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Profet für 5V Bastelschaltungen gesucht
Also zum 5V schalten reicht ein simpler (LL) Mosfet.. z.B. IRLML6244 Wie meinst DU das mit der "charge pump" ?
Klunker Naja, 12cent/Stück incl. Versand aus China bei Abnahme von 50... Teurer als ein kleiner p-Fet, billiger als Fet+Sicherung+Hühnerfutter...
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Richtige PFC-Topologie
. Auch 3-Phasen interleaved ist möglich, klar. Bridgeless geht auch mit einer Drossel und zwei Fets+Dioden, doch dann hat man das volle Schalt-noise an einem der Leiter, beim ersten EMV Messen von conducted EMI ist man beim Common Mode Test weg. Dithering kann man mit jedem IC machen (Oszilattor
so kompakt geworden, Elkos sehen meist 800Khz) - I²R Verluste sinken. +konstante Verluste (zb Schalten können steigen, aber nicht x2 da wahrscheinlich C das Fets kleiner) Die Angehängten Bilder sollten auf einem Schlag klarmachen was das Tolle an interleaved PFCs ist. MFG
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Stromsteuerung durch Atmega 32
bislang war das PWM Signal zu verwenden und im anschluss einen RC Tiefpass zum glätten des Signals zu schalten und das ganze auf einen LL FET weiterzugeben. Hab das ganze mal ausprobiert, aber mit Konstantstrom hat das wohl eher nichts zu tun. Deshalt die Frage an euch, kann mir da jemand einen ansatz
eines Buck-Reglers an. Dein ATMega erzeugt eine PWM, soweit richtig. Diese gibst Du direkt auf den LL-FET. Über Spule, Schottky-Diode und Elko glättest Du die Spannung. Ausgangsseitig schaltest Du von der Last in Richtung Masse einen Shunt-Widerstand von 0.1 Ohm. Mit dem ADC und Gain 200x mißt Du die Spannung
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FET Leistungsschalter 60V / 160A
Versorgungsspannung beim Einstecken recht leiden, würde ich das Ganze gerne über einen kontaktlosen FET bzw. IGBT-Schalter machen. Die Auswertung des Empfängersignals per µC läuft schon, allerdings bin ich mir nicht ganz sicher, ob der Leistungsteil so passt. Ich würde das Ganze gerne als Low-Side-Lösung
100Ohm in Serie zum µC-Ausgang, was den Strom begrenzt, und die Mosis immer noch in µs-Schnelle schalten lassen sollte. >Das Ganze sollte optimal und effizient aufgebaut sein! Gibts eigentlich >noch Maßnahmen für die Synchronisation der parallelen FETs? Bei Dioden >kann man den Drift ja durch
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Gibt es sowas wie einen Strombegrenzer-IC?
fliessen da maximal 4A. Jedenfalls weit weniger Aufwand als nochmal einen extra Buck zwischen zu schalten.
Eine Lösung ohne Vdrop könnte wie aussehen? FET+Shunt+OpAmp? Geht das auch mit einem PMOS?
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Schaltnetzteil reparieren
Oszi betrachte, sehe ich >eine Arte Rampe, die an der Spitze ca 1v erreicht. Der Strom durch den >fet steigt also an, bis das IC abschaltet. Oder ist das der Softstart? Wenne s wirklich der ISense-Eingang ist, dann liegt es offensichtlich an zu hohem Strom durch den Fet. Den 1V ist der Abschaltpunkt
Matthias S. schrieb im Beitrag #5593679: > Jemand schrieb: >> ein R von der Zuleitung >> zum Schalt-Tr. mit einem Blitzschlag verabschiedet, kann der UC3844 so >> viel Strom oder Leistung auf den Schalt-Tr. liefern. Sorry unglücklich formuliert, der Strombegrenzungs-R vom UC3844 zum Transmann
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Strom konstant halten aber Led abschalten.
ich noch nie gemacht und frage mich wie das geht. Kann man die Widerstände mit einem Transistor schalten?
mit 3.3 Volt schaltest, musst du schauen, dass dein FET dort schon sauber durchschaltet.
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Sperrstrom von BC846 Transistor im Datenblatt?
den Sperrstrom also auch erhöhen, indem ich z.B. ein 100Kohm Widerstand zwischen Basis und Emitter schalte?
Durch die N-FETs hast du sehr niedrige Eingangsströme. Durch die 10 MΩ und zwei-dreifach Darlington niedrigen Ruhestrom.
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Elektronische Last
, hat sich das Gate langsam über Leckströme aufgeladen und irgendwann starb der MosFet durch Überlastung. Dieses Problem trat nicht bei allen OPs/MosFets der gleichen Type auf! Das Verhalten im nicht gepowerten Zustand ist in den Datenblättern nicht definiert... Viele Grüße, Rainer
schon da sein, damit bei sehr /schnellem/ Stromanstieg die Basis-Emitterdiode nicht verdampft, bis der FET sperrt.
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einfache Blei-Akku Ladeautomatik
Ich schalte sicherheitshalber einen BC547 dazu, laut datenblatt ist ab 6V U_GS erst ausreichend. Grüße Lukas
funktioiert deine Schaltung? Der FET müßte ja eigentlich richtig rum drinnen sein oder?
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Power Switch Modul mit (Sleep) Timer
Ich komme nicht drum herum mir einen P-Kanal FET zu bestellen. Der in der Schaltung genannte IRML6402 sollte passen. Kann bis 20V= schalten und lässt sich mit kleinsten Spannungpegeln steuern. Nur das SOT23 Gehäuse passt mir nicht. Gibt es nichts
, gibt es noch 2 weitere Jumper: Mit OUT +/- wählt man, ob man den P-Channel oder N-Channel FET benutzt: Also ob man den Verbraucher gegen + oder - schalten möchte. mit IN +/- wählt man, ob der Schaltimpuls (Taster) gegen + oder - erfolgt. Leider gibt es keine Möglichkeit, einen Timer durch
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Bremse für Brushless Motor, Longboard
> Dann nimm halt zwei Relais und schalte bei einem einen Widerstand > in Reihe zur Spule damit es erst bei mehr Spannung schaltet. Das habe ich schon probiert, das Problem ist, die Relais schalten solange die Nennspannung noch nicht
sowas da drann und gut. kostet vllt. 10 Euro und deine Relais (so Du denn dabei bleiben möchtest) schalten sauber und sicher. http://www.ebay.de/itm/Stufenschalter-2-Kanal-RC-Schalter-2x-30V-5-3A-Schaltmodul-Switch-/291607814554?hash=item43e52e219a:g:eTsAAOSwKfVXKvXd StromTuner
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N-Kanal Mosfet mit herausgeführtem Substrat
wird öfters der Bulk nicht mit Source verbunden. Die Frage ist ob es das auch für einen einzelnen Fet gibt.
Der Bulkanschluss ist eine 2te Steuerlektrode womit der Fet vorgespannt wird. Wird in Analogschaltern so gemacht, sodas der Rdson der Schalter unter anderen Konstant bleibt.
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DS3231 RTC Modul, Raspberry Pi, Zeitschaltung
der FET aushalten muss. Ist dieser Zustand nur sehr kurz und selten vorhanden, dann reicht die Wärmekapazität aus, die Erwärmung aufzunehmen. Also: rechnen ist etwas schwierig. Man kann aus dem SOA-Diagramm
passt dann prima für den IRLIB9343 oder den NDP6020P. Bei 4.5V (bez. GND oder UGS=0.5V) ist der FET ausreichend gesperrt, bei fast 0V bez. GND (oder UGS ≈ 4.8V) ist er innerhalb der Spezifikation zum Leiten bzw. Sperren.
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kleines Punktschweißgerät selber bauen ? Gesperrt
Scheibenthyristoren > für 5 Kiloampere oder mehr (Stoßstrom). Geht auch mit einem Puls und mit FETs als Schalter (weniger Verluste), bei Zweifachimpuls ist Thyristor eh ausgeschlossen. Das wird jetzt aber OT, hier und in anderen Foren ist darüber schon viel geschrieben worden. Old-Papa
die Schweisskapazitaet ist dort durchaus hoeher als in der verlinkten Schaltung. > >> Und zum Schalten muss man sich schon huebsche FETs suchen. Damit's >> bezahlbar bleibt, schaltet man mehrere parallel, die Lastverteilung >> geschieht ueber die Zuleitungen (Leiterplatte). > Richtig! Ich habe
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SMD Mosfet mit Z-Diode für induktive Last
aber lange nicht den Strom, eher 0.15A. Eine Zener Diode zwischen Drain und Gate macht den ganzen FET zur quasi leistungs-zener. Evtl. kann man die Interne Beschaltung aus dem Datenblatt an einem starken FET extern ergänzen.
und OTP und nennen sich IntelliFet oder Profet oder einen anderen wohlklingenden Namen zu einem Preis der ein Vielfaches eines Fets + Diode beträgt. Ist aber alles am falschen Ende. Die Energie einer Freilaufdiode ist Vf * I, also
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Problem mit Frickelwandler 12V -> 24V
Hi Benedikt. Soso 18mOhm hat der Fet. Wirf einmal deinen geschätzten Blick auf die Drain-Sourceperformance eines 100A Fets was schon ein stattlicher Bursche ist. Je nach drive hat der bei 100A zwischen 1V und 10V Sättigungsspannung.
overdrive. Geht das in deine Birne? Was glaubst du eigentlich warum das Ding kocht? Klar, weil die Fets vernachlässigbare Ris haben und da nix abfällt was sie heiss macht. Auch wenn du 2x4 parallel schaltest wobei man dann schon selektieren sollte um gute Ergebnisse zu haben oder mit Widerständen feinzentrieren
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Messaufbau für MOSFET (N) als Schalter
ist etwas ganz Unterschiedliches. Ich glaube, Du verwechselst Bipolar- und Feldeffekttransistoren (FET). Es geht also um U_Gs. Wie groß U_Gs sein muß, steht im Datenblatt. Ganz grob gesehen gibt es FET, die mit U_Gs=5V auskommen (damit sie mit Logikschaltungen betreibbar sind) und es gibt FET,
genauere Angaben zu Deiner Anwendung. Möglicherweise ist die beste Lösung für Dein Problem ja gar kein FET, sondern vielleicht ein Bipolartransistor, ein Relais, ein Schalt-IC oder ein integrierter Schaltregler. Gruß, Michael
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PWM Stromverstärkung und und gleichbleiben der Spannung
N-Kanal MOSFET schalten möchtest.
Da ist ein p-Fet drin.
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Wann braucht ein Fet ein Pull down am Gate
nun? Es werden höhere und niedrige Leistungen geschaltet mit einem PMV20enr N kanal fet
ich Angst, dass mir beim Ein- und Ausschalten das Ding damit irgendwie um die Ohren fliegt, weil der FET lustige Sachen macht. NB: Am gefährlichsten ist es, wenn der FET so "halb" durchgeschaltet ist. Dann hast du eine extrem große Verlustleistung im FET! Besonders beim Schalten höherer Leistungen ist
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Bis zu 6A mit µC schalten und steuern
Da kein Mikrocontroller mehr als ein paar Mikroampere schalten kann, hast Du sozusagen die freie Auswahl. Je nach Konfiguration gibt es folgende Möglichkeiten: Relais Transistor FET IGBT Thyristor u.v.a. Es gibt hier mehrere Artikel, die sich mit diesem Thema beschäftigen. Wenn's um FET's geht z.B. http://www.mikrocontroller.net/articles/Treiber Wenn Du die Buben schön trennst, kannst Du mit zwei FET's auch zwei verschiedene Spannungen schalten. Allerdings, suchen und lesen
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Gibt es Röhren die ca 400V/2A Schalten können?
In den 40er Jahren wurden Röhren zum Indukktionshärten eingesetzt, also ich nehme mal an als Schalter, so wie es heute Fets/IGBTs in einer Resonanten Brückenanordnung tun. Ich brauch eine (oder mehr Röhren) die ca 500V sperren können. Ums genau zu nehmen ich möchte 400V und ca 2A Schalten, Taktfrequenz
In den 40er Jahren wurden Röhren zum Indukktionshärten eingesetzt, also > ich nehme mal an als Schalter, so wie es heute Fets/IGBTs in einer > Resonanten Brückenanordnung tun. > > Ich brauch eine (oder mehr Röhren) die ca 500V sperren können. Ums genau > zu nehmen ich möchte 400V und ca 2A Schalten
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24V-LED-Streifen per Arduino + Mosfet ansteuern funktioniert nicht
wie die bei den Dupont *Eisenkabel* , außer acht lassen!³ Also immer direkt an den Anschlüssen des Fets messen.
einem entsprechenden Gate Treiber. Bei Tonis Schaltung gibt es keinerlei Grund High-side zu schalten.
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Selbstleitender MOSFET der bei 5V Ugs voll sperrt
Klaas Dann sag bitte auch wo er die -1Volt her bekommt. Er will ja eigentlich einen invertierten Fet. und 1Euro für 25Ohm? naja dann ist der Leckstrom beim einem J-Fet in Bezug auf Verluste wohl vernachlässigbar.
Hier ist der Funktionsplan. Ich brauche den "Schalter" zwischen Dynamo und Diodenbrücke.
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Bitte um kurze Hilfe bei FET ansteuerung
: Es sollen einige FETs an einem Schieberegister angeschlossen werden. Da ich die FETs mit dem maximalen Strom belasten möchte und diese bei 5V nicht den vollen Strom schalten können, habe ich mich entschieden diese mit 12V
@ Steffen (Gast) >Es sollen einige FETs an einem Schieberegister angeschlossen werden. Da bist du nicht der Erste. >Da ich die FETs mit dem maximalen Strom belasten möchte und diese bei 5V >nicht den vollen Strom schalten können, habe
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Common-Gate Schaltung N-Fet?
Christoph db1uq K. schrieb im Beitrag #6252645: > Er will den FET "invers" betreiben Mit JFET ist das möglich zu vertauschen. Mit Mosfets geht das nicht. Das kommt daher, weil Viele schlampigerweise (to lazy for all 5 letters) oft FET, statt MOSFET schreiben.
üblich. > Manche davon kann man sogar als Verstärker benutzen. Hier geht nicht um einen CMOS-Schalter sondern um die Basisischaltung mit einem NMOS-Transistor.
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Bei bestimmter Temperatur Relais schalten.
widerstand für einen Sinn? beiden fällen fast das gleiche: der komparator kann nur gegen masse schalten. sein ausgang ist der kollektor eines transistors, dessen emitter an GND angeschlossen ist. der komparator kann also nur gegen GND schalten - andernfalls ist sein ausgang hochohmig. der strom,
masse, liegt die basis direkt auf masse, der ganze strom über R1 fließt dahin ab. falls du einen FET nimmst, brauchst du feste pegel an dessen gate, um ihn als schalter zu verwenden. ist der komparator-ausgang hochohmig, hast du keinen festen pegel, daher der pullup. > also hab jetzt nochmal ne
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Bis 200 VDC schalten mit Controller
230 kOhm. Zwischen den Widerständen würde ich dann verschiedene Abgriffe machen und die über einen FET der vom Controller geschaltet wird auf den Eingang der Baugruppe geben. Was haltet ihr davon ? Habt ihr eine bessere Idee ?
Wenn dir das nicht klar ist, und nicht klar ist warum das so ist, solltest du es sein lassen. Schalten kann man solche Spannungen problemlos mit Transistoren, Photomos, Relais, FET, IGBT. Ich persönlich würde bei max. 1mA zunächst über einen per DAC stellbaren Linearregler nachdenken. aber 1µs
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high voltage mosfet?
bei Experimenten nicht gleich. Ein Elko parallel zum zweiten Basiswiderstand sorgt für sauberes Schalten. Kaskadierte FETs sind viel zu empfindlich und Pfusch.
Kaskadierte FETs sind einzelnen FETs in den technischen Daten weit überlegen ! Vor allem der On Widerstand wird kleiner, als bei einem HV MOSFET. Ich habe mal einen 5kV Schalter von Siemens gesehen: Mehrere MOSFETs
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Problem mit Stromquelle und Offsetkorrektur
von der Last am FET. Mit Gruß Mike
Die Schaltung ist Mist und die Begründung für die 1N5819/56R genauso. Der Fet arbeitet hier rein analog und wird am schnellsten durch den Treiber direkt gesteuert. Diese Gatebeschaltung braucht man nur bei Schaltanwendungen wenn eine Stromüberschneidung mit einem HighSide-Schalter
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High Side PWM
Könnte man den Freilauf nicht auch mit jeweils zwei antiparallel in Serie geschalteten FETs machen? Oder aber je nach dem ob links oder rechtsrum mit jeweils einem FET eine Diode parallel zum Motor schalten. Das müsste eigentlich funktionieren? Ich würd es ja jetzt gerne mal ausprobieren. Dummerweise hab ich keine P-FETs mehr da (alle abgeraucht). Gibts auch eine Möglichkeit die High-Side mit einem N-Channel FET zu schalten? Bei Maxim hab ich sowas mal gesehen. Aber wie baut man so einen Floating Gate Driver diskret
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L298 = total langsam?
überzeugt. Weiß jemand wo ich mir eine funktionierende H-Brückenschaltung mal angucken kann? Mit FETs (teuer) müsste es theoretisch einfacher gehen, richtig? Diese schalten allerdings nicht so schnell, wenn ich den Motor dann per PWM regeln möchte brauche ich entweder FET-Treiber (auch teuer) oder ich
hier noch einen einzelnen FET + Treiber nehmen. Btw: meine Frage zu den Dioden da etwas weiter oben steht noch offen lg PoWl
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H-Brücke, Frage zum Bootstrap
Fet an und aus geschaltet wird und das Low-Side Fet der selben Halbbrücke permanent sperrend ist? Vielen Dank für eure Antworten!
Aber sauber ist das auch nicht. Das ist eine Frickellösung. Am besten im einen Zweig den Low Side Fet einschalten und im anderen Zweig zwischen beiden Transistoren hin und her schalten. Je nach PWM. Dazu kannst du bei diesem Treiber die beiden Eingänge auf den gleichen Pin legen. Dann schalten die Ausgänge
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Ultra low power: MOSFET als Schalter
ist der > empfehlenswert für diese Anwendung? Ich verstehe ja nicht ganz was Du mit _diesem_ Fet machen willst - alles abschalten indem Du GND von Deiner Peripherie schaltest? Na dann, viel Vergnügen bei den zu erwartenden Seiteneffekten... Das mit den uA oder gar nA ist nämlich nicht dann doch
Very Low Power? MiWi schrieb im Beitrag #3878759: > Ich verstehe ja nicht ganz was Du mit diesem Fet machen willst - alles > abschalten indem Du GND von Deiner Peripherie schaltest? Na dann, viel > Vergnügen bei den zu erwartenden Seiteneffekten... > Naja, ich bekomme nirgendwo die Spannung her
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Mosfet Ansteurung mit PWM
Widerstand auch direkt neben diesem dünnen Leiterzug direkt zum TLP. Das alles ganz dicht bei den Fets. Ausschalten also auch: langsam, aber nicht zuu langsam. Parallel zum Fet noch einen 10nF und einen 470Ω. Zu jedem. Und die Wege zum gleich lang bei beiden Fets, sonst schaltet einer eher, als der andere
mich nicht alles täuscht, auch schonmal mit solch einem TLP irgendwas versucht, größere Lasten zu schalten. Ist aber ewig her. Da hat es mir jedenfalls die Gatespannung unterm Arsch weggezogen, bzw. hochgehoben, weil der Spannungsabfall auf dem Source-Leiterzug so derbe hoch war, dass der FET nun nur noch
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Buck, Step Down-Converter, Abwärtswandler TO220 welches IC?
Außerdem kann man dann (getrennte Wicklungen) auch gleich die "längere" Wicklung _vor_ den Highside-Schalter legen - während der GND-referenzierte Controller einen Lowside-FET statt einer Diode treiben kann, wodurch besagter Highside-FET ebendeswegen über Bootstrap versorgt angesteuert werden kann. Die Topologie
Bucks nicht > ableiten. Noch schlimmer: Man braucht eine Totzeit. Hat man die nicht, und beide FET schalten kurzzeitig gleichzeitig ein, knallt es. Das ist kein Logikgatter, wo dann wenige hundert mA fließen, sondern das ist optimiert auf niedrige Impedanz, mit fetten Kapazitäten. Da fließt ein
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Motorsteuerung mit kollektorschaltung
Source. UGS sinkt. Damit sperrt der Transistor. Mit dieser Schaltung geht es also nicht. Lösung P-FET mit Transistortreiber. Es gibt übrigens für Automotive High-Side-Schalter z.B. von TI.
leiten. An den P-FET oder Highside-Schalter am Gate einen Widerstand nach +12V. Dann einen Transistor von GND an das Gate. Den Transistor vom Controller steuern.
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Transistor Belastung
einen Strom von 0,2 Ampere. und die Frage ist nun, wieviel Ampere könnte ich mit dem Transistor schalten.
entprechendes Datenblatt mit Diagrammen befragen). Mit 1V gerechnet, ergeben sich dann ca. 300mA (als _Schalter_!). PS: natürlich ist ein LL-FET besser.
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N-Kanal Mosfet mit U(th) << 3V gesucht
Eigentlich ist die Auswahl mittlerweile so schlecht nicht. Bist du dir sicher, dass du einen N-Kanal-FET brauchst? Wenn man Vcc der ICs schalten will, würde man wohl eher P-Kanal nehmen. Da ist (prinzipbedingt) die Auswahl geringer, aber mehr als 10 A bei 2 V Gatespannung bekommt man auch da problemlos
Eigentlich ist die Auswahl mittlerweile so schlecht nicht. > > Bist du dir sicher, dass du einen N-Kanal-FET brauchst? Wenn man Vcc > der ICs schalten will, würde man wohl eher P-Kanal nehmen. Da ist > (prinzipbedingt) die Auswahl geringer, aber mehr als 10 A bei 2 V > Gatespannung bekommt man auch da
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PWM-Treiber für 24V / 3,5kW
soweit schon funktionsfähig (auf nem Steckbrett zumindest)... aktuell tüftle ich an einer einfachen FET-Überwachung mittels XOR-Gattern, um Überwachen zu können ob die FET's noch "richtig" schalten, oder defekt sind (also leitend) um damit die Motorschütze im Notfall abschalten zu können.
Gatewiderstände ab. Sonst sprengt es die Gehäusedeckel ab. ArnoR schrieb im Beitrag #3648892: > Und um den Fet beim > Umschalten schwingen zu lassen, reichen schon ganz kleine Induktivitäten > im Steuerkreis Nur, wenn die Umschaltung auch sehr knackig erfolgt. Nimmt er z.B. 270R Gatewiderstände, so schalten
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Mosfet schaltet nicht komplett durch
schrieb im Beitrag #4699523: >> Steht im Ausgangsposting. 2A an 12V. > > Okay, dann kann man Fets im Bereich von 3-6A in den Fokus nehmen. > 140A oder auch nur zweistellig sind völlig oversize. Ich habe hier 50A FET verbaut, wobwohl ich nur 4A schalten muß. Der war verfügbar, 20 St. für 8,15
Manfred schrieb im Beitrag #4699550: > Ich habe hier 50A FET verbaut, wobwohl ich nur 4A schalten muß. Der war > verfügbar, 20 St. für 8,15 € - also egal. Dass der technisch oversized > ist, tut nicht weh und ich muß kein Serienprodukt auf den Cent > optimieren
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ATtiny13A: ESP8266 ein- und ausschalten
Ich schalte den ESP8266 mit dem NMOSFET *ZXM61N02F*. Der FET schaltet den Groundleitung des ESP8266. Wichtig ist, dass die Versorgungspannung gut gestützt ist. Ich verwende 4x 100uF, wobei einer dieser Vielschichtkondensatoren
stromsparend auch mit blockiertem Taster. https://www.mikrocontroller.net/topic/290561#3107848 Als Schalter eignet sich ein P-Kanal-FET IRLML2244 oder AO3401.
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Schaltausgang an uC - PNP und NPN, je nach gewählter Einstellung
. Dann gibts halt an jedem 'Ausgang' 2 Schraubklemmen: die eine für High-Side schalten, die ander für Low-Side schalten. Der, der die Verkabelung macht, muss sich entscheiden, welche er braucht. Schalten tun aber beide gemeinsam. Im Prinzip fast wie eine Push-Pull Stufe. Nur dass die
Also: So würde ich jetzt mit FETs aufbauen. Müssen jetzt natürlich LL-FETs sein. Kann evtl. mal jemand eine Rückmeldung dazu geben?
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Controller schalten
Hallo, habe hier eine batteriebetriebene Schaltung, bei welcher ich gern aus Energiespargründen mehrere Controller (welche selbst keine Energiesparfunktion besitzen) per P-Kanal Mosfet von Vcc (mittels Logik-Pegel von einem Atmega) abtrennen möchte, wenn diese nicht benötigt werden. Ich habe mir dazu diesen Winzling rausgesucht: IRLML2246TRPbF. Wäre der für diese Aufgabe geeignet, bzw. gibt es einen Fet der hierfür besser wäre? Es müssen ca. 10 mA geschalten werden.
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Suche einfache Möglichkeit 24V 6A DC zu schalten
der BUZ10 hat D G S S mit Masse verbinden OK D mit Druckkopf ? G zum schalten G direkt schalten oder mit vorwiederstand ? gruß Per
Laut BOM ist der FET ein AOD522
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LED Matrix mit FETs ansteuern
allerdings noch recht schwach. Wenn man auf 8kHz Framerate hochgeht wirds dann schon deutlicher. Mit FETs wäre das - passende Treiber vorausgesetzt - weniger problematisch, da sich hier keine Raumladungszone herausbildet, dafür hat man halt die Gatekapazität. Wenn man FETs direkt mit dem AVR steuern will
so rund 10-100 Ohm vorm Gate ganz gut (je nach Frequenz). Mit 100 Ohm überlebt ein AVR sogar tote FETs mit durchgeschlagenem Gateoxid bei 12V.
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PWM mit IRF9362PbF
" nicht mit 12V modulieren sodern "LIN_BUS" auf Masse > moduliert ziehen. Du musst Low-Side schalten? Wer liefert denn das FET_CNTL Signal? Und mit welcher Spannung wird der betrieben?
nicht mit 12V modulieren sodern "LIN_BUS" auf Masse >> moduliert ziehen. > > Du musst Low-Side schalten? > > Wer liefert denn das FET_CNTL Signal? Und mit welcher Spannung wird der > betrieben? Genau, ich muss richtung masse schalten. FET_CNTL geht direkt an einen GPIO. hinz schrieb
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Gold-Cap < 1F laden
Innenwiderstand, kleinere entsprechen mehr. Da fällt wohl an dem 300R nicht mehr ausreichend Spannung ab, den FET durchzuschalten. Die Spannung sinkt auch nur langsam, das kann je nach Laststrom den FET killen.
langsam aber sicher den Akku leerziehen würde. Die Relais sind > im Dauerbetrieb und über die Schalter wird dann links oder rechts > angesteuert. Die Schaltung im Bild frißt keinen Strom, wenn der Schalter in Mittelposition ist.
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Schaltregler entwerfen 150A, von 12V auf 6V Gesperrt
welchem Verhältnis das zu den Kosten des Schaltreglers ist, ist noch nicht bekannt. Wenn ich nur 8 FETs und schnelle Dioden und Widerstände kaufen muß... Gruß
Speicherdrossel nötig wäre. Der Tiefsetzsteller wird einfach aus 10 parallelen Schottkydioden und 10 parallelen FETs gebaut. Für die FEts gibt es Steuer-ICs mit mehrfachen Ausgängen. z.B. 5 Treiber ICs mit je 2 Ausgängen steuern die 10 FETs. Beim Tiefsetzsteller sterben beim Versagen der Ansteuerung keine FETs und