-
Thread
uC soll 12V Schalten
Musst du Highside oder Lowside schalten? Wie viel Strom?
IRF5305 wenn es ein p-Fet sein muss.
-
Thread
LM5104 MOSFET Ansteuerung
Wenn LO und HO schalten dann laden sie das Gate anfangs mit ca. 12V/7.5Ohm =1.5A. Das ist nur machbar, wenn C3/20 ausreichend groß sind.
Flanken dann korrekt kommen sollten, ggf. bei Q2 wieder den 100Ohm-Widerstand rauslöten und einen FET einlöten.
-
Thread
Kondensator an Versorgungsspannung verhindert Anlaufen des Motors (Bootstrap Halbbrücke)Bootstrap
Überschwinger bei den Schaltvorgängen signifikant größer werden. Bei Vollast (ca. 13A) bleibt der FET 2-3s lang kühl, dann weitere 2-3s lang erträglich und dann zu heiß zum Anfassen. Man merkt auch wie der Strom um 1A kleiner wird, wenn der FET sich aufheizt.
zwischen 12V und Ausgang gesetzt (vorger war er zwischen Ausgang und GND), jetzt wird der Low-side FET heiß. Es ist also offensichtlich so, dass der FET heiß wird, der meim "an" zustand leitet und der Freilauf-FET kalt bleibt. Die FETs haben einen Widerstand von knapp 0.01Ohm, was bei 15A knapp
-
Thread
Mosfetliste im Wiki
Fet´s Gruß Haiko
warum /du/ etwas brauchst, was keiner vermisst oder herstellen kann... Und: welche Uds braucht der FET? Welche Bauform?
-
Thread
variable Lastanpassung für Kleinwindanlage
was nicht so schalten wie gewünscht. Zudem würde ich eine elektronische Sicherung einbauen, dass wenn die Spannung >200V ist, dass dann die Thys schalten. (unabhängig von der CPU, denn die kann mal hängen bleiben oder
bleiben. Ist es dann besser für jede Phase ein einzelnes SSR zu nehmen und die auch getrennt zu schalten?
-
Thread
Verständnisfrage FET
Hallo, mir ist nicht klar, wie das mit den beiden FETs M1 und M2 in der Schutzschaltung für eine 18650 LiIon-Zelle funktioniert. Beim Laden und Entladen fließt der Strom in entgegengesetzter Richtung durch die beiden FETs und ein FET kennt meines Wissens
Hans H. schrieb im Beitrag #7856560: > ein FET kennt meines Wissens wie ein Bipolar-Transistor nur > eine Stromrichtung. Nein, ein FET ist unipolar.
-
Thread
Brückenprobleme
veränderst die Schaltung von "Manchmal überleben die FETs" in Richtung "Jetzt gehen sie immer kaputt". Einfacher & Schneller: Die 10000er Kiste FETs in der Mikrowelle gut durchgaren.
Georg schrieb im Beitrag #5059520: > Vorwiderstände kommen vor die Gates der FETs und Horizontal oder vertikal?
-
Thread
40+A für Heizung per PWM einstellen mit niedriger Verlust-Leistung?
Anja schrieb im Beitrag #5293803: >> Mal davon abgesehen, dass der abgekündigt und ein HighSide Schalter ist? > > das mit dem Low-Side-Schalter wurde erst am 26.01.2018 vom TE bekannt > gegeben. Der Zusammenhang war hier das Andrew erst einen BTS555 und für spätere Muster einen N-FET vorgeschlagen
Steuergerät nicht imun sein. Und das wird eher sowas wie ein Relais. > Bei den vorgeschlagenen Low-Side FETs vermisse ich das. Ja, ich auch, darum habe ich neben dem FET auch einen Temperatur-Sensor platziert. > Ich nehme ja nicht an daß der FET kurzschlußsicher in der > Heckscheibenheizung integriert
-
Thread
N-MOS sperrt nicht nach erstmaligem einschalten
Die Frage ist, was hält der MosFet aus und wie hoch ist der Strom durch die Lampe... Bei Deiner Dimensionierung kann ich mir gut vorstellen, dass Du den FET abgeheizt hast...
Pascal P. schrieb im Beitrag #4474914: > Der Mosfet kann 5A. Schalten kann er diesen Strom. Hart schalten... Du eierst mit diesem 470uF-Kondensator so abartig langsam durch den verbotenen Bereich der SOA, dass der Fet eher früher als später sterben wird. > Da das
-
Thread
Hochsetzsteller Wirkungsgradprobleme
war doch skeptisch ob die Schaltung generell funktioniert und habe > sie mal mit einem idealen Schalter unter LTSpice simuliert. Schöne Simulation! Cool! :) Wenn ich z.B. mal einen realistischen Wert von 32mOhm für den Einschaltwiderstand eintrage landet man bei 1,3306 Watt für den FET (IPB320N20N3
versuche mal zusammen zu fassen was schon geschrieben wurde bzw. mir so einfällt: * Keine Masse unterm FET und Kupferfläche unterm FET mit VIAs verbunden. Kupferfläche am FET so groß wie möglich machen. Warum Thermals am MOSFET? Deaktivieren für bessere Kühlung. * Mehr Kapazität am Eingang und auf mehrere
-
Thread
LED mit FET schalten - steh auf dem Schlauch.
steh grad voll auf dem Schlauch. Kann mir wer runter helfen? Ich will mit einem uC und einem FET eine Last und parallel dazu eine LED zur Kontrolle schalten. Die Last fehlt noch, ich scheiter aber schon bei der LED :D Diese leutet im eingeschalteten Zustand normal, im ausgeschalteten allerdings
auf halber Stärke. Heutige hocheffiziente LEDs glimmen schon deutlich bei den wenigen uA, die der FET im ausgeschalteten Zustand möglicherweise durchlässt. Messe mal diesen Leckstrom mit dem Multimeter. Als Abhilfe kann man einen Widerstand parallel zur LED schalten, z.B. 10k.
-
Thread
Skori-Converter: neue Schaltwandler-Topologie oder alter Hut?
will kann man auch je ein Ende jeder Wicklung mit Plus verbinden und das andere Ende über je einen FET gegen Masse schalten. Damit braucht man keinen Highside-Treiber. Bei dieser Art von Wandlern (auch beim "Skori-Converter") dürfte allerdings am jeweils ausgeschalteten FET ca. die doppelte Eingansspannung
>Ginge im Prinzip schon, aber braucht sehr gute FETs... Klar "im Prinzip" kann man beliebig hohe SSpannungen und Ströme schalten. Ab 650V wird die Auswahl, wie du bestimmt weist, knapp und teuer (das schließt SiC ein). Hatt schon seinen Grund, warum
-
Thread
Stromsparender Schalter - wie?
mit einem sehr kleinen On-Widerstand. Zusätzlich gibt es Logik-Level-Mosfets, die mit 5V schon schalten.
Switch. > Fast unkaputtbar, denn der kann 160A > > Der kleine Bruder: BTS432 Um 250mA zu schalten ......... Mann O Mann! Ein einfacher P-Kanal FET tut es locker
-
Thread
VCC wie 'verlustfrei' Schalten ?
"Hast du schonmal ein einen P-Kanal FET gedacht? Ron-Widerstände von <10mOhm sind gängig," Beispiele?
Lars wieso nicht einfach ein Relais oder ein Bipolares Relaus, da musst du dann nur zum schalten einen impuls darauf geben
-
Thread
Wechselrichter hilfe
die Batterien mit 50-Quadrat anschliessen wuerde. Wenn man zu entwickeln anfaengt traegt man die FET kuebelweise in die Entsorgung. Man wuerde nicht denken, wie schnell 100 Fet verschmort sind.
verbunden mit Kupferschienen schaltplan ist im anhang Antwort an тупой сказател: und das mit den Fet ich habe schon die richtig starken teile und ich arbeite mit sicherungen und vor allem schalte ich mit fet 1A maximum um thyristoren und triacs zu steuern die triacs halten 50A Und die Thyristoren
-
Thread
Sinnloses MOSFET-Sterben
Gate auf 5V) die MOSFETs (Widerstand >> zw. Gate und Source <1k). > > Was heißt "sterben"? Schalten entweder dauernd, gar nicht mehr oder lassen immer <0.1A durch. Der GS-Widerstand ist dabei schwindend gering. > Wie steuerst du deine FETs an. Ist sicher gestellt, das U_gs nie über > 10V geht
Fabian schrieb im Beitrag #3849600: >> Weil die FETs zu langsam aufsteuern und heiss werden... > Nicht ansatzweise, kaum Temperaturanstieg fühlbar. So oft müssen die ja > nicht schalten. Ob der FET im Kanal kurz durchglüht, merkst du außen gar nicht
-
Thread
BS170 als analoger Schalter
separatem Substratanschluss (z.B.BSS83), oder noch besser ein CMOS Schalter IC (74HC4066, DG719 oder ähnlich). Mit dem passenden IC reichen auch 3 V.
die Gegenkopplung ist das meist zu schnell. Das wär mal ein seltener Ansatz, wo ein MOSFET als Schalter es gemächlich angehen sollte.
-
Thread
Konstantstromquelle mit Opamp und Fet
Schonmal versuhct die Widerstände zu ändern und die Änderung beobachtet?. So ein FET muss ja sein Gate umladen und vielleicht geht das, bedingt durch die Widerstände, zu langsam.
Du könntest vielleicht parallel zu R1 noch einen Kondensator zur Dämpfung schalten. Schöne Grüße, Alex
-
Thread
Elektronische Last (4x) 100A
was heisst FETs ausgemessen?? sprich dem FET angepasste widerstaende??
Das Problem liegt darin die Gesamtverlustleistung gleichmäßig auf die einzelnen FETs aufzuteilen, d.h. jeder der n-FETs muß 1/n des Gesamtstromes tragen. Dies erreicht man dadurch, daß nicht die einzelnen FETs, sondern n-Stromsenken parallelgeschaltet werden, bei denen die Einzelströme
-
Thread
Dimensionierung Pufferkondensator High Side Schalter
in die Runde, für die Auswahl und Dimensionierung von Pufferkondensatoren für 24V High Side Schalter benötige ich Hilfe bzw. einige Erfahrungswerte: In der Applikation sollen Heizelemente mittels High Side Schaltern geschalten und gesteuert werden. Ein Heizerkanal schaltet dabei ein Heizelement
Frequenz: 10Hz). Wie gering? 1%? 1Promille? Solche Smart Switches können nicht sehr kurze Pulse schalten, da gibt es eine Mindestpulsbreite. Wenn man die unterscheitet schaltet der Schalter entweder gar nicht oder es passieren komische Dinge. > Folglich > schalten die High Side Schalter nur impulsartig
-
Thread
AtTiny mit 200nF zwischen GND und VCC
mehr nur 200nF und 10nF. Hab deshalb einen 200nF Kondensator zwischen GND und VCC gesetzt. Jetzt schalten meine MosFets nicht mehr aus. Kann das daran liegen? Grüße Frank
Frank Ertl schrieb im Beitrag #5554699: > Jetzt schalten meine MosFets nicht mehr aus. Wenn sie nicht mehr ausschalten, hast du sie wahrscheinlich per ESD geschreddert. Da hat das Gate nun einen Feinschluss zur Drain.
-
Thread
PI Stromregler
Hallo OP27 aber ich muß nicht so schnell schalten. Anstieg hinter FET 8us. Wird ein Laser mit geschaltet. ca. 1A
Hallo mess doch mal wenn du den + Eingang gegen GND schaltest.
-
Thread
Schaltverluste - Erklärungen und Tipps gesucht
Reicht die FET-interne nicht aus? / Ist es die, die die Abwärme produziert?
du einen FET-Treiber verwendest und eine Synchrongleichrichtung (statt Freilaufdiode ein weiterer FET) betreibst.
-
Thread
Kondensator über Transistor entladen.
wählen (die Elkos haben einen relativ hohen Innenwiderstand und die Tantals zu wenig Kapazität). Der FET sollte kein Problem sein, er sollte einen kleinen On-Widerstand haben, sehr schnell schalten können und einen verdammt hohen Peak-Strom vertragen können. Ohne zu suchen, nur aus dem Kopf heraus fällt
Spitzenströme geeignet. Eine Batterie aus Low ESR Elkos sollte es problemlos auf <10mOhm bringen. > Der FET sollte kein > Problem sein, er sollte einen kleinen On-Widerstand haben, sehr schnell > schalten können und einen verdammt hohen Peak-Strom vertragen können. Den Fet halte ich eher schon für ein
-
Thread
OpAmp als Integrierer mit Reset
Einen geschalteten Integrierer wuerd man eher mit einem Analogschalter realisieren. Und wenn mit einem Fet, dann mit einem Invertierverstaerker ohne Offset. Kennziffern eines geschalteten Integrieres sind Drift durch Leck- und Offsetstroeme, Ladungsinjektion beim Schalten, Schaltzeit.
geschalteten Integrierer wuerd man eher mit einem > Analogschalter realisieren. Und wenn mit einem Fet, dann mit einem >Invertierverstaerker ohne Offset. > Kennziffern eines geschalteten Integrieres sind Drift durch Leck- und > Offsetstroeme, Ladungsinjektion beim Schalten, Schaltzeit. Das heißt
-
Thread
MOSFET Treiber funktioniert nicht richtig (UCC27200)
Und was für eine Spannung hast du am Drain des oberen FETs?
Wenn letzteres, dann kann auch der FET "entzwei" gehen, weil er dann nicht wie ein Schalter anschaltet, sondern fließend an Laune verliert ;) Dabei steigt seine Spannung über ihm. Das mal dem Strom der gerade fliesst ergibt die Verlustleistung
-
Thread
100W Flyback für hohe Spannungen umbauen
Ausschaltverluste so dominierend werden wenn hart geschaltet. Und ja, dise kleinen IGBTs kann man mit jedem Fet Treiber Schalten. Für die noch nicht so hohe Spannung von 800V gemeinsam mit nur 100W, ist der Mosfet Ansatz schon richtig. >> Die grüßte herausforderung war der Trafo, nicht jedoch >> die Aufteilung
Ausschaltverluste so dominierend werden wenn hart geschaltet. Und ja, > dise kleinen IGBTs kann man mit jedem Fet Treiber Schalten. Gut, habe mir Heute ein paar Muster bestellt. Werde sie ausprobieren. > Das Streuamre design gemeinsam mit stark unterschiedlicher Windungszahl > gepaart mit der hohen Spannung
-
Thread
AtMega32-Ausgang nicht wirklich 0V
Der interne FET des AVR kann ~20 mA schalten, vielleicht ist der Strom zu hoch den deine FET Schaltung benötigt. Pullupwiederstände ? FET Treiber ?
Dann hab ich noch 0.6V, wenn ich 220 Ohm äls Pull-Down schalte.
-
Thread
Schalter für extrem hohe Ströme
Ignitron ist kein Schalter... https://de.wikipedia.org/wiki/Ignitron
relativ linear mit der Spannung. Ganz perfekt ist das natürlich nicht wenn man noch nicht den finalen Schalter hat, die Verluste im Schalter beeinflussen natürlich auch den erreichbaren Strom.
-
Thread
µC - BUCK - BOOST Konverter
du meinst, der pnp transistor müsste nicht an gnd sondern an Source des entsprechenden high-side fets ran?
ich nicht! Danke für den Link! Sehr hilfreich! Also sollten die Treiber so gut wie direkt an die FETs... Werde ich mir merken fürs nächste Layout!
-
Thread
mehrere IRLZ34N -> hoher Ruhestrom?
Achim S. schrieb im Beitrag #5343355: > Und du hast wirklich direkt am FET gemessen? Und nicht an irgendeiner > Stelle, von der du annimmst, dass Sie direkt mit dem FET verbunden > sei? Auf dem Foto sieht es danach aus, als seien die Beinchen des FET so > isoliert/verschrumpft
Die Logik-FETs sind eben nochmal 10x so empfindlich wie die normalen.
-
Thread
Steckdose per µC Schalten, kleiner Vergleich
verstanden habe, nicht wirklich für > induktive und kapazitive Lasten geeignet Wenn Du nur schaltest, nicht dimmst, sind induktive und kapazitive Lasten mit Triacs kein Problem. > # als drittes kam mir dann die FET-Lösung in den Sinn > (2 FETs Antiseriell, Gates verbunden): > + geringe Verluste
der Last, kann das wegen der Avalancheeigenschaften der MOSFETs gutgehen. Beim Dimmen, also ein Schalten in jeder Halbwelle, überleben die MOSFETs nicht lange. > - soweit mir bekannt "trennen" FETs nicht zu 100%, was Kriechströme > nach sich zieht. Eigentlich unter 100uA. > - geeignete FETs
-
Thread
MOSFET am PIC
Sorry, dass ich mich erst jetzt melde, aber ich hatte Wochenendstress :-) Ich möchte mit dem FET 12V bei 100 - 1500mA schalten. Der PIC hängt über einen 7905 an +12V und sozusagen +7V. Wenn der PIC-Pin low ist, schaltet der FET durch. Ist der PIC-Pin high, soll der FET sperren. Ich kann
verbunden. Heiss, aber machbar. Dann brauchst du ja keinen Pull-Up, sondern kannst den P-Kanel FET direkt mit dem PIC schalten. Auch wenn es AFAIK keine Logic Level P-Kanal FET gibt, sollte bei ausreichender Dimensionierung eine gatespannung von -5V reichen, um den FET weit genug aufzusteuern.
-
Thread
Schaltplan Umschalter 1-0-1
. Achja, zum Sperren der beiden FET reichen zwei Dioden und zwei Gatevorwiderstände aus, musst nur den richtigen Q des Sperr-FF nehmen und damit die Gatespannung der beiden FET auf GND ziehen. Kurt
1k-Widerstände sind dafür da, um die Mosfets wieder auszuschalten. Wenn die Taster gegen Masse schalten würden, und den Laststrom schalten können, könnte man dies auch umdrehen und direkt mit den beiden Mosfets machen. (Taster schalten Source gegen Masse, Gate , ggf über Spannungsteiler, zum gegenüberliegenden
-
Thread
iMax B6 defekt
schaltenden Betrieb und nicht als Linearregler arbeiten. Dann könnte evtl. noch helfen, die Ansteuerung des Fets entsprechend durch einen geeigneten Treiberschaltkreis auf das Spannungsniveau anzuheben, welches für die optimale Aussteuerung des Fets im Datenblatt spezifiziert ist. Microchip, TI, Micrel, Maxim
Gatekapazität erheblich größer wird, woraufhin die Gateansteuerung auch angepasst werden muss, wenn man den FET immer noch schnell schalten möchte. Geschieht dies nicht, flachen die Spannungs- und Stromflanken beim Schalten ab und der FET verbrät Leistung und wird heiß.
-
Thread
Extem bösartiger Fet, wie geht man damit um?
Wühlhase schrieb im Beitrag #7070216: > Wer ernsthaft schnell schalten will, wählt normalerweise Transistoren > mit geringerer Gatekapazität. Hmmmm. Welchen mit einem vergleichbaren Rdson würdest Du denn Empfehlen um 410A "ernsthaft schnell" zu schalten?
Naja, ist ja > auch kein Wunder, wenn man derartige Kapazitäten umladen muß. > > Also ein kleiner FET mit einem Rdson von etwa 1mOhm. Nett, aber kein > Rennpferd. > > W.S. [ ] Du hast den FET schon mal eingesetzt und vwemessen und bist danach enttäuscht [x] Du kannst mir sicher alternative FETs
-
Thread
Zündung Relais, Mosfet Öffner
geschrieben, dass Du den Fet damit abheizt! Denk mal etwas logisch: Bei Highside mit N-Kanal Fet ist Source an der Relaisspule, 12 Volt die Steuerspannung - beim ersten Einschalten wird zwar die Relaisspule bestromt und die
diese aber nie erreichen, weil das Verhältnis Gate zu Source immer kleiner wird, damit wird der Fet in einem Bereich betrieben, der nicht mehr als Schalter wirkt, sondern auf Grund der sinkenden Gate-Source Spannung dann nicht mehr voll durchgesteuert wird - folglich steigt die Verlustleistung
-
Thread
Treiber für High-Side N-FET (single-shot)
Viele Schaltregler-ICs arbeiten so. Problem: Das low-side FET muss auch zyklisch geschaltet werden, damit das funktioniert. Wie könnte man einen high-side Treiber für ein N-FET als single-shot Lösung realisieren, sodass man z.b. mit dem N-FET gegen 200V schalten
Xx X. schrieb im Beitrag #7546676: > Ok, ich konkretisiere: > Wenn das N-FET mit Drain an 200V DC hinge und eine Kapazität an Source > auf diese 200V aufgeladen werden soll, bist du in Begriff, SEHR große Ströme zu schalten und den FET zu sprengen. Ohne Strombegrenzung
-
Thread
Mosfet schaltet nicht
Wenn das Teil nicht explizit für den Linearbetrieb geeignet, sollte der bei jedem Schalten am Nirwana schnubbern. 400k zusammen mit 10µ sollten dem stärksten FET den Gar ausmachen.
des FET bedeuten.
-
Thread
MOSFET als Schalter für LED
Hallo! Auch wenn der Betreff eine triviale Frage vermuten lässt ;-) Angenommen ich schalte eine LED mit dem 2N7002. Source an Masse und an Drain die LED und Vorwiderstand in Reihe. Jetzt würde mich bei der Wahl des Widerstands folgendes interresieren: Fällt über dem FET auch eine Spannung
Minimal. >und demnach auch keine Diffusionsspannung... also kein Spannungsabfall >über dem FET. Ist dein FET supraleitend? MFG Falk
-
Thread
MOSFET // Selbsthaltung Gesperrt
nur 55V über DS. Braucht es hier einen Mosfet der über DS wirklich 325V abkann oder kann man die Fets in Serie schalten? Wie ist es mit dem GS-Bezug wenn in Serie geschaltet? Dann habe ich das Problem, dass ich mit dem N-Mos nicht einfach gegen Masse schalten kann, da ich so die max Spannung am Gate des P-MOS überschreite und dieser kaputt geht. Hinzu kommt, dass über dem N-Fet so zum Schalten des P-Mos ca. 205V abfallen müssten, um den Fet möglichst ohne grosse Verluste zu betreiben. Mein N-Fet kann aber auch keine 205V UDS. Ich wäre um Ratschläge sehr dankbar.
-
Thread
Gleichstromlast MOSFET
zu bipolaren steigt RDs On mit der Temperatur. und dann rennt im Linearbetrieb die Zeit für den FET ab.... > Wenn dem nicht so wäre, hätten wir nicht 100te von Amps so mit > parallelisierten 50N05 schalten können. schalten (und das ist was vollkommen anderes als linear ansteuern) > Es
Drum gibts auch Trench FET, die sich wiederrum schlecht für den Linarbetrieb eignen.
-
Thread
BTS432 wird heiß? Blinker schalten
Hochsommer beide funktionieren. Nimm entweder ein Relais oder diskrete p-Kanal MOSFETs. Die ProFETs gibts meines Wissens nicht für 6V-Bordnetze.
meine Blinkgeber N-Mosfets, und zwar den IRF7413. Der Controller (Tiny24A) läuft dabei mit 4V. Die FETs werden nach 5 Minuten blinken (2x21W/6V) nicht mal handwarm.
-
Thread
Brushless Regler
oder muss ich zwingend aktiven Freilauf machen? Hintergrundgedanke dabei war, dass ich die Highside-FETs nicht allzu oft schalten möchte, da die aus einem Bootstrap-Kondensator versorgt werden.
ausschaltet, sondern immer in der Ausschaltphase des lowside-FETs den highside-FET einschaltet. Dadurch kann die induzierte Spannung im Motor durch den FET fliessen, welcher viel niederohmiger ist, als jede Freilaufdiode. In der Freilaufdiode wird sonst immer eine
-
Thread
Spannungen mit einem Operationsverstärker erzeugen
0.3V habe ich eigentlich sogar auf 12V hochgezogen. Das habe ich vergessen einzuzeichnen) Wenn die Fets auf 0V gezogen werden, dann schalten die doch ganz durch und ich erhalte eine zu hohe Ausgangsspannung. "Warum nimmst Du keine N-Fet als Sourcefolger anstatt P-FET ?" Dann müsste ich das Signal
sieht es mit FET schon wieder schlecht aus. Arno
-
Thread
Nicht noch ein Cocktailautomat -.-
Gate gerne 15mA legen. > Aus welchem Grund? Damit die I/O Pins nicht überlastet werden und der FET dann immernoch sicher schalten sollte.
Gate gerne 15mA legen. >> Aus welchem Grund? > Damit die I/O Pins nicht überlastet werden und der FET dann immernoch > sicher schalten sollte. Der Transistor hat eine Gateladung von 35nC, damit kannst du einen direkt angeschlossenen µC-Pin mit dem quasistatischen Schalten von Motoren oder Ventilen
-
Thread
Ist diese Schaltung so realisierbar
Da kannst du viele hintereinanderschalten und so mit 4 oder 5 Steuerpins am µC hunderte Lampen schalten ...
Genau so ist es. Übrigens, noch ein generelles Problem zu deinem Wunsch, nur durch Auswahl der FETs alternativ eine der drei Spannungen auf eine einzige Lampe zu geben. Da macht dir die Reverse-Diode (zwischen Source und Drain) einen Strich durch die Rechnung. Schaltest du z.B. die 12V-Seite ein,
-
Thread
Robusterer P-FET als IRF5210? Geht das?
im Beitrag #6816367: > 1. eine kompliziertere Schaltung, die dU/dt am Ausgang begrenzt und den > Fet am Schaltpunkt entsprechend langsamer durchschaltet (2 zusätzliche > Transistoren + Hühnerfutter). Mit der Lastkapazität ist I bekannt, du > kannst beliebig langsam schalten und im SOA bleiben. >
Beitrag #6817162: >> 1. eine kompliziertere Schaltung, die dU/dt am Ausgang begrenzt und den >> Fet am Schaltpunkt entsprechend langsamer durchschaltet (2 zusätzliche >> Transistoren + Hühnerfutter). Mit der Lastkapazität ist I bekannt, du >> kannst beliebig langsam schalten und im SOA bleiben.
-
Thread
Zwei MOSFETs parallel, Strom durch Wärmeleitpaste?
nur durch ohmsche Widerstände begrenzt. Wenn du die Frequenz größer machst und definiert schnell schaltest kannst du einen konstanten Strom in der Spule aufrecht erhalten. Continous mode in step-down reglern. Das würde die FETs auch bei blockierendem Motor schützen und das Drehmoment erhalten. Ansonsten
haben. Selbst wenn VCC am IR2184 auf 5V liegen würde, dann wär die Spannung VIEL zu gering. Die FETs haben eine VGS(th) von max. 4V. Die werden viel zu langsam schalten, außerdem wirst du den im Datenblatt angegebenen RDS(on) nie erreichen, da der bei VGS=10V gilt und nicht 5V. 15 Ohm an den Gates
-
Thread
Interesse an Platinen für HAP-Control-Unit?
sein soll. Ben hat nen guten Tip mit den Tastern gehabt und von daher denke ich werde ich alle Schalter einfach nur 5V auf nen Eingang vom Atmel schalten lassen (keine 250V mehr am Schalter). Sonst sehe ich die Auslösung der Taster nicht und ich will das ganze aufm Ipod / 15 Zoll monitor später haben
@Charly Das Layout ist von mir nicht weiter auf Erwärmung der MosFets getestet. Ich verwerfe diesen Dimmer eh und entwickel einen mit inverser Logik, wie ich weiter oben beschrieben habe. Ich schwenke dann auch um auf zwei antiparallel geschaltete MosFets um den großen