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55 Treffer für MJ15003 Suchergebnisse für "MJ15003"

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    Transistor_Database.pdf

    120V 30A 200W MJ11032 N-DARL 120V 50A 300W MJ11033 P-DARL 120V 50A 300W MJ15003 SI-N 140V 20A 250W 3MHz MJ15004 SI-P 140V 20A 250W 3MHz MJ15015 SI-N 120V 15A 180W 0.8MHz MJ15016 SI-P 120V 15A 180W 0.8MHz MJ15022 SI-N 350/200V 16A 250W MJ15023 SI-P 350V 16A 250W 4MHz MJ15024 SI-N 250V 16A 250W MJ15025 SI-P 400V 16A 250W 4MHz MJ16018 SI-N 1500V 10A 175W MJ2501 P-DARL 80V 10A 150W MJ2955 SI-P 100V 15A 150W 4MHz MJ3001 N-DARL 80V 10A 150W

    in „Bauteilebeschaffung !!“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·

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    Transistor_Database.pdf

    120V 30A 200W MJ11032 N-DARL 120V 50A 300W MJ11033 P-DARL 120V 50A 300W MJ15003 SI-N 140V 20A 250W 3MHz MJ15004 SI-P 140V 20A 250W 3MHz MJ15015 SI-N 120V 15A 180W 0.8MHz MJ15016 SI-P 120V 15A 180W 0.8MHz MJ15022 SI-N 350/200V 16A 250W MJ15023 SI-P 350V 16A 250W 4MHz MJ15024 SI-N 250V 16A 250W MJ15025 SI-P 400V 16A 250W 4MHz MJ16018 SI-N 1500V 10A 175W MJ2501 P-DARL 80V 10A 150W MJ2955 SI-P 100V 15A 150W 4MHz MJ3001 N-DARL 80V 10A 150W

    in „Transistor-Datenbank“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·

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    Wer hat Erfahrung mit Induktionsöfen >1kW

    unverzichtbar. Ich habe schnell gemerkt, dass das mit TO247-Mosfets nix wird. Ich habe mich dann für den MJ15003 im guten alten TO3-Gehäuse entschieden. Der hält nämlich 200°C aus und hat einen geringen Wärmewiderstand. Damit war das Problem gelöst. Das Netzteil läuft übrigens wirklich eiwandfrei.

    bei diesen Frequenzen schnell an ihre Grenzen. Im ungünstigsten Fall produziert so ein IGBT ca. 30 mJ Schaltverluste pro Periode. Bei Teslafrequenzen um die 100 kHz im Dauerbetrieb wären das immerhin 3 kW Verlustleistung pro IGBT also insgesamt 12 kW bei 2 Modulen. Beim Teslatrafo werden die IGBTs deshalb

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·Silvio K. · ·580 Antworten

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    LTS: ota pwr mos fet amp für.

    für Linearbetrieb. BJTs für Audio sind dagegen relativ günstig auch SOA getestet zu bekommen (z.B. MJ15003/4). Auch das Parallelschalten ist mit BJTs einfacher als bei MOSFETs.

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·Tinyurl.com/yc2y93cp O. · ·497 Antworten

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    standard.bjt.txt

    =4.90E-11 MJE=0.42 VJE=0.7 TF=1.7n ITF=1 VTF=20 XTF=100 RE=0.8) .model BF459 ako: BF257 NPN .MODEL mj15024 npn IS=1e-09 BF=80.9237 NF=1.41415 VAF=29.8965 IKF=3.58072 ISE=1e-16 NE=4 BR=1.00135 NR=1.5 VAR=281.892 IKR=5.80356 ISC=1e-16 NC=2.99908 RB=9.25367 IRB=0.1 RBM=0.1 RE=0.00042229 RC=0.0571126 XTB

    in „Hilfe bei LTSpice nötig!“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·