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Mosfet IRFP4568PbF wird extrem heiß - warum?
spezifiziert ist. 12V sollten gut gehen und die hast du ja eh schon) kannst du auch mehrere von den Mosfets parallel schalten. Bei zwei Mosfets hast du nur noch ein viertel der Verlustleistung pro Mosfet und kannst dann vllt sogar auf Kühlung verzichten. Ein kleines Kühlblech schadet aber trotzdem nicht
MOSFET.
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Elektronische Last mit 2 MOSFETs
Tag zusammen Die Schaltung (1_Variante) ist von ELV Elktronik. Die arbeitet mit einem MOSFET. Ich will aber da ganze mit 2 MOSFETs aufbauen. Wie würde die Schaltung mit den 2 MOSFETs aussehen? Ich habe mir das ganze so vorgestelt-> Variante_2 lg Marc
fast jeder MOSFET linear betreiben lässt. Der verwendete Mosfet hat nicht mal Kurve für DC!
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Power-Mosfet mit Logic-Level geschaltet - wie kann man die Konsequenzen messen?
Widerstandsbereich, bzw. gesteuerter Widerstand. Siehe MOSFET Grundlagen.
@Lexi (Gast) >In einer Schaltung, die schon seit Jahren im Einsatz ist, werden 8 >IRF3710 Mosfets direkt an einem Schieberegister mit 5V geschaltet. Hmm, ein 23mOhm MOSFET, der 57A schalten kann. >Über die Mosfets werden kleine Auswerfer ausgelöst, die Bauteile vom >Band schubsen. Eine
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Highside, FET wird heiß
FET? Glaube das ist kein zielführender Vorschlag. Oder meintest Du sowas: SiC-JFET oder einen MOSFET? Ein Higside-Mosfet würde genau so gut wie eine Lowside-Mosfet, wenn die Ansteuerschaltung galvanisch getrennt versorgt würde, so dass Plus der Ansteuerplatine auf Masse liegt (nicht der Minus)
Musste nur noch dafür sorgen, daß die Spannungsspitzen des verseuchten Bordnetzes Deinen tollen Mosfet nicht killen.
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Transistortester AVR
misst der Tester auch keine Sperrschichtkapazität von Dioden und auch keine Gatekapazität bei MOSFETs. Kann Dein Kondensatormessgerät das überhaupt? Mein LCR-Meter kann es nicht! Grüße Karl-Heinz
zu sehen. So einer war das: http://www.ebay.com/itm/NEWEST-AVR-Transistor-Tester-meter-NPN-PNP-MOSFET-diode-t-riac-resistor-capacit-/300825182490?pt=LH_DefaultDomain_0&hash=item460a94011a
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Prototyp Elektronischen Last (7A@15V)
IRFP140N ca. 100W an Verlustleistung in Form von Wärme ab Schon mal gerechnet, wie heiß der MOSFET wirklich wird? Siehe [[Kühlkörper]]. Ausserdem ist dein MOSFET nicht wiklich sinnvoll ausgewählt. 15V/7A = 2 Ohm. Wozu dann ein 40mOhm MOSFET? Nimm drei BUZ11 parallel mit je eigenem Regler-OPV
beim Ändern der Gateladung ein Strom Welchen Temperaturkoeffizienten hat der Drainstrom eines MOSFETs im Linearbetrieb? > Positiver TK = MOSFETs brauchen Ballastwiderstände an Drain oder Source, genau wie Bipolartransistoren. Oder eben ein Regler pro MOSFET.
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Probleme mit Spannungsunterschieden beim Schalten
Bada B. schrieb im Beitrag #7639413: > bei dem ein PNP Mosfet Es gibt keinen PNP Mosfet! Poste einen Schaltplan!
Karl B. schrieb im Beitrag #7642365: > Verarmungsmodus-MOSFETS > Anreicherungsmodus-MOSFETS ich meine mal gelesen zu haben das es selbstleitende Mosfets und selbstsperrende Mosfets gibt, also kann Bada B. schrieb im Beitrag #7641771: > Und, ich drücke
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richtiger n-Kanal MOSFET, 3,3V soll 5V und 100mA schalten
. Am Durchlasswiderstand des MOSFET sollte nur eine sehr geringe Spannung abfallen. Der MOSFET muss nur alle paar Minuten schalten. Ich habe an eine einfache Schaltung gedacht, wie sie auf dem Bild zu sehen ist mit einem n-Kanal MOSFET
Source stellt sicher, dass der Transistor aus ist, wenn dein µC nicht versorgt ist. Bei einem Mosfet musst du nach einem Logic-Level-MOSFET suchen, der bei 3.3V schon gut durchsteuert. https://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht
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TP4056 Lademodul mit Power-Sharing
sich erwärmen. Im Akku-Betrieb verhindert die Schottky-Diode eine Verbindung von Bat+ und Gate des MOSFETs. Alternative MOSFETS --------------------------- Laut des englischen Tutorials wären alternative MOSFETS der AO3401 oder der FDN336P, sollte der MBRS130LT3 nicht erhältlich sein.
Gate is equal to Vin (~5V) and the diode drops 0.4V, Vgs > is positive by 0.4V, therefore the MOSFET is off.[/code] > > Veilleicht braucht der MOSFET die 0,4 V Differenz also zum Schalten? Bin > mir da nicht ganz sicher. Eine positive Spannung Vgs von +0,7V anstelle der +0,4V bringt den MOSFET
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Hat die künstliche Intelligenz mir überhaupt die richtige Antwort gegeben?
Fragen über Fragen schrieb im Beitrag #7300006: > Kybermatrix schrieb: >> Welchen MOSFET > > Kybermatrix schrieb: >> Um einen MOSFET > > Kybermatrix schrieb: >> Der MOSFET > > Kybermatrix schrieb: >> Der MOSFET > > Kybermatrix schrieb: >> Ein MOSFET > > Na immerhin war
Fragen über Fragen schrieb im Beitrag #7300006: > Kybermatrix schrieb: >> Welchen MOSFET > > Kybermatrix schrieb: >> Um einen MOSFET > > Kybermatrix schrieb: >> Der MOSFET > > Kybermatrix schrieb: >> Der MOSFET > > Kybermatrix schrieb: >> Ein MOSFET > > Na immerhin war
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Wer hat Erfahrung mit HAP?
>> Als Standart Dimmer Modul bezeichnest du die Mosfet Platine oder? > Nein, nicht die Mosfet Platine, die andere... Also wenn es die Platine mit Triacs ist dann musst du auf "Dimmer" stellen, da du nur die Zündpülse aussenden musst. Nur die Mosfet
Hallo zusammen, ich habe die Mosfet Dimmer von der HAP Seite und seit der Installation 10/2010 ist erst ein Mosfet fast durchgebrannt. Diesen hatte ich aber leider an nem E-Trafo falsch bezüglich cut-on/off eingestellt und das Mosfet
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el Last - Bauteilauswahl
Halbleiter verheizen, Lastwiderstände zwischen Drain und Akku Plus verteilen die Leistung. Und warum Mosfets? Gute alte bipolare Leistungstransistoren tun es besser als moderne Mosfets die nur zum Schalten gedacht sind.
egal) schon durch Überstrom gekillt... Intelligente Schaltung sorgt dafür, dass die Bipolar oder MOSFET innerhalb der Spezifikationen (meinst SOA) arbeitet. MOSFET kann in einer kurzen Zeit vielfach von Nennstrom verkraften.
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Zeigt her eure Kunstwerke (2017-2019) Gesperrt Bilder
ich hab festgestellt, das so mancher MOSFet für den Linearbetrieb, nicht so geeignet ist. Die Schaltung auf 4x identische MOSFets ergänzt, könnte ich mir vorstellen, (Klugscheis an:)aber jeder von einem separaten OpAmp angesteuert. Der TLC ist
Junction schon an der Grenze. So verschiebt sich vs. Deiner Lösung bei mir das "Bottleneck" zum MOSFET, während bei Dir u.U. soviel Wärme aus dem MOSFET geschaufelt werden kann, das die Widerstände schon gut warm werden.
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MOSFET für BLDC 18V
asynchronen PWM Modus betreiben. Das ganze an 18 Volt. Nun fällt mir auf, dass es mit einem CSD18511 (MOSFET für 40V) geht, mit einem CSD19536 (MOSFET für 100V) bei ca. 25% Last bereits ein Überstromschutz greift. Als würden die MOSFET nicht mehr schließen? Gibt es für MOSFET eine mindest Spannung? Also sollte man bei 18 Volt Nennspannung dann MOSFET für 25V oder 30V Einsätzen oder wie ist das? Grüße Peter
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Sprechende Lampe
es denn? Ein 08/15 MOSFET, der hier geeignet sein dürfte ist ein IRLZ34N: https://www.infineon.com/cms/de/product/power/mosfet/20v-300v-n-channel-power-mosfet/40v-75v-n-channel-power-mosfet/irlz34n/ Schau mal die Anwendung von MOSFETs hier in der Artikelsammlung nach.
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µC - BUCK - BOOST Konverter
ich immer eine klassische H-Brücke aufbauen und auch als solche Zeichnen, d.h. High- und Low-Side-MOSFETs einander gegenübergestellt. Das einzig ungewöhnliche ist die fehlende Verbindung zwischen den beiden High-Side-MOSFETs, da der MOSFET rechts oben (klassische H-Darstellung) zur Diode in Flussrichtung
Jessas Marie! Weiter weg konntest du die MOSFET-Treiber nicht mehr platzieren?
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Zeigt her Eure Kunstwerke! Gesperrt Bilder
hält. Demenzblocker schrieb im Beitrag #1811872: > Bei diesem "Kunstwerk" übernimmt ein POWER-Mosfet den > eigentlichen Schaltvorgang.... > Durch den guten Leitwert des MOSFET entstehen weniger Leistungsverluste > und somit hat man mehr Motorleistung. Lernt man das im Softair-MOSFET-Club e.V
mit MOSFETs aufgebaut sind.
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Batteriepunktschwheißgerät DIY
mehrere hundert Ampere zum Anlasser durchgeschaltet? Aber wie gesagt, ich würde dann ohnehin auf die MOSFET-Variante umsteigen, weil es an sich auch eleganter ist, wie ich finde. dass ich die 240A nicht über ein einzelnes MOSFET schalte, ist mir auch bewusst. entsprechend würde ich eben einige MOSFETs parallel
Kleines update: MOSFET- Schalter ist fertig
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MOSFET wird 150 Grad heiß
@ Yalu X. (yalu) (Moderator) >> Das ist kein Jim Beam, ähhh, MOSFET-Treiber. Das ist Murks. >Bei der niedrigen Schaltfrequenz darf man den Mosfet-Treiber auch >mal weglassen. Irrtum. Und schon gar nicht bei so einem MONSTER-MOSFET. Schau dir mal das oben angehängt
Jörg S. schrieb im Beitrag #2282264: > Nein, ich rede von doppel MOSFET Dimmern. Gib dem Mosfet mal bitte ein Gesicht.
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iMax B6 defekt
Das wird ein MOSFET sein. Fragt sich nur welcher.
ich hoffe ich bekomme noch eine Antwort auf meine Frage. Ich habe auch einen iMax B6 bei dem der Mosfet 4835b abgeraucht ist (Der Mosfet der unten links vom Display neben der Schraube ist). Ihr habt viele andere Mosfets genannt doch leider werde ich jetzt nicht schlauer welchen ich jetzt verwenden soll
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Gefälschte MOSFET?
Hallo zusammen, ich habe schon etliche Schaltungen mit 3.3V µCs (z.B. ESP8266) und dem Mosfet IRLZ34N aufgebaut, die problemlos liefen. Der Mosfet ist ein Logic-Level Teil, der bei 3.3V voll durchschaltet und auch im PWM-Bereich mit Lasten um die 1-2 A ohne Treiber ordentlich läuft. Kürzlich
muessen auch Gebrauch von dem billigen "Mosfet-Schrott" machen. Meine erste Spotwelderversion hatte IRF-Typen von Reichelt fuer 1.70€/Stueckpreis- fuer 2€ Euro bekomme ich 5 MosFets ,die zudem statt 220A 300A abkoennen. Wer Platz auf der Platine
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Entwicklung HV-Netzteil, Strom-Messung High-Side?
HV Netzteil googlest haben fast alle nen MOSFET in der Endstufe Schorsch
liegen am Ausgang des Opamps nur noch 1V. Der Mosfet wird hochohmig, am Gate des Leistungsmosfets liegen dann fast die ganzen 550V an. Am '+'Eingang des Mosfets liegen dann 550V/100 = ~5V. Da der Steuerungsbereich des Opamps dann ja quasi zwischen
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Power LED (37V , 700 mA) mit PWM des Arduino Uno : MOSFET Verstärkung verzerrt PWM Signal
Hallo Timo, Timo M. schrieb im Beitrag #3759749: > ie MOSFETs werden unterschiedlich heiß, selbst wenn ich den Bipolar > an eine andere Stelle setze oder den MOSFET austausche der am heißesten > wird. was denn nun MOSFETs oder Bipolartransistoren? Timo
Die 100K Widerstände an den Gates der Mosfet sind viel zu hoch!
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Audio-Endestufe - bitte um Erklärung der Funktion einer Teilschaltung
Pro Mosfet 7,5W mal 4 pro Kanal. MfG
for L-MOSFET amplifiers is less critical. 8. L-MOSFETs have a much wider bandwidth capability. Disadvantages of L-MOSFETs 1. L-MOSFETs require higher quiescent bias currents for optimum performance, resulting
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Alternative zum IRF3708
zur Mitte gebogen, etwas Lotpaste aufgetragen, den MOSFET aufgelegt und auf einer Leiterplatte liegend mit durch den Reflowofen fahren lassen. Mit einer 36-poligen Stiftleiste hatte ich so nach kurzer Zeit 12 steckbare MOSFETs.
Wenn man den MOSFET noch mit Schmelzkleber kapselt, dann ist das Konstrukt des Q&D-Threats würdig ;-)
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Wechselrichter mit variabler Frequenz
Such einfach nach "Mosfet Vollbrücke" dann wirst du fündig.
In der Totzeit wird gar kein MOSFET durchgeschaltet.
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LED Strips an Treppe mit PWM der Reihe nach Ein/Aus
machen. Dann merkst du, dass du mit einem P-Kanal-Mosfet eben kein Massepotential schalten kannst. > Meine Idee war eben > - N MOSFET (PWM R) -- LED > - N MOSFET (PWM G) -- LED --- P MOSFET (ON/OF) + > - N MOSFET (PWM B) -- LED > - N MOSFET (PWM W
MANU M. schrieb im Beitrag #6855080: > Meine Idee war eben [code] > - N MOSFET (PWM R) -- LED > - N MOSFET (PWM G) -- LED --- P MOSFET (ON/OF) + > - N MOSFET (PWM B) -- LED > - N MOSFET (PWM W) -- LED [/code] das geht schon seinen Gang... Vier N-MOSFET jeweils auf die
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Mosfetschalter, geht es schneller?
Dieter (Gast) schrieb: >Symbol Transistor, Symbol MOSFET, Symbol IGBT. >Guck mal wo die Masse am MOSFET ist. Ich kann mit Prosa nicht viel anfangen - werd' mal konkreter ...
Jens G. schrieb im Beitrag #6198006: > Mosfets Transistoren sind, und selbst IGBT als solche bezeichnet werden. Dir war der Bug unterlaufen, Mosfets sind auch Transistoren und hast beim Mosfet einen Effekt herangezogen, der für npn/pnp gilt
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MOSFET vs. Bipolar Audio Verstärker?
Vorteil gegenüber lateralen MOSFETs, aber noch nicht so gut, wie bei BJTs! Anmerkung am Rand: MOSFETs zeigen kein Beta-Drooping, wie BJTs, das heißt, die 10A oder so fließen auch bei nur 1V Vds. Im Endeffekt clippt ein MOSFET-Amp deshalb
Es gab eine Zeitlang so ein "Hype" über die MOSFETs und viele Leute wollten unbedingt einen MOSFET Verstärker haben. Jetzt ist es glaube ich nicht so.
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Zwischen MOSFET-Gate und uC ein Widerstand?
am Gate? Brauch ich MOSFET-Treiber? Angesteuert wird mit 3.3v oder 5v von Arduino je nach Modell. In der Schaltung kommen sieben weitere exakt gleiche MOSFET-Schaltungen. Pin 1-8. Pin 9 und 10 werden mit GND verbunden
Falk B. schrieb im Beitrag #5883299: > Wenn der MOSFET ein Logic Level Typ ist, ist das OK. Warum sollte der MOSFET kein LL-Typ sein. Du kannst doch auch Datenblätter lesen.
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J-FET N-Channel mit gößer 70V Drain / Source Spannung für Konstantstromsenke
20N50 hat. Firma IXYS hat doch tatsächlich das FALSCHE Symbol in den DBs für die Depletion Mode MOSFETS. (unterbrochene Linie statt durchgezogener Linie zw. D und S bei einem selbstleitenden MOSFET)
und Du machst jetzt die Feinarbeiten... :-) @Abdul Für höhere Ströme sollte man natürlich MOSFETs als Längstransitor nehmen.
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Transistor stirbt - warum?
Welche höchste Spannung kann da anliegen? Wie hoch kann die Batteriespannung maximal werden? Am MOSFET Q9 wird so etwas wie eine große Heizwendel geschaltet? Also, der MOSFET is als Highside-Schalter verwendet?
paar Sekunden mal. > Wie hoch kann die Batteriespannung maximal werden? Maximum ca. 7.2V > Am MOSFET Q9 wird so etwas wie eine große Heizwendel geschaltet? Also, > der MOSFET is als Highside-Schalter verwendet? Ja.
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Eigenbau Einspeisewechselrichter
so großen Übertrager für die gleiche Leistung bräuchte. Tausche dir (8x) irgendeinen anderen Mosfet rein, den du schön findest.
Einspeisewechselrichter ins Auge gefasst. Nachdem viele SiC FET sind von den Eigenschaften, sollten MosFET auch immer MosFET und nicht FET genannt werden. Wenn so eine Hochvoltdiode verwendet werden soll, finde ich den MOSFET mit nur 100V Maximalspannung wäre ein unharmonische Zusammenstellung. Solange
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Dybkowski AT89S8253 Flasher Platinen-Aufbau
>Die MOSFETs selber sorgen ja für einen Leistungsverlust, richtig? Verlust ist da, aber gering. Hier eine Übersicht einiger Mosfets: http://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-Übersicht#N-Kanal_MOSFET
Stefan M. schrieb: > Hi, für was werden die 100k widerstände an den p mosfets gebraucht? sicheres Sperren der p-Mosfets.
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Freilaufdiode auf Platine platzieren?
Gleichstromtechnik.) Phil schrieb im Beitrag #5455102: > habe ein Magnetventil, das durch einen MOSFET angesteuert wird. Der MOSFET hat schon eine Schutzdiode eingebaut? Sonst ohne jeglichen Schutz vor Überspannung hat der Schalter Priorität in Bezug auf Platzierung der Diode, wie @Peda oben schon
Phil (Gast) Hast du weitere Informationen zum Ventil (Spannung, Leistung, Spulenwiderstand...) und Mosfet?
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DC-Motor schnell abschalten
der MOSFET schaltet werd ich über einen als Inverter geschalteten Transistor den "Kurzschließ"-MOSFET immer genau invertiert zum "Einschalt"-MOSFET betreiben sodass wenn der ON-MOSFET abschaltet, der Kurzschl.MOSFET
Kurzschließ-MOSFET = N-Kanal oder Kurzschließ-MOSFET = P-Kanal?
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LTspice-Modell für MOSFET IRLL024N
Der hier dürfte ähnlich sein https://www.infineon.com/cms/en/product/power/mosfet/12v-300v-n-channel-power-mosfet/irll024z/#!simulation
dir die Aufgabe nicht unnötig kompliziert und beschäftige dich mit zwei diskreten Zuständen: (1) MOSFET eingeschaltet (2) MOSFET ausgeschaltet Überlege dir, welche Drain-Spannung der MOSFET haben soll, wenn er komplett durchgeschaltet ist. Überlege dir, welche Drain-Spannung der MOSFET haben soll
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[Eagle] Kreuzungsfreie Platine
Sieht ja richtig gut aus finde ich. :-) Der MOSFET wird nicht angezeigt aber das ist weil ich da selbst nen Namen eingegeben habe.
Weisst Du wie groß dein MosFet ist? Ist dein Gehäuse oder "was auch immer" überhaupt groß genug dafür?
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Dicker MOSFET, dünnes Anschlusspin?
Dauerstrom fahren, und kein Teil wird wärmer als vom Hersteller > vorgesehen. Aber nur das ist dem Mosfet wichtig, nicht das was der > Hersteller nennt oder verschweigt. Oberhalb des Sättigungsstroms wird der MOSFET zur Konstantstromquelle und raucht dir ab.
@ Abdul K. (ehydra) Benutzerseite >War kein richtiger MOSFET, sondern ein Hybrid aus FET und IGBT. Sowas >gabs mal von Harris. Ist aber ausgestorben. IGBT ist doch eigentlich auch ein Hybrid aus MOSFET und PNP-Bipolartransistor.
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MOSFET stirbt, PWM 400W, Halogen
MOSFETS gestorben = sie werden niederohmig zwischen allen Pins und der MOSFET Treiber wird danach überlastet. Dies scheint eher beim einschalten oder resetten zu passieren als im Betrieb. Denkbare Gründe
(Boost), dessen Energie im MOSFET verschwindet.
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Platine als Kühlkörper
"wo" der Widerstand sein soll der mir die Leistung verbrät. Im Schatenden Element (Transistor/Mosfet) ? Oder im Kondensator ?
@Ratber der Widerstand ist in MOSFet + Kondensator * Spannungsquelle + Leitungen
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Irliz44n an arduino uno
Es sollen einmal 7, 2 mal 5 und einmal 3 irliz44n parallel geschaltet >werden. Bei so vielem MOSFETs sollte man besser MOSFET-Treiber dazwischen schalten. https://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht#MOSFET-Treiber ICL7667 & Co.
last auf 2 mosfets verteilt. Momentan habe ich sie parallel, was meinem mosfet nicht gefällt...
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Sinus bis 150kHz mit Leistung aus PWM
Erwährmung primär nicht vom Filter kommt. (Auch wenn ich den > Filter Abhänge erwährmen sich die MOSFETs sehr schnell) Danke, dass du es immerhin auf Falks Nachfrage hin begründest. Wenn du völlig ohne Last (und ohne Filter) heiße MOSFETs bekommst, dann liegt der Grund im Aufbau deiner Halbbrücke
du ja offenbar einen SiC Mosfet nimmst sind die Ströme ins Gate auch eher überschaubar (1A - 3A Spitze würde ich mal schätzen).
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Reparatur einer Platine (Dieselheizung)
Matthias S. schrieb im Beitrag #4530153: > Das ist wieder ein N-Kanal Power MOSFet Dabei wäre da ein p-MOSFET zu erwarten gewesen, so wie der verschaltet ist. Aber da hat ja schon mal jemand rumgebastelt...
Also 12V ist Eingang, 20V ist Ausgang. An der dicken Ringkerndrossel sollten also in Richtung MOSFet hohe Rechteckpulse stehen, die werden vom MOSFet in die Drossel geschickt.
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Konstantstromquelle 720VDC
Das Konzept mit Mosfet geht prinzipiell. Man muss aber Mosfet nehmen, deren SOA Diagramm den Spirito Effekt und DC berücksichtigt. Beim IXTP3N120 (Reichelt 7,60) liegt die Grenze für 800V bei 0,2A. Mit mindestens zwei
und R_DS_ON spielen hier keine Rolle. Nimm wieder den MOSFET aus LTspice und gut.
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IGBT brennt durch - Weit unter spezifkation.
>IGBTs sind Transistoren mit einem Gate. Mosfets sind auch Transistoren mit Gate! Nich umsonst hat der MosfeT hinten ein T dran. Wo kommt denn der Unfug her, Mosfets nicht als Transistor betrachten zu wollen. Richtiger müsste es heisen: IGBTs
Jens G. schrieb im Beitrag #2350419: > Mosfets sind auch Transistoren mit Gate! Nich umsonst hat der MosfeT > hinten ein T dran. Wo kommt denn der Unfug her, Mosfets nicht als > Transistor betrachten zu wollen. Richtiger müsste es heisen: >
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ATMEGA Solar Versorgung / Akkupufferung MT3608
Bei Überspannung kann der AVR das Panel per kleinem MOSFET kurzschließen.
Ist der Mosfet so plaziert, dass die Bodydiode in Sperrichtung liegt, dann ist immer ein Rückstrom zur Solarzelle möglich. Eine ordentliche Schaltung verwendet daher zwei entgegengesetzte Mosfet als Schalter
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Heizmatte mit MOSFET schalten -> Mosfet heiß :(
Die MosFets auf einem Steckbrett?
) oder der Mosfet macht nicht richtig auf (wie schon mehrfach angesprochen U(GS) messen). rgds
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MOSFET zur PWM
Logic Level Mosfet? Dein Fet braucht 10V um sicher durch zu schalten.
Freilaufdioden eingesetzt? Sonst ist der Mosfet recht zügig kaputt.
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MOSFET schwingt bei PWM Signal wenn er sperren soll
aber rausgenommen, damit nichts drin ist was schwingen kann. Aber es gab keine Änderung. Der MOSFET wird über einen MOSFET-Treiber gesteuert. Hat jemand eine Idee was falsch ist?
schon mal den MOSFET ausgetauscht? nicht dass du auf einem Defekten Teil rumrutschst ;-)