200kHz. Was ist wichtiger eine geringe Rise-/Fall time oder ein geringer RDSon. Meine Favoriten sind IRF740 und IRF540. Welchen Mosfet würdet ihr empfehlen?
Uhren ohne Probleme. Für meine Uhr mit Z560M habe ich aber den dort angebenen IRF830 durch einen IRF 740 und C7 durch 1,2n ersetzt. 205V immer ohne Probleme, maximal erreichte Spannung bei 13V Input waren glaube ich 225V bei mir. Gruß Dirk
Sandwich nehmen. Das Du keinen Volldraht nehmen kannst ist ja klar? Siehe: Skineffekt. Statt dem IRF740 nimm mal den IRFP240A, aber achte auf das "A". Bekommst Du auch bei Conrad. Die Ableitdioden würde ich trotzdem noch extern spendieren. 22 Ohm sind für Gatewiderstände hier etwas viel. Ich habe da
ergibt natürlich autom. sehr hohe Spannungsspitzen durch die Induktion. Ich habe dabei an den IRF740 gedacht (Datenblatt: http://www.ortodoxism.ro/datasheets2/d/0j6qjdy97r1j3gwshsqhw2h4ek3y.pdf ). Das Problem: Aus dem uC kommen ja 5V. Gibts evtl. einen Treiber-IC der sehr schnell abschalten kann
was in der Gegend von 5µs gefunden. Ob das reicht, hängt auch von Deiner PWM-Frequenz ab. Der IRF740 ist bei einer Ansteuerung mit 5V ungeeignet. Du brauchst einen Logic-Level-MOSFET. Gruß Dietrich
allerdings Die Dioden sind: DSEP29-03A Bipolartransistoren: 2N6308 PMOS: IRFP9240PBF NMOS: IRF740 OPV: PA88 Sämtliche Bauelemente sind von der Leistung sehr großzügig dimensioniert (100W Widerstände und so). Gemessen habe ich das ganze erstmal lastfrei. Schon da hauen die Werte nicht hin
unternommen und inzw. 2 Transistoren über den Jordan geschickt(Sperren nicht mehr). Das war einmal ein IRF 740 und ein IRF 830 diese sind ja für 400 bzw. 500V ausgelegt. Ich kann nicht genau ausmachen ob ich sie einfach überlastet habe oder obs passiert ist weil die Funkenstrecke zu groß gewählt wurde und
hier müßten aber +/- 25V anliegen. Vermute mal das IC201A IRS2153DS und/oder die Mosfet´s Q205/6 IRF740 sind hinüber !? oder kann es sein das durch einen Kurzschluß auf der Sekundärseite von T201 (z.B. def. Hybrid TDA8920BTH) das mit dem Feedback nicht mehr funktioniert? (Die Funktion von Q201-204 ist
mittlerweile habe ich das Teil auch mal auf dem Rechner gezeichnet. Die beiden Transistoren habe ich durch IRF740er ersetzt. Aus und Eingänge des ATtiny (hier mit Arduino I/O beschriftet) sind zwecks Schaltungssimulation hier als Schalter ausgeführt. Die Idee von Bödefeld die Stufe im EEPROM zu speichern habe
für ein 12V Akku zu bauen. Aufbau ist gemäß Abbildung. Als N-Kanal-MOSFET dient allerdings ein IRF740, als (negative) Komparatoreingangsspannung eine 10V Referenz. Allerdings funktioniert sie nicht. Wenn ich den Mosfet per Taster überbrücke (Drain-Source), so bringt der Refernz-IC seine 10V. Liegt
der AC Seite waren defekt (Kurzschluss) Habe vorsorglich alle vier ersetzt. Bei mir war der Typ IRF740 verbaut - Kann aber sein, dass das je nach USV Produktionscharge andere sind. Funktioniert auch unter Vollast wieder einwandfrei. Aja: FETs waren nicht vernietet, sondern verschraubt. (Inbus) :
. Dann sieht man schön, ob es dem Mosfet durch die L die Ohren langzieht (mit dem halben Ohm des IRF740 braucht es nicht viel Strom, um einen größeren Spannungsabfall zu erzeugen).
NCP1605 als PFC Controller mit 20N60C3 und YG972S6, alle ok L6599 als SMPS Controller mit 2 x IRF740, beide ok Die Gesamtschaltung ist sehr stark um die Applikationsentwürfe der beiden ICs aufgebaut. Alle sonstigen Halbleiter scheinen in Ordnung soweit meßbar (ermittelt mit PeakTech DCA75 bzw.
Anode 100 Stück: nur die Anode ist immer derselbe Anschluss, die R G B Anschlüsse variieren. IRF740 - 10 Stück: Ron ist das doppelte als im Katalog angegeben (~1 Ohm) ATTINY13 - 5 Stück: waren gebraucht, mit unterschiedlichem Herstellungsdatum obwohl kein Hinweis drauf beim Kauf. Kondensatoren
wird klarer. Ja, jetzt ist glasklar, was das für eine schwachsinnige Müllschaltung ist. Ein 10A-IRF740 bei einem Strom von (angeblich) max. 200mA, R19 und R22 mit 2W, obwohl an denen nichtmal 1V liegt, ein "Belastungswiderstand" von 2M2 parallel zu 271k, eine Einschaltzeitkonstante von ~30µs führt bei
Blick zeigen. Ist mir bisher bei TVs noch nicht aufgefallen ich habe da damals immer die Mosfets (IRF740,IRF840,....) ausgechlachtet. Wenns ein Triac ist, könnte es auch gut sein dass damit und dem Poti "gedimmt" wurde und es erst danach auf den Gleichrichter ging um den Motor zu versorgen, scheint
während der Lernphase. Aktuell muss ich einen 20V->80V/0.6A bauen, das hat jetzt auch schon einige IRF740 gekostet, weil der z.B. aufgrund seinen vergleichsweise hohen Rds(on) toll für hohe Spannungen im Primärkreis ist, jedoch schalte ich ja 20V mit ein paar Amperes, da merkst Du die Verluste schon recht
würde ich dann noch weitere 142 Wincklungen aufspulen. Als Transistor würde ich dann mal einen IRF 740 (R_dsOn <0.55Ohm) ausprobieren. Was haltet ihr davon? Weiß jemand Anregeungen, Ideen oder Fehler die ich da mache? Danke MfG Klaus
1 7 2 7 L 4 +C7 3 6 Q1 SpicSpiceOrder 2 0 , 4 5 BC327 R 1 1N4004 7 100nf R 1 C5 + Q2 +C3 2,2nF 5 IRF740 R 7 4,7nF D D N N G G 14.10.2015 22:50:18 C:\Users\Baer\Documents\eagle\Netzteil\Netzteil a.reinert\Netzteil1 komprimiert mit Bohrung.sch (Sheet: 1
sie gebraucht sind), 2 von 5 musste mit GALEP zurücksetzen/löschen weil kein ISP möglich war. 2. IRF740: Rds ON bis zu 150% höher als im Katalog angegeben. 3. RGB LEDs : nur die Anode war immer auf derselben Stelle, R, G, B Anschlüsse variierend. 4. MAX7219 : Konfigurationsregister verschoben, das
einfach einen Transistor mit Uds=400V genommen (einen (oder zwei - je nach Spulenstrom) guten alten IRF740), und parallel zu D-S einen C=220µ/400V geschaltet - der begrenzt dann die Spannung auf rund 150V mit Zündkerze, und 250V ohne (hängt natürlich von der jeweiligen Zündspule ab). Bis an die 8A Spulenstrom
1 R 12k s +C5 9 6 RT O GND 7 k 5 k 9 1 7 R1 1 R 1 R P13 VSS COM P2 4,7u R 4 GND TL494CN Q3 2,2u IRF740 3 k R14 P1 R10 1 5 C8 +VREF D D D D D D LO R 1 OK1 0 2,7k N N N N N N 22 6 1 4 1 A A A A A A D 5 R N D 1 7 A N 4 2 C 4 G A 1 R CNY17 C 3 1 1 3 6 R 4 1 R 2 0 7 R 1 TVA 1 1 R D G GND GND GND A
Transistoren. > Als Treiber einen IRF730 o.ä. Für geringe Spannungen geht das, aber auch der IRF740 kann nicht so besonders viel Leistung oberhalb von 50V. Und Hochvolt-Bipolar (also so ab 250V) sind auch praktisch reine Schalter und haben eine enorm kleine bis garkeine DC-SOA. Der gute alte BU508A
gelaufen, in dem das Gate schlichtweg mit einem C gegen 100 V aufgeladen wird. Darin ist für einen IRF740 angegeben, dass nur die Sperrschicht selbst empfindlich ist und der Spannungsabfall über die parasitären Induktivitäten egal ist.
Wenn es mal etwas stärker sein muss, dann auch mal irgendwelche IR21xx MOSFET Treiber und z.b. IRF740 für 400V 10A. Damit steuere ich zum Beispiel einen 250W 300VDC Motor. Ich verwende meistens das was gerade so rumliegt, wenn es passt. Ich habe eine Menge schöner ICs aus alten Druckern und Festplatten
versorgungspannung über U4 kurzgeschlossen. die schaltung funktioniert so weit mit dem MOSFET IRF740, jedoch unter großer last und kleinen umdrehungen brennt dieser durch. daher habe ich den getauscht durch IGP20N65F5, dieser brennt aber sofort durch. der gezeigte signalverlauf am Gate von PWM-FET
R19 470R Red R18 470R Grn D R R R R R R E R17 Blue L D2 100uH 2 L1 UF4004 V R 0 D1 0 Q2 1 +12V U$1 IRF740 1 8 1N5819 12VIN + C3 SWC DC Q1 k 2 7 2N3906 1 9 GND D 220uF SWE IPK R 3 N G 1 3 3 TC VCC 6 5 N R T4 Q P 4 GND COMP 5 2N2222 C1 MC33063/34063 +C4 R39 k 8 k 680pF 1uF 9 , 1K R 1 C2 R 2 GND 100nF GND
gate drive re- V 9 Q1D sistance may be used to +15V DD V 6 Q 100V tradeefficiencyforlower VDD B C IRF740 0.47 switching rate. If the IR2110 system will not tolerate R1 HO 7 this,thenfastanti-paral- 3.3 lelclampingdiodesmay +15V HIN Q1S 10 HIN 5 be considered appropri- 0V VS ate. HEXFRED diodes Q2D + 100µF are ideal for this pur- +15V CF 250V SD 11 3 Q2 pose. SD VCC C IRF740 LIN 12 0.47 LIN ForMoredetailedinfor- 1 R2 mation on managing LO 100µH transients see DT97-3 3.3 V COM “Managing Transients SS in Control IC Driven +15V V SS 3 2 Q2S +100V RTN RTN PowerStages” Figure
Spannung mind. 30V > und 8A Strom. Ohne jetzt Datenblätter durchzuschauen, kann ich Dir IRLU024N IRF740 BUZ71A IRLML6402 IRFZ44N Oder IRF7413 reinlegen
www.made-in-china.com/showroom/chickenv2/product-detailuMFxQsNUCEcS/China-MOSFET-Transistor-IRF540N-IRF740-IRF840-.html Im letzten Fall, den ich dienstlich erlebte wurden zwangsgeführte Sicherheitsrelais eines grossen deutschen Herstellers gefälscht und ebenso die Zertifikate und Prüfsiegel, diese Relais
Hallo Jens, Ja irgenwie macht das Sinn. Hatte mal einen IRF 740 eingesetzt ging erst mal nicht oder der war kaputt. Hier mal die ersten Bilder.Noch mit Ersatzlaser. Die Platine ist unten angeschraubt.Meine Diode ist jetzt da,mit dem Kühlkörper meinte ich den
SCK13055LSY) For VMIII-3000 the NTC2 are (NTC 5ohm 5A) For VMIII-5000 the MOSFET Q69 are (MOSFET IR/IRF740 10A 400V N BULK TO-220) For VMIII-3000 the MOSFET Q69 are (IRF640NPBF 18A 200V N BULK TO-220) For VMIII-5000 the R246 are NC For VMIII-3000 the R246 are (RES 3W 0.15ohm) The TX2 are (TX 2:5:45:3 FER
A U D IO & V ID E O are used here. The first transformer T1 (Tr1) converts the mains voltage to IRF740 F1 100mA F +260V 15 V. After rectification and stabili- sation, this voltage is used to power TR2 +260V thefilaments. Thesecondaryvoltage red white R5 k D9 is also converted back to approxi- C6 D6 D5
PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF732 IRF732 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF733 IRF733 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF740 IRF740 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF741 IRF741 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF742 IRF742 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF743 IRF743 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF820 IRF820 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRF821 IRF821