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Netzteil Dell U3415Wb
mit etwa 0,4..0,5V Durchlassspannung messen. Hat man dort einen glatten Durchgang, war's das für den FET. Für das Gate gilt das Gleiche, defekte FETs mutieren so gut wie immer zu Drahtbrücken mit drei Anschlüssen. Also glatter Durchgang am Gate-Anschluss ist schlecht für den FET. Wenn man sowas findet, kann man den FET gleich erstmal auslöten und außerhalb der Schaltung nochmal messen. Ist das Gate immer noch durchgängig, ist der FET hin. Bei intakten FETs kann man am Gate keinen Durchgang zu Drain und Source messen
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Photovoltaik - LiFePo4 günstig laden / einspeisen
irgendwas an den beteiligten Modulen seinen Dienst, kommt dieses Setzen nicht mehr zustande und der WR schalten ab. Falls der WR am Eingang keine Netzverbindung hat, schaltet er im ms-Bereich auf Inverter-Mode um und versorgt die am AC-Ausgang angeschlossenen Geräte als USV.
akkuseite wichtig. 12A für 300W bei den bis zu 50V input dingern. Die gehen hops wenn einer der china - FET auf dauerdurchgang schaltet. Hatte ich schon mal beim neugerät nach 30 min betrieb. Reparatur-FET und sicherungen 10 eur im 10'er pack. Auf der 220V seite hatte ich nie probleme. Entsprechende din-schienen
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Transistor (oder Mosfet?) gesucht mit Schaltspannung 2V
Als Schalter für die Stromvetsurgung würde ich denn NMOS FET IRLML6244 empfehlen. Dieser ist bei 2V hinreichend niederohmig um die Stromversorgung zu schalten. https://www.mikrocontroller.net/part/IRLML6244
Gerald K. schrieb im Beitrag #7081087: > Als Schalter für die Stromvetsurgung würde ich denn NMOS FET IRLML6244 > empfehlen. Dieser ist bei 2V hinreichend niederohmig um die > Stromversorgung zu schalten. Der IRF7401 wäre auch gut geeignet
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Schaltnetzteil Verlust
nachvollziehen kann. Im Unternehmen haben wir seit Äonen etliche Komponenten mit den üblichen Stecker(schalt)netzteilen im Dauerbetrieb, ohne dabei eine hohe Ausfallrate zu beobachten. Auch privat hat sich über die Jahre einiges angesammelt und fast alle leben noch.
muss sich immer bewusst sein, dass Elektronik generell eine viel geringere Haltbarkeit hat, als Schalter und Hebel. Deswegen halte ich von SmartHome Installationen auch wenig. Wenn man sich das antut, dann sollten es wenigstens Komponenten sein, die man leicht austauschen kann. Daraus ergibt sich wiederum
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Bipolare MOSFETs
. Wenn du in beide Richtungen sperren willst, brauchst du zwei FETs...so jedenfalls ein derzeitiger Kenntnisstand.
Wühlhase schrieb im Beitrag #7078568: > Wenn du in beide Richtungen sperren willst, brauchst du zwei FETs Wenn Bulk nicht mit Source verbunden ist, geht das auch mit einem FET. Dann hast du sogar zwei Dioden (Bulk-Source und Bulk-Drain), aber mit geeignter Spannung an Bulk sperren beide.
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Fahrraddynamo im optimalen Bereich betreiben;
unnötig der Gefahr aussetzen, nachts nicht gesehen zu werden. Meine (Nabendynamo-LED-)Beleuchtung schalte ich nicht mal tagsüber aus - die wenigen Watt dafür fallen überhaupt nicht ins Gewicht, die kosten mich keine Minute spätere Ankunftszeit.
Kopf habe, brachte nichts. Eine Überlegung war noch: Verstellt man den Innenwiderstand mittels FET oder schaltet/steuert man einen Widerstand? Muss das dann in Reihe oder Parallel zum Eingang? Die Schaltung war an sich simpel und vielleicht hat hier einer passende Stichworte oder Links.
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Probleme Triac Schaltung für 230VDC Motor
LG Ziel ist es, die Leistung des Motors steuern zu können.. Dazu gibt es einen dreistelligen Schalter.. Aus,stufe1,stufe2 Bei Stufe 1 wird die Triacschaltung wie oben gezeichnet genutzt.. Stufe 2 ist Netz direkt an der Vollbrücke, ohne Triacschaltung
läuft unruhig... Wie dämpfe ich diese Oszillation am einfachsten? Irgend ein Element zum Motor schalten?
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Azubiprojekt; Meine Schaltung: Labornetzteil
verstehe ich den > Schaltplan nicht richtig? Ich denke du meintest die Relais Schaltung… die schalten den Trafo von parallel Betrieb auf Reihen Betrieb um
-Der Schalter S2 ist falschrum beschriftet. -Mit 32V Versorgung (0,7V sind von den 33V der Z-Diode abzuziehen) und 2 LM317 in Reihe bekommt man nie 30V am Ausgang. -Der LM393 hat Open-Kollektor-Ausgang, der
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Strommessverstärker Noise
IC herum fließen. Bert S. schrieb im Beitrag #7076126: > Kann es sein, dass > es durch das schalten von Q2 evtl. durch Kapazitäten an der Source bzw. > and IN+ einen leichten Störpuls gibt, der direkt dort einkoppelt? Der Strom zum Schalten des FET läuft natürlich durch den FET durch, über den
vertikal drehen um die Schleife zu kürzen. Achim S. schrieb im Beitrag #7076356: > Der Strom zum Schalten des FET läuft natürlich durch den FET durch, über > den Shunt-Widerstand und zurück zum Gatetreiber. Das kann man gar nicht > wirklich als "Störung" betrachten: der Gatestrom fließt über den Shunt
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Halbbrücke für Mosfetansteuerung
Bezug worauf auf high oder low gesetzt wird. Denn wenn du den "oberen Mosfet" auf High = Vcc schaltest und der untere auf Low = GND geschaltet wird, dann hast du einen Kurzschluss, weil beide Fet eingeschaltet sind. Das hast du so nicht gemeint? Schon klar, aber ich kann es ohne Probleme so interpretieren
Ausnahmen sind nur solche, die eine einsetige Last haben (z.B. braucht eine LED an GND nur den "Highside" Fet, ein I2C braucht nur den "Lowside" Fet).
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LM317 KSQ begrenzt Strom nicht wirklich
Schalte doch mal Versuchsweise einen 220R Widerstand rein, nur um zu sehen ob der Strom bei veränderter Eingangsspannung konstant bleibt.
kompakter eine spannungsgesteuerte Stromquelle mit einem OPV, Low-Side-Shunt und einem Transistor oder FET aufzubauen. Damit hat sich diese LM317-Problematik hier erledigt. Aber ich habe daraus gelernt: Erst ALLES messen (nicht nur den Strom durch die LEDs!), nachdenken, nachrechnen, dann erst hier
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Wo wird noch diskret aufgebaut?
Ich hab grad wieder eine Platine zurück designen müssen von High-Side Schalter zu P-FET. Grund war die schlechte Verfügbarkeit (ab 2023/2024). Bei P-FETs findet man schnell Ersatz, aber bei High-Side Schaltern bastelt jeder Hersteller seinen eigenen Footprint. Und sollte der
sogar ganz alleine, wenn ich mehrere Ausgänge parallel schalte.
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Extem bösartiger Fet, wie geht man damit um?
Wühlhase schrieb im Beitrag #7070216: > Wer ernsthaft schnell schalten will, wählt normalerweise Transistoren > mit geringerer Gatekapazität. Hmmmm. Welchen mit einem vergleichbaren Rdson würdest Du denn Empfehlen um 410A "ernsthaft schnell" zu schalten?
Naja, ist ja > auch kein Wunder, wenn man derartige Kapazitäten umladen muß. > > Also ein kleiner FET mit einem Rdson von etwa 1mOhm. Nett, aber kein > Rennpferd. > > W.S. [ ] Du hast den FET schon mal eingesetzt und vwemessen und bist danach enttäuscht [x] Du kannst mir sicher alternative FETs
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Bipolartransistor als AC-Switch?
Frager schrieb im Beitrag #7067018: > kann ich einen Bipolartransistor zum Schalten von Wechselspannungen > missbrauchen? Ja. Nein. Vielleicht. Such dir was aus. Es kommt wie immer darauf an, was man unter "Schalten" und "AC" verstehen will. 230V~ schalten wird eher nichts
Da hier nur nach Bipolartransistoren vom TO gefragt wurde, erübrigt sich der Hinweis auf die mit FETs arbeitenden Level-Controller. ciao gustav
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Mit dem Arduino LED Röhren schalten
Du brauchst einen logic level Fet, der bei 5V Gate-Spannung 24V bei mind. 1A schalten kann. IRLZ44 wäre so ein Kandidat. Da du über PWM dimmen willst, empfehle ich dir wenigstens einen 470Ohm-Widerstand vom Gate nach Masse, um den
volle Helligkeit aufblenden und so bleiben. Ist ein ganz popliger Sketch nach dem Schema: Schalter an, nach 1 Sekunde von 0 auf 255 PWN hochziehen. 255 ist anscheinend der Zustand, wo dann durchgehend High am Pin erzeugt wird.
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Problem mit Spannungswandler auf 555 Basis
vorhanden, der die 12V DC Spannung vom Netzteil auf 170V hoch wandelt. Dies wird durch einen MosFet und einen 555 Timer gemacht. Der 555 ist auf 31khz eingestellt und es wird eine 100uH Spule verwendet. Hinten dran dann die typische Diode und der Kondensator. Zur Spannungsregelung wird ein Spannungsteiler
haben weiß ich auch nicht, aber es gibt noch 3 davon in der Schaltung um die Annodenspannung zu schalten. Vermutlich wollten die nicht noch einen anderen haben und der tuts.
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12.4V, 15A Netzteil auf max 11 - 12V begrenzen
Gleichrichterdiode (https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A400/P1000A-S_ENG_TDS.pdf) in Serie zu schalten um die Spannung zu reduzieren? Laut Datenblatt ist zwischen 0.1A und 15A die abfallende Spannung pro Diode zwischen 0.6 und 0.9 V. Der Lastwiderstand für die Dioden wäre dann der einstellbare Shunt
niederohmige Drossel, Regelreserve für das Folgende) und verheirate einen ausreichend dicken P-Kanal-Fet mit einem TL431 plus ein paar Rs (erst mal mit Poti, um die R_fest Werte zu finden). Fertig. Die Dimensionierung hängt halt von der Spannungsspitze und dem gewünschtem Maximal- und Dauerstrom ab
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Suche Infos zum Eigenbau eines Dip Meter
, wenn der Schaltplan so wie schon vorgestellt ist. Dipper28 gehört zu meinem alten Dipper und FET-Dipper6 zu eben diesem FET-Dipper. wird fortgesetzt
). Phasenschieber S. schrieb im Beitrag #7072986: > Dipper28 gehört zu meinem alten Dipper und FET-Dipper6 zu eben diesem > FET-Dipper. Also dein FET-Dipper6 sieht gegenüber meinem Ergebnis von Heute super aus.
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Mosfet IRFZ44N 12V schalten
Das ist überhaupt kein Problem. Guck dir mal ein paar H-Brücken an. Viele verwenden als High-Side Schalter einen N-Kanal FET. Die Steuerspannung am Gate muss nur ausreichend hoch sein. Keine Ahnung, wieviel Strom Michael H. schalten möchte, aber weniger als 18V dürfen es bestimmt nicht sein, damit der
Ach wirklich? Und du meinst, daß mir das nicht bekannt ist? > Viele verwenden als High-Side Schalter einen N-Kanal FET. Die > Steuerspannung am Gate muss nur ausreichend hoch sein. IST SIE HIER ABER NICHT! Und jetzt troll dich, du nerviger Oberlehrer!
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Leistung einer Sinuswelle bei 50 Hz
Hallo, vielleicht ist ein Mosfet- Schalter da besser geeignet. Der LUD12 von Eltako o.ä. könnte gehen. Netzsynchron 100Hz muss auch sein. Unter Projekte & Code habe ich einen Dimmer und so einen Schalter vorgestellt. Gruß Carsten
Beitrag #7060281: >>> Schwachsinn. >> Zumindest inmitten eines Brückengleichrichters ---> AC Schalter. > Warum soll das Schwachsinn sein? Der FET ändert nichts daran, dass das Gebilde flackert, wenn nur jede Sekunde kurz eingeschaltet wird. Zusätzlich hat man noch ein Problem mit der Ansteuerung
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Fragen zu Schaltung
VB liegt erstmal keine Spannung. D.H. der IR2111 hat keine Betriebsspannung mit der er den oberen Fet aufsteuern könnte. Die Spannung am gate des obene Fets muss nämlich höher sein als seine source und so eine hohe Spannung gibt es nicht im System. Die muss erst erzeugt werden. Wenn der untere Fet
beziehen. Über die Diode D1 wird der C2 nun auf 12V - Vdiode aufgeladen. Sperrt nun wieder der untere Fet und der obere wird angesteuert, wird VB und damit das Gate des oberen Fet aus C2 gespeist. Mit diesem Trick spart man sich einen extra DCDC Wandler zur Versorgung des oberen Fet. Die Diode muss aber
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Hameg HM705 Analog Oszilloskop Y-Achse hängt nach Messung für eine gewisse Zeit?
reinigne (Tuner 600 ist meine Empfehleung, Neo-Ballistol ist auch sehr gut.) - insbesondere die schalter DC/GND/AC sind oft oxidiert. - und last but not least kann dir ein FET am Eingang kann halblebig sein.
reinigne (Tuner 600 ist meine > Empfehleung, Neo-Ballistol ist auch sehr gut.) > - insbesondere die schalter DC/GND/AC sind oft oxidiert. > - und last but not least kann dir ein FET am Eingang kann halblebig > sein. Ist Neo-Ballistol unbedingt notwendig oder tut es da auch das normales Ballistol?
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Brems-Chopper Technik
eine lineare Stromsenke (mit OP und Transi) oder lieber per Komparator (ein Widerstand über einen FET) parallel zur Quelle schalten. Am liebsten wäre mir eine Implementation im Treiber (wie es eigentlich gehört) - aber das hat der Hersteller, warum auch immer nicht berücksichtigt. Und die Treiber sind
(mit OP und Transi) Nein, Nein. > oder > lieber per Komparator (ein Widerstand über einen FET) parallel zur > Quelle schalten Ja und zwar mit einer Hysterese. Damit der FET nur schalten muss. Nicht ohne Grund gibt es Bremswiderstände. Kurzzeitig hoch belastbar.
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kleines Schaltnetzteil mit SSR steuern, seltsame Zustände
dimensioniert. Das SNT hat keine sinusförmige Stromaufnahme. Damit kann ein SSR, das im Nulldurchgang schalten möchte, nichts anfangen. Die beiden Module passen nicht zueinander.
> > ZHEJIANG XURUI ELECTRONIC CO.,LTD > Load Voltage 24-240VAC > > Ob der Ausgang Triac oder FET ist, steht nicht drin. > > https://www.pollin.de/productdownloads/D340632D.PDF Das ist der übliche G3MB Nachbau der Chinesen.
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Operationsverstärker explodiert
fliegenden Funken sich in zwei halbe OPs verwandelt hat. Kurz vor dem Knall ging der Drainstrom am FET für ca 2 Sekunden auf 0, obwohl eine UGS da war, zumindest wenn man den angeschlossenen Multimetern trauen darf. Den MOSFET habe ich hinterher überprüft, der ist in Ordnung. Ist meine Schaltung Mist
durch die Last zu > begrenzen Und woher soll der OP wissen, wieviel Strom fließt? Wie hast du den FET gekühlt?
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Ersatz für MPSA06 Transistor gesucht
HildeK schrieb im Beitrag #7058288: > Du willst doch HIGH-Side schalten? > Warum diskutieren wir dann immer über NPN, nMOSFET? > Zeige endlich dein Konzept ... Wo habe ich geschrieben, dass ich ausschließlich die High-Side schalte? Slabbi schrieb: > Ich schalte
Spannungsabfall insgesamt sollte 0.5v nicht überschreiten, also > 0.25v pro Transistor. Ich schalte sowohl 5V (oder 12V) als auch GND. Der NPN wird zum Schalten von GND verwendet, ein PNP für 5V bzw. 12V.
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Erste Hilfe - Notfall Kinderauto
mir jemand helfen, was ich da bestellen muss? Das Auto fährt mit 12V, die Relais auf der Platine schalten max 15A. Mehr weiß ich nicht über die elektrischen Werte des Renners.
der FET Abtaucht. Gegebenenfalls vor dem Austausch den Motor prüfen.
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Suche Thermosicherung für 48V 2A (70 °C)
der positiven Zuleitung, also auf der Highside. Und geht (da mehr günstig verfügbare niederohmige FET) auch mit N-FET wenn man die Minusseite schaltet. Muss halt der TE prüfen ob der Weg gangbar ist. Noch eine Alternative sind komplette highside Schalter (infineon, etc) die einem einen Großteil
#7055255: > Bei der Lösung mit GND würden doch am Schaltkontakt 48V anliegen? Da Du da <10mA schaltest: kein Problem. DaBla spricht ja von größeren Strömen, die Du nicht hast. In jedem Fall: V_gs auf 12..15V bringen, damit der FET bestmöglich durchgesteuert ist. > >Christoph db1uq K. schrieb
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Einschaltstrom DC Motor an H-Brücke
denkbaren Fällen unter der "gewünschten" 4A-Sense-Schwelle halten. Ob die Abschaltung mit Filter für die FETs schnell genug ist muss dann halt mit der minimal möglichen Leitungsinduktivität abgeglichen werden.
Manual, das ohne Current-Chopping der R(SENSE) weggelassen werden kann und die Sources der Low-Side-FETs direkt an GND gehen sollten (Chapter 8.2.2.4).
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Problem mit Funktionsdecoder für Modellbahn
Vorwiderstand mit 22-27K ist eine durchaus bewährte Praxis. Man kann natürlich auch einen Transistor davor schalten.
Schaltschwelle etwa mittig zum Spannungshub liegt. 2,5V zu 18V ist stark asymmetrisch. Woher die FETs ihren Saft kriegen, ist aber weiterhin völlig unklar. Die FETs können ja bis 4A ab, d.h. bei bis zu 12A werden die BAV99 die Grätsche machen.
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Solar Bypassdiode warum nicht dauerhaft aktiv
- [/pre] Was passiert, wenn ich da jetzt extern nochmal eine "verpolte Bypassdiode" parallel schalte? [pre] .------o-----------------. | | | Iz ^ | | | | | | | ( ) V | Uz V ( ) -
Arbeitet erstmal als normale Diode, sammelt aber dabei aus der Vf genug Energie (Ladungspumpe), um einen FET durchzuschalten.
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Diode: Peak Surge Current bzw. Fehlermechanismus
eine Überspannungsbegrenzung welche bei zu hoher Zwischenkreis einen Lastwiderstand (SQP5 von TE) per FET zuschaltet. Um den FET beim Ausschalten vor Überspannung zu schützen habe ich eine Freilaufdiode (MURS120T3) parallel zum Lastwiderstand. Die Schaltung funktioniert soweit tadellos, allerdings frage
Laborleitung. Das > alles hat gereicht, um den IGBT zu zerstören. Aber bevorzugt platziert die Schalter doch nahestmöglich an der Last / die Treiber ebenso nahestmöglich an den Schaltern. Und ja, ich weiß schon, daß man das nicht IMMER kann. Aber man kann es normalerweise FAST immer irgendwie so
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Bezeichnung für die Kleinen gelben PCB-Trafos
gemacht, eine für die 24V eine für ~14V und eine für ~7-8V Und dann mit Spannungsreglern und einem FET die Spannung genau einzustellen bzw. zu schalten. Wo ist denn da das Problem? Und am besten währe es wenn alles THT Komponenten oder SMD aber mit einem Package das nicht verdeckte Lötstellen hat so
wohl nicht "3 Spulen" sondern "3 Sekundärwicklungen". > Und dann mit Spannungsreglern und einem FET die Spannung genau > einzustellen bzw. zu schalten. Wozu denn das? Wozu willst Du lauter Linearregler ("linear post regulator for switching converter") machen, das macht man doch einzig und allein
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Mit einem digitalen Ausgang (ESP8266) mehrere MOSFETs schalten (geht das?)
Prinzipiell bin ich ja in der Lage für jeden digitalen Ausgang (über einen MOSFET Treiber) einen FET an- und auszuschalten. Das kann ich solange machen, bis ich alle digitalen Ausgänge vom ESP8266 verwendet habe. In meinem kleinen Vorhaben müsste ich aber mehr MOSFET's schalten als ich Ausgänge hätte
ist eigentlich eine gaengige und preiswerte Loesung. Du kannst von dem auch mehrere hinteinander schalten. Ansonsten halt irgendwas mit I2C. Olaf
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Suche 596 S Kondensator
Membrane. Dafür benutzt man üblicherweise Vorverstärker mit niederohmigem Eingang, keine hochohmigen FET-Eingänge. als IC beispielsweise von Analog Devices: https://www.analog.com/en/parametricsearch/11244#/
Kondensator-Mikrofons. Der Unterschied zu einem richtigen Kondensator-Mikrofon ist in meinem Verständnis aus schalt-technischer Sicht nur das Weglassen der Phantomstromanschlusses. Für mich deutet aber die induktive Wirkung des Elektret-Mikrofon auf eine Verwandschaft mit der induktiven Wirkung einer Spule mit Permanent-Magnet
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IRLZ14 Gatewiderstand
Methode die nicht grad vorteilhaft aussieht. Ich gehe mit dem MC Ausgang direkt in das Gate des FET IRLZ14, die Länge zwischen Pin und dem FET beträgt max. 20mm. Der FET wird mit maximal 2A belastet @5V. Ich habe hier viel über das Thema Gatewiderstand gelesen und raff es immer noch nicht. Kampf
die nicht grad > vorteilhaft aussieht. > > Ich gehe mit dem MC Ausgang direkt in das Gate des FET IRLZ14, die Länge > zwischen Pin und dem FET beträgt max. 20mm. Der FET wird mit maximal 2A > belastet @5V. Also harmlos. > Ich habe hier viel über das Thema Gatewiderstand gelesen und raff
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Bleiakkuladegerät mit Netzabschaltung;
unter 12V (Du: 6V) kommt, schalte ich die Netzspannung ein. Dann gucke ich, ob diese tatsächlich da ist, wenn nein, Relais aus und wieder 15 Minuten abwarten - damit mir bei Netzausfall nicht die beiden Relais den Akku leer saugen
beim Schalten abschmiert - dazu findet sich auf µC-net jede Menge Heulerei. Ich habe das gemacht, weil ich es kann - ob sich der Aufwand jemals gegen eine dauerhaft durchlaufende Erhaltungsladung rechnen lässt
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raspi gpio 24v schalten
heißt der könnte nichtmal ne LED vom Optokopler ? Wahrscheinlich hier schon mit einem logic level fet die LED schalten ? Welche Bauteile wären da zu empfehlen so ein 4 bit oder 8 bit Optokopler wären super SMD löten ist kein Thema. MFG Timo
der > könnte nichtmal ne LED vom Optokopler ? Wahrscheinlich hier schon mit > einem logic level fet die LED schalten ? Du darfst Dir gerne Hilfe holen, ordentliche Texte zu schreiben - Dein Geschreibsel grenzt an Frechheit. Wenn Dein µC nur 3 mA kann und das für Deine Anwendung zu knapp ist,
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Messfehler am Shunt ausschliessen
hier sehen wir die Messung mit der Massefeder direkt an Source und den Tastkopf direkt an Gate des FETs.... Ausserdem das Layout.
. Ich nehme mal an, dass das die Spule ist und die Massefeder ist ja immernoch eine Miniantenne. Schalte ich den LED-Controller ab, ist es wie erwartet eine 0-Linie.
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LDO-Simulation mit LTspice hängt
. Der OpAmp ist Rail-to-Rail und sollte das mit einer GBW von 1MHz eigentlich hinbekommen. Der P-Fet ist ein 'normaler' Leistung-Fet mit 4.2W Die Simulationsparameter stehen auf Standard, aber ich habe auch schon andere Einstellungen ohne Erfolg ausprobiert. Wird dann eher noch schlechter. Hat
Timestep auf 1µs oder 10µs setzt. Auch würde ich dem OPA noch einen Serienwiderstand an den Ausgang schalten, so 100Ω bis 1kΩ. Das Gate ist eine kapazitive Last und das beantworten OPAs meist mit Schwingen.
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Akku 20 Ah ?
aufweist, zum letzgenannten Zweck - denn bei Step-Down kann man sich dadurch jeglichen Zusatz-Schalter (und auch den nötigen Low-Power-Komparator etc.) sparen. Da der "aktive" bzw. "Haupt-" Schalter -der Highside Mosfet- abgeschaltet ja auch den Akku von allem Folgenden trennte. Nicht wie bei Boost/Step-Up, wo der "aktive" Schalter zwischen Versorgungsrail und GND säße und die (...bei Synchronwandlern _Body_-) Diode (des dort gleichrichtenden Highside Halbleiters) immer einen leitenden Pfad ermöglichte - und man je nach Last
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Welches elektronische Bauteil würdet ihr euch wünschen?
schaden, als helfen. Und ein Transistor, der keinerlei parasitäre Kapazität hat, würde bei jedem schalten Röntgenstrahlung absondern. Viel Spaß im EMV Labor xD
Beitrag #7039676: > ein Transistor, der keinerlei parasitäre Kapazität hat, würde bei > jedem schalten Röntgenstrahlung absondern. Viel Spaß im EMV Labor xD Warum? Wer sagte, daß man den so schnell wie dann möglich schalten MUSS...? Ich nicht. Einfach definiert die Steuerspannung erhöhen. Bloß
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Automotive Schutzschaltung
relevanten Markt. Ist deine gewünschte Anwendung irgendwie anders? Vielleicht könnte man einen PowerFET einer älteren Generation verwenden.
. Google mal nach "Verpolschutz". Du kannst eine Diode in Reihe mit der Spannungsversorgung schalten, besagte S1J taugt bis 300 mA, oder einen PMOS in Sperrichtung schalten mit dem Gate über 100k nach Masse. Das taugt dann je nach MOSFET auch für einge Dutzend Ampere. In dem Schaltplan des TO
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Arduino nach Uhrzeit an/ausschalten
einen ganzen Sack voll RTC's mit Schaltausgang. Du kannst aber auch jemanden einstellen, der den Schalter, zur rechten Zeit, betätigt.
Versorgt wird er per MCP1703T-5002 aus einer 12V Blei-Gel und schaltet alle etwa 15 Minuten per FET den Spannungsteiler an, um die Akkuspannung zu messen. Da ist noch ein großer Elko drumherum, in Mittel verbraucht das Gebilde etwa 25µA. Da sind keine Fuses geändert, das Ding läuft so, wie es der
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Monitor flackert - Elkos tauschen?
ist übrigens nicht auf den Schirm beschränkt, sondern kann auch von Tischsteckdosen oder deren Schaltern herrühren.
an der Hintergrundbeleuchtung suchen. Das Netzteil sah ja bis auf die ominösen Verfärbungen am Schalter astrein aus.
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Bitte um Hilfe bei einem Einschaltproblem
kann mal eben die Meßspitze auf das Gehäuse (Kollektor) halten. Vor Monaten hatte ich mal als Schalter bei niedirger Versorgungsspannung und Stromgeiz Ärger mit der UCE(sat). Ich habe ein paar Transistoren gemessen, modernere BC5xx sind doch besser geworden! Hat sich aber erledigt, ich habe LL-FETs
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Erfahrungen zum ESD Schutz beim Design
ist ja nur dazu da das Teil das den Eingang treibt davor zu schützen das der direkt auf einen C schalten muß... (Reedkontakte, Schalter,,, was auch immer) Die Spannungsabsenkung macht der C durch den kapazitiven Spannungsteiler mit der ESD-Quelle... und ein normaler 0805 oder gar 1206 hat mit einem
der TV-Fernbedienung ohne Schutzanzug. Batterieanschluß ist niederohmig, da passiert nix. Deine FET werden vom MC angesteuert, also Ausgänge. Da passiert nix. Bau deine Bastelschachtel zusammen und schlafe ruhig. Das ESD-Gespenst ist weg.
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Transistor bei wechselnder Stromstärke
> ob ich das Modul diese kurze Zeit mit einem z.B. Transistor BC547B und > 1,5k Vorwiderstand schalten kann Nein, ein NPN ist ungeeignet. Du darfst dem Modul nicht die Masse wegschalten. Sondern nimm einen PNP-Transistor oder einen P-Kanal-Fet und schalte die Versorgungsspannung ab. Und wenn du
angegeben ist, > beziehen sich die 2A auf eine Kontaktreihe und könnte man damit z.B. 4A > schalten, wenn man beide Kontaktreihen parallel belegt? Nein, aber ein Relais, welches bei 30V 8A schalten kann, dürfte kaum teurer als ein 2A-Relais sein.
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High Side Switch 24V
www.mikrocontroller.net/articles/Transistor#Wie_kann_ich_mit_5V_vom_Mikrocontroller_12V_und_mehr_schalten?
#7032140: > Schaltet Q1 durch, legt er 24V an das Gate - das ist mehr als zulässig > ubd kann den FET zerstören. -24V, aber ja, der FET verträgt max. +-20V VGS. Wenn man Bock hat, könnte man das mit einer Zenerdiode noch hinbiegen.