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Interesse an Platinen für HAP-Control-Unit?
sein soll. Ben hat nen guten Tip mit den Tastern gehabt und von daher denke ich werde ich alle Schalter einfach nur 5V auf nen Eingang vom Atmel schalten lassen (keine 250V mehr am Schalter). Sonst sehe ich die Auslösung der Taster nicht und ich will das ganze aufm Ipod / 15 Zoll monitor später haben
@Charly Das Layout ist von mir nicht weiter auf Erwärmung der MosFets getestet. Ich verwerfe diesen Dimmer eh und entwickel einen mit inverser Logik, wie ich weiter oben beschrieben habe. Ich schwenke dann auch um auf zwei antiparallel geschaltete MosFets um den großen
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RGB Power LED Treiber
die Zetex Treiber haben auch einen Steuereingang, man braucht da keinen MosFET zum Schalten des LED Stromes, nur einen kleinen NPN weil man gegen die Ref.Spannung schalten muss.
meinen E-Technik Kenntnissen nicht wahnsinnig weit her. Ich bräuchte letztendlich einen Power MOS-FET möglichst klein, mit dem ich mit Logik Level (5V) 24V schalten kann, ziemlich schnell und so bis zu 500mA (eigentlich nur 350 aber sicher ist sicher). Wer kennt so ein Bauteil? Und wie müßte dann
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Schalter: Wieviel max. Kontaktstrom nötig?
Schalte doch einfach mit einem MosFET. Einen N-kanal MosFET in die GND-Leitung (Source an die Batterie und Drain an deine Last), das Gate lässt du über 10k nach Masse gehen und der Schalter verbindet das Gate über einen 20k Ohm Widerstand mit 36V. Dein Schalter muss somit nur 1mA schalten und hält ewig. Du kannst auch mehrere MosFETs parallel schalten um weniger Wärme zu erzeugen oder mehr Strom schalten zu können, so lange die nicht zu warm werden (kleiner
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Abwärtswandler mit Z-Diode regeln
Normalerweise macht man das mit einem Leistungshalbleiter (MosFET), der als Schalter dient. Dieser wird durch einen Gate-Treiber angesteuert. Der Gate-Treiber ist notwendig um den MosFET schnell zu schalten (C_GS, C_GD) und die Schaltverluste klein zu halten. Das
Komparator mit einer Sägezahnspannung verglichen. Das Resultat ist ein PWM Signal, welches der MosFET Treiber bekommt um den MosFET zu schalten... Sackt die Spannung ab erhöht die Regelung das Tastverhältnis. Der MosFet bleibt für eine längere Zeit leitend. Beim Entwurf der PCB ist auf die parasitären
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Transistorschalter für Versorgungsspannung
Andreas H. schrieb im Beitrag #2468336: > Kann das funktionieren? Ja. Wie schnell willst du dem FET schalten? Für langsame Schaltvorgänge reicht es.
Helmut Lenzen schrieb im Beitrag #2468357: > Ja. Wie schnell willst du dem FET schalten? Für langsame Schaltvorgänge > reicht es. Die Schaltgeschwindigkeit ist nicht allzu hoch. 2-4 Hz sind ausreichend. Wichtiger ist, dass die Ansprechzeit nach dem Schalten max. 250 ms beträgt
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High-Side 24V, max. 2A mit 5V UC schalten – Welcher P-Channel FET?
R2: 100R R3: 10k Danke! Hans PS: Ja — ich möchte P-Channel verwenden :) Bitte keine N FETs vorschlagen.
#4309663: > ich muss für eine Ausstellung Relais, Motoren ansteuern, aber auch > Eingänge für Schalter vorsehen. > > Maximal müssen 24VDC mit ca 2A geschaltet werden können. Und wieviel Spannung minimal? > Ich habe noch nie mit P-Kanal FETs gearbeitet und bin mir ziemlich > unsicher, ob
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Transistor mit GND schalten??
lösen? Dachte erst daran irgendwas mit nem Transistor zu realisieren, aber wenn ich den als Schalter nutzen will muss ich den ja bestromen, was mir irgendwie nicht möglich erscheint, da jer der GND geschaltet ist. Hoffe ihr könnt mir helfen Danke im vorraus
In einem Zustand muss der zum schalten angedachte Transistor ja Strom bekommen. Da gibts die Alternativen Bipolar oder FET. Du kannst ja erstmal den Innenwiderstand der Quelle bestimmen. Also mit einem sehr hohen Widerstand im Megaohmbereich
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Relaistreiber mit BC547
einen Pull > Down zwischen Vorwiderstand und Masse einzuplanen, ansonsten könnte Dein > Relay schalten, wenn der uC im Resetzustand ist. Glaubst du an das Perpetuum Mobile? Wie kommst du drauf, dass Bipolartransistoren ohne Basisstrom durchschalten könnten? Der Unterschied zu einem FET ist eben
schon ganz gut durchgeschaltet. Ein BC_irgendwas war über Jahrzehnte Standard, um Relais zu schalten. Weil es Dich überfordert, soll man auf diese robuste Schaltung verzichten? > Ggf. Bs170 wenns mehr Strom, kleinere Vgsth sein soll. Du empfiehlst einen FET vom Uropa? Der BS170 garantiert
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Ultrakeet CD Spot welder
) Nun meine Frage für jeden fet einen eigenen treiber kanal? oder die treiber parallelschalten und die fets parallel ansteuern? welche vorwiderstände nimmt man da am besten? Schön wären ja 0Ohm, um die FETs schnell anschalten
nun eine oder fünf joule verbrate - vorausgesetzt die FETs können's ab.
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Funktioniert diese Selbsthaltung mit Mosfets?
loslässt ist wieder Durchgang. Ich glaube, es ging nicht um die Rückflusssperre. Der oberste pFET soll im OFF-Zustand dem nFET die Drainspannung nehmen, so dass das System aus bleibt. Das ist hier nicht der Fall, denn die Bodydiode des oberen pFET verhindert das. Somit hast du recht: sobald der OFF-Schalter wieder losgelassen wird, wird das Ganze wieder leitend. Ich habe es noch nicht ganz durchdacht, aber vermutlich hilft ein Vertauschen von D und S an beiden pFETs. Bei Off ist dann D vom nFET spannungslos
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Batterieversorgung: Einfacher schalter ohne größeren Spannungsabfall
andere Schaltung. Bitte möglichst genau, wenn über transistor, wie den verschalten? Ich habe als FETS den BS170, BS108, BS250 und als pnp bzw npn bipolar den ganzen standardkram da.
Hallo, bei 0,5A brauchst Du schon einen ordentlichen FET die Standard-Fets mit 5-10 Ohm RDS-On haben halt ihren Spannungsabfall. Die Mindestanforderung wäre ein BSP295 (N-Kanal) der dürfte so ca 0,2-0,3V Spannungsabfall (0,5 Ohm bei 0,5A) haben. Wenn das
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Ganz seltsames Problem mit einem Mosfet direkt an einem PIC 18f14k50
Zeit, wenn ich die Heizung aktiviere. Aber nur dann, wenn genau diese Heizung angeschlossen ist. Schalte ich eine Gluehbirne dazwischen, dann geht es. Schalte ich diese Gluehbirne in Reihe mit der Heizung, dann resettet der PIC. (schon geprueft: Heizung hat keinen Kriechstrom oder so - auch schon
Glühbirne mit ca. 1.3 A laeuft und der Reset passiert, wenn ich die Heizung _in_Reihe_ damit schalte. Munter bleiben Wicki
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Projekt DCF77-Telegramm
Seriell-Parallel-Latches mit doppelter Pufferung. Man kann diese Bausteine einfach hintereinander schalten und per SPI-Bus ansteuern. Dazu verfügen die Bausteine über einen /OE Eingang. Spendiert man jeder LED ein einfaches FET welches Durch einen Ausgang eines der Latches angesteuert wird, dann kann
Tom Linz schrieb im Beitrag #2103699: > Dann muss ich noch größere Ströme schalten. Wie könnte ich das > realisieren? Der Vorteil einen 'großen' Strom zu schalten ist der, weniger Aufwand zu betreiben, als bei zwei 'kleinen'. Gruß Jobst
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Suche Freilaufdiode
treibt den Strom weiter, wodurch es eine /positive/ Spannungsspitze gibt. Diese kann die Diode im FET nicht ableiten.
100 Hz PWM machen, sprich das Ventil schaltet NICHT mit 100 Hz oder will er WIRKLICH mit 100Hz schalten. MfG Falk
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Schrittmotortreiber probleme
kurz oder lang den 4011 überlasten (und zerstören?) und verhindert effektiv ein schnelles EIN/AUS-schalten zur Stromregelung. Prüf nochmal alles auf Kurzschluss und eventuell schon defekte Fets
Verzögerungen im Transistorteil zu berücksichtigen und Überlappungen der Einschaltzeit der Highside/Lowside FETs auszuschliessen Versuche ob du (mit dem Oszi) einen zeitlichen Zusammenhang des Zusammenbrechens der Referenz und eines deiner Steuersignal Bit1,2,3.. erkennen kannst schau ob alle FETs schalten
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Schalter für Rückkopplung bei Transimpedanzverstärker
Zum Schalten : Einen Jumper ? Sonst geht alles.
und stattdessen 1MEG und 2.2pF schalten. Ich habe mir mal die DS-Kapazität eines N-FET rausgesucht. (Die GS-Kapazität ist auch da, das will ich aber jetzt gar nicht so genau betrachten.) Der BSN20 hat beispielsweise 7pF. Ich glaube
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SNT-Layout_100W
Gert P. schrieb im Beitrag #6734114: > In meinem Layout ist der groesste Stoerer (der Schalt-GAN-FET) genau > unter der Spule. Kann das gut gehen? Genau genommen ist der FET nicht der Störer, sondern die steilen Flanken in der Spannung, welcher der FET beim Schalten verursacht. Diese sind
Chris schrieb im Beitrag #6734870: > Genau genommen ist der FET nicht der Störer, sondern die steilen Flanken > in der Spannung, welcher der FET beim Schalten verursacht. Diese sind > aber doch auch "nur" dann besonders schlecht, wenn der Schaltknoten > (also
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Bastelsolaranlage~300W, MPPT Regler bauen, Planung
Varta, 2 Volt Blöcke mit jeweils 300 Ah ... Als Regler wurde ein Suntregler eingesetzt mit MosFet...
Freitag diskutiere ich das mit einem guten Freund) wie > ich das Teil sauber anfahren kann ohne die FETs zu grillen in dem ich > sie nicht voll durchsteuere. Und mach Dir auch Gedanken darüber, was passiert, wenn die Betriebsspannung ausfällt und die FET kurzfristig mit zu wenig Gatespannung angesteuert
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ADC Frontend für Unipolar Single-Ended 0-12V Signal
spendieren und dann von den 8 Bits bei 4 ADC Knälen zwei Bits je Kanal für Relais zu haben. Also um FETs zu schalten. Das würde ich mit der digitalen Versorgung machen und das Schieberegister im Digitalteil layouten. Aber das Relais benötigt ja Strom für die Spule, verwendet man dann da die analoge Versorgung
spendieren und dann von den 8 >Bits bei 4 ADC Knälen zwei Bits je Kanal für Relais zu haben. Also um >FETs zu schalten. Das würde ich mit der digitalen Versorgung machen und >das Schieberegister im Digitalteil layouten. Aber das Relais benötigt ja >Strom für die Spule, verwendet man dann da die analoge
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Problem mit MOSFET-Treiber IR2125
Highside Treibern mit Ladungspumpe, anders funktioniert es ja nicht. Wieso überhaupt Highside Schalten ? Sind die 14V Masse mässig getrennt ? Eventuell könnte man noch eine UF400x von den 14V über den Fets (Lastkreis) an VB legen (falls getrennt). Eine Möglichkeit wäre noch die Dynamik in der Schaltung
> Wieso überhaupt Highside Schalten ? Hohe Last (bis max. 30A, im Fahrzeug, daher hohe Temperaturen möglich) -> niedriges RDSon gewünscht. Ok, aber das ändert sich doch nicht, wenn die Fets gegen Masse schalten. Ob die Nun "
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Flyback-converter Schalt-FET schwingt
Guten Tag, Auf dem Steckbrett habe ich auf kurze Leitungsführung geachtet. Als PWM ist ein TL494 mit ca. 50 kHz eingesetzt. Der Transformator ist ein kleiner N22-Schalenkern mit 20 Wdg. auf der Primärseite (48µH), sekundär sind es 230 Wdg. es kommen auch die geforderten -1100V nach der Gleichrichtung an der ca. 300kOhm Belastung an, das Gerät arbeitet mit ca. 15V Betriebsspannung. Am Ausgang des PWM in Emitterfolger ist ein U-Teiler aus 220 und 82 Ohm zum IRL530A FET-Gate. Während der FET-Einschalt-Phase sind am FET-Gate bis hin zum PWM-Ausgang massive nicht frequenzkonstante
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Wie schalte ich mit 3,3v 9v?
Hallo Forum, ich bin ein absoluter Elektronikanfänger. Ich suche eine einfache Lösung um mit einem PIR Sensor Modul(Ausgangsspannung 3,3 V und 1,42 mA)eine Relaisplatine anzuziehen(9 V und 3 mA). Geht das mit einem Transistor? Die Schaltung sollte auf jeden Fall kein Standbystrom benötigen.
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pwm-mosfet-schaltung so richtig?
Bischen viele Bauteile für ein einfaches Schalten mit einem FET. Wenn P Kanal würde ich vorschlagen über Spannungsteiler ans Gate. Spannungsteiler bekommt Masse über NPN Transistor. Transistor schaltet Spannungsteiler aktiv FET leitet. Transistor aus Spannungsteiler ohne Masse FET = V supply und sperrt.
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4-fach Umschalter (wie CD4053)
sehr gut geeignet: 3 Kanäle für D+, D- und USB ID, einen P-Ch für Vcc und GND würde ich nicht schalten. Und für Vcc halte ich einen P-Fet für geeigneter als den Analogschalter
sogar angegeben sind. Wenn es keine Einwände von anderen Kollegen gibt, würde ich das einem diskreten FET Aufbau vorziehen, um die USB Signale zu schalten.
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Audio-Signal-Erkennung
eine Schmitt-Trigger-Schaltung für den OP? Oder besser einen positiven Verstärker und dahinter ein FET?
Schaltungen nach der Diode zusammenführen (Also zwei OPs und zwei Dioden, aber ein Kondensator und ein FET).
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Reverse Voltage Protection
grösseren Elkos im Versorgungspfad. > > Es gab im Forum einen Thread, da war nach rund 200x Schalten der Mosfet > immer wieder defekt. Reverse polarity kennzeichnet den Fall das Spannung polungsverkehrt angelegt wird. Da soll der FET gar nicht erst einschalten. Wenn die Polung korrekt ist
es nicht am FET, sondern an fehlerhafter Entwicklung. PEBKAC.
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PWM SCHALTNETZTEIL Beispiel (Assembler) ATmega8
Aufwärtswandler (Step-Up) verwendet. >Und was ich noch wissen wollte: Warum nimmt man nicht gleich den >MosFET um GND durchzusteuern? >hat das nachteile gegenuber einen NPN Transistor? Ein FET lässt sich sehr verlustarm ansteuern, ein Transisor benötigt immer einen Basisstrom.
noch eine sog. gegentaktstufe bestehend aus einem NPN- und einem PNP-Transistor zur Ansteuerung des FET. Damit lassen sich sehr steilflangike Umschaltungen hinbekommen. -2. der BUZ 11 ist für dieses Netzteil nicht optimal; es gibt FETS mit geringerer Gatekapazität und geringerem RDS(on) (Widerstand
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LM339 Anstiegsverhalten
koennte auch die ganze Schaltung rauswerfen und den Mikrocontroller der ohnehin den Rest steuert die FETs schalten lassen. Nur...ein SW Bug oder einen Breakpoint mal unbedacht gesetzt und es riecht nach Ampere... @Falk: Es sollte kein Oszillator warden, da der Wert fuer den Komperator eben nicht von
koennte auch die ganze Schaltung rauswerfen und den Mikrocontroller >der ohnehin den Rest steuert die FETs schalten lassen. Nur...ein SW Bug >oder einen Breakpoint mal unbedacht gesetzt und es riecht nach Ampere... Und morgen fällt der Mond runter . . .
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Komparator mit bis 50ns response time
erhältlich ? Bis 5V etwas zu finden ist sicher nicht schwer. Für höhere Spannungen kannst Du einen FET zwischenschalten: Komparator (5V) ---> FET-Treiber ---> FET, der 15V zuschaltet Für die Komparatoren schau mal bei www.analog.com oder www.maxim-ic.com oder in der 74er-Reihe (74HC... und 74HCT...). Ein möglicher FET-Treiber ist MAX5055. Einen geeigneten FET findest Du sicherlich bei www.nxp.com (ehemals Philips) unter Discretes, evtl. auch in der Übersicht hier im Board. Gruß, Michael
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Strombegrenzender PFET-Highside Schalter
Hallo Leute, Ich kann mit einem P-FET (plus einem Shunt und einen PNP) eine sehr einfache Strombegrenzung bauen. Auch ein Push-Pull Stufe um einen P-FET zu schalten geht recht simpel. Aber ich kann diese beiden Schaltungen nicht so
Ich würde nur ungerne beide Teile (die jeweils für sich jedoch funktionieren) separat in Serie schalten müssen.
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4066 vs. FET switche
unter welchen Bedingungen ich einen 4066er dadurch ersetzen kann und wann das nicht geht. In den FET-Schaltern sind ja N-FETs verbaut. Wenn ich jetzt einen normalen N-FET betrachte, dann gibts da ja noch die Body-Diode von Source nach Drain. Die ist aber in dem Logic Diagram von keinem FET-switch zu
bei den FET-Schaltern die einzige Einschränkung darin besteht, dass die Ausgangsspannung - im Gegensatz zum 4066er - nicht ganz bis hoch zu Vcc reicht, wenn man also Analogsignale hat die ~1.2V unter Vcc liegen
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PWM HVDC Motor Ansteuerung
FET Q5 (isoliert) und Die Freilaufdiode D4 (ebenfalls isoliert) wurden auf einen gemeinsamen Kühlkörper befestigt. Nun zu meinem Problem. Der PWM FET Q5 fällt in zeitlich unregelmässigen Abständen immer
übertrieben. Ist auch so. >Richtig, es würde reichen das PWM runterzufahren. Der zusätzliche FET >ist aber als Sicherheit gedacht. Wenn der PWM FET einen Defekt aufweist >- insbesondere einen Kurzschluss - würde ansonsten der Motor >unkontrolliert hochdrehen. Mit einem Halbleiter stellt
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Wie Trafo beschalten?
Am besten zwei Gleichrichter nehmen und dahinter erst parallel schalten.
ok also laut wikipedia muss das alles nach dem fet...wie hab ich auch scho kapiert, aber muss die diode 10A schalten können? weil 10A diode hab ich grad keine da...
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Suche Gatetreiber mit einstellbarer Slewrate
Extra C am gate nimmt man z.B. wenn man mit dem FET eh nicht so oft, dafür aber sanfter schalten will, z.B. weil dahinter hohe Kapazitäten hängen die man lieber langsamer laden will.
gateC schrieb im Beitrag #3904650: > Extra C am gate nimmt man z.B. wenn man mit dem FET eh nicht so oft, > dafür aber sanfter schalten will, Dann könnte man genausogut einen höheren Gatewiderstand nehmen, das belastet dann auch den Treiber weniger.
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120mA schalten
Ich möchte 5V mit 120mA (LCD) über einen ATMega schalten (ein-aus Schalter). Da die Portpins nur 20mA schaffen, muss wohl ein Mosfet her. Gibt es hier etwas zu beachten ? Ich möchte nicht das Display grillen :-)
> Gibt es hier etwas zu beachten ? Mit einem P-Kanal-FET die Versorgung (VCC) schalten (nicht die Masse). Denn evtl. verträgt dein Display keinen offenen GND mit Signalen an den Steuereingängen. BTW: Was ist das für ein LCD, das 120mA braucht? Ist das
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Parallelschalten von Halbleitern für kleines Rauschen
Schaltung das wirklich schafft? Die Schaltung ist doch Mumpitz. Wozu betreibt der die Eingangs-FET mit einer Kaskode, die direkt auf eine gefaltete Kaskode arbeitet? Die Eingangs-FET könnten genauso gut direkt auf die gefaltete Kaskode arbeiten, das wäre weniger Rauschen und weniger Aufwand.
Hallo, >Die Schaltung ist doch Mumpitz. Wozu betreibt der die Eingangs-FET mit >einer Kaskode, die direkt auf eine gefaltete Kaskode arbeitet? Die >Eingangs-FET könnten genauso gut direkt auf die gefaltete Kaskode >arbeiten, das wäre weniger Rauschen und weniger Aufwand
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Schaltplan Review (Dekorationsschale)
0.7V) ab und dein Transistor verheizt dann ungefähr 0.7 * 1.66A = 1.16 Watt ! Du kannst einen MosFET nutzen um den Strom zu schalten, am Gate muss nur eine gewisse Spannung anliegen damit er öffnet.
Vorschläge umgesetzt. Den BC338 habe ich durch einen BC547C ersetzt. Der BD437 wurde mit einem MosFET des Typs IRFZ44N ausgetauscht. Reicht die Beschaltung dieses Transistors aus, um ihn als Schalter zu verwenden da FETs ja, nach einem Artikel dieser Seite, höhere Spannungen (~12V) dazu benötigen?
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sperrender FET doch leitend?
leitend und der FET soll sperren. Der Bipolar-Transistor ist voll durchgesteuert und leitet, der FET sollte also sperren. In der Simulation und in der Praxis baut sich hinter dem FET ein gewisses Restpotential auf. Die Abschaltung passiert bei etwa 30V; in dem Fall habe ich hinter dem FET eine Spannung von etwa 3V. Ist so ein FET möglicherweise nicht ideal sperrend? Laut Simulation ist das Potential hinter dem FET umso höher, je hochohmiger die Last ist. Gruß Steffen
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High Side MOSFET
? Nachher sind meistens alle 4 FETS kaputt, durchlegiert und niederohmig. Der FET hat 100V Ugs(max). Das Oszilloskopbild (siehe Anhang) zeigt Spitzen bei den U(ds), die aber 65V nicht überschreiten. Ich tendiere nun dazu, einen anderen FET zu verwenden, der ein etwas höheres Uds hat (z.B. FDC86244). Lieber wäre es mir aber, die Ursache an der Wurzel zu packen: Kann man die FETs gegen Überspannungen gezielt schützen? Bis auf 2 Stüzkondensatoren
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Eigenbau RC Brushed-Regler
Diode sollte dazu beim Spitzenstrom 30% über dem Motorstrom liegen. Eine Schottkydiode parallel zum FET ist nebenbei bemerkt, schneller schaltend als die im FET integrierte Diode. Ach ja, das RC-Glied parallel zum FET ist ein Boucherod-Glied, es verhindert zusätzlich an der fallenden Flanke Spannungsspitzen
Du hast nicht viel Ahnung von MOSFETs aber willst 150A schalten. Ja neee.
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mit µC eigene Betriebsspannung schalten
Hallo, ich benötige eine Schaltung mit der ich mittels eines Mikrocontrollers die Batteriespannung unterbrechen kann. Die Schaltung soll mit einem zweizelligem LiPo versorgt werden. Die Batteriespannung soll bei unterschreiten einer bestimmten Spannung unterbrochen werden um ein Tiefenentladen des Akkus zu verhindern. Hierzu wird der µC die Batteriespannung mit seinem ADC überwachen. Die Schaltung soll erstmalig mit einem Taster (S1) aktiviert werden, danach soll der µC die Selbsterhaltung organisieren. mit dem _Taster (S2) soll die Betriebsspannung manuell deaktiviert werden können. Hierzu
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P-Fet
Hi, bin seit ner Stunde auf der Suche nach einem P-MosFet, der schon bei logic level also 5V brauchbar schaltet. Spannungsfestigkeit ist nicht so wichtig, so um die 40V. Sollte jedoch nen ziemlichen Strom ca. 10 Ampere schalten können! Hat Reichelt überhaupt
Neue Frage: Warum werden eigentlich bei den Datenblättern zu H-Dreibern z.B. MC33883 immer vier N-Fet verwändet? Hab gedacht da brauche ich zwei p und zwei n Fets! N- schalten doch nach Masse! P- doch umgekehrt! Blick ich leider nicht ganz!!
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N-Kanal Mosfet als Schalter
#4786322: > Es soll ein Verbraucher in einem 10 - 20V Gleichstromnetz geschaltet > werden. Der Schalter befindet sich in der Plus - Leitung. Wenn Du in der Plus-Leitung schalten willst, wäre ein P-Fet passender. Wenn Du unbedingt einen N-Fet nehmen willst, brauchst Du eine Hilfsspannung, die einige
schrieb: > >> Es soll ein Verbraucher in einem 10 - 20V Gleichstromnetz geschaltet >> werden. Der Schalter befindet sich in der Plus - Leitung. > > Wenn Du in der Plus-Leitung schalten willst, wäre ein P-Fet > passender. Wenn Du unbedingt einen N-Fet nehmen willst, > brauchst Du eine Hilfsspannung
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Optokoppler & Transistor für 24V (800mA)?
keine galvanische Trennung und somit keinen Optokoppler. Ich würde einfach einen BSP452 Highside-Schalter o.ä. nehmen.
> Logig Level FETs sind der Hype. Weil du 2 davon benutzt
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Maximal zulässige Verlustleistung bei Mosfet
Also nichts mehr mit 27mOhm. Und was du rechnest sind die reinen Gleichstromverluste. Wenn du den FET nicht als Schalter betreibst sondern z.B. mit einer PWM ansteuerst kommen die Schaltverluste noch dazu. Mach also möglichst viele Durchkontaktierungen um das Drain-Pad und führe dies auf eine möglichst
Wieder mal das wichtigste vergessen. Falls jemand doch einen Alternativvorschlag bzgl. des Fets hat, der muss mindestens 55V schalten können. 30V Logic Level Fets gibt es ja einige. Otto
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IRF520 Modul mit LDR Modul schalten
dem LDR Modul ein LM393 drauf. @hubertg 1.8V wenn ich den DO mit SIG verbinde. Wenn ich DO vom FET Modul trenne sind es 5V, also normal. @Manfred Wenn ich den SIG eingang an die 5V vom Netzteil hänge schaltet der FET durch. Was würdest Du mir denn empfehlen? @karadur Es sind 2x 1K Widerstände
Hallo deine Module passen nicht zusammen. Du hast beim FET-Modul 2x 1k gegen GND. Beim LDR-Modul hast du LED plus 1k nach VCC. Damit kann der FET nicht schalten. Die beiden 1k am Fet-Modul müssen raus und D2 am LDR kurzschließen. Welche Spanung hast
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Wo gibt es brauchbare Tretschalter?
Will meinen Arbeitsplatz schalten. Also Computer, 2 externe Festplatten, Drucker, 2 Tischleuchten, Kleinkram. Dazu gibt es entsprechende Fußschalter wie in den angehängten Fotos. Aber leider sind bei solchen Schaltern nach einem
@ G. H. Das ist ein Taster, kein Schalter.
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Mosfet mit 2V ansteuern
von R2 nicht ganz klar, aber ich würde den R2 ansich zwischen das MOSFET-Gate und den I/O Port schalten und nicht zwischen Gate und GND. Die Attiny Teile haben doch IMHO auch Treiber, die sowohl sourcen als auch sinken können oder? Wenn Du R2 zwischen MOSFET Gate und Port schaltest solltest Du 47 Ohm
Ich denke, da ist man in den meisten Fällen mit einer Schaltung für 1 und einem Standard-PowerFET besser bedient.
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Kameraakkus parallel schalten
Hallo, ich möchte 2-3 dieser Akkus parallel schalten, um eine größere Kapazität zu erhalten und eine Kamera über längere Zeit mit Strom zu versorgen. Wie macht man das am besten und vorallem am Strom sparendsten? Ich hatte schonmal mosfets als diodenersatz
kein Problem sein Wenn es eine fancy Lösung sein soll währe ich ja für einen Aufbau mit Relais/Fets die immer jeweils von einer Batterie zur anderen umschalten wenn eine leer wird.
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300 LEDs jeweils 100 Rot Grün Blau
Der Strom läuft dann ja gerade durch den FET (=FeldEffektTransistor) und der Atmega übernimmt nur die Ansteuerung des FETs. Ein FET ist hier deshalb ratsam, weil er deutlich weniger Verlustleistung produziert als ein bipolarer in dieser Stromgrößenordnung
ja, aber die abkürzung Fet hab ich so noch nie gehört, mosfet hingegen schon, hätt ich mir aber auch denken können. brauche ich dann 3 Fets, also einen pro 100 LEDs mit gleicher Farbe oder reicht einer? Gruß