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36V Motor mit uC schalten
Fragen aufgetan: -Stimmt der Schaltplan so -Was verwende ich als D1 -Welchen Kühlkörper für den IRF1405
Würde es denn funktionieren wenn ich den Diskreten Treiber 2 nehme und statt den IRF840 einen IRF1405
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Li Ion Ladegerät - Mosfet
/www.produktinfo.conrad.com/datenblaetter/1000000-1099999/001085513-da-01-en-IC_CONTROLLE_MCP73844_840I_MS_MSOP_8_MCP.pdf ) Der Aufbau ist wie im Datenblatt-Beispiel auf der ersten Seite, nur der 0.1uF Tantal wurde ersetzt durch eine 0.47uF Tantal und der Mosfet ist ein IRF9Z34N. Die exakte Temperatur
richi schrieb im Beitrag #4549103: >> ein IRF9Z34N. > > Hat er zufällig eine wesentlich höhere Gate-Kapazität als der empfohlene > MOSFET? Den Punkt würde ich unbedingt klären. Wenn der IRF eine viel größere Gate-Kapazität hat, kann er nur
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Diskussion zum Artikel "Single Chip Frequenzumrichter" für den 2. MC Wettbewerb
Juergen G. schrieb im Beitrag #3226750: > Ich habe auf der Lastseite einen IR2130 und 6 IRF840 verwendet. Den IRF2130 habe ich noch nie verwendet, lt. Datenblatt scheint er aber eine fest eingestellte Totzeit zu haben. Wenn du die geeigneten Messmittel hast, oszillografiere doch mal die
-. Also doch besser trennen. Ich möchte das Ganze mit 12V statt 18V aufbauen. Als Mosfet habe ich irf840 bestellt. Geht z.B. PC817, 4n35?
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[V] Transistoren HF Universal Bipolar FET MOSFET
Transistoren 168 Stück BF324, HF Si, pnp,TO92,30V/25mA (€ 0,06/Stück) Power MOSFET 11 Stück IRF9530, n-channel Si,TO220,100V/10A (€ 0,25/Stück) 1 Stück IRF840A, TO220AB, 500V/8A (€ 0,35) 1 Stück IRFI740GBPF, TO220AB, 400V/5,4A (€ 0,40) Bipolare Universaltransistoren
Power MOSFET --------------------------------------------------------------------- 11 Stück IRF9530, n-channel Si,TO220,100V/10A (€ 0,25/Stück) 1 Stück IRF840A, TO220AB, 500V/8A (€ 0,35) 1 Stück IRFI740GBPF, TO220AB, 400V/5,4A (€ 0,40) Bei Interesse bitte PN Werner
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Wechselrichter Sinus Form
gebaut, der aus 325VDC und bis zu 400mA 230VAC 50Hz machen soll. Verwendet wird eine Vollbrücke aus IRF840 MOSFETs, die durch 2 IR2113 angesteuert wird (20kHz PWM, Sinustabelle). Als LC Ausgangsfilter habe ich erstmal 2mH und 2µF benutzt. Bei einem Test mit 11VDC ist der Sinus aber lastabhängig sehr
eine Brückenendstufe aufzubauen, die die Ladungspumpe in den Dingern berücksichtigt. Auch hat der IRF840 für heutige Verhältnisse ganz schön viel RdsON mit 0,85 Ohm. Lass auch zuerst mal das Filter weg und belaste den puren PWM Ausgang der Endstufe für den Fall, das deine Drossel einfach keine hohen
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Elektronische Last, ein paar Fragen.
loswerden möchte. Angestrebt habe ich 20V und 20A, also 400W. Dazu würde ich gern mehrere IRF840 parallel schalten. Im SOA Diagramm habe ich eine DC Kennlinie gefunden, die ja als "Indikator" für einen Liniarbetrieb gewertet werden kann. Hier das DB des Mosfet. https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A100/IRF840%23IR.pdf Bei 20V sind noch rund 5A drin, dass sollte also soweit passen. Ich habe mir gedacht, dass ich einfach 4-6 Mosfets nehme und jedem einen OPV und einen Shunt spendiere. Jetzt ist
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[Projekt] MEGA Lamp
@Jan-h. B. (docean) >Was spricht für/gegen den IRF5305? Dass es ein P-Kanal MOSFET ist. Für deine 12V LED-Leisten brauchst du sinnvollerweise einen N-Kanal MOSFET. Z.B. IRF840 MFG Falk
upps in der Tabelle vertan... hast recht IRF830 ist besser :D
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Totzeit einstellen
Spannungen (Clamp-Diode !!!) - nur für n-channel MOSFETs (Steuerspannung wird erzeugt !!! (z.B. IRF830, IRF840) - auch die Totzeit ist fest, gerade mal so lang dass nicht beide Fets gleichzeitig schalten und, und ... Aber das musst Du jetzt selber machen, das Ganze war nur ein Hinweis
schalten, welche sehr hohe Ströme zulässt, nämlich 50 A http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/irf/irfp260n.pdf Damit müsste das gehen oder? lg, Bettina :)
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Zündspule an Transistor
in den 2. Durchbruch kommt. Hängt halt vom Transistor ab. Ich würde daher eher einen Mosfet nehmen (IRF740 oder IRF840 oder sowas). @ Björn Welchen Zweck haben eigentlich D1-D4?
Zur Ansteuerung von Zündspulen habe ich erfolgreich IRF740 verwendet. Ebenso den alten Zeilentransistor "S 2000". Bei mir ging es mehr um Hochspannungsexperimente, und da hat sich gezeigt, dass es sehr wichtig ist ein sehr steilflankiges Rechteck zur
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MOSFETs in TO-92 o.ä.
MOSFET ist für eine exakte Konstantstromquelle, 60mA aus +15V, 1V bleibt am Vorwiderstand, also maximal 840mW. TO251 sieht ganz gut aus, ich suche mal... Danke, X
Jörg Wunsch schrieb: > Ich habe hier kürzlich schon einmal IR's AN-994 zitiert: > > http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-994.pdf > Das ist gut, danke!
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Kaskodenschaltung
die Schutzbeschaltung ist sowieso viel zu langsam. Mit einem Avalance-Transistor auf das Gate des IRF840 einzuprügeln ist schon heftig. Aber wenn man aus einem Transistor, der normal in 20-30 ns schaltet, 2 ns herausholen will, muss man wohl so vorgehen. Auch auf die 10M-Symmetrierwiderstände könnte man verzichten. Auch die IRF840 hatten schon brauchbares Avalanceverhalten. Generell kann man alle Si-MOSFET auch als Zenerdiode betreiben, solange man es mit dem Strom nicht übertreibt. 60 kV bekommt man durchaus noch auf einer
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UC3843 Flyback-Wandler 12V -> 180V
Stromverbrauch (Wirkungsgrad) angeht. Aber die Dimensionierung ist wichtig, ich hab da 10k, 200nF und nen IRF840.
Wirkungsgrad) angeht. > > Aber die Dimensionierung ist wichtig, ich hab da 10k, 200nF und nen > IRF840. Ich habe mir das Thema grad nochmal angesehen - jetzt hab ich glaube ich diesen Snubber erst mal richtig verstanden. Ja mit dem höheren Widerstandswert macht das auch Sinn. Letzendlich muss man
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MOSFET 500V TO220 Isolationsabstand Abwärtswandler
Netzspannung ca. 50-200V erzeugt. Als Schalter wollte ich einen MOSFET mit 500V UDSmax nehmen (z.B. IRF 840). Dieser kommt in einem TO220-Gehäuse. Nun stelle ich mir die Frage wie ein Bauteil, das theoretisch bis zu 500V schalten kann, in einem Gehäuse ist bei dem die Kupferflächen der Anschlüsse
Sperrwandler mit Isolation? > > Als Schalter wollte ich einen MOSFET mit 500V UDSmax nehmen (z.B. IRF > 840). Hängt von der Topologie ab, ob der Spannungsfest genug ist. Philipp Meißner schrieb im Beitrag #2044241: > Nun stelle ich mir die Frage wie ein Bauteil, das theoretisch bis zu > 500V
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kann man einen power-mosfet mit wechselspannung betreiben
sorry ist natürlich IRF 640/9640
genau so! einen IRF840 oä. sollte dafür gehen. Mal sehn, wer die Schaltung malen darf *gg* Sind das große Spulen? Wieviel Strom würd denn fliessen? (interessiert mich halt immernoch) Schönen Abend AxelR.
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Stromsenke für 10A bei 24V
hatte ich damals schon erfolgreich OHNE Sourcewiderstände gemacht. Bis gute 300W konnte ich diese vier IRF840 treiben, darüber haben sich die Anschlussdrähte abgelötet. Für eine "nutzbare" Last sollte man jedoch innerhalb der techn. Parameter bleiben sonst sieht das so aus: http://dareal.info/test/last_
analogen Schaltungen. Viele Datenblätter besagen das ja auch in Form eines Diagramms, wie eben auch IRF3205 (http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/irf/irf3205.pdf, Fig.3). Aber für thermische Abhängigkeiten interessiert sich ja meist keiner so recht, wenn es mal ums Detail geht ... ;-). Das sieht
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Emag Emmi 40HC Ultraschallreiniger liefert zu wenig Leistung
habe ebenfalls ein Emmy 40 aber eine andere Platine drinn als auf deinen Bildern und als Transistoren IRF840.Als Kondensatoren sitzen bei mir 4x4,7nf und 2x3,3uf. Das Emmy ist etwas älter.Bei mir verabschieden sich immer die Transistoren nach etwa 20 Minuten betrieb.
hier ebenfalls mit einem Emmi 40 eco (ca 15 Jahre alt), das nach 1-2 Minuten Betrieb die MosFets (IRF840) durchschiesst. Ich habe schon alle Kondensatoren gewechselt etc. Auf den Aktoren ist ebenfalls "37.9" drauf geschrieben, also kHz. Vermutlich dasselbe Modell wie bei Thomas. Den Zustand der Piezo-Aktoren
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MOSFET des Todes
wieder einzelne Produkte mit galaktischem Maximum Continuous Drain Current auf, so z.B. beim HEXFET IRFS3206PBF mit über 200A! Wie ist dieser Wert zu verstehen?
Impulsstrom sogar bis 840A. http://de.farnell.com/international-rectifier/irfs3206pbf/mosfet-n-60v-d2-pak/dp/1436973?Ntt=IRFS3206PBF Peter
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DC Netzteil: 2 FETs durchgebrannt, passiert das einfach so?
Das Netzteil heißt eigentlich Manson HCS-3100. Die IRF840 sind für das Netzteil knapp, und wenn die durchlegieren, dann kann auch die Ansteuerung Schaden nehmen. Du wirst also schon die entsprechenden Bauteile kontrollieren müssen. Als Ersatz dann ehr
so wirklich lieferbar, aber der STP11N65M5 sollte es ja auch tun. Danke für den Hinweis, dass der IRF bissel unterdimensioniert ist.
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(S) Sipmos-Transistor BUZ 25
Hallo Vielen dank für eure Hilfe,habe den passenden Mosfet gefunden IRF 540. Und nochmal entschuldigung daß der Schaltplan auf dem Kopf stand,ich wollte nicht daß es Dir schwindlig oder schlacht wird. Gruß Joachim
einige kleine tests zu diesem Thema gemacht: http://dareal.info/test/ Dabei anfangs von "popligen" IRF840 über div. IRFP-Typen, dann über IXYS-Mosfets sowie derzeit bei ISOTOP-Mosfets angelangt (Tests mit IXYS und ISOTOP nicht mehr auf der Seite dokumentiert). Man sollte sich halt vor Augen halten
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Transistor durch MosFet ersetzen
kleiner). Kann ich den Transistor einfach durch einen (bzw. zwei parallele) MosFet (ich habe hier z.B. IRF840 liegen) ersetzen?
wrote: >> ... >> Deshalb darf/sollte keine thermische Kopplung zwischen den FETs sein. >Tja, IRF schreibt in den Datenbüchern das Gegenteil, Siemens >Schaltbeispiele waren auch deutlich auf thermische Kopplung aus. >Ich wrote: >> Ich würde zur Symetrierung noch z.B. 0,1 Ohm Widerstände in
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Wie überwacht man die Einzelzellenspannungen aus in Serie geschalteten Akkus ?
www.mikrocontroller.net/topic/368767#4576835 Als Sinnvolle PMOS-Transen bei *4* NiMh-Akkus in Reihe halte ich : IRF 4905 IRF 5305 IRF 5210 IRF 9310 IRF 9321 AO 4447A Suche Allerdings nach einer Auto-Power-OFF-Schaltung, die sich durch einen Tastendruck einschalten läßt und nach ca. 10 Minuten wieder ausschaltet
finde ich. https://www.youtube.com/watch?v=xBPwZzBhCvE https://www.youtube.com/watch?v=IcbR-qOC840 Bernd_Stein
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Schaltnetzteil, Elko wird warm, Ursachensuchen
schnellen Mosfets. Das Mysterium löst sich auf, wenn in der Schaltung ursprünglich "langsame" Typen (Z.B. IRF840) vorgesehen waren, die dann ohne weitere Maßnahmen durch die schnellen Typen von STM ersetzt wurden. Also: Gate-Beinchen ablöten, hochbiegen, Ferritperle drauf, wieder anlöten. Bei bedrahteten
#5306316: > Das Mysterium löst sich > auf, wenn in der Schaltung ursprünglich "langsame" Typen (Z.B. IRF840) > vorgesehen waren, die dann ohne weitere Maßnahmen durch die schnellen > Typen von STM ersetzt wurden. Hi, Also aller Wahrscheinlichkeit doch der Schaltungsentwickler (und die Folgeserien-Änderungen
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Gegentaktendstufe für Mosfet
Hallo Community, ich habe mir für eine Ansteuerung eines Mosfets (z.B. IRF840, IRF530, IRF730,...) mit Mikrocontroller (z.B. Atmega8, 16, 32, ...) eine Schaltung (Im Anhang ein Bild der Schaltung )zusammengestellt. Es handelt sich dabei um eine Gegentaktendstufe. Diese soll
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Kleiner RGB Kontroller
schon beschrieben wie man aus wenigen Timern mehr PWM Ausgänge raus holt. Zur Schaltung ob der IRF840 geeignet ist weiß ich nicht, üblicher weise wird etwas in die Richtung genommen: IRLIZ44N IRLIZ34N IRLZ34N, und der Mosfet sollte den GND Schalten, sogenate Low-Side-Schalter., RGB Stripes haben
Hallo Joerg gugg dir mal den IRF7842 an, finde ich wesentlich besser als ICL7667 der bei 6 oder 7 ohm liegt den IRF7842 verwende ich auch als schalter, hat bei 4.5Vgs 7miliOhm vlg Charly
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Hochspannungsregler Version 2, Meinungen bitte
ausgraben. Ich habe mir ArnoRs Regler nochmal vorgenommen, den Längstransistor durch einen FET ersetzt (IRF840) und den Strom durch den Differenzverstärker auf ein bisschen mehr als 1,5mA gelegt. Alle anderen Transistoren sind TO-92, was Mouser eben mit Spannungsfestigkeit CE > 400V liefern konnte. hFE ist
arbeitet aber laut Spice bei starkem Lastwechsel nicht stabil, je nach Mosfet (Auf der Platine ist es ein IRF840) schwingt sie dann los oder es gibt heftige Überschwinger. Ich weiß nicht wie ich das übersehen konnte. Die Version von ArnoR läuft super und lässt sich nicht beeindrucken von C2, der Wert ist ziemlich
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Meinung zu Phasenabschnittsdimmer
Lego-Häuser auch so aus ? Q1 ist kein Spannungsregler, letztlich ist er überflüssig. 6V2 wären für einen IRF840 auch zu wenig Gatespannung. R2 verballert ziemlich viel Leistung. 100u sind übertrieben viel. Es gibt keinerlei Vorkehrungen gegen Spannungsspitzen aus dem Netz und Begrenzungen der Stromänderungsgeschwindigkeit
auf eine einzige Platine. gekaufte Dimmer etc. gehen also nicht. Laut Spice langen die 6,2V um am IRF eine relativ kleine Verlustleistung bei Schalten zu bekommen, werde aber gerne auf 12V hochgehen. Q1 dient laut meiner Vorstellung dazu, den IRF erst zu schalten wenn genug Spannung im Kondesnator
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Bauteil identifizieren - vmtl. IR- Empfänger Si 84
Si könnte für den Werkstoff des Emitters stehen 84 könnte eine Andeutung von 840nm Wellenlänge sein 9B könnten für einen IRF-9B sprechen, hat jemand das Datenblatt?
IRF-9B => IFR-9B
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Spule mit einem Fet steuern,wie schütze ich vorÜberspannun
Sekundärseite ein paar 100V bis etwas über 1kV daraus. Nimm einen MOSFET der mindestens 500V verträgt (z.B. IRF840) und schalte anstelle der Diode einen Varistor mit etwa 200V parallel. Oder lass die Finger von solchen Versuchen, wenn du nocht nicht so weit bist...
kurzem ein ähnliches Projekt gebaut. Aber ich habe ein paar andere Bauteile verwendet. Anstatt eines IRF5305 habe ich einen fb180sa10 verwendet. Folgende Adresse führt zu einem Datenblatt: http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/irf/fb180sa10.pdf Den Hexfet gibt's bei Conrad Electronic: http://
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Diskreter LS Mosfet Treiber schaltet Lüfter ein bevor Controller startet
Wenn schon die Last oben hängt, also ein N-Fet drin ist, darf der µC den gerne direkt ansteuern. IRF840 ist ein netter Transistor, wenn man Leistungsverstärker bauen will. Mit 0,85 Ohm ist er zum Schalten so ungeeignet, wie es kaum schlimmer geht.
Der IRF1405 ist m.M.n. mächtig Überdimensioniert, vor allem die große Gate-Charge macht das saubere Ansteuern schwer. Und deine Gate-Widerstände sind zu groß um ein unbeabsichtigtes Durchsteuern wegen der
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Transistor für hohe Frequenz und hohe Leistung gesucht
Z.B IRF840 oder IRF7401, siehe [[Mosfet-Übersicht]].
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[V] Transistoren HF Universal FET Bipolar sortiert Gesperrt
Transistoren 173 Stück BF324, HF Si, pnp,TO92,30V/25mA (€ 0,06/Stück) Power MOSFET 20 Stück IRF1010N, n-channel,Si,TO220,55V/85A (€ 0,25/Stück) 11 Stück IRF9530, n-channel Si,TO220,100V/10A (€ 0,25/Stück) 1 Stück IRF840A, TO220AB, 500V/8A (€ 0,35) 1 Stück IRFI740GBPF
Moin, ich hätte gerne 100x BS 170 und alle IRF1010N. Viele Grüße Philipp
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Problem mit Mosfet Halbbrückentreiber
deutlich höher als bei der alten Schaltung. Ich werde daher jetzt wieder die alte Schaltung mit dem IRF840 verwenden, der hat ziemlich symmetrische on/off Zeiten.
ordentlichen Peaks führen oder ob es doch noch shoot-through ist. Ich denke ich werde die Schaltung mit den IRF840 einfach mal an 300V ausprobieren, denn den Gatesignalen und den Werten aus dem Datenblatt nach, sollte es kein shoot-through geben. Schlimmstenfalls brennen halt wieder die Mosfets ab...
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Dybkowski AT89S8253 Flasher Platinen-Aufbau
Ltg.) als Verpolungsschutz. oder Klemmen, dto. für die Motoranschlüsse, falls erforderlich. IRF840 hat relativ hohen RDSon, VGs würde passen. Ggf. IRF530, aber kann später noch geändert werden, wenn Motoren klar sind. Einige Kontenpunkte fehlern. Layout: Habe ich nur oberflächlich angekuckt
>IRL3103 Etwas Grenzwertig, UDS ist mit 30V sehr klein bemessen. Ich würde lieber den nehmen: IRF3205 TO-220AB irf 2.0 55 110 200 8 (gibts bei Reichelt) Ist die LP fertig?
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Sperrwandler Fehlfunktion
bringt oder einfach versuchen die Spannungsspitzen mit dem Snubber weg zu bügeln? Habe jetzt den IRF840 mal noch gegen einen IRF3710 ausgetauscht, der bleibt wesentlich kühler.
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High Voltage Coill Mosfet-Alternative?
IRF840 vielleicht? habe ich bei mir drinne. Hat, aufgrund seiner Fertigungstechnologie, sozusagen eine intergrierte Z-Diode drinn (erster Durchbruch). Du kannst die Spule also direkt anschliessen, solange
hört sich sehr gut an, Axel. Aber sehe ich das richtig, daß der IRF nur maximal 4V abkann am Gate? also mit 0-5V TTL-Pegel nicht möglich?
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High-Side Treiber für MPPT-Regler
der Ansteuerung des Gates nicht weiter.. Der Wandler ist ein typischer Buck-Konverter mit einem IRF3205 (N-Channel, Drain an +, Source an L und D) und einer MUR840. Die Speicherdrossel ist noch unbekannt und erst einmal egal. So sieht es aus: http://de.wikipedia.org/wiki/Abw%C3%A4rtswandler#mediaviewer
zuverlässiger -Lehrreich -Nicht Softwarwabhängig Habe selbst vor kurzem einen gebaut mit einer handvoll IRF3205/4905 Mosfets und TL 494.
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Büttner Votronic modified sine wave inverter
auch. Es ist ein SG3525 verbaut. Triggert dieses IC die Brücke? Als Treiber für die Mosfets 4x IRF460 Diese werden angesteuert von zwei BC327-40 und MPSA44. Danke und Frohe Weihnachten wünschen ich jetzt aucheuch.
ist ein 115V Modell mit 60Hz, was aber fürs Prinzip völlig egal ist. Wir Europäer verbauen statt der IRF630/640 dann den IRF840. Noch ein Beschaffungstip: Die MPSA (oder andere HV Transistoren) sind paarweise in jeder Energiesparlampe zu finden und bestens als Ersatz geeignet.
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BUZ11 geht kaputt..
Rating haben. Eine 12V Zenerdiode zwischen Gate und Source ist Pflicht! Empfehlen kann ich den IRF730, den hab ich noch nicht kaputtgekriegt.
Also mit MOSFET geht das allemal und wird auch häufig gemacht. IRF540,IRF840,IRFBC40.... Was die Schaltverluste angeht sind MOSFET meist besser als Bipolar. Weniger Leistung zum Schalten bei höheren Schaltgeschwindigkeiten. Deswegen werden auch in fast allen Schaltnetzteilen
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Vierquadrantensteller in Kombination mit Scheibenwischermotor
oder 12V Quelle) Lötbar (TO-xx oder DIP Bauform) Da würde sich jetzt folgende Liste ergeben: IRF 530 (0.44€) BUK100 (1.40€) IRLZ34N (0.42€) IRF840 .. Quasi unendlich viele. :) Gibts noch ein weiteres Kriterium auf das ich bei einer Ansteuerung per PWM achten muss, oder kann ich getrost einen
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Buck-Converter bei max. 12V@10A für Motorsteuerung sinnvoll? Brauche Hilfe bei der Dimensionierung.
dem Buck-Converter. Dabei muss diese auch den vollen Strom tragen können (in deinem Fall: die MUR 840 ist schon ein wenig zu klein geraten, eine Schottky-Diode wäre zudem besser geeignet).
> Also gar keine Freilaufdiode vorhanden gewesen... So wie oben im Schaltbild. IMHO ist die MUR840 (auf der Platine ist es eine MUR1560) so wie es beim Buck ist.
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Phasenabschnittdimmung mit ESP8266
. Die Ermittlung der Phasenlage erfolgt über einen Optokoppler(EL 814). Als Transistoren sollen IRF840 zum Einsatz kommen. Da der benötigte Strom der Leuchten nur sehr gering ist, sollte es kein Problem darstellen, dass die Transistoren nicht komplett leiten(Laut Datenblatt bei Ugs=5V Id=4A) Da
Ugs=5V Id=4A) Vergiss es, die Ids/Ugs Kurve im Datenblatt http://www.vishay.com/docs/91070/sihf840.pdf ist nur 'typisch', sie kann je nach Exemplar auch bei 3.18V oder 6.36V liegen und bei letztere bleibt dein MSOFET einfach immer AUS. Du brauchst 10V um den MOSFET durchzusteuern, und LogicLevel
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Abwärtswandler Regelungsprobleme
warum ich nicht einfach einen Längsregler benutze.. Ich habe schon ein paar Längsregler bestehend aus IRF840 und LM317 im Einsatz, die funktionieren für einen kleinen Stellbereich auch sehr gut, aber für die Spreizung von 50-250V bräuchte ich Stufenumschaltung und darauf möchte ich verzichten. Die Schaltung
Die Schaltung kann nicht mal ansatzweise funktionieren. Viele Bauteile sind grob falsch eingebaut (IRF740 Gate-Spannung überschritten, keine Spule im Abwärtswandker, TL431 falschrum) und Grundlagen der Regelungstechnik wurden ignoriert. Vergiss deinen Entwurf, suche dir einen fertigen. 50-250V bei
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Schaltnetzteil eigenbau.
im Sandwich nehmen. Das Du keinen Volldraht nehmen kannst ist ja klar? Siehe: Skineffekt. Statt dem IRF740 nimm mal den IRFP240A, aber achte auf das "A". Bekommst Du auch bei Conrad. Die Ableitdioden würde ich trotzdem noch extern spendieren. 22 Ohm sind für Gatewiderstände hier etwas viel. Ich habe da
geeignet, jedoch kam der ETD34 mir besser bei dem Wicklungsaufbau entgegen. Hier nehme ich übrigens einen IRF840. Für den Trafo habe ich mich ebenfalls, wegen dem Wicklungsaufbau, für einen grösseren Kern entschieden, einen ETD49. Für diese Frequenz ist als Kernmaterial GL87 oder N87 geeignet. Kerne, Spulenkörper
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Ultraschall-Gerät reparieren
Montage. Die Schrauben waren locker und keine Wärmeleitpaste o.ä. dazwischen. Glaube ich hab dann auch IRF840 statt IRF830 verwendet, ist schon ne Weile her. Auf jeden Fall läuft das Gerät seitdem. Gruß Peter
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Step Up / Charge Pump Design für Hochspannung
Modifikationen vorgenommen, zum Originaldesign: R5 von 220k auf 300k L1 von 100uH/0,1A auf 150uF/1,6A Q1 von IRF730 auf IRF840 und kleinen Kühler montiert D1 von UF4004 auf UF4007 C4 von 4,7uF/350V auf 20uF/450V Bisher scheint die Schaltung auch zu laufen, ich messe mit meinem Multimeter 400V, der Preamp
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Wickeltechnik Hochspannungsübertrager
Beitrag #4179460: > 142 Windungen auf enem ETD29 Kern mit N87 Ferrit. > Bei Windung 5 Taktet ein IRF3205 mit 78.125kHz auf Masse. > Am Wicklungsende kommutiert eine MUR860 auf einen Elko. > Funktioniert super ! Das ist schön. frischling schrieb im Beitrag #4178441: > Zum Testen habe ich einen
0V 420V Windung 1 2........119.120 240 239.......122.121 840V 420V oder habe ich den Aufbau missverstanden ?
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Suche bessere Alternative zum MC34063
Der UC3843 hat einen richtigen Push-Pull-Gate-Treiber, zusammen mit einem modernen FET (und nicht IRF840 oder so) bekommt man einen Boost-Konverter von 12V auf 180V hin, der nicht kocht. Falls es jemanden interessiert: http://elektronik-kompendium.de/public/arnerossius/temp/nixie-nl840/nixie-nl840.png
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H-Mosfet-Brücke bis 60V Nennspannung gesucht
BSC031N06NS3 ist das falsche Gehäuse für meine Lötkenntnisse, wie ist es mit soetwas einfachem wie IRF520? FDR840P ebenso schnell unter meinem Daumennagel verschwunden Ich kann aber auch selber suchen... 2) Die Didoen und der Transistor haben keine Typbezeichung, warum das nicht - gibt´
BSC031N06NS3 ist das falsche Gehäuse für meine Lötkenntnisse, > wie ist es mit soetwas einfachem wie IRF520? Dein Treiber muss den FET sauber aufsteuern können. Der IRF520 braucht dafür eine Gate-Source-Spannung von ca. 10V. Die Antwort auf deiner Frage kommt darauf an, ob dein Treiber das liefern kann
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Eigenbau Verstärker - Verbesserungen
Versuchen habe ich in der Endstufe IRFZ46N MOSFET verwendet und diese verglichen ( vom Klang her ) mit IRF840 MOSFET. Die IRFZ klangen auffällig besser. Der Grund dafür, wie sich aus dem Datenblatt ergibt, ist das Verhältnis aus Gatespannung zu Drainstrom. Daher habe ich nach MOSFET gesucht, die viel
Kp/2*(Ugs-Uth)² Allenfalls kann man wegen der großen Steilheit deines Transistors gegenüber dem IRF840 geltend machen, dass nur ein kleinerer Teil der Eingangskennlinie durchlaufen wird.
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Elektronik schützen vor "gesättigtem" Trafo?
hatte in Bild 8.4.b schon jemand gehabt. Es gibt von Elektor einen 200W Wechselrichter mit SG3526 und IRF054, dort ist auch eine Überstromabschaltung eingebaut. http://www.joretronik.de/Web_NT_Buch/Kap8_3/Kapitel8_3.html#8.4 mfG
keine Multi-Kilowatt-Trafos hast, daher auch ohne besagte Treiber, und mit weit kleineren FETs (z.B. IRF840) auskommen würdest. Etwas mehr als jetzt wäre so wohl drin, wenn vielleicht auch keine 400kHz. Mit der Strombegrenzung überleben kleinere FETs dann auch.