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Transistortester AVR
Sperr-Richtung vielleicht besonders hoch? Nein, die Kapazität beträgt 0pF und manchmal 7pF. Bei der MBR20100CT wird z.B. 485mV / 0pF angezeigt, wenn ich nur eine Anode u. Kathode in die Probpins stecke. Gruß Michael
. schrieb im Beitrag #2786565: > Nein, die Kapazität beträgt 0pF und manchmal 7pF. > > Bei der MBR20100CT wird z.B. 485mV / 0pF angezeigt, wenn ich nur eine > Anode u. Kathode in die Probpins stecke. Hallo Michael, leider habe ich derzeit noch keine Idee. Aus dem Springen der Kapazitätsanzeige
Projekte & Code ·Karl-Heinz Kübbeler · ·6487 Antworten
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ttester.pdf
Softwareversionen eines ATmega168-Prozessoren. Die Messung der Sperrschicht- kapazität für die Doppeldiode MBR4045PT gelingt nur gekühlt. Die Ursache hierfür ist der hohe Reststrom der 40A Diode. Ebenso kann für die Basis - Emitter Strecke des Germanium Transistors AC128 die Sperrschichtkapazität nur im gekühlten
in „Sammelbestellung Transistortester III - schnelle Runde“ · Markt ·
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ttester_ger109k.pdf
ATmega168 und eines ATmega328 Prozessors. Die Messung der Sperrschichtkapazität für die Dop- peldiode MBR4045PT gelingt nur gekühlt. Die Ursache hierfür ist der hohe Reststrom der 40A Diode. Ebenso kann für die Basis - Emitter Strecke des Germanium Transistors AC128 die Sperrschichtka- pazität nur im gekühlten
in „Sammelbestellung Transistortester III - schnelle Runde“ · Markt ·
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ttester_eng104k.pdf
AC128 B+E Diode, 272mV, 0pF Diode, 277mV, 0pF Diode, 273mV, 0pF AC128 B+E cooled Diode, 349mV, 140pF MBR20100CT 2xDi, 337mV, 337mV 2xDi, 341mV, 341mV 2xDi, 340mV, 338mV MBR20100CT Diode, 337mV, 345pF Diode, 341mV, 360pF Diode, 338mV, 354pF MBR4045PT Diode, 243mV, 1.80nF Diode, 239mV, 1.98nF Diode, 235mV
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≤ 50 mV pk-pk C14 R15 1 nF 150 Ω L3 12 V 3.3 µH @ 2.5 A C3 R3 4.7 nF 68 kΩ D8 C10 C11 C12 1 kV 2 W MBR1060 560 µF 560 µF 220 µF 35 V 35 V 35 V BR1 D1 600 V UF4005 RTN 2A R4 D2 L1 2 MΩ 1N4148 R6 20 mH 1/2 W 150 Ω R8 R1 T1 C6 150 Ω 4.7 MΩ 0.1 µF C1 1/2 W U2 CX1 68 µF D L TOPSwitch-GX LTV817A 100 nF 400
in „Hilfe bei Reparatur SNT Laderegler“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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≤ 50 mV pk-pk C14 R15 1 nF 150 Ω L3 12 V 3.3 µH @ 2.5 A C3 R3 4.7 nF 68 kΩ D8 C10 C11 C12 1 kV 2 W MBR1060 560 µF 560 µF 220 µF 35 V 35 V 35 V BR1 D1 600 V UF4005 RTN 2A R4 D2 L1 2 MΩ 1N4148 R6 20 mH 1/2 W 150 Ω R8 R1 T1 C6 150 Ω 4.7 MΩ 0.1 µF C1 1/2 W U2 CX1 68 µF D L TOPSwitch-GX LTV817A 100 nF 400
in „Hilfe bei Reparatur SNT Laderegler“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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820 MF L1 820 MF +7.7 A 1 13,14 25 V 25 V 4 A RT1O C3 3.3 MH 5 7t R6 R4 4.7 nF 4.7 M7 2.0 M7 1 kV MBR20100CT 11 D1 12 BY V26C D3 RTN R7 2.0 -7 4 MBR20100CT 4.7 M7 VR1, VR3 9,10 P 6KE100A 7 C1 D4 22 MF 1N5148 R 18 C17 400 V R20 0.5 W 1 kVF 1.5 k7 T1 R8 R12 1.0 MF 2 W EI35 4.77 240 7 50 V 0.125 W 10 MF
in „Verzweifelt: Wie Widerstände und Kapazitäten eines Sperrwandler IC´s auslegen?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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tl431book.pdf
trpnsformer and the rest of the elements: the TL431 is alone, awaiting its compensation elements… D1 MBR20100CT L3 Vbulk 2.2uH Vout R1 C1 C2 C3 19 V/3 A 51 820uF 820uF 100uF R7 R2 4.7k 39k C4 10nF Np = 100 U1 Ns = 17 R8 NCP1271 N = 1:170m 27k D2 Lp = 700 uH 1 8 MUR160 2 D3 BAV21 10 RLED R9 3 6 66k C8 C10
in „Sperrwandler Dimensionierung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ATmega168 und eines ATmega328 Prozessors. Die Messung der Sperrschichtkapazität für die Doppeldiode MBR4045PT gelingt nur gekühlt. Die Ursache hierfür ist der hohe Reststrom der 40A Diode. Ebenso kann für die Basis - Emitter Strecke des Germanium Transistors AC128 die Sperr- schichtkapazität nur im gekühlten
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ATmega168 und eines ATmega328 Prozessors. Die Messung der Sperrschichtkapazität für die Doppeldiode MBR4045PT gelingt nur gekühlt. Die Ursache hierfür ist der hohe Reststrom der 40A Diode. Ebenso kann für die Basis - Emitter Strecke des Germanium Transistors AC128 die Sperr- schichtkapazität nur im gekühlten
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ATmega168 und eines ATmega328 Prozessors. Die Messung der Sperrschichtkapazität für die Doppeldiode MBR4045PT gelingt nur gekühlt. Die Ursache hierfür ist der hohe Reststrom der 40A Diode. Ebenso kann für die Basis - Emitter Strecke des Germanium Transistors AC128 die Sperr- schichtkapazität nur im gekühlten
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ATmega8-, ATmega168- und ATmega328-Prozessors. Die Messung der Sperrschichtkapazität für die Doppeldiode MBR4045PT gelingt nur gekühlt. Die Ursache hierfür ist der hohe Reststrom der 40A-Diode. Ebenso kann für die Basis-Emitter-Strecke des Germanium-Transistors AC128 die Sperrschichtkapazität nur im gekühlten