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I2C Spannung von kleiner 5V auf 5V mit NMOSFET wandeln
Eingangspazität von 110pF, > die Deinen I2C unnötig stark belasten. > Nimm einen Kleinsignal-Mosfet, z.B. BSS138, der hat nur 27pF, und reicht > dafür völlig aus. Ich habe die Erfahrung gemacht, dass Typen von Kleinsignal-Mosfets wie ein BSS138 bei einem Pegelwandeler: 5 <-> 2,0(1,8) Volt nicht mehr
Fairchild-Datenblatt (Anhang!) ist die >U_GS_thr mit 0.5-1.5V angegeben. Ohhhh, hab aus Versehen den BSS123 erwischt, nicht BSS138. Der hat bei mir auch 0,5-1,5V ;-) MfG Falk
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Atmega16-Spannungsvervielfacher/Steuerung || Kurze Schaltplandurchsicht+Verbesserungsverschläge
Resonatoren. Siehe Fußnote 1) Matze schrieb im Beitrag #6153415: > Soll ich die Treiberstufe (BSS123) dann zum DCF77 setzen? Die gefällt mir nur halb, weil sie nur einseitig stark ist (nach GND ziehen). Da bekommst du dann auch wieder schnell Stress mit elektromagnetischen Störungen. Nimm lieber
läuft. Stefan ⛄ F. schrieb im Beitrag #6153456: > Matze schrieb: >> Soll ich die Treiberstufe (BSS123) dann zum DCF77 setzen? > > Die gefällt mir nur halb, weil sie nur einseitig stark ist (nach GND > ziehen). Da bekommst du dann auch wieder schnell Stress mit > elektromagnetischen Störungen
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Mosfet macht nicht auf
hoeheren Betriebsspannung betreibe aber nicht mit 1,8V. Ich habe verschiedene Mosfets getestet wie z.B. BSS123, BSN20, BSS670S2L. Mir ist auch aufgefallen, dass in all den Datenblaettern, wenn vom Threshold geredet wird die V(GS) gleich V(DS) ist - das ist bei mir ja nciht der Fall sondern V(DS)>>V(GS).
Michael322 schrieb im Beitrag #2004625: > Mit welchem Mosfet koennte das denn gehen? Nimm einen BSS138 der braucht nur 1,5V. Gruß Anja
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linkerskript Frage (LPC2000er)
ALIGN(4); __data_end__ = .; PROVIDE(edata = .); /* Place zero initialized data */ .bss : { __bss_beg__ = .; *(.bss) } >ram /* Align here to ensure that the .bss section occupies space up to _end. Align after .bss to ensure correct alignment even if the
Die andere section für Variablen im externen Speicher, die mit 0 zu initialisieren sind (entspr. .bss). Also zum Beispiel: [c] #define EDATA __attribute__ ((section (".exdata_section"))) #define EBSS __attribute__ ((section (".exbss_section"))) int foo1 EDATA = 123; int foo2 EBSS; int foo3[] EDATA
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Datenleitung kurz schließen, um Camera Auslöser zu triggern
v2 shutter | GND --------o GND [/pre] v1 und v2 sind n-Kanal MOSFET a'la BSS123 oder BS170. Drain geht zur Kamera, Source auf GND, der µC steuert das Gate.
Axel S. schrieb im Beitrag #5326521: > v1 und v2 sind n-Kanal MOSFET a'la BSS123 oder BS170. Drain geht zur > Kamera, Source auf GND, der µC steuert das Gate. Für eine galvanische Trennung können v1 und v2 meist genauso gut Phototransistoren eines einfachen Optokopplers sein
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LPC1788 - startup / .ld-script
.bss_RAM4 : ALIGN(4) { *(.bss.$RAM4*) *(.bss.$RamAHB16_B1*) . = ALIGN(4) ; } > RamAHB16_B1 /* MAIN BSS SECTION */ .bss : ALIGN(4) { _bss = .; *(.bss*) *(COMMON
.bss_RAM4 : ALIGN(4) { *(.bss.$RAM4*) *(.bss.$RamAHB16_B1*) . = ALIGN(4) ; } > RamAHB16_B1 /* MAIN BSS SECTION */ .bss : ALIGN(4) { _bss = .; *(.bss*) *(COMMON
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kleinen Wechselstrom mit MOSFET schalten
aufbauen. Danke. Machbar, aber nicht sinnvoll. Wahrscheinlich reicht ein P-Kanal MOSFET ala BSS84 oder N-Kanal ala BSS123. Kommt ein wenig auf den Ausgang des HART-Modems an. >Warum ein Photomos statt eines 4066? Quark, kein Mensch baut HART-Modems mit Photomos, allein vom Stromverbrauch
Wenn dort WIRLICH nur 300mV gegen Masse rumzappeln, könnte ein einfacher N-Kanal MOSFET reichen, ala BSS123. Einfach Gate an RTS, Source an den Ausgang vom HART-Modem, Drain an den Kondensator. MFG Falk
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Transistor für Atmel gesucht (sollte GND schalten)
Nimm den Mosfet BSS123, der kann 150mA, bis zu 100V. Parallel zur Relais-Spule muss dennoch eine Freilauf-Diode 1N4148 gelegt werden, damit beim Abschalten die Spannungsspitze vernichtet wird. Vorteil: - der Prozessor-Pin kan direkt an das Gate des BSS123 angeschlossen werden. - Über Gate fließt kein Strom (keine Verlustleistung) - Geringer R-On, daher kaum Verlustleistung. Den Widerstand zwischen Gate und GND (ca. 10K ... 220K) benötigt es nur
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Codeblähungen beim Rechnen mit globaler Variable
3 46: 02 c0 rjmp .+4 ; 0x4c <foo+0x8> 48: 8b e7 ldi r24, 0x7B ; 123 4a: 01 c0 rjmp .+2 ; 0x4e <foo+0xa> 4c: 8d e2 ldi r24, 0x2D ; 45 i = 123; PORTB = i; 4e: 88 bb out 0x18, r24 ; 24 } 50: 08 95 ret
cmpb $1, %dil sbbl %eax, %eax andl $-78, %eax addl $123, %eax movb %al, PORTB(%rip)
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Einfacheste Art zur logischen Verknüpfung gesucht!
HallO! Wieder Probem: Der Inverter ist zu langsam, hab ein logic level FET BSS123, in na klar Emitterschaltung;) Das abschalten ist zu langsam. Basiswiderstand wird keiner verwendet da die Quelle genug impedanz hat. Wie beschleunige ich das abschalten? Ein niedrigerer Drainwiderstand
@Fralla > hab ein logic level FET BSS123, in na klar Emitterschaltung Ja ne, is klar. Emitterschaltung mit nem FET? okay.
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Gibt es eigentlich BS250/BS270 auch in SMD?
BSS138, BSS84 Peter
>Weis jemand con euch ob es Fet's wie BS250 und BS170 auch in SMD gibt? Gibt es tonneweise. BSS123, BSS138 P-Kanal hab ich im Moment nicht parat. >Desswegen denke ich dass eine Reduktion der schwingfähigen Masse eine >Besserung bringt. Gute Idee. Vor allem ist das Verhältniss Lötfläche
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Biphasen Impulse Schaltung
Impulse bekommt ? Sättigen ? Und wieso heisst das dann biphase. Wie willst du 200mA mit einem BSS123 schalten der nur 150mA verträgt ? Zudem mit einer Gate-Spannung von -0.2V wo er doch lieber 10V sehen will. Wie willst du 10mA aus einem 1:20 Trafo holen, wenn der gerade mal 200mA Maximalstrom
ich bereits auf 7V angehoben MaWin schrieb im Beitrag #4107574: > Wie willst du 200mA mit einem BSS123 schalten der nur 150mA verträgt ? Ich will den Profis ja nicht widersprechen, aber mein Datenblatt sagt mir, das ich gepuls bis 600mA gehen könnte. Ok, ich könnte hie auch den BSS138 nehmen.
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C-Code STM32 Fragen
DATA_ROM_START; extern unsigned int _DATA_RAM_START; extern unsigned int _DATA_RAM_END; extern unsigned int _BSS_START; extern unsigned int _BSS_END; #define STACK_TOP 0x20005000 void startup(); unsigned int * myvectors[2] __attribute__ ((section("vectors")))= { (unsigned int *) STACK_TOP, /
data_ram_start_p++; data_rom_start_p++; } /* Initialize data in the `.bss` section to zeros. */ unsigned int * bss_start_p = &_BSS_START; unsigned int * bss_end_p = &_BSS_END; while(bss_start_p != bss_end_p) { *bss_start_p = 0;
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Aufteilung Basisströme bei gemeinsamen Vorwiderstand
Ich nehme 2x BSS123, aus die Maus. Normal sollte aber trotzdem jeder genug Treiberstrom abbekommen, ist ja kein Germanium und Silizium. Oder???
der Pullup hängt natürlich an einer anderen 5V Spannungsquelle. Doch wie erwähnt sind 2x Mosfets BSS123 meiner Meinung nach die beste Alternative. Danke für eure Infos
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GCC Ram Segmente
Variable kann sich per Definition jederzeit ändern. Das würde z.B. bedeuten, daß die Initialisierung (=123) erst zur Laufzeit vorgenommen werden kann. Damit sind sie zuerst mal uninitialisiert, also .bss. Mag spitzfindig sein, aber durchaus korrekt.
.bss (beide natürlich auf globalem Niveau bzw. static). Das wurde danach aufgegeben, nun sind beide äquivalent, und alles was 0 ist, landet in .bss.
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Display - Backlight PWM
wünschenswert. Was ist mit diesem hier: http://www.mouser.de/ProductDetail/Fairchild-Semiconductor/BSS123/?qs=FOlmdCx%252bAA2Kf8SEB3qLYA%3D%3D Würde der passen?
Logik des LCDs, dann braucht man einen High Side Schalter. In deinem Fall einen P-Kanal MOSFET ala BSS84. Der muss dann aber auch mit 0/5V angesteuert werden.
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arm-elf-ld Freuden (Linker-Probleme)
Problem mit .data testweise mal im Code zwei globale Veriablen anlegen: [c] volatile int dummy1 = 123; // sollte in .bss volatile int dummy2; // sollte in .data //dann irgendwo am Anfang von main ... dummy2 = dummy1; dummy1 = dummy1; ... [/c] Dann im Map-File nachsehen, an welchen Addressen
. = ALIGN (0x4) 0x0020024c _edata = . [/pre] Und dann in .bss: [pre] .bss 0x0020024c 0xc 0x0020024c __bss_start__ = . *(.shbss) *(.bss .bss.* .gnu.linkonce.b.*) .bss 0x0020024c 0x4 main.o
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Problem mit CMOS4060, MOSFET BSS89 als Treiber von IRLEDs
Duty Cycle von 50% habe, möchte ich diese LEDs mit 200mA betreiben. Als Verstärker hab ich mir den BSS89 ausgesucht, da ich leider keinen anderen zur Hand hatte und er eigentlich von den Daten zu meiner Anwendung gepasst hat. Für MOSFET habe ich mich entschieden, da der 4060 einen nur sehr geringen Strom
. >Tipp für einen alternativen N-Kanal Transisitor? Denn ich habe gerade >gesehen, das man den BSS89 nicht mehr bekommen kann. BS170, BSS123 etc. siehe [[MOSFET-Übersicht]]. >Kann ich dann einfach 16 MOSFET Stufen parallel an einen PWM Kanal des >µC hängen? Gehen da nicht die 5V PWM des µC
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gcc-avr: sprintf_P kracht (mit 3 oder mehr Parameter)
002c 8DBF out __SP_L__,r24 121 .L2: 122 002e 00C0 rjmp .L2 123 /* epilogue: frame size=0 */ 124 /* epilogue: noreturn */ 125 /* epilogue end (size=0) */ 126 /* function main size 24 (24) */
f:\temp/ccV2wNZ4.s:136 .data:00000000 value UNDEFINED SYMBOLS __do_copy_data __do_clear_bss sprintf_P [/avrasm]
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Bereiche von Mosfet in Kennlinien einzeichnen
Schau doch einfach mal, wie es die Hersteller machen. Z.B.: https://www.onsemi.com/pub/Collateral/BSS123-D.PDF
Schau doch einfach mal, wie es die Hersteller machen. Z.B.: > https://www.onsemi.com/pub/Collateral/BSS123-D.PDF Hallo, Danke für die Antwort, leider hab ich nicht die Erfahrung und die Kenntnisse dieses Datenblatt zu verstehen. Ich habe dort keine Transfer- oder Ausgangskennlinie entdecken können
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Open Drain in LTSpice simulieren -> Problem der FET zieht nicht auf GND
Pullup auf 100 Ohm und als MOSFET einen BSS123 würde ich mal versuchen.
einen finden, der das kann. R2=1k geht ganz gut z.B. mit kapazitätsarmen Typen, wie dem Si1555, dem BSS123 oder dem RJU002N06 und noch einigen anderen. Alternativ: weg vom FET, hin zu einem NPN. Der BC547 kann das auch bei 10k (zumindest in der Simulation), besser jedoch auch bei 1k am Kollektor.
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DHT22 Sensor mit FET abschalten High-Side oder Low-Side?
schalten oder kann ich auch GND (Low-Side) schalten. Am liebsten wäre es mir wenn es mit einem BSS123 Low-Side funktionieren würde. Diesen würde ich direkt an einen IO meines MC hängen (3,3V) da der Sensor nur wenige mA braucht sollte der BSS123 das sicher schalten können. Was wäre jetzt besser
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NPN Transistor Power Atmega
Welcher Strom soll geschaltet werden? BSS84 schafft ein paar Dutzend mA.
Falk Brunner schrieb im Beitrag #4158742: > Welcher Strom soll geschaltet werden? > BSS84 schafft ein paar Dutzend mA. also der Max verbrauch liegt bei 50mA bei 3.3V
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Gründe für MOSFET-Defekte
häufig den Fall erlebt, dass MOSFETs im SOT-23 Gehäuse "einfach so" kaputt gehen. Darunter die Typen BSS123 und IRLM0060. Frisch aus dem Tape auf die Platine gelötet und man kann ~20kOhm zwischen Drain-Source messen, normalerweise ist dieser >1MOhm. Woran kann das liegen? Ich hab schon zu heiß löten
der der Tastkopf nicht abfackelt. Ich habe so schon 80Vss gemessen, und vor etwa 20 Jahren etliche BSS123 zerstört. Gruß Volker
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Sehr hoher Stromverbrauch bei NE555-Schaltung
555er verbraucht die Schaltung laut Anzeige auf dem Labornetzteil 11mA. Wenn ich jetzt aber einen BSS123 dranhänge (Gate mit dem Ausgang des NE555 verbunden, Source auf Masse, Drain offen), dann verbraucht die Schaltung plötzlich 170mA und der BSS123 wird heiß. Ist das normal? Woher kommt der hohe
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Audiomixer Schaltung so brauchbar?
Störgeräuche verursachen. Eine Pegelanpassung sollte für jeden Eingang getrennt möglich sein. Mit den BSS123 schaltest Du alles stumm, ist das so geplant?
> Mit den BSS123 schaltest Du alles stumm, ist das so geplant? Ja, mit den einen die Kopfhörer und mit den anderen die Lautsprecher. All zu hoch ist die Spannungsdifferenz der Massen nicht (<5V). Der INA117
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Diese USB-Schutzbeschaltung zuviel des Guten?
/s) CAN-Anwendung und diente dort zur Pegelstabilierung *den Fehler dass ich für den p-MOSFET nen BSS123 (n-MOSFET) eingetragen habe ist niemandem aufgefallen Gerd E. schrieb im Beitrag #2750062: > Bei dem sind die Rs und > Cs schon gleich mit drin. Ist zwar bequem wenn man sie braucht, aber
> *den Fehler dass ich für den p-MOSFET nen BSS123 (n-MOSFET) eingetragen > habe ist niemandem aufgefallen Stimmt. Was hat es denn mit den Zenerdioden am Gate auf sich? Ich vermute Du willst nur den Pullup von nem Mikrocontroller aus schalten
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ATtiny13 verstehe Verhalten nicht
4: b0 e0 ldi r27, 0x00 ; 0 6: 01 c0 rjmp .+2 ; 0xa <.do_clear_bss_start> 00000008 <.do_clear_bss_loop>: 8: 1d 92 st X+, r1 0000000a <.do_clear_bss_start>: a: a1 36 cpi r26, 0x61 ; 97 c: b2 07 cpc r27, r18 e: e1
4: b0 e0 ldi r27, 0x00 ; 0 6: 01 c0 rjmp .+2 ; 0xa <.do_clear_bss_start> 00000008 <.do_clear_bss_loop>: 8: 1d 92 st X+, r1 0000000a <.do_clear_bss_start>: a: a1 36 cpi r26, 0x61 ; 97 c: b2 07 cpc r27, r18 e: e1
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FET-/Bipolartransistor als Schalter
bss123
Weder noch, bei 3V3 vom MSP muss der FET schon SICHER schalten. BSS138. Siehe [[Relais mit Logik ansteuern]].
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MOSFETs zum entgegengesetzten Schalten gesucht
welchem Strom? >Aber um einen normalleitenden MOSFET zu finden, suche ich mir gerade >einen Wolf. BSS123, sieha auch [[MOSFET-Übersicht]]. >Habt ihr da vielleicht ein paar Gedanken zu um mir etwas Input zu geben? [[Netiquette]]. >Zudem: Ist es so ohne weiteres überhaupt möglich 3V mit Hilfe
Schaltung handelt es sich um einen Treiber für PIN-Dioden, welche jeweils max. 100mA aufnehmen. >BSS123, sieha auch MOSFET-Übersicht. Dabei handelt es sich um einen selbstsperrenden MOSFET (enhancement type) und nicht um einen selbstleitenden. >Netiquette. Mir ist nicht wirklich klar, weshalb
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Netzteil von Philips TV reparieren möglich?
Vier Stück ist ja noch überschaubar. Die Pläne der Elektrotanya zeigen einen STF24NM60N, einen BSS12, STF24NM65N und einen MMBT3906. Die Daten und Beschaffungsquellen finden Google & Co.: https://www.st.com/resource/en/datasheet/stf24nm60n.pdf https://www.diodes.com/datasheet/download/MMBT3906.pdf "bss12" findet nur bss123 und der hat SMD-Gehäuse https://www.st.com/resource/en/datasheet/stp24nm65n.pdf Den Grund des Kurzschlusses sollte man vor dem ersten Einschalten noch herausfinden, sonst kommt
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probleme mir float + display + Mega8
Also habe ich mir eine kleine Testroutine aufgebaut: char *output; output = ""; float fo3= 123.123; sprintf (output,"%3.3f",(double)fo3); lcd_string( output ); auf dem display erscheint ein "?" Fragezeichen. wo liegt der fehler? grüße Sebastian (GCC Anfänger)
LCD_EN PD5 init_timer(); lcd_init(); sei(); char *output; output = ""; float fl1= 123.123; sprintf (output,"%3.3f",(double)fl1); lcd_string( output ); lcd_string( " das geht " ); } [/c]
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Transistor: Forward Transconductance
Hallo, ich möchte wissen welche Schaltzeiten mein Transistor (BSS123) hat. Ich habe folgende Angaben aus dem Datenblatt entnommen: [math] \begin{align} &g_{FS} &Forward\,Transconductance \qquad 0{,}4 S\\ &t_{D(on)} &Turn\,-\,On\,Delay\,Time \qquad 8 ns\\ &t_r
Ist schon ziemlich knapp mit dem BSS123, bei Ugs = 2,0 V werden garantiert nur 1 mA Drainstrom erreicht. /Schnell/ ist das dann nicht mehr unbedingt. Auch der interne Pullup ist nicht sehr kräftig, der hat so ~ 30 kΩ. Mit 10 pF Schaltungskapazität
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Schaltung von 16 LEDs
ich das jetzt Laienhaft erkenne wären damit bis auf zwei Elemente alle Bauteile gewählt. (ATTiny4 - BSS123 - SMD-LED 1206 Orange - Kabel) Was Fehlt: - Energiequelle (Alternative zur Knopfzelle) vlt Ipod Shuffel 3g Akku? 3,7V und 75mAh... Könnte man die LEDs damit in Reihe bedienen? - Taster
-Gehäuse. Da diese meist einen Steuereingang haben, entfällt der BSS123. Den Regler muss man noch raussuchen. http://www.ti.com/lsds/ti/power-management/backlight-products.page#p1129=Boost&p2954=SOT-23;SOT >- Energiequelle (Alternative zur Knopfzelle - vlt Ipod
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Relais, Transistor und Kondensator Kann das so funktionieren?
> Steigende Flanke Fallende Flanke. Und ein BSS123 schaltet auch nicht so viel, maximal 170mA als Strom für die Last. Also tut es ein NE555 ganz gut, R und C für die notwendige Zeit berechnet laut Datenblatt VCC ---+-------+---+-
wahrscheinlich nur mit 2x 1,5V (Batterien) betrieben. MaWin schrieb im Beitrag #2330304: > Und ein BSS123 schaltet auch nicht so viel, maximal 170mA > als Strom für die Last. Entgegen der Zeichnung im Startpost wird es wohl eher ein BSH103 werden. Allzu viel Strom wird auch nicht benötigt.
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Frage zur Schaltung
Es handelt sich schlicht um die normale Kanal-Leakage des Transistors. Ich selbst habe mittels BSS123 Transistoren die LED eines solchen Schiebepotentiometers [1] gesteuert. Im Dunkeln war dann immer ein leichtes Glimmen der ausgeschalteten LED zu sehen. Habe daraufhin einige Tests gemacht: Ich setze BSS123 ein, die ich mal aus "fragwürdiger" Quelle bei ebay oder so gekauft hatte. Habe daraufhin alle Transistoren getauscht gegen "originale" von ON gekauft bei Mouser. Diese hatten das selbe Problem.
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Max3232 Lowside wegen Leckstrom
auf dem Bild dargestellt? Ja. R12 ist überflüssig, das Gate kann und muss direkt an 3.3V_1. Der BSS138 ist dein Freund.
Hallo Falk, danke fürs Drüberschauen und den Hinweis zum R12. Bisher hatte ich den BSS123, aber der BSS138 passt noch besser! LG Duddi
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RS232 Kommunikation
Hallo, du kannst für die Relaisansteuerungen einen BSS123 nehmen. Pulldown von 10K am Gate nicht vergessen. Als Freilaufdiode kannst Du eine SM4007 nutzen. Du musst Dein Netzteil noch mal prüfen. Die Kondensatoren sind zu klein. Du musst mal messen oder
verbunden. Florian schrieb im Beitrag #3330495: > du kannst für die Relaisansteuerungen einen BSS123 nehmen. Dafür verwende ich jetzt einen BC817. Florian schrieb im Beitrag #3330495: > Pulldown von > 10K am Gate nicht vergessen. Gute Idee habe ich jetzt hinzugefügt. Florian schrieb im
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Logik FET mit Durchbruchspannung etwa 100V
die 100V). Wenn ich jetzt ins Datenblatt von dem BSS138 schaue, springt mir da eine Schwellspannung ins Auge die bei 0,5-1,5Volt liegt. Die Diagramme zeigen auch, dass es eben nur eine Schwelle zur Leitfähigkeit ist. Um den liearen Bereich zu verlassen
Logikpegel (5V) angesteuert werden kann, aber aber eine höhere Durchbruchspannung besitzt? Bin da auch den BSS123 gestoßen, allerdings ist die Schwellspannung höher. Schön wäre es, wenn es diesen auch als Dualversion gibt (Benutzung siehe angehängtes Bild) Gruß und Danke Johannes Sorry, das Bild
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DOS,16Bit:Ich suche DOS sys Treiber Beispiel Source
0010 CONST segment word public 'CONST' use16 CONST:0011 CONST ends CONST:0011 _BSS:0020 ; =========================================================================== _BSS:0020 _BSS:0020 ; Segment type: Zero-length _BSS:0020 _BSS segment word public 'BSS' use16 _BSS:0020 _BSS ends [/c] und das fertig Plugin "drv.drv" sieht dann nach dem Linken so aus [c] seg000:0000 ; Segment type: Pure code seg000:0000 seg000 segment byte public 'CODE' use16 seg000:
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Poweroff timer im Batteriebetrieb
volle Spannung von 12V sieht. Die max. Gatespannung sollte also am besten bei 20V liegen -> z.B. BSS123 oder ähnlich http://www.onsemi.com/pub/Collateral/BSS123-D.PDF Beachte, das solche FET super empfindlich gegen ESD sind. Übrigens, die hellsten LED sind die blauen LED und die grün-blauen im
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BTS555 an ATMEGA8 mittels FET anschließen
nächstes Projekt einen BTS555 an einem M8. Dazwischen brauche ich ja einen Fet. Da habe ich mir den BSS123 ausgesucht.Ich muss eine Open-Collektor Schaltung einbauen. Hier die Schaltpläne: http://i2c2p.twibright.com/datasheet/BSS123.pdf http://www.spaennare.se/PWM/bts555.pdf Anbei habe ich euch
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anfängerfrage: wie groß widerstand
Hi ich habe eine absolute Anfängerfrage ich möchte eine Schaltung mit einem Mosfet (BSS123) aufbauen. http://www.datasheetcatalog.net/de/datasheets_pdf/B/S/S/1/BSS123.shtml Wie groß muss ich den Widerstand vorm Source wählen wenn der Mosfet bei einer Gate Source Spannung von 5V durchschalten
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_delay_ms(500) funktioniert nur sporadisch
Programmen... if (eingabe == 1) ist also das gleiche wie if (eingabe != 0) oder if (eingabe == 123) Aber man lernt ja nie aus...
bytes (93.0% Full) (.text + .data + .bootloader) Data: 12 bytes (9.4% Full) (.data + .bss + .noinit) [/c]
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Spannungsregler temporär umgehen
einen externen Spannungsteiler die Ausgangssspannung einstellt. Dort kann man per kleinem MOSFET (z.B. BSS123) einen zweiten Widerstand parallel schalten und somit die Ausgangsspannung zwischen zwei Werten umschalten. Mfg Falk
externen Spannungsteiler die > Ausgangssspannung einstellt. Dort kann man per kleinem MOSFET (z.B. > BSS123) einen zweiten Widerstand parallel schalten und somit die > Ausgangsspannung zwischen zwei Werten umschalten. Ja is ne gute Idee. Ich habe eh jetzt mal 3 Regler da die ich vergleiche (LT3009,
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n kanal logic level mosfet smd gesucht (so ca 150mA max)
Muss es n-Kanal sein? bis 170mA würde ich den http://www.fairchildsemi.com/ds/BS/BSS123.pdf nehmen. Falls Du einen P-Kanal nehmen könntest den IRLML6401. Gruß Tom
BSS138
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Ultraschallwandler von 5V auf 3V als VCC umbauen
Ultraschallwandler aus. (US-Empfängerkapsel von Reichelt 40kHz). Sendemodus: Zunächst sind die beiden BSS123 so geschaltet, dass ein Sendeimpuls direkt von einem Port eines ATMEGA168 erzeugt werden kann. Dabei werden "Burst-High" und "Burst-Low" wechselseitig gegen 5V bzw Masse geschaltet (16 Impulse).
und Q7 schalten mit 3V nicht mehr so gut durch. Aber das dürfte trotzdem noch gehen... Datenblatt BSS123: Threshold 2 V Nimm statt dem 74AC245 nen LVC4245, und du musst diese (zwielichtigen) Tricks mit den Dioden und Widerständen nicht machen. Siehe dazu http://www.nxp.com/acrobat_download/applicationnotes
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GCC v14 Release
rohdata suchen lassen: [pre] errno |0080486c| B | OBJECT|00000002| |.bss __bss_end |0080486e| B | NOTYPE| | |.bss _end |0080486e| B | NOTYPE| | |.bss __eeprom_end |00810000| R |
257 0 .debug_str 6471 0 .debug_line_str 123 0 Total 37913 [/pre]
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problem mit atof()
-- mein code -- char zahl[]="2.123"; double n = atof (zahl); float j= (float)n; //j=2.345; sprintf(ausgabe, "%.3f", j); uart_puts(ausgabe); als ergebnis erhalte ich dann: 16391.000 wtf??? irgendwie wandelt atof das char
bytes (55.7% Full) (.text + .data + .bootloader) Data: 37 bytes (3.6% Full) (.data + .bss + .noinit)