-
Thread
Schaltnetzteil von TV durch Kurzschluß tot - erste Hilfe
Test durch 400V-Typen ersetzen, für den MOSFET habe ich keinen Ersatz da. Die anderen Dioden (primär wie sekundär) sind o.k. Meine Frage: Ist erfahrungsgemäß davon auszugehen, daß auch der MOSFET defekt ist? Wie kann ich nach dem Austausch der
ergab keinen Kurschluß und einen > Strom von sehr deutlich weniger als 1uA. Wie genau kann ich den MOSFET > testen, ohne ihn auszulöten? Gut, leg 230V~ an, MOSFET nicht durchlegiert. Vielleicht fand der Kurzschluss ja hinter den Dioden statt.
-
Thread
LED-Strip flackert, trotz 1.5kHz dimmfrequenz.
Manuel Neff schrieb im Beitrag #7194178: > Vom Ausgang des PCA9685 gehe ich auf einen N-Mosfet namens "GL10N10B4S". Eine sehr schlechte Wahl, das ist ein 100V MOSFET für 10V Gateansteuerung.
beim HIGH Pegel am > Ausgang. Ich > denke, da braucht man Pull-Up Widerstände, sonst werden die MOSFET heiß. Bei 1,5kHz reicht das auch für MOSFETs mit viel größerer Gatekapazität immer noch gut aus.
-
Thread
Mosfet Verluste
nicht schlauerweise der T2 auf Durchgang geschaltet wird. > Denn nur das ist der Zweck dieses Mosfets bei einem synchronen > Buck-Regler. In der Freilaufphase fließt also der volle Strom durch die Body Diode des Mosfets T2. Muss man dann die Verluste dieses MOSFETs nur über die Body Diode berücksichtigen? Also Verluste in der Freilaufphase: P_freilauf = Vdf*I,avg + Rdf * I,rms^2 P_Mosfet(ausgenommen Body Diode) = rDson * I,rms^2 = 0 (weil alles über Body Diode dieses Mosfets fließt)?
-
Thread
Wie würde man eine Spannungsversorgung (5V=) konzipieren, die mit AC & DC (3V -18V) funzt ?
, V_MOSFET = Vin + Vout, I_MOSFET = Iin + Iout, deshalb hat SEPIC weniger Effizienz als Buck-Boost. Aber SEPIC hat auch Vorteile: weniger kompliziert, man kann die meisten Up-Wandler-IC dafür benutzen, man
reichlich überdimensioniert. Oder gleich einen Gleichrichter aus "idealen" Dioden, eben gesteuerten MOSFETs.
-
Thread
ULN2803 in "groß"?
Nimm was modernes, MOSFETs. IRF7103 ist dein Feund, zwei kleine 2A Mosfets im SO-8 Gehäuse. Preiswert und leistungsfähig.
array. Da sind keine MOSFET drin.... MfG Paul
-
Thread
Source-Gate-Strecke von Mosfet wird leitend
Ingo S. schrieb im Beitrag #5206969: > Warum geht der Mosfet kaputt? Vom Anfassen. Die kleinen MOSFETs sind sofort kaputt bei geringster elektrostatischer Ladung.
hallo Kann elektrostatische Entladung einen MOSFET auch derart schädigen, daß die z-Diode weiterhin funktioniert und die S/D - Strecke auch noch sperrt, aber der MOSFET nicht mehr schaltet?
-
Thread
Ist mein Vorhaben mit einem Transistor (mosfet) realisierbar?
Hi noch eine Frage: ich besorge gleich einen 27A MOSFET. Könnte mir einer von euch klugen Köpfen sagen wie Wiederstand und Kondensator dimensioniert sein müssen damit ich meinem Mosfet gesteuerten Stromkreis Lowpass filtern kann? danke und lg
> 3,9K Wiederstnad und 0,1uF Funktionert der Mosfet dann noch immmer so > wie ich es möchte? Wenn du möchtest dass der magische Rauch entweicht, dann ja. Dann arbeitet der Mosfet nicht mehr im Schaltbetrieb, sondern im Linearbetrieb. Die Verlustleistung
-
Thread
Transistor als "abschaltbare" Freilaufdiode?
einfachen 1 Quadranten Stellers. http://www.mikrocontroller.net/articles/Motoransteuerung_mit_PWM#Mosfet_mit_Freilaufdiode.2C_1-Quadrantensteller >nicht entsprechent mit Chopper ausgestattet (denke ich zumindest). Ein >MOSFET hat zudem eine Strukturbedingte Freilaufdiode die Du nicht >rausoperieren kannst. Man kann aber einen P-Kanal MOSFET in Reihe zur Freilaufdiode schalten. Oder Old School mit einem Relais.
-
Thread
Bikebox - Standlichtanlage fürs Fahrrad
http://fahrradzukunft.de/14/mosfet-gleichrichter/ unten wird auch direkt auf den Fet-Gleichrichter verwiesen.
Here we go :) http://de.farnell.com/fairchild-semiconductor/fdd8424h/mosfet-2fach-np-smd-d-pak/dp/1498953 Artikelsuche bei Farnell: "MOSFET, NP, D-PAK"
-
Thread
Zeilentrafoschaltung zerstört MOSFET?
Kabel an die Erdung, die ja eigendlich gar nix mit der Schaltung zu tun hat und mir krepiert der MOSFET?
besser, der MOSFET ist tot, als du.
-
Thread
schneller push-pull bei Levelshift?
Schnellen Mosfet statt staettigenden Bipolar Transistor fuer Q4?
gesagt: ich habe damit sehr gute Erfahrung. Für 100 n Last reicht es Treiber alleine, ohne externen MOSFET.
-
Thread
Definierte 2A benötigt
Möglichkeiten gestoßen. Versorgt wird durch ein 15V Netzteil 1) Konstantstromquelle mit OPV und Mosfet: Mosfet und Shunt könnten aber die Leistung nicht vertragen und zu viel Wärme entwickeln 2) primitiv ein Labornetzteil mit Strombegrenzung und Multimeter zum genauen einstellen benutzen: teuer
bernds schrieb im Beitrag #4694845: > 1) Konstantstromquelle mit OPV und Mosfet: > Mosfet und Shunt könnten aber die Leistung nicht vertragen und zu viel > Wärme entwickeln Wieso unbedingt ein MOSFet? Das kann ein normaler BJT sein und man muss ihn eben kühlen - was auch
-
Thread
Schalter welcher bei 4 Volt bei einer Spannung von 0.75 -4V schaltet bauen
Walter schrieb im Beitrag #7462676: > Worin besteht mein Denkfehler? MOSFET nicht verstanden.
H. H. schrieb im Beitrag #7462693: > MOSFET nicht verstanden. ...und weiter?
-
Thread
Unbekanntes Bauteil
Sieht nach MOSFET aus. Probiers mit 2N7002 o.ä..
Björn R. schrieb im Beitrag #5496120: > Nr. 360 in der Tabelle. Code C43 Passt und N-Kanal-Mosfet passt auch, Was auch immer es sein mag, ein SST4093 ist kein MosFET sondern ein J-FET. J-Fet != IG-Fet
-
Thread
BS170 direkt an µC für 12V/100-200mA
einer, der keine Datenblätter lesen kann. Das Diagramm ist TYPISCH, d.h. der tatsächlich gekaufte MOSFET kann schwanken. Und leider liegen die Schwankungen der Ugs bei MOSFETs im Bereich von 1:2. Damit leitet der MOSFET wenn's dumm kommt keineswegs 750mA bei 5V Ugs, nicht mal 375mA weil das 1:2
BD675. Es müssen bei weitem keine MOSFET sein. Übrigens sah ich bisher keine einzige industrielle Schaltung aus dem Konsumer-Bereich, wo MOSFET in LED-Schaltungen verwendet werden. Außer mein Demo-Board mit dem LWL-Transmitter, ist aber
-
Thread
12V auf 325V Boost Converter mit LT3757
wissen, ob es irgendwo eine belastbare Aussage dazu gibt, welche Drain Gate Spannung der genannte MOSFET "überlebt"?
Dieter D. schrieb im Beitrag #8067367: > Wenn Du... In dem Falle waren das Wege ohne einen Mosfet höherer Spannungsfestigkeit zu verwenden zu können. Mit externen Mosfet hoher Spannungsfestigkeit ist das alles natürlich hinfällig.
-
Thread
300A mit Mosfets schalten.
in den restlichen Bereichen ist beim MOSFET nicht ganz so kritisch. Vermutlich wird dann doch zuerst der Bonddraht schmelzen.
Junction Temperature Range" aus einem Mosfet Datenblatt übersetzen, wenn diese garkeine Sperrschicht haben ?
-
Thread
Panasonic Drossel vs. Fastron Ringkerndrossel
dt zu tun, oder? Ich hätte das so verstanden, dass die Turn-On und Turn-Off Snubber die Vds vom Mosfet nehmen während das Gate nicht ganz durchgeschaltet ist? D.h. sie sind für den Strom der einfachere weg während der Mosfet noch hohmohmig ist? Erst wenn der Mosfet dann fertig ist, dann übernimmt
des Stroms. >Ich hätte das so verstanden, dass die Turn-On und Turn-Off Snubber die >Vds vom Mosfet nehmen während das Gate nicht ganz durchgeschaltet ist? ??? >D.h. sie sind für den Strom der einfachere weg während der Mosfet noch >hohmohmig ist? Ne. >Erst wenn der Mosfet dann fertig
-
Thread
P-Mosfet, Plus schalten mit 3.3V
schrieb im Beitrag #5553605: > Ich würde den BSS138 nicht verwenden! Andere kennen sich mit MOSFETs besser aus!
2,5V Klasse umschauen, finde die haben eine gute Übersicht und Filter. https://www.vishay.com/mosfets/25-rated-on-res/
-
Thread
Mosfet BUZ11 VGS Verständnisfrage
10V die > optimale Spannung ist, um mit dem Mosfet zu arbeiten Was das Optimum ist, hängt von vielen Dingen ab. Die 10V sind eine Meßbedingung, mehr nicht. Allerdings kannst du davon ausgehen, daß der MOSFET bei noch höherer Spannung nicht mehr
Veit D. schrieb im Beitrag #6507041: > Du musst dir einen Logic Level Mosfet suchen. Hier findet sich sicher was passendes: https://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht
-
Thread
Hohe Wechselspannung schalten
www.hengstler.de/de/s_c100503/Relais/Hochspannungsrelais/ >Ich habe es schon mit 2 IGBTs sowie 2 >Mosfets versucht.. Bei 2kV sind MOSFETs eine schlechte Wahl. IGBTs sind hier deutlich im Vorteil, aber ein 2500V IGBT mit 10A Schaltstrom ist schon eher exotisch. >bezahlbar sind finde ich auch keine
dann musst du nicht sekundärseitig herumkaspern. Übrigens könntest du die Verlustleistung der Mosfets reduzieren indem du mehr als 5V Gatespannung verwendest. Ich kenn das so mit 10-15V, dann wird dein rdson auch kleiner, also jetzt für HV-Mosfets.
-
Thread
LtSpice CMOS simulieren 74HCxx
brachialer Gewalt geändert wird. Weil das ja gegen den jeweils leitenden MOSFET geschehen muß. Der steuernde MOSFET (in deiner Schaltung also p1 + p2 oder n1 + n2) muß niederohmiger sein. Zumal es ja sogar zwei in Reihe sind.
der 70er, also erst recht ein 74HC04) besteht ein Inverter intern aus 3 Invertern. Dabei sind die MOSFET der beiden ersten Stufen deutlich kleiner (geringe Kapazitäten) und die der Ausgangsstufe deutlich größer (geringe Kanalwiderstände). Dazu kommt noch, daß die p-Kanal MOSFET auch größer als ihre n-Kanal
-
Thread
Spannung für den Zwischenkreis hochsetzen
Spannung ohne Probleme ab, hat jedoch ca. 1,5V Uce Spannungsabfall (Pv = 1,5 * 666A = 1000W). Ein 800V MOSFET hat einen relativ hohen ON Widerstand. Damit der MOSFet auch unter 1kW Verluste hat darf sein Rds,on nicht größer sein als (z.B. Rds.on = P / I² = 2,25 mOhm ). Viel Spaß bei der Suche!!! Problem
ohne Probleme ab, hat jedoch ca. >1,5V Uce Spannungsabfall (Pv = 1,5 * 666A = 1000W). Ein 800V MOSFET hat >einen relativ hohen ON Widerstand. Damit der MOSFet auch unter 1kW >Verluste hat darf sein Rds,on nicht größer sein als (z.B. Rds.on = P / >I² = 2,25 mOhm ). Viel Spaß bei der Suche!!!
-
Thread
Relais_Mosfet
ist der im Link Transistor kein Mosfet? https://www.conrad.de/de/stmicroelectronics-transistor-bjt-diskret-bd243c-to-220ab-1-npn-167606.html wobei der Ic also vom Relais liegt bei 150 mA. Gruß
Mark schrieb im Beitrag #5732626: > Ist der im Link Transistor kein Mosfet? Stefanus F. schrieb im Beitrag #5732614: > Mosfet NPN gibt es nicht. > Der BD243 ist ein Bipolarer NPN Transistor.
-
Thread
Leistung MOSFET
die Leistung, die du berechnet hast, gehen ja in den LEDs drauf und nicht im Mosfet. Bei der Mosfetauswahl musst du nur Spannungsfestigkeit, Durchflussstrom, Gatekapazität und Schaltfrequenz berücksichtigen. siehe http://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht#N-Kanal_MOSFET
yalu wrote: >Du meinst das Bild mos.png? >Dann ist + schon richtig, da hier der Mosfet in Source-Schaltung schon >invertiert. Sorry Michael, yalu hat natürlich recht, hab ich verkackt. Das Invertieren durch den MOSFET habe ich übersehen.
-
Thread
Gyrator mit Mosfet
Mikroprozessor-Frage, aber Trotzdem: Hat hier jemand schon Erfahrungen mit Gyrator-Schaltungen auf Power-Mosfet-Basis gamacht ? Oder auch nur mit Gyratoren? Ich bin auf der Suche nach einer einfachen Gyratorschaltung, die eine Spule von ca 10H bei 400 Volt ersetzen kann, in einer Pi-Filter-Anordnung(maximaler
Netzteile, in denen Gyratoren zur Dämpfung eingesetzt werden, und ich möchte gerne sowas mit Power Mosfets ausprobieren! Im Anhang mal eine Gyratorschaltung für den Kleinsignalbereich...
-
Thread
Display - Backlight PWM
durchschaltet? Ja. Der BUZ11 ist ein alter Hund, aber überall zu bekommen. Besser einen Logic-Level Mosfet. https://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht#N-Kanal_MOSFET Aber für den geringen Strom von 100mA max reicht eigentlich ein Kleintransistor wie BC338 ausreichen.
der E-Technik! Mein Gott, du baust kein Atomkraftwerk sonder nur eine Bastelei. Nimm den P-Kanal MOSFET und gut!
-
Thread
Transistor mit Arduino Schalten
bei 0 V sperrt er. Wenn man die 12-V-Leitung trennen muss, kann man das Gate eines Kleinsignal-Mosfet an den Ausgang des Arduino hängen, dessen Source kommt an Masse, und Drain an das Gate eines p-Kanal-Leistungs-Mosfet, und gleichzeitig über einen Widerstand (kOhm-Bereich) an +12 V. Als Leistungs-Mosfet
freigesetzt, so dass entweder ein kleiner Kühlkörper oder die Parallelschaltung von zwei gleichen Mosfets IRF 4905 nötig würde - dann nur noch ca. 2 W je Mosfet. Viele Grüße, Steffen
-
Thread
N-Kanal Mosfet mit herausgeführtem Substrat
Hallo ich suche einen N-Mosfet mit herausgeführtem bulk/substrat. Ich habe bisher nur Mosfets gesehen bei denen das Substrat direkt mit source verbunden ist. Über Hinweise/Artikelnummer wäre ich sehr dankbar. Am besten ein Fet
> ich suche einen N-Mosfet mit herausgeführtem bulk/substrat. > Ich habe bisher nur Mosfets gesehen bei denen das Substrat direkt > mit source verbunden ist. Ja, dann hast du den Bulk doch über die Source mit rausgeführt
-
Thread
Überschwinger beim Verbinden der Stromversorgung
Beitrag #7606739: > Was mir auch interessant scheint wäre eine Stromlimitierung mit einem > P-MOSFET. Hier > https://electronics.stackexchange.com/questions/294061/p-channel-mosfet-inrush-current-limiting > hatte jemand den initialen Strompuls mit einer super simplen Schaltung > immerhin auf 1.5A
ausgelegt. Die Schaltung war ursprünglich für einen Si7143DP bei 20 V ausgelegt. Woran sollte der MOSFET denn sterben? mfg klaus
-
Thread
Relais ersetzen
deinen Halbleiterrelaisersatzversuchen wirst du bestenfalls viel > über nichtlineares Verhalten von Mosfets im Bereich um 0V lernen. Kannst Du das mal näher erläutern? MOSFETs haben ja im Gegensatz zu BJTs keine minimale Durchlassspannung.
Gibt's eine Empfehlung, welche Mosfets man nehmen soll? Nochmals vielen Dank.
-
Thread
Fragen zu Vorwiderständen (?) und MOSFET-Auswahl bei 12V-Steuerung am Raspberry Pi
Tim K. schrieb im Beitrag #4296634: > Datenblatt des MOSFETs hänge ich an. Warum liest du es dann nicht? Dein 'Standard' MOSFET braucht mindestens 5V um voll durchzuschalten. Ein rPi liefert maximal 2/3 davon, nämlich 3.3V. Der MOSFET ist also eher
und superstarke > Mosfet-Treiber dann doch zu schnell und zu stark war. Beim Pi also eher > nicht. Mosfet-Treiber habe ich mir noch nicht angeschaut, bislang bin ich mit den Ergebnissen die ich mit dem PWM direkt am Pi-Pin
-
Thread
Linearverstärker für 800V PP
Für 800V 1MHz wirst Du mindestens 1.2V/ns (dreieckig) benötigen. SiC-Mosfet ab 1200V. Hier sind einige aufgeführt: https://www.infineon.com/cms/de/product/power/mosfet/silicon-carbide/discretes/ Treiber gibt es auch passende dazu.
im Beitrag #6566588: > Für 800V 1MHz wirst Du mindestens 1.2V/ns (dreieckig) benötigen. > SiC-Mosfet ab 1200V. > > Hier sind einige aufgeführt: > https://www.infineon.com/cms/de/product/power/mosfet/silicon-carbide/discretes/ > > Treiber gibt es auch passende dazu. NOT FOR LINEAR USE. Das
-
Thread
Mosfet Spannung & RDSon
man denn nen MOSFET herstellen ohne diese Diode zu haben?
finden. Diese Mosfets sind aber vermutlich nur noch im Antiquariat zu finden. Wer trotzdem mit vierbeinigen Mosfets experimentieren möchte, kann dazu einen CD4007 nehmen. Dieses IC enthält 6 Mosfets mit teilweise
-
Thread
MOSFET - Stromquelle
Wiederstand --> Wiederstand bestimmt Strom. Nun frage ich mich, ob sich dieses Prinzip auch mit einem MOSFET umsetzen lässt. Ich habe den Transistor durch ein MOSFET (ATP302) ersetzt (Bild 2). Es stellt sich heraus, dass sich die GATE SOURCE Spannung immer auf 2.5V einstellt, egal wie ich den Wiederstand
einem Transistor und Diode bekannt > Nun frage ich mich, ob sich dieses Prinzip auch mit einem MOSFET > umsetzen lässt. Im Prinzip ja, nur noch schlechter. Weil U_gs beim MOSFET für einen konstanten Strom noch mehr exemplar- und temperaturabhängig ist als U_be am Bipolartransistor. > Ich habe
-
Thread
FET bewusst langsam schalten
lädt sich langsam auf bis zur Ugsth und ab da schaltet der Mosfet recht schnell ein.
MOSFET die mit Ugs = 1.8V schon voll durchsteuern, und zwar garantiert und nicht nur typisch, sind doch eher selten. Aber vielleicht fe lt die Scheibe Salami ja noch und er will den MOSFET gar nicht mit
-
Thread
MOSFET als Schalter - negative Spannungen blockieren
keine gelben Kästen, sondern normale Symbole! Vermutlich brauchst du antiseriell geschaltete MOSFETs, und evtl sind da PhotoMOS o.ä. geeignet.
4 Fälle getestet: 1) D:60 V und V16: 0 V -> G: 60V S: 59.6 V -> U_GS > 0 Mosfet leitet nicht 2) D: 60 V und V16: 5 V -> G: 57 V S: 60 V -> U_GS < 0 V Mosfet leitet 3) D: -60 V und V16: 0 V -> G: -57.02 V S: -56.58 V -> U_GS < 0 V Mosfet könnte leiten 4
-
Thread
6x P Channel in reihe um Spannungsabfall über ihre Dioden zu erzeugen ?
eine "Geht schon" Diode zu basteln. Mein Aktueller Plan ist ich verwende 6-8 Stück P Channel Mosfets wie zb IRF4905 in Reihe. Gate und Drain je zusammen gelötet (Mosfet schaltet voll Durch) und dann in Reihe. So das der Strom in die eine Richtung "FAST" ungehindert Fliesen kann auf dem Rückweg
DAVID B. schrieb im Beitrag #7942477: > Gate und Drain je zusammen gelötet (Mosfet schaltet voll Durch) Nö, da schaltet nichts voll durch.
-
Thread
Elektrofahrzeug, Leicht-KFZ, Klasse L6E 45km/h- Selbstbau - PWM, Raspberry und was dazugehoert.
Wicki W. schrieb im Beitrag #3171947: > Aber > kann man durch die duennen Mosfet-Beinchen wirklich 50 Ampere > schicken??? Ja, das geht. Manchmal sind die sogar für bis zu 100 A freigegeben. Der Strom wird eigentlich gar nicht durch das Mosfet-Beinchen selber begrenzt, sondern
Enden (Platine und Mosfet-Kühlkörper) her entwärmt.
-
Thread
Transistorpräzisionsstromquelle, Signaverzerrung
entstehen. Die Schaltung ist dafür prinzipiell nicht geeignet. 1. Jeder Umschaltvorgang am MOSFET führt zum Laden/Entladen des Gates und addiert damit den nötigen Umladestrom auf die LED. Der Umladestrom kann durchaus in den Amperebereich gehen, siehe MOSFET-Treiber. 2. OpAmps regeln nicht so
bei 20-500mA, der TLC279 wird durch den hochkapazitiven MOSFET gebremst. Aber die Schaltung von Elena ist besser weil der OpAmp nicht abgeschaltet wird (Ausgang hochohmig) sondern runtergetastet wird und kompensiert ist. Wenn man alledings keinen MOSFET nachschaltet
-
Thread
Schaut jemand mal über meinen Schaltplan?
Könnte mir noch jemand helfen bei den Widerständen an den MOSFETs? Ich kann nicht einschätzen welche der Widerstände bei diesem MOSFET nötig sind und wie groß ihr Wert sein sollte. LG Max
74HC595 durch Konstantstromtreiber wie CAT4016 (darisus) oder PCA9626B (Reichelt), dann kommen als MOSFETs eben P-Kanal MOSFETs wie IRF7410 hin oder welche 6.4A LogicLevel P-Kanal MOSFETs Reichelt auch immer hat, dann reicht es wenigstens für 12.5mA durchschnittlich, also immer noch nicht die spezifizierte
-
Thread
kondensator 78s05
noch mal komplett zeichnen. reiche ich nach... an sich hängen an dem mosfettreiber nur 3 parallele mosfets, die über wenderelais die motoren versorgen. Parallel zu den mosfets und + sind schottky dioden plaziert (mbr7030)
akkus stark auf und lässt den arduino zusammen brechen. der motor ist direkt zw batterie + und mosfet - angeschlossen. hier sind dauer ströme um 15 ampere zu erwarten. nahe den mosfets habe ich antiparallel schottky dioden (mbr7030) an die motor ausgänge geschaltet
-
Thread
Hilfe bei Verständnis einer Schaltung mit PNP-Transistor für negative Spannungen
= 4,3V/4k3 = 1mA. Dieser Strom fließt weiter zum R4 und zieht den in Richtung +5V. Ergebnis: der Mosfet M1 schaltet ein, weil Ugs positiv wird. Wenn V1 0V hat, dann sperrt der T1, und der Mosfet wird über den R2 ausgeschaltet. > ich habe schon seit längerer Zeit nach einer Schaltung gesucht,
#7803174: > Ich würde hier trotzdem bei der Basisschaltung bleiben. Erfordert so aber einen LL-MOSFET.
-
Thread
SSR für umpolende Gleichspannung gesucht
Veit D. schrieb im Beitrag #4584946: > Ideen? Was nehmen? Brückengleichrichter + Mosfet
Hallo, die "Diode" im Mosfet selbst ist doch aber mit keiner herkömmlichen Diode gleich zusetzen. Wenn man einen Mosfet verpolt, geht der doch kaputt. Deswegen bin ich mir unsicher wie das in Reihe funktionieren soll.
-
Thread
Auswahl MOSFET über Mikrocontroller (3.3V) steuern
allerdings auch für andere Vorschläge offen, dieser Treiber war eher ein Schuss ins Blaue. Als MOSFET wurde hier im Forum für ähnliche Anforderungen der IRFB4229PbF empfohlen. Würde dieser zu dem oben genannten Treiber passen oder nimmt man eher Treiber und MOSFET vom gleichen Hersteller? zu 2): Um den Aufbau einer Treiberschaltung für den MOSFET zu umgehen, habe ich auch Logic-Level-MOSFETs ins Auge gefasst. Beispielsweise der IRLU 3705Z oder der IRLR8743. Würde diese ebenfalls zu den oben beschriebenen Anforderungen passen? Vielen Dank
-
Thread
SOA Diagramm richtig anwenden
bis 3,6kV und diese Spannung kann dauerhaft anliegen. Kann ich den Mosfet einsetzen?
Jens G. schrieb im Beitrag #6768364: > Vielleicht isses auch gar kein "normaler" Mosfet, sondern besteht intern > aus mehreren in Reihe geschalteten Mosfets. Durchaus möglich, daß über > (parasitäre) Kapazitäten eine Spannungsteilung über die Teil-Mosfets > einigermaßen eingehalten
-
Thread
Schaltregler externer Mosfet
steigen aber die Verluste, und dann gibt es keinen Grund mehr, einen Mosfet zu nehmen.
--*----*--- MOSFET Source | | R | | | T1 *--|< NPN, z.B. BC337 | e| | | oc --*-|<-*--- MOSFET Gate D1 [/pre] Widerstand R ist der Arbeitswiderstand
-
Thread
Elektronische Last: Referenz für ADC und DAC
Schutz per µC zu machen ist so eine Sache: das ist ggf. etwas zu > langsam: beim 50 V und 5 A je MOSFET hat man nur 10 ms Zeit. Nun, die maximale Leistung ist ja begrenzt auf 200W. Damit sieht jeder Mosfet bei 50V max. 1A. Lurchi schrieb im Beitrag #4243811: > Trotz aller Vorsicht wäre eine Schmelzsicherung
kleinen negativen Wert (z.B. -20 mV) haben würde. Damit wären dann die 3 Stufen soweit aus, wie es die MOSFETs erlauben.
-
Thread
Zwei MOSFETs parallel, Strom durch Wärmeleitpaste?
Hallo, habe mir einen PWM DC Motor Controller gebaut, den ich jetzt mit stärkeren MOSFETs(IRFB4110) neu aufbauen möchte. Habe einen 2 Quadrantensteller der aus 2 MOSFETs besteht. Um Rds zu verringern schalte ich jeweils einen zweiten MOSFET parallel. Jeweils zwei MOSFETs sind auf einen
Mosfets bekommen abwechselnd ca. 10V am Gate. Was zum vollen durchschalten ausreichen sein wird. Das Schalten der Mosfets überschneidet sich auch nicht. Die Totzeit des Mosfet Treibers von 500ns wird scheinbar
-
Thread
DC Wandler wiederbeleben
der MOSFET zeitlich falsch angesteuert? 0,1 Ohm Shunts verglichen? j/n
Wenn ich jetzt Bild 10 und 11 vergleiche ist ja am kranken (11) MOSFET gar kein schönes Rechteck. Also Ansteuerung nicht zackig genug? Mal Z-Diode ansehen und Gate-Widerstände etwas verkleinern für den neuen MOSFET?