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Multiplexschaltung mit Transistoren oder MosFETs bei 18V 3A?
anderen MosFET, der noch besser geeignet ist? Wenn ja, warum? Nach meiner Recherche sind die meisten MosFETs wegen der niedrigen Vgs weggefallen, da ich die ja ansonsten stark reduzieren muss. Wäre es ggf. auch möglich einen 2V Vgs MosFET mit 18V kurzzeitig anzufeuern? Vielleicht kann jemand mir eine
Jepp. So läuft alles über die Diode, die in den Mosfets drin ist ;) Die Schaltung beruht darauf, daß die Mosfets alle Plus schalten und Minus von einer anderen Zündleitung kommt. Daher auch der Hinweis im Plan, daß an den (eingezeichneten) Ausgangsklemmen
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H-Brücke mit 100% Duty-Cycle
Danke Matthias für die schnelle Antwort. Leider soll/muss ich N-Kanal Mosfets verwenden. Du schreibst, dass das Gate des Highside Mosfets zu viel Spannung sieht. Das hab ich mir auch schon überlegt. Wäre es möglich die Ladungspumpe auf Source des Mosfets zu legen? Dann würde
CONT-Eingangs messe, liegt hier eine Spannung von 14,4V an. An Vcc liegen bei schaltendem Highside Mosfet 30V an. Das passt dann doch? Noch eine weitere Frage: Die Pulldown Widerstände der Mosfets, sind diese notwendig bzw verbessern diese das ansprechverhalten der Mosfets? So wie ich es verstanden
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Mosfet BS250 - Gibts sowas ohne Diode?
So ging's mit zwei Mosfets ziemlich einfach. Hab's aber nicht ausprobiert, möglicherweise steckt ein Denkfehler drin. Idee: Das Potenzial an den verbundenen Sources liegt unabhängig vom Schaltzustand der Mosfets immer
Wandler ausschaltet und sich somit der MOSFET sperrt. Dann wäre der Akku getrennt und eine Tiefenentladung würde vermieden werden. Das N-MOSFET ist ein LogicLevel-FET. Habe ich nen Denkfehler oder läuft das so?
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Peakleistung
aus. Dann wäre noch die Frage: Wo kann ichdie Wärmekapazität ablesen bzw. wie ist sie z.b. bei Mosfets/Transistoren angegeben? Danke für die Antwort. Viele nette Grüße Mr Pik
Ausführungen - nein. Achja - die Verlustleistung berechnet sich aus I und U, die gleichzeitig durch den Mosfet gehen, bzw. am Mosfet anliegen. Es nützt also nix, wenn Du die Spannung im Auszustand mit dem Strom im Einzustand verrechnest - das ist nicht die Verlustleistung - das ist höchstens die Schaltleistung
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Ausgangsübertrager HF Verstärker
https://de.wikipedia.org/wiki/Kaskode "Darstellung eines Dual-Gate-MOSFET BF981, der eine integrierte Kaskodenschaltung aus zwei MOSFETs ist."
Jörg W. schrieb im Beitrag #7991397: > "Darstellung eines Dual-Gate-MOSFET BF981, der eine integrierte > Kaskodenschaltung aus zwei MOSFETs ist." Der Transistor mag als Kaskode bezeichnet werden, wird es aber erst durch eine besondere diesbezügliche Beschaltung, welche
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P-Mosfet für Li-Ion-Spannung gesucht
Hey Danke! Kann man diese Schaltung nicht statt einem P-Mosfet (links) mit einem IGBT oder bipolaren-Transitor realisieren? Das gleiche auch für den N-Mosfet? Bin da nicht ganz so bewandert....
Nicht sinnvollerweise. Zumal die MOSFETs auch noch vertauscht sind.
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welcher MOSFET (?) als Treiber für RGB-Stripes
Danke schon mal für die Tipps :D Aber eine Chip mit mehreren MOSFETs in einem gibt es wohl nicht? Ein paar Chips mit 2 eingebauten MOSFETs sind im Wiki aufgelistet aber das ganze mit 3?
Such dir was anderes anstelle des MBI5030. Ein N-Kanal-MOSFET zur Ansteuerung von LEDs sollte am Gate einen Pull-down-Widerstand haben, damit die LEDs aus sind, wenn der MOSFET nicht aktiv angesteuert wird.
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Leistung regeln und begrenzen
ändert. Kapiert? R. F. schrieb im Beitrag #7122661: > Problem ist der Wirkungsgrad. Nimm einen MOSFET oder mehrere MOSFETS mit zusammen 1mΩ R_DS_(on). Bei 12V und 600W ergibt das einen Wirkungsgrad von 99.6% - fände ich jetzt nicht so schlecht. Es hat alles seinen Preis und wenn du 600W unbedingt aus
Spannungsabfall, PTC hätte den ebfs. (ob es PTC für 50A/100A (was immer nun stimmt) gibt?), bliebe noch Mosfet. Gibt sogar _einzelne_ (nix parallel) Fets mit wenigen 100 µOhm: https://www.mouser.de/c/semiconductors/discrete-semiconductors/transistors/mosfet/?number%20of%20channels=1%20Channel&rds%20on
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Spannungsregler parallel schalten?
Bestellbezeichung oder gibt es einen Link zu denen? Cyrill schrieb im Beitrag #7741072: > NPN-Mosfet realisieren? ... ein PNP haben? Zeig mal einen NPN oder einen PNP Mosfet. Also so einen, wo das so im Datenblatt steht.
Damit am Mosfet kaum Verlustleistung (Widerstand) auftritt muss am besten voll durchschalten, dafür sind manchmal 4-10V vonnöten, oder eben speziell digital-level Mosfet. Es gibt auch für den automotive Bereich highside
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Elektronische Last - Mosfet Treiber brennt durch
nicht tun, da dabei auch die Präzision verloren geht (höhere Offset-Spannungen) 2. Mosfet-Treiber nach den OP-Amp schalten. Da bin ich gerade dran. Ich kann keinen normalen Mosfet-Treiber nehmen, der einfach nur ein- und ausschaltet (die Mosfets werden ja im Linearbetrieb verwendet),
Sicher das du alle mosfets über eine Regelung betreiben möchtest???
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Verlsutleistungsabfuhr bei Mosfets
Hallo, ich habe eine Frage z den Angaben im Datenblatt eines Mosfets. Es steht, der Mosfet kann einen kontinuierlichen Drain Strom von 110A. Der RDSon liegt bei 4,2mOhm. Das Ergibt eine Verlustleistung von 50,82Watt Der Mosfet im D2Pack kann bei Platinenmontage auf
25°C eine Verlsutleistung von 30W abführen. Sollte also ausreichen. Aber nutzt mir das, wenn der Mosfet nur 3,75W abführen kann aber 30W verlustleistung erzeugt? Welche Verlustleitung darf der mosfet also maximal erzeugen...ungetaktet
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MOSFET SCHMILZT
Kühlkörper vorhanden? MOSFET nicht schnell genug geschaltet so das Umschaltverluste entstehen?
Auch bei höheren PWM-Frequenzen. Ein Blick ins Datenblatt schadet auch nicht, wieviel Strom der MOSFET bei 5V an der Gate kann.
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Leistungs Mosfets
Hallo, ich bin auf der Suche nach Leistungs Mosfets für einen Brushless Motorregler. der Akku hat 44,4V (12S LiPo) der Regler soll für ca. 120A Dauerleistung ausgelegt sein. Nun bin ich auf der Suche nach den passenden N-Kanal und P-Kanal Mosfets
Ok, dann werd ich das so versuchen. Kann ich an einem Ausgang vom IR2110 auch zwei oder drei Mosfets parallel ansteuern?
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suche MOSFET
Guten Tag, ich suche einen MOSFET, welcher bei 3v-3,8v voll durchschaltet. Anschließend sollen durch den MOSFET 5-6v bei 3,8A laufen. Geschaltet wird vllt maximal 2 Mal in einer Stunde. Könnt ihr mir einen passenden empfehlen
fernanda schrieb im Beitrag #2391234: > Anschließend sollen durch den MOSFET 5-6v bei 3,8A laufen. Besser ist, den MOSFET richtig durchzuschalten, so dass die Spannung eher bei 100 mV liegt. Bei 5-6V und 3.8A hättest du satte 20 W Verlustleistung.
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Mosfet Treiber?
stattdessen die 24V Glühbirnchen zu schalten, würde ich die LEDs einfach durch jeweils einen IRF3710 Mosfet ersetzen. Nun sagte mir ein Mitschüler, dass das so nicht geht und man für jeden Mosfet noch einen Treiber braucht. Warum das so sein soll, konnte er mir allerdings nicht erklären. Kann mir
für ein bisschen mehr Strom geeignet. Was würde denn eigentlich passieren, wenn an einem der Mosfets ein Kurzschluss entsteht? Geht das überhaupt? Oder stellt der MosFET mit seinem Ron immer auch einen Verbraucher dar?
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das sterben der Mosfet.
Guten Abend, ich verwende als Verpolschutz einen P-Canal Mosfet. Nun ist mir beim testen von 20 Platinen bei 3 der Mosfet gestorben. Ich habe aber keinen Plan warum. Mein verdacht ist das die Masseversorgung nicht ordendlich war. wäre das eine erklärung? An Kl15
sich mal von der im Schaltplan gezeigten exotischen Kreation für das Schaltzeichen eines P-Kanal MOSFETs trennen.
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Mosfet zerstört?
1 Ohm 5W Widerstand ausgetauscht. Im Moment wäre ein Strom bis 50A möglich einzustellen. Der Mosfet ist direkt mit dem Out Ausgang des OpAmp verbunden. Der Invertierte Eingang(-) des OpAmps ist mit dem 5W Widerstand verbunden. Das Problem ist das mein Mosfet nun dauerhaft durchschaltet auch
Spannung anliegt. Lege ich eine Spannung von 6 Volt ans Gate an, dann ändert es auch nix aber der Mosfet wird sehr heiß. Zwischen Drain und Source ist etwa ein Widerstand von 14 Ohm. Der Mosfet bleibt "heile" bis circa. 4,5 Ampere danach schaltet er voll durch und die 10 Ampere Sicherung am mein
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Schutz von MOSFET in 24 V Umgebung mit Lichtmaschine
Mosfet konzipiert und getestet ist. Vgs=10V dort ist ein klassischer Mosfet Vgs=5V ist Logic Level Wenn Du PWM machst, würde ich vorschlagen keinen Logic Level Mosfet zu nehmen, sondern einen klassischen Mosfet für Vgs=10V und dann einen richtigen Treiber. Z.B. TC4427A. Der wird mit 5V vom Attiny angesteuert und schaltet die 10 bis 12V für die Mosfet-Gates. Vorteil von 10V-Mosfets gegenüber Logic Level
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Grundlagen FETs
Chips). Integrierte MOSFET, z.B. in CMOS-IC haben aber in der Regel 4 Anschlüsse.
Beitrag #7329692: > Leider kapiere ich die Arduino-Schaltung immer noch nicht so ganz. Wenn du mit MOSFETs noch nie zu tun hattest, würde ich auch nicht ausgerechnet mit dieser etwas speziellen Schaltung anfangen. Normal hat man es zu 99% mit N-Kanal MOSFETs zu tun, das hier ist ein P-Kanal MOSFET. Und
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DC Motor "aktiv" bremsen
Einschaltung des N-Kanal nach der Abschaltung des > P-Kanal? 5 Violt Pegel liegen an. Der P-Kanal Mosfet wird ausgeschaltet, dann warte ich 5ms und schalte den N-Kanal MOSFET ein.
@ Kai (Gast) >Der P-Kanal Mosfet wird ausgeschaltet, dann warte ich 5ms und schalte >den N-Kanal MOSFET ein. Kaum. Denn damit schafft man sicher nicht 3kHz PWM-Frequenz ;-)
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Verstehe diese Schaltung (DC/DC für 50W LED) nicht
https://www.ebay.de/itm/273497702738?ul_noapp=true - Oder soll ich wie oben geschrieben einen Mosfet nehmen, z.B. so einen: https://www.ebay.de/itm/BUZ11-Transistor-N-MOSFET-50V-30A-75W-TO220/111061895051?hash=item19dbce078b:m:m0L75pC9sXvuoxvjUU651lA:rk:7:pf:0 Mit Mosfets habe ich bislang keine Erfahrung
Relais wie dieses hier wird: https://www.ebay.de/itm/273497702738?ul_noapp=true oder ob ich eine Mosfet-Lösung umsetze. Sofern die Mosfet-Lösung entscheidene Vorteile bieten würde, muss ich mich erstmal in das Thema einlesen, denn bislang hab ich keine Ahnung, welches Mosfet ich bräuchte.
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Microkopterelektronik für Grossmodell benutzen
1,6A, ich habe einen 2A-Transistor versucht, dieser brannte durch - na gut - nehme ich eben 25A Mosfets, die brannten auch durch. Ich habe den Mosfet einmal direkt an Masse und Drain vom Microkopter angeschlossen und einmal Masse und Gate vom Microkopter angezapft. Resultat: egal welche Anschlussart
es ist ein relativ grosser SMD-Teil, eigentlich sollte das ein IRFR024N sein, "FR024N" steht am MOSFET drauf. Bei dem X-UFO-Motor sind noch 2 "gelb eingewickelte), offensichtlich Speicherdrosseln, vor dem Motor eingebaut, könnten die das Durchbrennen der MOSFETS verursachen? Ich glaube die haben
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2x level shift in Reihe
soll der alte Hut? Und auch dein 2. Beitrag ist alt wie der Wald. Der OP HAT schon Pegelwandler auf MOSFET-Basis, und wenn die Chinesen keinen Murks gebaut haben, sind da auch die richtigen MOSFETs drauf.
, sondern der MOSFET wird gleichzeitig mit aufgesteuert! Klingt komisch, ist aber so. Kann man nachmessen oder simulieren. Siehe Anhang. Wenn gleich der MOSFET ein klein wenig schlechter aufsteuert, wenn er auf der 5V
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N-Canal MOSFET Modul
bei 1,7A Ja, wenn man falsch anschliesst, passiert so was. Lege deine Lampen nach plus und den MOSFET nach Masse, Dann klapp das auch ohne Relais. Wobei Lampen einen um 10 mal grösseren Einschaltstromstoss haben, darauf muss der MOSFET ausgelegt sein. Und man schaltet das Gate von 2 MOSFETs niemals
> muss der MOSFET ausgelegt sein. Wurde bereits festgestellt.
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Von 0,7..5,0V auf 1,8..2,0V und 2,7..3,0V / so energieeffizient wie möglich
Step-Up-Wandler aus. Sinkt die Batteriespannung unter 2,7V aktiviere ich den Step-Up-Wandler und schalte den MOSFET aus. Das Problem ist die Body-Diode vom MOSFET. Habe ich beispielsweise V(batt)=1,2V und V(in)=2,7V durch den Step-Up, so fließt ein Strom "rückwärts" über den MOSFET. Daher kam die Idee mit
abgefahrenes Raumfahrtprojekt wo jedes Gramm Gewicht tausende Euro wert ist? Mach nen Mini-StepUp (mit Mosfet als Diode) für die 3V. Wenn die Batterie genug Saft hat kann der einfach still sitzen und der Dioden-Mosfet ist durchgeschaltet. Der MC verträgt die 3V vmtl., du kannst aber ebenfalls ne Diode (Mosfet
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PV Messgerät: Fragen zur Schaltung und der verwendeten MOSFETs
Lösung? Unsere letze Frage bezüglich der Schaltung bezieht sich ebenfalls auf die verwendeten MOSFETs. Uns ist bewusst, dass es prinzipiell vier verschiedene Bauarten von MOSFETs gibt (selbstsperrend/selbstleitend; P-Kanal/N-Kanal) und man zwischen "high side-" und "low side"-Position der MOSFETS
1 im Datenblatt lässt sich ablesen, dass bei einem V_GS von 3,3V und Strom vo 4A ca. 0,3-0,4V am MOSFET abfallen. Das bedeutet eine anfängliche Verlustleistung am MOSFET von 1,2-1,6W, die innerhalb weniger Sekunden mit sinkender Kondensatorspannung absinkt. Hält der MOSFET das ohne Kühlkörper aus?
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Mosfets und Treiber für 3kW, 24V DC Motor
Autobatterien in Serie genutzt. Ich habe hier schon viele Beiträge gelesen, aber noch Fragen zu den Mosfets und den Treiber den ich verwenden will. Da der Motorstrom sehr hoch ist (Nennstrom 165A, beim Anlauf natürlich viel größer) möchte ich gerne mehrere (4 oder 5) Mosfets parallel schalten. Als
IR21844 ausgewählt. Ich bin mir aber nicht sicher, ob dieser genug Strom für 4 oder mehr parallele Mosfets liefern kann. Hat jemand Erfahrung, wie viele Mosfets parallel betrieben werden können? Im Anhang ist ein erster Schaltplan (im Logik-teil könnten hierbei noch Fehler sein). Datenblatt des IRFP4004
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MOSFET mit 100 kHz PWM ansteuern
Siehe [[MOSFET-Übersicht]]
Hallo, danke, die MOSFET-Übersicht kenne ich, aber ich weiß nicht nach welchen Kriterien man festlegt, ob ein MOSFET nun Logic Level ist oder nicht. Ich hatte nur in einem Thread gelesen dass die IRFL Logic Level sind, und
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Kühlkörperauslegung für einen MOSFET
> Warum sollte ich für die obere Hälfte der Schaltung einen > komplimentren Mosfet suchen? Weil die N-Kanal MOSFET's am Gate 10V mehr brauchen, als am Source Anschluss, was wiederum eine Hilfsspannung von 46V erfordern würden (Stichwort Ladungspumpe). Oder du nimmst P-Kanal MOSFET's
schnell die Mosfets ansprechen werden. Zur Strommessung plane ich einen ACS712. Liebe Grüße
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Labor Schaltnetzteil PSP1405 (Voltcraft) haut es immer die beiden IRF840 durch.
die Kollektoren der TL494-internen Transistoren an 5Volt liegen. Da ist es kein Wunder, daß die Mosfets nicht richtig geschaltet werden. Wäre es ein Impulstrafo für beide Mosfets, würde die Treiberstufe die Primärwicklung während der Totzeit kurzschließen, was die Mosfets abschalten und jeglicher Schwingneigung vorbeugen würde. Aber so... Gut geschaltete Mosfets brauchen bis ca. 100 Watt gar keinen KK.
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Mosfet für 80V/6A high-side
Spannungen/Strömen arbeite als das Mosfet ausgelegt ist? Kenn jemand vllt ein passenden Mosfet was ich da verwenden kann? Sonst werd ich weiter Datenblätter welzen;) LG
einem N-Kanal MOSFET. >Ich hab viele p-Mosfets gefunden die für Spannungen/Ströme von 100V/30A >ausgelegt sind, die könnte ich doch auch verwenden Ja. >Kenn jemand vllt ein passenden Mosfet was ich da verwenden
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DC-AC Inverter Schaltung
mit der Versorgungsspannung Vgd vom Gate Driver Vgs gesteuert wird? Denn wenn der Low-Side MOSFET durchgeschaltet ist, wird der Bootstrap-Kondensator auf Vgd geladen. Wird nun der Punkt zwischen den beiden MOSFET's auf Vcc gezogen summiert diese sich dazu (Vcc+Vgd=Vg).
MOSFET-Treiber können das schon von sich aus.
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[S] Mosfets D8P05 und D14N05
Hi, suche jeweils 2-3 der o.g. Mosfets. Diese sind in einer H-Brücke geschaltet und leider defekt. Habe es mit anderen Mosfets versucht, aber die Schalten zu langsam und deswegen gibt es einen kurzen Spannungseinbruch der den angeschlossenen
Werk 20 Jahre so funktioniert. Und nun sind die beiden Mosfets leider defekt. Anbei ein Bild der beiden defekten Mosfets.
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Kühlkörper und Lüfter für Leistungs-MOSFET in elektronischer Last
http://dareal.info/test/ Man muss bei sowas immer abwägen: - größerer Kühlkörper? - mehr MOSFETs? - besser MOSFETS? In deinem Fall würde ich entweder zu mehreren oder halt besseren MOSFETs raten. Bei 75W einen riesen KK nutzen, nur weil man sich nen schlechten MOSFET ausgesucht hat ist schwachsinn
>In deinem Fall würde ich entweder zu mehreren oder halt besseren MOSFETs >raten. Bei 75W einen riesen KK nutzen, nur weil man sich nen schlechten >MOSFET ausgesucht hat ist schwachsinn. Ist leider Geschwafel. Denn die Waerme wird nicht verbraten wegen schlechten Mosfets
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Retarder Ansteuerung - IGBT oder MOSFET?
Für 96V und 32A ist ein MOSFET optimal. https://www.mikrocontroller.net/articles/Transistor#Wann_setzt_man_einen_MOSFET.2C_Bipolartransistor.2C_IGBT_oder_Thyristor_ein_.3F
Gedanken um eine Schutzschhaltung machen, damit nicht der Prozessor abraucht, wenn der MOSFET doch mal kaputt geht. Den Treiber und MOSFET kann man schnell tauschen.
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Widerstände berechnen und Schaltung verstehen
. 2. Der MOSFET ist richtig ausgelegt was ID und UDS angeht. 3. Die abfallende Leistung am MOSFET sind 3A^2 * 0.077Ohm = 0.63W Kann man das auf die Platine abführen oder braucht man eine externe Kühlung?
am MOSFET sind 3A^2 * 0.077Ohm = 0.63W > Kann man das auf die Platine abführen oder braucht man eine externe > Kühlung? Wie schon gesagt, 0.077Ω sind für einen MOSFET nicht gerade wenig. Es gibt welche, die
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Superkondensator in < 1 Min laden
Oder könnte man das evtl. ausschließlich mit N-Kanal-Mosfets realisieren? Vielleicht habe ich irgendwo wieder einen Denkfehler.
wegen der Offsets der Ausgaenge. Die Schaltung kennt aber nicht den dritten Zustand, dass alle Mosfets geschlossen sind.
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SiC MOSFET schnell (28 MHz) schalten
überschlagsmäßig 6 ohm. Es entsteht also 1/3 der Verlustleistung im Treiber und 2/3 der Verlustleistung im Mosfet. Es gibt auch "Minikühlkörper" die sich auf ICs kleben bzw. Spannunen lassen.
DSC_0275: jeweils von links nach rechts kommt der DC/DC, dann der LT1721 usw. Zwischen den BUK-MOSFETS kommt eine SMB-Buchse nach unten als Ausgang. DSC_0273: Die Gatesignale direkt an den BUK-MOSFETS aufgenommen, man sieht auf dem Foto die Messbuchsen. Eingangssignal: 10 MHz Sinus mit 50 mV an
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Potentialfreie Spannung aus einer Gleichspannung
eines EEPROMs müssen Programmierspannungen an die Speichermatrix geschalten werden. Dabei werden 5V Mosfets verwendet um +12V, -12V und GND an einen Punkt zu schalten. Also müssen die Mosfets insgesamt 24V abkönnen. Das geht nur über eine Kaskode und in der Simulation funktioniert das auch. Probleme bereiten
im Beitrag #3184501: > Das wird aber schon seit Jahren in EEPROMs eingebaut Ja sicher, mit HV-Mosfets. Die die Spannungen abkönnen.
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Transistor Belastung
> Ich benutze gerne den MOSFET... > Wenn ich jetzt alles richtig verstande habe sollte der MOSFET... Haha, zwei Dumme ein Gedanke. Ich denke, der IRL2703PBF ist auch ok, kostet aber viel mehr als der IRLU024N. > RDS(on
Der Vergleich hinkt, denn der BC337 ist kein Mosfet.
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Collector emitter saturation voltage ?
Der erste Denfehler ist schonmal, den MOSFET nicht als Transistor betrachten zu wollen. Schließlich hat das T am Ende ja auch so seinen Sinn. Zweitens: "keine Verluste" gibt's nicht. Auch bei Mosfets als Treiber. Ansonsten brauchen Mosfets
frage mich, warum man als Gate-Treiner eigentlich Transistoren > einsetzt, und nicht ganz kleine Mosfets? Ich ergänze, was Jens schon schrieb: a.) MOSFETs brauchen eine gewisse Gate-Spannung (gegenüber den jeweiligen Sources). Daher muß eine einfache MOSFET- P-Ch- N-Ch- Kombination, will man sie
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Stroboskop mit Mosfet und Leistungs LED funktioniert nicht
Steuer- und Hauptstromkreis aufgeteilt. Durch die hohe Last wurde auch anstatt ein Transistor ein Mosfet eingesetzt. Genauer gesagt ein N-Kanal Mosfet um den Minus der LED zu schalten. Pull down und kleiner Vorwiderstand an den Gate Pol wurde auch eingesetzt. Allerdings schaltet der Mosfet dauerhaft durch
ist es vielleicht ein selbstleitender Mosfet, Verarmungstyp ?
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Auslegung Tiefpass für PWM-Signal
Das Schaltregler IC ersetzt nicht nur den PWM Generator, sondern meist auch die Gate Treiber für MOSFETs. Man hat also sozusagen die Wahl zwischen µC mit schnellen PWM + Halbrücken IC oder schneller DAC + PWM Generator + Halbrücken IC oder DAC + Schaltregler IC + 2 einzelne MOSFETs
Für die extra H-Brücke zum Umpolen passt die Brücke aus 4 N-Kanal MOSFETs schon, denn eine Hilfsspannung wird man so oder so brauchen. Die Brücke aus N und P Kanal MOSFETs bräuchte halt eine negative Hilfsspannung für die P-kanal MOSFETs, wenn die Spannung klein ist.
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Relais durch PWM steuern
Es gibt auch spezielle DC-Lastrelais, mit MOSFET statt TRIAC. Sicherlich besser geeignet, wenn überhaupt.
Besten noch durch Elko gesiebt. Der 10kOhm-Widerstand dient zur Entladung der Gate-Kapazität des MOSFETs. Der würde sonst immer eingeschaltet bleiben. Der 100 Ohm-Widerstand dient zur Strombegrenzung beim Einschalten des MOSFETs, da die Gate ja eine Kapazität darstellt fließen im Einschaltmoment relativ
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hfe beim Transistor
Wenn du 0,5A schalten willst, dann nimm einen Mosfet mit kleiner Schwellspannung (1,xV). Die nennt der Hersteller oft "Logic Level Mosfet". Da brauchst du nur einen Vorwiderstand zum Gate mit ein paar hundert Ohm damit der Logik-Ausgang deines uP nicht
dall schrieb im Beitrag #3042687: > A MOSFET will stay cooler under heavy loads but they heat up when you > switch them. If you're using an uC PWM output to drive them they can get > quite hot (output of uC can't switch a MOSFET very fast
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Lichtsteuerung über i2c - ULN2803A - S12-100
MOSFET ansteuern willst, brauchst du zwar keinen externen Pull-Up Widerstand, wohl aber einen 3,3V Logic Level MOSFET, der bei 3,3V U-GS schon SICHER schaltet. Die gibt es, aber meist nur in SMD. [[MOSFET-Übersicht
PCF8575 einen MOSFET ansteuern willst, brauchst du zwar keinen externen > Pull-Up Widerstand, wohl aber einen 3,3V Logic Level MOSFET, der bei > 3,3V U-GS schon SICHER schaltet. Die gibt es, aber meist nur in SMD.
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DC-DC Wandler für IGBT/MOSFET Treiber dimensionieren (Leistung)
? Google kaputt? Z.B. IR2125 und viele andere. https://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht#MOSFET-Treiber
Falk B. schrieb im Beitrag #7469095: > https://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht#MOSFET-Treiber Also ich bin die Liste der Treiber mal durchgegangen. Habe keinen Ersatz für den VO3120 mit Überstromabschaltung gefunden.
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Mosfet schaltet zu langsam aus
Pandora schrieb im Beitrag #5660014: > Soweit funktioniert das auch . Erstaunlich. Der MOSFET verträgt eigentlich nur 20 Volt am Gate.
, dann schaltet die Sache schnell und die GS-Spannung des Mosfet kann auch ganz leicht durch die Dimensionierung begrenzt werden.
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[Wikiprojekt] Studioblitz
> 3. Hast dua auch dran gedacht das das Gate im Notfall auch entladen > werden muss damit der MOSFET nicht durchgeschaltet bleibt? Welcher MOSFET? Der an den Kondensatoren? Das mache ich mit einem AVR.
an den > Leitungen durch die Leitungsinduktivität entstehen. Zwischen Gate und > Source jedes MOSFET gehört unbedingt eine 12V-Z-Diode, mit möglichst > kurzen Drähten angeschlossen. Sonst leben allein deshalb die MOSFETs > nicht lange, glaub ich. Durch die Induktion in den Gatekreis? Gut, dann
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N-Kanal MOSFET SOT23-3 LogicLevel Ugs 16V gesucht
Ich verstehe nicht ganz, warum willst du einen Logic-Level MOSFET mit 14V ansteuern? Nimm einfach einen normalen MOSFET.
H. H. schrieb im Beitrag #6689650: > Ach je, einen n-MOSFET wollte er auch noch so verwenden. :-) Daher wollte ich auch den Schaltplan sehen. Ich habe so etwas schon geahnt. An den TO: Zeichne Dir mal die genauen Spannungslevel rund um den MosFet (geschaltet