraft VC404) testen muss, um die Funktionsfähigkeit der beiden Mosfets zu checken? Wenn ich das Blockdiagramm richtig verstehe, handelt es sich um N-Channel MOSFETs. Der L6203 ist natürlich noch auf dem Mainboard und ich möchte diesen ungern auslöten (mit allen möglichen
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Microcontroller - Warum kein Flash-Parity?
Dagegen dürfte das Auslesen einer Flash-Zelle kritischer sein, sonderlich niederohmig ist der eine MOSFET der Zelle nicht. Kennt jemand die Motivation dahinter?
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NPN BJT Transistor für Piezo buzzer an STM32
Verstärker. Der Transistor darf die negativ gehende Schwingung nicht kurzschliessen, also kein MOSFET sein. Die RECOMMENDED OPERATING CIRCUIT EXAMPLE im Datenblatt betreibt ihn nur mit 3V, macht 50dB säuseln. Hier steht, wie man durch eine Spule lautet bekommt https://www.edn.com/increase-piezoelectric-transducer-acoustic-output-with-a-simple-circuit
Verstärker. > > Der Transistor darf die negativ gehende Schwingung nicht kurzschliessen, > also kein MOSFET sein. > > Die RECOMMENDED OPERATING CIRCUIT EXAMPLE im Datenblatt betreibt ihn nur > mit 3V, macht 50dB säuseln. Im Datenblatt steht 70dB(A)/10cm min. at 4kHz, 3V0-P. Laut genug für mich.