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3,3 V schalten mit möglichgst geringem Spannungsabfall
er seine Logik umdreht und als Schaltspannung 0V/3.3V hat und 3.3V > schalten will tut es ein P-MOSFET wie NDS332. Was wäre der Vorteil von einem P-MOSFET wie NDS332 (was ich zumindest spontan auch nur in SMD finde) gegenüber dem vorgeschlagenen MIC2090? Beim MOSFET bräuchte ich zudem wohl noch
beim Flashen zB). In diesem Fall würde ich das Signal High-Aktiv machen und an meinem BSS138 N-Mosfet einen 100k Pulldown ans Gate klemmen, damit mein P-Mosfet nicht schaltet, wenn der µC im Reset ist.
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BLDC, Synchronmaschine, Drehfeld Experimentierschaltung Gesperrt
Grenzen bezüglich der Betriebsspannung. Der Treiber macht dann nichts anderes als: High rein -> Mosfet an High und Low Mosfet an -> verhindern dass es knallt Kurzschluss -> verhindern dass es knallt
die FETs einzeln ansteuert, da bin ich mir jetzt doch sehr > unschlüssig. Du meinst wo alle Mosfets wirklich komplett unabhängig voneinander steuern lässt ? IR2110. Damit kann man es wunderbar krachen lassen wenn man beide Mosfets mit High ansteuert.
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IRF4905 - RDSon zu hoch
IRF4905 power MOSFET, -55 V/-74A/200 Watt Absolut authentisch gefälschte eine strafe zehn bitte sicherlich kauf: https://de.aliexpress.com/item/IRF4905-power-MOSFET-55V-74A-200W-Absolutely-authentic-fake-a-penalty-ten-please-rest-assured
Fake-Artikel führen. Was hat denn einer deiner MosFETs gekostet?
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Labornetzgerät - Fragen zum Schaltplan
ist auch nicht so einfach. Für den fliegenden Regler sind MOSFETs durchaus eine gute Wahl. Es sind auch nicht alle MOSFETs geeignet. Viele neue MOSFET typen sind wirklich nur als Schalter zu gebrauchen, alter Typen gehen ggf. auch als analoges Stellglied.
halt nicht so empfindlich auf das Layout ist. Tany schrieb im Beitrag #5197083: > Schnell mit MOSFET will man auch nicht. > Was bleibt uns noch übrig? Der China Bausatz? Bei der Version mit MOSFET besteht von der Tendenz die Gefahr, dass es bei niedrigem Strom instabil wird, weil da der MOSFET
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MOSFET zur PWM
Logic Level Mosfet? Dein Fet braucht 10V um sicher durch zu schalten.
Freilaufdioden eingesetzt? Sonst ist der Mosfet recht zügig kaputt.
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Highside, FET wird heiß
FET? Glaube das ist kein zielführender Vorschlag. Oder meintest Du sowas: SiC-JFET oder einen MOSFET? Ein Higside-Mosfet würde genau so gut wie eine Lowside-Mosfet, wenn die Ansteuerschaltung galvanisch getrennt versorgt würde, so dass Plus der Ansteuerplatine auf Masse liegt (nicht der Minus)
Musste nur noch dafür sorgen, daß die Spannungsspitzen des verseuchten Bordnetzes Deinen tollen Mosfet nicht killen.
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MOSFET für BLDC 18V
asynchronen PWM Modus betreiben. Das ganze an 18 Volt. Nun fällt mir auf, dass es mit einem CSD18511 (MOSFET für 40V) geht, mit einem CSD19536 (MOSFET für 100V) bei ca. 25% Last bereits ein Überstromschutz greift. Als würden die MOSFET nicht mehr schließen? Gibt es für MOSFET eine mindest Spannung? Also sollte man bei 18 Volt Nennspannung dann MOSFET für 25V oder 30V Einsätzen oder wie ist das? Grüße Peter
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TP4056 Lademodul mit Power-Sharing
sich erwärmen. Im Akku-Betrieb verhindert die Schottky-Diode eine Verbindung von Bat+ und Gate des MOSFETs. Alternative MOSFETS --------------------------- Laut des englischen Tutorials wären alternative MOSFETS der AO3401 oder der FDN336P, sollte der MBRS130LT3 nicht erhältlich sein.
Gate is equal to Vin (~5V) and the diode drops 0.4V, Vgs > is positive by 0.4V, therefore the MOSFET is off.[/code] > > Veilleicht braucht der MOSFET die 0,4 V Differenz also zum Schalten? Bin > mir da nicht ganz sicher. Eine positive Spannung Vgs von +0,7V anstelle der +0,4V bringt den MOSFET
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Prototyp Elektronischen Last (7A@15V)
IRFP140N ca. 100W an Verlustleistung in Form von Wärme ab Schon mal gerechnet, wie heiß der MOSFET wirklich wird? Siehe [[Kühlkörper]]. Ausserdem ist dein MOSFET nicht wiklich sinnvoll ausgewählt. 15V/7A = 2 Ohm. Wozu dann ein 40mOhm MOSFET? Nimm drei BUZ11 parallel mit je eigenem Regler-OPV
beim Ändern der Gateladung ein Strom Welchen Temperaturkoeffizienten hat der Drainstrom eines MOSFETs im Linearbetrieb? > Positiver TK = MOSFETs brauchen Ballastwiderstände an Drain oder Source, genau wie Bipolartransistoren. Oder eben ein Regler pro MOSFET.
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MOSFET wird 150 Grad heiß
@ Yalu X. (yalu) (Moderator) >> Das ist kein Jim Beam, ähhh, MOSFET-Treiber. Das ist Murks. >Bei der niedrigen Schaltfrequenz darf man den Mosfet-Treiber auch >mal weglassen. Irrtum. Und schon gar nicht bei so einem MONSTER-MOSFET. Schau dir mal das oben angehängt
Jörg S. schrieb im Beitrag #2282264: > Nein, ich rede von doppel MOSFET Dimmern. Gib dem Mosfet mal bitte ein Gesicht.
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aktive PFC für große Leistungen
body-diode des Mosfets? sonst schließt der untere MOSFET die Eingangsspannung kurz oder? Oder seh ich das falsch? Was nimmt man bei den MOSFETS für eine Spannungsfestigkeit und RDSON Wert? Vielleicht kannst mir auch
Problem ist folgendes: Wie man in dem einen Bild sieht funktioniert das ganze mit dem kleinen MOSFET BS170 einwandfrei. Sobald ich aber einen größeren MOSFET nehme, z.B. den IPP60R199CP dann, sieht man das die Gate-Source Spannung zwar auf Null geht, aber der MOSFET sperrt nicht sofort, sondern leitet
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Hat die künstliche Intelligenz mir überhaupt die richtige Antwort gegeben?
Fragen über Fragen schrieb im Beitrag #7300006: > Kybermatrix schrieb: >> Welchen MOSFET > > Kybermatrix schrieb: >> Um einen MOSFET > > Kybermatrix schrieb: >> Der MOSFET > > Kybermatrix schrieb: >> Der MOSFET > > Kybermatrix schrieb: >> Ein MOSFET > > Na immerhin war
Fragen über Fragen schrieb im Beitrag #7300006: > Kybermatrix schrieb: >> Welchen MOSFET > > Kybermatrix schrieb: >> Um einen MOSFET > > Kybermatrix schrieb: >> Der MOSFET > > Kybermatrix schrieb: >> Der MOSFET > > Kybermatrix schrieb: >> Ein MOSFET > > Na immerhin war
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IGBT schon bei kleiner Last durchgebrannt
hier? Der hat die Diode schon eingebaut. Oben schreibst du, dass 12V reichen werden. Ein 500V MOSFET ist bei 12V viel schlechter als ein 50V MOSFET.
Thyristoren haben auch sehr hohe Flußspannungen. Bei nur 24V sind MOSFETs am besten.
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LED Strips an Treppe mit PWM der Reihe nach Ein/Aus
machen. Dann merkst du, dass du mit einem P-Kanal-Mosfet eben kein Massepotential schalten kannst. > Meine Idee war eben > - N MOSFET (PWM R) -- LED > - N MOSFET (PWM G) -- LED --- P MOSFET (ON/OF) + > - N MOSFET (PWM B) -- LED > - N MOSFET (PWM W
MANU M. schrieb im Beitrag #6855080: > Meine Idee war eben [code] > - N MOSFET (PWM R) -- LED > - N MOSFET (PWM G) -- LED --- P MOSFET (ON/OF) + > - N MOSFET (PWM B) -- LED > - N MOSFET (PWM W) -- LED [/code] das geht schon seinen Gang... Vier N-MOSFET jeweils auf die
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Audio-Endestufe - bitte um Erklärung der Funktion einer Teilschaltung
Pro Mosfet 7,5W mal 4 pro Kanal. MfG
for L-MOSFET amplifiers is less critical. 8. L-MOSFETs have a much wider bandwidth capability. Disadvantages of L-MOSFETs 1. L-MOSFETs require higher quiescent bias currents for optimum performance, resulting
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Sprechende Lampe
es denn? Ein 08/15 MOSFET, der hier geeignet sein dürfte ist ein IRLZ34N: https://www.infineon.com/cms/de/product/power/mosfet/20v-300v-n-channel-power-mosfet/40v-75v-n-channel-power-mosfet/irlz34n/ Schau mal die Anwendung von MOSFETs hier in der Artikelsammlung nach.
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iMax B6 defekt
Das wird ein MOSFET sein. Fragt sich nur welcher.
ich hoffe ich bekomme noch eine Antwort auf meine Frage. Ich habe auch einen iMax B6 bei dem der Mosfet 4835b abgeraucht ist (Der Mosfet der unten links vom Display neben der Schraube ist). Ihr habt viele andere Mosfets genannt doch leider werde ich jetzt nicht schlauer welchen ich jetzt verwenden soll
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Zwischen MOSFET-Gate und uC ein Widerstand?
am Gate? Brauch ich MOSFET-Treiber? Angesteuert wird mit 3.3v oder 5v von Arduino je nach Modell. In der Schaltung kommen sieben weitere exakt gleiche MOSFET-Schaltungen. Pin 1-8. Pin 9 und 10 werden mit GND verbunden
Falk B. schrieb im Beitrag #5883299: > Wenn der MOSFET ein Logic Level Typ ist, ist das OK. Warum sollte der MOSFET kein LL-Typ sein. Du kannst doch auch Datenblätter lesen.
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µC - BUCK - BOOST Konverter
ich immer eine klassische H-Brücke aufbauen und auch als solche Zeichnen, d.h. High- und Low-Side-MOSFETs einander gegenübergestellt. Das einzig ungewöhnliche ist die fehlende Verbindung zwischen den beiden High-Side-MOSFETs, da der MOSFET rechts oben (klassische H-Darstellung) zur Diode in Flussrichtung
Jessas Marie! Weiter weg konntest du die MOSFET-Treiber nicht mehr platzieren?
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Power LED (37V , 700 mA) mit PWM des Arduino Uno : MOSFET Verstärkung verzerrt PWM Signal
Hallo Timo, Timo M. schrieb im Beitrag #3759749: > ie MOSFETs werden unterschiedlich heiß, selbst wenn ich den Bipolar > an eine andere Stelle setze oder den MOSFET austausche der am heißesten > wird. was denn nun MOSFETs oder Bipolartransistoren? Timo
Die 100K Widerstände an den Gates der Mosfet sind viel zu hoch!
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Mosfet defekt
aus China mit 30 Tage Lieferzeit. Gibt es verleicht einen anderen mosfet dem man nehmen könnte .das Datenplatt vom Smk0825d oder F gibt es im netz .da steht dann zb .250v .0.43 ohm .aber wenn ich die werte zb suche mit einem passend Mosfet finde ich leider nix .verleicht
Hier Vergleichstabelle für SMK0825F https://alltransistors.com/mosfet/crsearch.php?&struct=MOSFET&polarity=N&pd=29&uds=250&id=8&rds=0.43&caps=TO220F Mouser Suche schon vorgefiltert: https://mou.sr/341qgj9 Ist bestimmt was dabei.
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Mosfetschalter, geht es schneller?
Dieter (Gast) schrieb: >Symbol Transistor, Symbol MOSFET, Symbol IGBT. >Guck mal wo die Masse am MOSFET ist. Ich kann mit Prosa nicht viel anfangen - werd' mal konkreter ...
Jens G. schrieb im Beitrag #6198006: > Mosfets Transistoren sind, und selbst IGBT als solche bezeichnet werden. Dir war der Bug unterlaufen, Mosfets sind auch Transistoren und hast beim Mosfet einen Effekt herangezogen, der für npn/pnp gilt
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Transistor stirbt - warum?
Welche höchste Spannung kann da anliegen? Wie hoch kann die Batteriespannung maximal werden? Am MOSFET Q9 wird so etwas wie eine große Heizwendel geschaltet? Also, der MOSFET is als Highside-Schalter verwendet?
paar Sekunden mal. > Wie hoch kann die Batteriespannung maximal werden? Maximum ca. 7.2V > Am MOSFET Q9 wird so etwas wie eine große Heizwendel geschaltet? Also, > der MOSFET is als Highside-Schalter verwendet? Ja.
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DC-Motor schnell abschalten
der MOSFET schaltet werd ich über einen als Inverter geschalteten Transistor den "Kurzschließ"-MOSFET immer genau invertiert zum "Einschalt"-MOSFET betreiben sodass wenn der ON-MOSFET abschaltet, der Kurzschl.MOSFET
Kurzschließ-MOSFET = N-Kanal oder Kurzschließ-MOSFET = P-Kanal?
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MOSFET vs. Bipolar Audio Verstärker?
Vorteil gegenüber lateralen MOSFETs, aber noch nicht so gut, wie bei BJTs! Anmerkung am Rand: MOSFETs zeigen kein Beta-Drooping, wie BJTs, das heißt, die 10A oder so fließen auch bei nur 1V Vds. Im Endeffekt clippt ein MOSFET-Amp deshalb
Es gab eine Zeitlang so ein "Hype" über die MOSFETs und viele Leute wollten unbedingt einen MOSFET Verstärker haben. Jetzt ist es glaube ich nicht so.
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Wechselrichter mit variabler Frequenz
Such einfach nach "Mosfet Vollbrücke" dann wirst du fündig.
In der Totzeit wird gar kein MOSFET durchgeschaltet.
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el Last - Bauteilauswahl
Halbleiter verheizen, Lastwiderstände zwischen Drain und Akku Plus verteilen die Leistung. Und warum Mosfets? Gute alte bipolare Leistungstransistoren tun es besser als moderne Mosfets die nur zum Schalten gedacht sind.
egal) schon durch Überstrom gekillt... Intelligente Schaltung sorgt dafür, dass die Bipolar oder MOSFET innerhalb der Spezifikationen (meinst SOA) arbeitet. MOSFET kann in einer kurzen Zeit vielfach von Nennstrom verkraften.
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LTspice-Modell für MOSFET IRLL024N
Der hier dürfte ähnlich sein https://www.infineon.com/cms/en/product/power/mosfet/12v-300v-n-channel-power-mosfet/irll024z/#!simulation
dir die Aufgabe nicht unnötig kompliziert und beschäftige dich mit zwei diskreten Zuständen: (1) MOSFET eingeschaltet (2) MOSFET ausgeschaltet Überlege dir, welche Drain-Spannung der MOSFET haben soll, wenn er komplett durchgeschaltet ist. Überlege dir, welche Drain-Spannung der MOSFET haben soll
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MOSFET macht nicht was er soll
Wieso? Der MOSFET kriegt jetzt 5V statt 3,8V.
Peter K. schrieb im Beitrag #7422954: > Beim MOSFET: Der IRLZ44 hat die gleiche Gate-Source-Threshold-Voltage, > wie der MOSFET IRFZ24N, den ich verwende. Unsinn!
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Dybkowski AT89S8253 Flasher Platinen-Aufbau
>Die MOSFETs selber sorgen ja für einen Leistungsverlust, richtig? Verlust ist da, aber gering. Hier eine Übersicht einiger Mosfets: http://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-Übersicht#N-Kanal_MOSFET
Stefan M. schrieb: > Hi, für was werden die 100k widerstände an den p mosfets gebraucht? sicheres Sperren der p-Mosfets.
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Alternative zum IRF3708
zur Mitte gebogen, etwas Lotpaste aufgetragen, den MOSFET aufgelegt und auf einer Leiterplatte liegend mit durch den Reflowofen fahren lassen. Mit einer 36-poligen Stiftleiste hatte ich so nach kurzer Zeit 12 steckbare MOSFETs.
Wenn man den MOSFET noch mit Schmelzkleber kapselt, dann ist das Konstrukt des Q&D-Threats würdig ;-)
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Irliz44n an arduino uno
Es sollen einmal 7, 2 mal 5 und einmal 3 irliz44n parallel geschaltet >werden. Bei so vielem MOSFETs sollte man besser MOSFET-Treiber dazwischen schalten. https://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht#MOSFET-Treiber ICL7667 & Co.
last auf 2 mosfets verteilt. Momentan habe ich sie parallel, was meinem mosfet nicht gefällt...
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MOSFET stirbt, PWM 400W, Halogen
MOSFETS gestorben = sie werden niederohmig zwischen allen Pins und der MOSFET Treiber wird danach überlastet. Dies scheint eher beim einschalten oder resetten zu passieren als im Betrieb. Denkbare Gründe
(Boost), dessen Energie im MOSFET verschwindet.
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Dicker MOSFET, dünnes Anschlusspin?
Dauerstrom fahren, und kein Teil wird wärmer als vom Hersteller > vorgesehen. Aber nur das ist dem Mosfet wichtig, nicht das was der > Hersteller nennt oder verschweigt. Oberhalb des Sättigungsstroms wird der MOSFET zur Konstantstromquelle und raucht dir ab.
@ Abdul K. (ehydra) Benutzerseite >War kein richtiger MOSFET, sondern ein Hybrid aus FET und IGBT. Sowas >gabs mal von Harris. Ist aber ausgestorben. IGBT ist doch eigentlich auch ein Hybrid aus MOSFET und PNP-Bipolartransistor.
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Heizmatte mit MOSFET schalten -> Mosfet heiß :(
Die MosFets auf einem Steckbrett?
) oder der Mosfet macht nicht richtig auf (wie schon mehrfach angesprochen U(GS) messen). rgds
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Konstantstromquelle 720VDC
Das Konzept mit Mosfet geht prinzipiell. Man muss aber Mosfet nehmen, deren SOA Diagramm den Spirito Effekt und DC berücksichtigt. Beim IXTP3N120 (Reichelt 7,60) liegt die Grenze für 800V bei 0,2A. Mit mindestens zwei
und R_DS_ON spielen hier keine Rolle. Nimm wieder den MOSFET aus LTspice und gut.
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BLDC Zwischenkreis Kondensator-Auswahl
das ja auch fast nicht sein, oder? Wirklich komplett zu ist die Halbbrücke nie, wenn der obere MOSFET schließt, öffnet der dazugehörige untere, es sind also dann kurzzeitg zwei untere MOSFET geöffnet. Ein unterer MOSFET bleibt aber immer komplett offen.
angeschlossen da mich das mit der Kommutierung sehr verwirrt. Bild IMG_4717 (Tastkopf an Gate Highside MOSFET, GND Anschluss an Source). Man sieht sehr sauber die Ansteuerung des MOSFET. Bild IMG_4716 (Tastkopf an Gate des gleichen MOSFET, GND an GND). Hier sieht es so aus als würde der MOSFET irgendein Fehlsignal
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Batteriepunktschwheißgerät DIY
mehrere hundert Ampere zum Anlasser durchgeschaltet? Aber wie gesagt, ich würde dann ohnehin auf die MOSFET-Variante umsteigen, weil es an sich auch eleganter ist, wie ich finde. dass ich die 240A nicht über ein einzelnes MOSFET schalte, ist mir auch bewusst. entsprechend würde ich eben einige MOSFETs parallel
Kleines update: MOSFET- Schalter ist fertig
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Mosfet Verstärker
Hallo liebes Forum, Ich habe mir einen Mosfet Verstärker mit einem N-Kanal Mosfet (Schaltplan im Anhang) aufgebaut. Allerdings hatte ich nur einen Hochspannungsmosfet mit knapp 7 A d.h. keine besondere Lautstärke. Jetzt bin ich auf die Idee
den Widerstand und den Kondensator weggelassen und den Lautsprecher zwischen Spannungsquelle und Mosfet geklemmt. Für die Mittel- und Hochtöner nutze ich einen TDA2009 gebrückt.
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Selbstleitende MOSFETS
, (enhancement mode n-channel MOSFET) dessen Aufbau im folgenden Bild zu sehen ist. Bild: n-Kanal-MOSFET, Aufbau der Schichten" (Bild im Anhang) "Der p-Kanal-MOSFET arbeitet analog. Hier wird allerdings das Gate negativ gegenüber
selbstleitend oder selbstsperrend zu tun. JFETs (und Mesfets) sind _immer_ selbstleitend. Mosfets gibt es als selbstsperrende und selbsleitende Ausführungen. Das ergibt also folgende Möglichkeiten: - Mosfet, N-Kanal, selbstsperrend - Mosfet, P-Kanal, selbstsperrend - Mosfet, N-Kanal
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Widerstand Transistor
Joachim B. schrieb im Beitrag #4170218: > oder sollen vielleicht die Lampen oder MOSFETs auch nicht so oft und > schnell sterben? wieso sollen sie das denn? Meine MOSFETs (Datenblatt: http://files.voelkner.de/150000-174999/161230-da-01-en-MOSFET_IRLU8259PBF_I_PAK_IR.pdf) sind für
der MOSFET schnell :-)
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Entwicklung HV-Netzteil, Strom-Messung High-Side?
HV Netzteil googlest haben fast alle nen MOSFET in der Endstufe Schorsch
liegen am Ausgang des Opamps nur noch 1V. Der Mosfet wird hochohmig, am Gate des Leistungsmosfets liegen dann fast die ganzen 550V an. Am '+'Eingang des Mosfets liegen dann 550V/100 = ~5V. Da der Steuerungsbereich des Opamps dann ja quasi zwischen
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Mehrkanal Dimmer Schaltung
Zwei Sachen beschäftigen mich jetzt noch. Das ist einmal die Wahl des richtigen MOSFETs und die Frage ob mit Dioden oder zwei MOSFETS pro Kanal. Zum MOSFET: Ich sehe du hast in deiner Schaltung den SPP20N60S5 (der auch im DI200AB) verbaut ist. Der kostet bei ELV 4,51 Euro! Dieser
220V wenn ich das im Datenblatt richtig sehe immer noch 2 Ampere Drain-Strom. Wie sehe ich welcher MOSFET geeignet ist, bzw warum sollte man den teuren verbauen? Dioden / 2MOSFETs: Genrell wäre es denke ich günstiger nur einen MOSFET zu verbauen, aber du hast dich ja für die antiserielle Schaltung
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[Eagle] Kreuzungsfreie Platine
Sieht ja richtig gut aus finde ich. :-) Der MOSFET wird nicht angezeigt aber das ist weil ich da selbst nen Namen eingegeben habe.
Weisst Du wie groß dein MosFet ist? Ist dein Gehäuse oder "was auch immer" überhaupt groß genug dafür?
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J-FET N-Channel mit gößer 70V Drain / Source Spannung für Konstantstromsenke
20N50 hat. Firma IXYS hat doch tatsächlich das FALSCHE Symbol in den DBs für die Depletion Mode MOSFETS. (unterbrochene Linie statt durchgezogener Linie zw. D und S bei einem selbstleitenden MOSFET)
und Du machst jetzt die Feinarbeiten... :-) @Abdul Für höhere Ströme sollte man natürlich MOSFETs als Längstransitor nehmen.
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Erklärung dieser Analogendstufe benötigt.
MaWin schrieb im Beitrag #2319529: > Hier sind je 3 MOSFET parallel geschaltet. > > Blöderweise haben MOSFETs Abweichung der Ugsth von 1:2. > > D.h. daß sich der Strom gar nicht gleichmässig über die MOSFETs > verteilt. Kennst du die Lieferantenvereinbarung
Die MosFets sind schon lange vermodert.
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Moset gesucht 3,3V Logik, 30V 10A Drain, TO220
Google "logic level mosfet to220" NTP5860NLG
Wenn Gate to > Source Spannung 0V ist, leitet er nicht, Und dann gibts da die bösen Depletion MOSFETs... > Wenn GS >=12V ist dann leitet > der Mosfet Und bei p-MOSFETs <=-12V.
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MOSFET schwingt bei PWM Signal wenn er sperren soll
aber rausgenommen, damit nichts drin ist was schwingen kann. Aber es gab keine Änderung. Der MOSFET wird über einen MOSFET-Treiber gesteuert. Hat jemand eine Idee was falsch ist?
schon mal den MOSFET ausgetauscht? nicht dass du auf einem Defekten Teil rumrutschst ;-)
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Layout entwerfen - Ströme bis 100A
http://www.vishay.com/mosfets/list/product-69029/
Hallo Michael, ich glaube der Mittelpunkt der Ausgänge der Linken MOSFETs z.B. Q5 und Q6 wollen auch an den Ausgang ;-) Ich habe mir erlaubt nun alle 12 Mosfets und auch nur N-Mosfets auf der Platine unter zu bringen. Wenn Du die Steuereingänge nicht alle beisammen
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Sinus bis 150kHz mit Leistung aus PWM
Erwährmung primär nicht vom Filter kommt. (Auch wenn ich den > Filter Abhänge erwährmen sich die MOSFETs sehr schnell) Danke, dass du es immerhin auf Falks Nachfrage hin begründest. Wenn du völlig ohne Last (und ohne Filter) heiße MOSFETs bekommst, dann liegt der Grund im Aufbau deiner Halbbrücke
du ja offenbar einen SiC Mosfet nimmst sind die Ströme ins Gate auch eher überschaubar (1A - 3A Spitze würde ich mal schätzen).