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Modernisierung Lötstation Ersa MS8000 - Ein Baubericht
> > Wat nu? Wie oft habe ich eigentlich den Leuten gepredigt, zum Ansteuern eines Leistungs-FET auch einen ordentlichen Gatetreiber zu verwenden? Und nicht einen Murks aus nem überforderten Transistor und ein paar Widerständen. Und dein FET mit einem Rdson von etwa 100 mOhm ist auch nicht grad
Ich hatte damals einen IRF4905 benutzt, -55 Volt, Rdson 20 mOhm, aber eben ein P-Typ. Leistungs-FET kriegt man am besten und schnellsten kaputt, indem man sich beim Schalten schön viel Zeit läßt, der Millereffekt macht's möglich. Im Ernst: gönne deinem FET einen richtigen Gatetreiber, der das Gate
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Hydrophon basteln
im interessanten Frequenzbereich) sein dürfte, würde sich anbieten, mit der Speisespannung einen J-Fet aus einem Elektretmikrofon zu versorgen, die Piezoscheibe an den FET, zwischen G und S zu schalten, so wie vorher die Elektretkapsel. Sollte dabei die Ausgangsspannung zu groß werden (der FET wirkt
Frequenzbereich) sein dürfte, würde sich anbieten, mit der > Speisespannung einen J-Fet aus einem Elektretmikrofon zu versorgen, die > Piezoscheibe an den FET, zwischen G und S zu schalten, so wie vorher die > Elektretkapsel. Sollte dabei die Ausgangsspannung zu groß werden (der > FET
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Mosfets direkt ansteuern? Gesperrt
Brushlessregler werden allerdings nicht für den Modellbau. Allerdings mit 60V und bis zu 50 A. Schalten kann ich die Dinger schon habe aber noch keine 60V/50A belasten können weil mir die Batterien fehlen. Deshalb nehme ich an bei 50A kann ich die FETs nicht direkt ansteuern. Im Moment verwende
zum MosFET-Treiber. Im Elektor 2/2006 ist ein Regler abgebildet und die PowerMosFET werden mit NPN und PNP Transitoren angesteuert. Warum nimmt man dazu nicht auch kleine FETs? Weil auch diese kleinen FETS
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Netzteil mit IGBT
Raimund Rabe schrieb im Beitrag #2514662: > Dann hätten wir viele 'Probleme' mit > Transistoren als Schalter in SMPS nicht. Also, ich hab damit keine Probleme und ich setzte die Dinger u.a. in einer Motorelektronik für 4 kWatt E-Motore ein. Bevorzuge allerdings MosFETs wg. der geringeren ROn.
Rabe schrieb im Beitrag #2514662: >> Dann hätten wir viele 'Probleme' mit >> Transistoren als Schalter in SMPS nicht. > > Also, ich hab damit keine Probleme und ich setzte die Dinger u.a. in > einer Motorelektronik für 4 kWatt E-Motore ein. Bevorzuge allerdings > MosFETs wg. der geringeren ROn
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Arduino Nano Störungen und Durchbrennen
FET zu tun - kurz: Es ist die falsche Theorie, um die Realität halbwegs abzubilden.
Fehler. https://www.mikrocontroller.net/articles/Relais_mit_Logik_ansteuern#230V_Netzspannung_schalten
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Energiearme Spannungsmessung mit MCU
Hallo, ich empfehle einen J-FET als Spannungsregler (kein Ruhestromverbrauch) und einen N-Kanal-FET im Spannungsteiler. Siehe: [[Batteriewächter]] Gruß Anja
Messung > an den ADC-Pin legt. Das ist natürlich richtig, der P-FET muß gesteuert werden. Ich mache das mit einem BC_irgendwas, weil ich nicht für jeden Sc**** FETs kaufen will. Aber ja, hätte ich dort einen FET genommen, könnte ich alle 15 Minuten für jeweils 2,x Millisekunden
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AKO Weidezaungerät reparieren
: Wenn die Impulse an "µC" noch ankommen, bau einen eigenen bipolaren Treiber mit nachgeschaltetem FET da dran.
Gate-Souce-Spannung des Endstufen-MOSFET, > die muss steile Flanken haben. Wie ich schrieb, dabei raucht mir der FET ab.
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zwischen zwei Akkus umschalten.
pdfs.nsf/www/FDA217.pdf/$file/FDA217.pdf Auch der hat einen floatenden Ausgang, mit dem du antiserielle FETs schalten kannst. (Du musst nur genügend Geduld aufbringen, weil die Schaltzeiten eher gemütlich sind.)
home/pdfs.nsf/www/FDA217.pdf... > Auch der hat einen floatenden Ausgang, mit dem du antiserielle FETs > schalten kannst. (Du musst nur genügend Geduld aufbringen, weil die > Schaltzeiten eher gemütlich sind.) Also Potentialfrei klapp schon mal wunderbar!!!! Danke Horst und Achim. Gibt es ein
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High Side Ansteuerung
wen ich den TL494 mit Externen 12-24v versorge (von einen Printtrafo) kann ich dann den den Hige N-Fet direkt ansteuern ?
so Schaltung geht leider sind mir die fets ab geraucht(Isolierscheibe vergessen) es werden insgesamt 16 IRFZ460 für die H-Brücke eingesetzt man soll ja die Leitungen möglichst kurz halten, sind 10-20cm noch ok von den ir2110 zu den fets
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hilfe bei Transitorwahl
Wahl eines geeigneten Transistors. Ich möchte mit einem µC Lasten (LEDs mit PWM (200-400Hz)) schalten. einmal max 400mA und einmal max 200mA Bitte um eine Empfehlung für einen konkreten Typ, möglichst mit Erklärung warum. Was würdet ihr empfehlen, bipolarer Transistor oder (logic-Level) FET
auch größer oder kleiner sein, das hängt vom Durchsteuerungsgrad > ab. > >> Wie groß ist der bei FETs normalerweise? > FETs haben einen Rdson, der z.B. 0,1 Ohm ist. Mit einem Strom vom 1 A > ergibt sich ein Spannungsabfall von 0,1V. Das schaffen nur wenige > Transistoren. Das macht FET umso sympatischer
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BLDC - aktiver Freilauf
Ich habe zwei Screenshots angehängt: "Ohne_Freilauf": Dargestellt sind die Steuersignale der 6 FETs: - Ux, Vx, Wx sind die drei Motorphasen - H steht für High Side FET - L steht für Low Side FET - Spare 0 ist ein Debugsignal Die Abschnitte A bis F kennzeichnen den Beginn der BLDC typischen
auf. Nur am FET bleibt halt weniger über.
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60V~ 25Hz erzeugen (Telefonklingel) Gesperrt
Im Prinzip könnte man (ich beziehe mich jetzt auf die Schaltung von www.roboternetz.de) doch die Fets des linken und des rechten Teils jeweils mit einem Transistor gegen Masse schalten. Wenn man die Basis über einen Vorwiderstand an den µC schaltet, dann schaltet der Transistor durch und an den beiden Fet-Gates liegt 0V - wenn der Transistor nicht durchschaltet (Low am µC-Ausgang) dann liegt an den beiden Fet-Gates wegen dem Pull-Up-Widerstand jeweils die "Motor"/Klingel-Betriebsspannung an. Ist das
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Lampen mit größen Stömen schalten und dimmen
betrifft. Bei meinem kleinen Projekt möchte ich einfach verschiedene Leuchten über verschiedene Schalter und Taster schalten und ggf. auch dimmen können. Die Leuchten werden alle mit 12 V betrieben, der µC über einen entsprechenden Schaltregler (5V) versorgt. Für die kleineren LED's nehme ich ein IC,
für 12V nimmt man idealerweise MosFets, da die verlustleistung bei denen kleiner ist. logic-level fets (zB von IRF) können direkt mit dem microcontroller geschaltet werden, bei hohen PWM frequenzen und/oder non-logiclevel fets benötigst
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Meine erste Schaltung - Fehlt noch was? :)
differentieller bus is. evtl eine leitung parallel an einen externen interrupt. außerdem solltest du die FETs entweder gegen masse schalten lassen, oder N-typen nehmen, da hier sonst nicht viel schalten wird, weil du so eine viel höhere gate-source-spannung zustande bringst
also sperrt der MosFet wider. Danach beginnt das Spiel erneut. Also N-Kanal Mosfets zum Low-Side schalten benutzten. Dann liegt Source definiert auf Masse und deine 5V Gatespannung reichen zum sicheren Schalten. Willst
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Akku für Fernbedienung
an + hängen und dann von jeder Taste, über die Diode gegen Querstrom geschützt, an das Gate eines FET gehen. Wenn jetzt irgendeine Taste gedrückt wird, wird der FET eingeschaltet. Den verschaltest Du so, daß damit dann der µC versorgt wird und der µC aktiviert gleichzeitig einen weiteren FET der auch
auch noch gar keinen Versuch unternommen, Strom zu >> sparen, weil ich sowieso einen Ein-/Aus-Schalter einbauen wollte. > > Du baust das Ding doch komplett selbst, kannst also die Tastenmatrix > etc. selbst festlegen. Da braucht es eigentlich keinen extra > Ein/Aus-Schalter: Der Schalter ist
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High Side Power Switch gesucht
Erfahrungen oder Tipps, ob es eine gute Idee ist, in meiner Anwendung einen Leistungs-OPV als "Schalter" zu betreiben, indem ich die Eingangsspannung über den µC zwischen 0 V und 5 V schalte? Für Alternativvorschläge bin ich immer offen. Viele Grüße, Patrick
): "Optokoppler bzw. PhotoMOS ist toll, weil man damit wahlweise H- oder L-Side schalten kann". und dem habe ich entgegen gehalten, daß das gar nicht gefragt war. Der TE wollte nicht wahlweise H- oder L-Side schalten können. Er wollte ganz klar und eindeutig H-Side schalten. Das PhotoMOS
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Gesucht: P-Kanal MOSFET für höhere Leistungsanforderungen
schrieb im Beitrag #6538912: > Harald schrieb: >> Skizziere doch einmal, was Du eigentlich >> schalten möchtest > > Lüfter 12V oder 24V mit relativ viel Strombedarf per µC an und > ausschalten. Beispiel habe ich oben genannt. Wie wird der µC versorgt? µC Pin direkt an P-Kanal FET würde nur gehen
(fchk) > > Eure beiden Beiträge gehen in die gleiche Richtung. Ich kannte diese Art > von Schalter bisher noch nicht, nur die SSR für Wechselspannung. > > Ich schaue mir das auf jeden Fall mal genauer an, auch wenn hier ein > Chip relativ teuer ist. High-Side N-Fet Treiber gibts von vielen
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Mosfet Driver gesucht
300khz mit einen Schalter ? sportlich.
eigentlich damit geschaltete Transistor.< wie schon geschrieben, suche ich einen Treiber um die Fets bis etw 2MHz zu schalten. die Treiber die ich rausgesucht habe, sind nur ein Vorschlag. Was ist falsch? wie muß ich es richtig machen? Ich suche hier Hilfe und möchte mir hier nicht anhören "
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BLDC-Controller Modifizieren / Eigenbau?
Zu Stephans Frage mit den 15°: Ist das selbe wie die Zündwinkelverstellung beim PKW-Motor. Die FETs schalten die Spannung. Der Strom hinkt wegen der Motorinduktivität und der GegenEMK hinterher. Das soll die Frühkommutierung ausgleichen. Der Strom ist das entscheidende (Kraft erzeugende), nicht die
- FETs schalten langsamer, evtl. mehr Treiberleistung erforderlich.
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Once more: Welcher Treiber zwischen Optokoppler & Mosfet
richtig? a) Die n-channel FETs sind Low-Side Schalter, daher brauche ich Low-Side Treiber (="Treiber für Low-Side Schalter). b) Die n-channel FETs sind Low-Side Schalter, das Gate muss aber nicht gegen GND gezogen werden sondern
ist vollkommen falsch, ja. > Schritt 1: Was ist richtig? > a) Die n-channel FETs sind Low-Side Schalter, daher brauche ich Low-Side > Treiber (="Treiber für Low-Side Schalter). Ja. > b) Die n-channel FETs sind Low-Side Schalter, das Gate muss aber nicht > gegen GND gezogen
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Spannung von 90V reduzieren Gesperrt
verbraten'. Ein Typ mit niedrigem RDSon erzeugt nur > geringe Verluste im Volllastbetrieb. Ein MosFet verbrät das gleiche wie ein bipolarer Transistor wenn er als Längsregler dient. Dann hast Du noch das Problem, daß die meisten heute erhältliche Leistungs-MosFets für Schaltanwendungen gedacht sind.
voll durchzuschalten ist also auch > verboten? Nö, MaWin hat lediglich gesagt, daß man diesen MosFet in genannter Sourcefolgerchaltung nicht komplett durchsteuern kann. Die Ansteuerung wird hier etwas komplizierter. Mit der TL431 Variante würde dies allerdings gehen. Die SOA ist bei deinem MosFet
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LEDs per PWM flackern
leitungen mit einem querschnitt von 1,5mm² aufwärts 3,3V versorgung für so viele LEDs? mit 3.3V FET's schalten, deren Gate threshold Spannung bei 2.1V bis 4.0V liegt? wird dein FET höher-ohmig bei geringerer gatespannung hast du noch einen zweiten größeren Vorwiderstang ergo licht aus oder schwach. die Tinys machen den spannungseinbruch wohl noch problemlos mit, schalt mal die brownoutdetection an und setz die auf 2.7V ... vielleicht siehst dann ja schon den reset der tinys. es gibt logiklevel FET's aber deine gesamte schaltung der LED's ist ungeeignet, ach wenn
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Parallelisieren von MOSFETS
weil du keinen sauberen Schaltbetrieb machst. > > kannst du das genauer erklären? Vermutlich schaltest Du einfach zu langsam. Nimm statt des eher lahmem LM358 einen richtigen FET-Treiber. > >> treibe die Gates so, das die Unterschiede der schwellspannungen nicht >> ins Gewicht fallen. >
kein einziger FET in der Schaltung ...
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Miniaturrelais über Konstantstromquelle/Treiber ansteuern
aber schon: ich lese in Datenblättern zu Relais oft zwei Werte für den Strom: den zum Anziehen/Schalten und den Haltestrom. Wenn man nur den Haltestrom durchlässt, mag’s nicht so ganz zuverlässig schalten.
Wenn man aber eine PWM-Regelung vors Relais schaltet, fällt bei PWM 100% nur die Restspannung am Schalter an. Wird für den Schalter ein FET verwendet, sind das nur wenige mV.
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FET-Vorverstärker
Was sagt dir Dein Multimeter über die DC-Spannungen an G,D,S der einzelnen Fets?
Nachtrag: vergiss die oben verlinkten Schaltung, die mit aktiven Arbeitwiderständen (die oberen FETs) arbeitet, aber Grundlegendes zum Thema FET nicht berücksichtigt, und probier so was: http://runoffgroove.com/eighteen.html
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PWM-Motorregelung: Kollektives MOSFET sterben
einige wenige Ohm in die Gate Zuleitung zu jedem FET.
Wenn der FET beim Anlauf abraucht, muß man eben den Anlaufstrom reduzieren. Das geht ja auch gut per PWM. Aber das wird nicht wirklich das Problem sein. Im Kfz schalten 30A FETs problemlos Lüfter, Wischermotoren
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Mosfet-IGBT Cascode -geht das?
entsprechenden Spannungsfestigkeit von 600V zu hoch für diese >Ströme wird. Mehrere parallel schalten?
Betrachtung einer Parallelschaltung von IGBT mit Superjunction wie dem C7) bei allen Vorschlägen die Schalt- und Leitverluste (Treiberleistung und -verluste außen vor) im Hard-Switching, ZVS, und ZCS durch. Und ja, beziehe dabei Deine o.g. sequentiellen Schaltvorgänge (FET ein, danach IGBT ein, IGBT aus
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FET Empfehlung
sparen, und z.B. das dogm Display ggf. komplett von der Spannung nehmen. Ich benötige also einen FET, über welchem im durchgeschalteten Modus am Besten keine Spannung abfällt. Der FET sollte erst schalten wenn der uC den Portpin schaltet, und nicht schon wenn die Spannung langsam ansteigt (0V -> 3V). Ich denke, hier müssten noch 200uA Einsparung möglich sein. Der maximale Strom durch den FET sollte nicht über 20mA kommen. Leider finde ich im Forum keine logic-level FETs für meine Anforderung. Könnt Ihr mir einen FET empfehlen? Danke und Gruß!
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Diskreter Fet Treiber
wird das indem du entsprechende Totzeiten zwischen dem schalten der beiden Transistoren berücksichtigst.
so richtig > "flott" aus und somit erzeugst du masiv Schaltverluste wenn du unter > Leistung schaltest. Naja bisher schalte ich direkt vom ATMega- Pin über einen 100 Ohm Widerstand. Da wird die Schaltung doch bestimmt schon was bringen, da ich erstens mit mehr als nur 3.3V schalte und zweitens
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Bidirektionaler Schalter - Reihenfolge egal?
Hallo zusammen, ich möchte zwei FETs antiseriell schalten um in beide Richtungen zu sperren. Gate and Gate ist klar, aber ist es egal ob Drain an Drain oder Source an Source? Gibt es bei einer der beiden Varianten Vor- oder Nachteile
cells-in-series-bms-pcm.jpg Dort geht doch wenn ich das recht sehe der Ladeeingang-Minus "C-" via (source FET drain) an "P-" und weiter via (drain FET source) an "B-" Batterieminus, also drain an drain... (bestückt sind z.B. IRFB4410 N-FETs) Oder wo ist da mein denkfehler? Schöne Woche euch allen.
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Hilfe bei zwei Schaltungen mit MOSFEF Hi-Switch und LED Ansteuerung
unterschiedliche Vorwiderstände brauchst, dann kannst du den höherohmigeren direkt vor die LEDs schalten, und dem dann mit einer Schottkydiode in eine Richtung einen zweiten Widerstand parallel schalten.
aber wohl auch eher diskret rangegangen. Nur anstatt des BC337 hätte ich > eher einen Kleinsignal-FET wie den BS170 genommen. Die Widerstände > vielleicht einen Faktor 10 hochohmiger. Zenerdiode eher 12V, z.B. ZF12; > mehr aufreißen muss man den FET sowieso nicht. Clamping ist auch > verzichtbar,
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Türklingelschaltsignal an ESP anschließen
die Klingel auch noch mit 1,5V, wenn ja dann einfach ein Optokoppler mit den Taster in Reihe schalten.
eine Hirngespinst (ungetestet): Ich hätte da auch noch eins, ohne Schaltplan: Einen N LowLevel MOS-FET über den Taster. Solange da Spannung liegt, ist der offen. Man muß gucken, bis zu welcher Spannungs-Untergrenze der Gong noch spielt und ob der FET da noch offen genug ist.
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Widerstände berechnen und Schaltung verstehen
Ich würde folgende Änderungen durchführen: - R4 gegen Ground schalten - Q2 mit einem Emitterwiderstand versehen, an dem im durchgestalteten Zustand von Q2 1V am Emitterwiderstand abfallen (der FET schaltet bei 1 V noch nicht durch). Damit wird verhindert, dass Q2 in
Selbstinduktionsspannung am Motor rascher abzubauen https://www.electronics-tutorials.ws/de/transistoren/mosfet-als-schalter.html#Einfacher_Leistungs-MOSFET-Motor-Controller, auch kann es notwenig sein eine Diode zwischen Motor und FET zu schalten, da sonst die Induktionsspannung von der Substratdiode des FETs geklammert
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BUZ11 Freilaufdiode nicht nötig !
Da der Plan... Da wo der Schalter ist soll die PWM hin...
Wenn ich Drain vom Fet an + mache und den Motor zwischen Source und - dann liegt doch die Inversdiode im Strompfad der Induktion des Motors. Also in dem Zustand das der Fet abgeschaltet ist und Der Motor aber immer noch
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Transistor als Schalter
oder falls du die Last an 24 Volt schalten willst: Statt der 10 k am Kollektor die Last reinhängen. Bei induktiver Last die obligatorische Schutzdiode nicht vergessen. Ach und das würde dann nicht invertieren...
Statt [[Transistor]] (Steuerstrom erforderlich) könntest du einen [[FET]] (Steuerspannung erforderlich) benutzen.
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Spannungsteiler einschalten
Transistoren über 1mA verbraten. Dann war mein Gedanke, alles mit MOSFETs zu machen also prinzipiell PNP/P-Fet um Spannungsteiler einzuschalten und NPN/N-Fet um PNP über µC zu schalten. Dann fiel mir ein: Gibt es da nichts fertiges? Also Günstig und wenig Bauraum wäre cool. Schalten mit TTL-Pegel, Schaltspannung
das nicht. > Dann war mein Gedanke, alles mit MOSFETs zu machen also prinzipiell > > PNP/P-Fet um Spannungsteiler einzuschalten und NPN/N-Fet um PNP über µC > > zu schalten. Wenn Du die beiden Betriebsmodi durcheinanderwirfst, reichen hier auch PNP-/NPN-Transistoren. > Dann fiel
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FET für geringen Spannungsabfall
Hi, ich möchte 3,3V möglichst verlustfrei schalten. Bipolare Transistoren haben mir einen zu hohen Spannungsverlust, so dass eigentlich nur FETs übrig bleiben(?). Auch die haben ja je nach Typ einen relevanten Widerstand. Ich werde so circa 60-100mA
@ Holger B. (holgerbri) >ich möchte 3,3V möglichst verlustfrei schalten. Geht nicht. Bestenfalls verlustarm. > Bipolare Transistoren >haben mir einen zu hohen Spannungsverlust, so dass eigentlich nur FETs >übrig bleiben(?). Kann sein. > Auch die haben ja
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Mosfet schaltet ungewollt ein
Induktion. Bei 100k als PullDown kann sich da schon mal ein wenig Ladung ins Gate verirren, die dann den FET schalten lässt.
> Bei 100k als PullDown kann sich da schon mal ein wenig Ladung ins Gate > verirren, die dann den FET schalten lässt. Welchen PullDown Widerstand soll ich verwenden um das Problem zu umgehen? Sind 10k noch zuviel oder 10mal besser als 100k? Danke fuer deine super Hilfe!
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Eigenen Chip produzieren. Kosten
Ein Fet mt Milliohm Kanawiderstand ist kein Copypaste Produkt, das man mal schnell in ein design kopiert. Da muesste man mit einem Hersteller eines solchen FET kontakt aufnehmen und die werden dann keine multiproject
Wenn es um eine Gruppe von SMD-Fets im DIL-Gehäuse geht kann man sich doch einfach eine Platine im DIL-Format (evtl auch mit Aluminiumkern) herstellen und mit den FETs sowie Stiftleisten bestücken lassen?
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Arduino V+ (12v/5V) mit p-Type MOSFET schalten lassen?
zu unterstützen kann man den Polyswitch auch mit den R thermisch koppeln. 3) Falls der FET doch mal kaputt geht, muß er nicht den kleinen Treiber-FET mitreißen. Also da auch z.B. 2,2k als Vorwiderstand zum Gate einfügen. Der Treiber muß ja nur paar mA schalten. 4) Der Gatewiderstand
vorgeschlagen, einen kleinen Bipolartrans.(npn) nehmen. Die sind gegen Störspannungen robuster. Bei FET kann schon schnell mal ein Gate durchschlagen wegen ESD. > Nachdem ich jetzt die „Scharf“-Spannung schalten kann brauche ich noch > ein wenig Hilfe für das schalten der Prüfspannung (5v vom >
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Spannung ohne Spannungsteiler messen
Axel S. schrieb im Beitrag #4672914: > Dann schalte den Spannungsteiler nur alle 4 Sekunden für die paar µs > ein, die die AD-Wandung dauert. Kennst du einen FET, der einen so niedrigen Leckstrom hat?
Georg G. schrieb im Beitrag #4672974: > Axel S. schrieb im Beitrag #4672914: >> Dann schalte den Spannungsteiler nur alle 4 Sekunden für die paar µs >> ein, die die AD-Wandung dauert. > > Kennst du einen FET, der einen so niedrigen Leckstrom hat? Jeder? Zumindest bei Zimmertemperatur
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Mosfet AC SSR, Trafo für Gateumladung (statisch schalten) - LTSpice
, ohne die dicken FETs.
gewünschte Ergebnis (5V, 100 nF in Serie). Es funktioniert jedenfalls: ein 5us-Puls schaltet die beiden FETs richtig durch (zusammen etwa 0,6 Ohm) bei 25 W Last. Strombedarf < 1 mA. Schalten nahe Nulldurchgang durch simples Warten auf den Flankenwechsel der Netzspannung via Megaohm-Widerstand an den Controller
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Pi mal Daumen Formel für FET gesucht
, die der FET in der Zeitspanne x maximal verträgt.
, halber Maximalstrom in der Schaltung → Maximaler Leistungspeak im FET beim Schalten. Wenn das bereits in das SOA-Diagramm passt, bist du fertig.
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mit 3V 300V schalten
Rechtecksignal. Hatte mir das so überlegt, dass ich die 300V mit einer Villiard-Schaltung erzeuge. Schalten will ich dann mit Transistor oder FET. Ist das egal was ich nehme? Ich hate mir das so vorgestellt, dass ich einen "Schalter" in reihe zum US-Transducer und einen parallel dazu schalte. Heißt der
Du die Endstufe mit z.B. 24V speisen und normale NF-Leistungstransistoren nehmen kannst. > Schalten will ich dann mit Transistor oder FET. Ein FET ist auch ein Transistor. "field effect transistor" > Ist das egal was ich nehme? Naja. Gehen wird beides; Schaltung muss halt passend ausgelegt
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100A DC Not-Aus für Modellbaumotor
schrieb im Beitrag #5695980: > evtl. Relais aus dem KFZ-Bereich, diese können die Lasten zwar schalten Nein, die können normalerweise nicht mehr als 30V schalten.
schalten als das Relais... Die Verzögerung, daß immer erst der FET schaltet, erledigt sich ja aber schon dadurch, daß Relais weit langsamer sind als FETs (!). Es funktioniert jedes AC-Relais mit 12VDC
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Mein erster 2.Quadranten Motor Steller (Halbbrücke)
Synchrongleichrichtung.2C_2-Quadrantensteller Oder ist das falsch ? Sonst könnte ich ein paar FETS nehmen und eine DICKE Freilaufdiode. Aber dann habe ich in dieser Verluste und mit dem zweiten FET spare ich mir das. Gruss, Jörg
> Würde der IR2184 10*IRFP2907 (5:5) schalten können Ich hab den EIndruck, als ob die die gar nicht schalten könen, sondern höchsten braten können. Denn so wie cih das Datenbaltt des IR2184 verstehe, werden BEIDE MOSFETs (highside und lowside
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LTspice Lineare FET-H-Brücke
Hallo zusammen Ich möchte gerne eine lineare FET-H-Brücke aufbauen. Da mir Transistoren oder Leistungsops einfach zu hohe Verluste haben, habe ich die FETs genommen. Meine Schaltung funktioniert sehr gut, solange ich sie Halb-Brücke mit einer in
Schalte mal einen FET mit mehreren 100kHz, dann bemerkst du die Schaltverluste... Aber wie schon mehrmals angetönt, muss ich die Schaltfrequenz mit so 100-120dB unterdrücken. Somit benötige ich ein Filter
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junction temperatur
Sourcewiderstände drin. Sowohl bei einem deutschen Fabrikat so gesehen als auch in einer APC SmartUPS. Die schalten die FETs einfach parallel. Allerdings sind die FETs dabei sicher jeweils aus einer Produktionscharge.
@ Andrew Taylor (marsufant) >Schalter-Betrieb : Da sollte man Widerstände vorsehen. Die FET schalten >(wenn man schnell schaltet) nie alle gleichzeitig ein/aus. Zudem machen >dann die Aufbauten (Leitungs-Induktiväten, etc.) die Sache
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Hohe Ströme aus Akku Entladen ?!
da man die mosfets nicht einfach so parallel schalten kann, wenn man die als einstellbaren widerstand zb in einer konstantstromquelle verwendet, muss man jedem mosfet eine eigenen messwiderstand und OP geben. bei dir wären das also schon mal 10 fets
Papstlüfter) können Verlustleistungen bis zu 250W abgeführt werden. An diesen Kühlkörper lassen sich FETs im TO220-Gehäuse direkt anschrauben. Die Gesamtverlustleistung von 216W auf mehrere FETs aufteilen (ca.6-8) Für jeden FET eine Stromsenke bauen mit eigenem Shuntwiderstand zur Einzelstrommessung
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PWM Spannungsregler
So also, den P-Channel FET den ich oben eingetragen habe, ist natürlich nicht der den ich verwende ich verwende den Komplimentären zu dem IRFZ34N ... der kann die Last locker schalten außerdem hab ich noch paar da, zur not schalt
Oder Wäre es besser, die Spule so zu schalten, ist glaube ich auch so wie avion23 das gemeint hätte, den PWM auf nen N-Channel FET legen, die Masse an die Spule schalten, während die Spule an + hängt. Aber trotzdem ist hier, das Bezugspotential