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Schaltung mittels Sensor und MOSFET/JFET Lösung ausschalten (lowpower)
Leistung verschwenden. Ich habe langsam keine Idee mehr, habe auch schon über die Verwendung eines JFETS nachgedacht, aber habe damit wenig Erfahrung. Ich würde mich sehr freuen, wenn jemand helfen kann! Liebe Grüße Shari
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MOSFET Datenblattangabe maximaler Strom und Kühlung
Diffusionszone. Interessanter weise haben die MOSFET aber eine Halbleiterbedingte Bodydiode! Die JFET nicht das stimmt soweit aber hier geht es um ein MOSFET
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Batteriestatus mit LED's anzeigen ohne IC
nicht getestet und ist auch nur eine ganz spontane Idee, aber eine Reihe LEDs und dazu je ein kleiner JFET sollte doch relativ scharfe Schaltpunkte für die LEDs geben. Die LED-Forwärts-Spannungen legen dabei die Schaltschrittweite fest. Nur ne Idee, könnte aber klappen...
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Optokoppler themperaturstabil?
recht niedrige PWM kein Problem ist, wäre ein OptoMOS noch eine Idee. Von Fairchild gibts einen JFET mit Optokoppler-Eingang. Hm. LDR wäre der direkt Weg. Sind allerdings auch stark temperaturabhängig.
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Suche Datenblatt NPN Transistor TJ373
René F. schrieb im Beitrag #6444492: > älter als 20 Jahre Eher 45 und könnte ein JFET sein.
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Spannung analog speichern
mit einem OpAmp mit Seriewiderstand und disconnecten mit einem ReedRelais. Lesen kann man mit einem JFet. Die Leiterplatte sollte auch entsprechend sein. Am Besten aus Teflon, oder Teflon Abstandshaltern fuer Leiter ueber der Leiterplatte. Das Ganze dann thermosatisiert in einer trockenen Atmosphaere.
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Ein- & Ausgangswiderstand bestimmen
Zeichnung/Aufgabe ist eine Emitterschaltung bzw. Drainschaltung. Source, Drain und Gate gilt für Jfet und Mosfet.
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n-Kanal FET für Halbleiterdetektoren
Achso, da geht es aber um einen JFET. Der funktioniert genau "andersherum" wie ein MosFet, bei 0V am Gate ist er leitend. Ladung am Gate macht die D-S Strecke hochohmiger. Das ist vermutlich was TO mit "invertiert" meint.
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Konstantstromschaltung
z.B: https://de.farnell.com/on-semiconductor/bf256b/jfet-n-kanal-30v-to-92-3/dp/2453364?rpsku=rel3:BF245A&isexcsku=false
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Identifizierung SOT23-5 Chip M6BG
M6B wäre MMBF5484 JFET.
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LTSpice KIQ-Simulation
Hallo zusammen Wie kann ich von einer KIQ-Schaltung (konstante Stromquelle, hier mit JFET) das Ausgangsdiagramm darstellen? Das Programm ist das LTSpice 4 (Freeware). Die Schaltung steht, nur möchte ich als Output die ohmsche Last in Funktion des Ausgangsstromes (I Drain = I Last).
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Signal von LM386 per µC an/ausschalten
die gerne vermeiden, da ich hier eigentlich nur einen Kanal benötige. Wenn ich einen Logiklevel Jfet nehme, kann ich mit diesen - direkt an einem µC Pin angeschlossen - das Signal schalten? Ich weiß nicht, ob der 2N7000 wegen der Diode gut geeignet ist. Viele Logiclevel sind im To220 Gehäuse und SMD
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[S]Bedrahtete oder SMD Z-Dioden <3V
Drain und > Source vorbunden! > > LT/AD haben dazu ausführlich Hints abgegeben. Du meinst JFET oder daraus aufgebaute Picoamperedioden. Die BAV199 ist schon nicht schlecht und du brauchst nur eine davon, aber mit sehr hoher trr bestraft. Arno Nachtrag: Es gibt OPAmps, bei denen der Eingang
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IR Empfänger Funktionsfähig?
sender mit ir power led´s. ir fotodiode oder fototransistor (mit tageslichtfilter). lc kreis. jfet als vorverstärker. tca440 als nachverstärker. schaltverstärker. die frequenz sollte so bei 100khz liegen damit der lc kreis nicht zu groß wird. ich würd mir aus der bucht die ic´s u806 und u807
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GaN-FETs: Wer kennt sich aus?
Und da steht auch "Enhancement Mode Power Transistor". Ein GaN-FET alleine verhält sich wie ein JFET (also normally ON, wird mit negativer Gate-Spannung abgeschaltet). Aber oft werden die GAN-FETs zusammen mit einem normalen N-Kanal MOSFET in einem Gehäuse untergebracht (das nennt man dann GaN Kaskode
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Induktive Aufladung: Last beim Aufladen trennen
auch stärker dimensionieren, dann braucht man 2 Transistoren weil invertiert werden muß, nur der JFET wäre selbstleitend.
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Elektrospinning 15kV Feld Schalten
Pockelszellen. Du kannst auch nach "A compact, high voltage 25kW, 50 kHz DC-DC converter based on SiC JFETs", lesen, das findest Du zb. hier: https://www.pes-publications.ee.ethz.ch/uploads/tx_ethpublications/aggeler_APEC08.pdf Viel Erfolg und laß von Dir hören wenn es läuft
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AGC 50mV - 2.5V: Realisierbar?
dimensionieren? ich finde zwar die passende Dimensionierung für den Oscillator... jedoch sind die alle ohne JFETs/MOSFETs...
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Transistor & Nixie
Verschiedene Möglichkeiten der Nixie-Ansteuerung mit Trans'oren: https://web.jfet.org/nixie-1/NixieTransistors.pdf Ich hätte auch gesagt, dass für die "Kollektorstromregelung" ein gemeinsamer Widerstand zwischen Emitter und Masse gelegt hört, weil hier ja kein Leistungsverbraucher
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Netzteil rausch- und brummfrei +/- 15 Volt ?
die höheren Frequenzen (z.B. > 10 kHz) wird dann ggf. die Induktivität wichtig und man sollte eher JFETs einsetzen, sonst macht einem das Stromrauchen der BJTs einen Strich durch die Rechnung. Von der Tendenz wären auch bei der Antenne mehr Windungen mit dünnerem Draht besser, insbesondere für FETs.
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Schalten durch sehr kurzen Impuls (Piezo)
normalen Transistoren zutun hatte, werde ich wohl jetzt nochmal die ganzen Sachen mit FET, MOSFET und JFET und was es da noch alles gibt lernen müssen. Ich habe gerade eine Conrad Lieferung mit 555ern bekommen, damit werde ich jetzt erstmal ein bisschen experimentieren... Viele Grüße, Adrium.
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Controller an Hausnetz spielt Scheibe
Q6 ist wohl auch eher kreativ gezeichnet, oder? Lass mich raten: das ist ein N-MOSFET, kein N-JFET 2N4416? So angesteuert fungiert der nämlich nur als Kurzschlussdiode. Dessen induktive Last hat hoffentlich eine Freilaufdiode. Dank Grünzeug statt ICs kann man nur raten, was welcher Pin ist, aber
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kleine Spannung verstärken mit nur +5V Ub möglich?
dann die Flussspannungen der Schutzdioden bzw. die Spannungsfestigkeit der Eingangsstufen (z.B. bei JFET-Typen ohne Schutzdioden, Stichwort Elektrometerverstärker). Nebenbei: ein Opamp interessiert sich nur für seine beiden Powerrails. Ob die Versorgung symmetrisch, oder mit einer künstlichen 0V, oder
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Digital Eingang für 9-32V
(Welche Geschwindigkeit soll denn erreicht werden?) via Konstantstromquelle, evtl. nur mit einem JFET Verarmungstyp, und in Reihe dazu einen Optokoppler zu beschalten? Die Ausgangsseite des Optokopplers kann dann mit dem internen Widerstand des µCs beschalten werden und es sollten Spannungstechnisch
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Aktive USB-Ladestation
drauf hinweisen!). Was haltet ihr davon? Was mir noch fehlt, ist ein selbstleitender MOSFET (oder JFET), der einen Strom von ~1A aushält (siehe '?' im Schaltplan). Fällt jemandem dazu was ein? Das originale 5V Steckernetzteil des Telefons liefert 1A. Da ich dieses aber nicht einsetzen will, habe ich
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Stromquelle im na-Bereich mittels Optokoppler
Relais nehmen müssen, für den etwas gröberen Bereich gehen dann ggf. gute CMOS Schalter, Photomos oder JFETs. Beim Entwurf der Schaltung sollte man auch den Schutz vor ESD und ggf. Fremdspannung (z.B. geladene Kondensatoren) berücksichtigen. Da bekommt man sonst ggf. störende Leckströme, die eine sonst
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Kleiner Quad-OPA gesucht
möglichst kleinen Quad-OPA, er dazu ein geringes Rauschen und relativ hohen Eingangswiderstand hat. ALso JFET/CMOS. Leider ist TSSSOP das kleinste was ich finde. Gibt es denn da nix kleineres?
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Eintakt-A-Endstufe mit FET
MOSFETs brauchen ja > anscheinend eine pos. Gatespannung... Was ja deutlich klüger ist. Den JFET kannst du vergessen. Den Trafo auch, den braucht man nur bei Röhren die eher wenig Strom und dafür eher viel Spannung abkönnen. So baut man das mit MOSFETs: http://www.passdiy.com/pdf/zenamp.pdf
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Übersteuerungen vermeiden
in Grenzen leisten. Soft clipping wäre auch ein Stichwort für dich Man kann sowas mit einem jfet im Signalweg lösen Klanglich sind das aber keine tollen Geschichten.
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Modellauto mit SMD LEDs beleuchten
Um die Sache noch etwas zu verkomplizieren könnte man mit zwei JFET jeweils eine Konstantstromquelle aufbauen, so dass beide LED-Zweige bei wechselnder Eingangsspannung (12V oder 16V) immer gleich hell leuchten. Aufmale n kann ich das gerade nicht.
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Abwärtswandler Effizentz-Problem
MOSFET, aha, also nicht wie gezeichnet ein JFET, und IRFR9024NPbF, aha, also nicht wie angegeben 2N5116. Wenn von dem Plan nichts stimmt, wie soll man dann beurteilen, was falsch ist ? Der Transistor ist falsch angeschlossen, der Ausgangselko
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einfache PWM-gesteuerte variable Verstärkung
entgeht Dir was. Mit FETs kann man sehr schön VCAs bauen, solange das Signal klein genug bleibt. Ein Jfet verhält sich unterhalb des Abschnürbereiches und bei kleinen DS-Spannungen wie ein steuerbarer Widerstand. Hier mal ein Beispiel, andere mußt Du Dir selber suchen: http://sound.westhost.com/project67
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LM324 vs. 2x 1458
Außerdem ist die Schaltung eh' noch in der Entwicklung und von MC1458 auf einen rauschärmeren JFET-OPV umzusteigen, ist gleichzeitig vielleicht noch eine zusätzliche Schaltungsverbesserung. Grüße Christoph
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AC Widerstand ( elektronisch )
Vielleicht hilft das weiter, jfet als Widerstand : https://www.vishay.com/docs/70598/70598.pdf
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Suche dünnes und kapazitätsarmes Kabel
//en.wikipedia.org/wiki/Negative_impedance_converter Bei 30 MHz kannst du den Opamp durch eine Jfet Schaltung ersetzen. Gruss, Udo
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Wozu die Isolationsschicht unter dem Gate bei MOS-Transistoren
MOS-Transistor ist. Die Oxidschicht beim MOSFET hat die gleiche Funktion wie die Sperrschicht beim JFET. Sie dient als Isolation zwischen Gate und Kanal.
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BF245 selektieren
Anhang ist ein Auszug aus einer Siliconix-AppNote. Ausserdem: http://www.geofex.com/ und dort nach JFET-Matching suchen. Arno
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DCF77 Modul Position von Pullup
Mikrofonkabel) begegnen. Ich betreibe z.B. nur den Ferritstab mit passendem Kondensator und einem JFET als Buffer über mehrere Meter Mikrofonleitung. Im eigentlichen Empfänger sitzt der Arbeitswiderstand - einfach um nicht noch eine dritte Leitung für VCC haben zu müssen. Geht seit Jahrzehnten problemlos
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NF-Frequenz-Zähler Pegelanpassung
ein Spannungsteiler (z.B. 1 M + 10 pF und 100 K + 100 pF) und dann erst ein Verstärker (z.B. ein JFET als Sourcefolger, oder ein DG-MOSFET als variabler Verstärker). An sich wird das ähnlich dem Eingang eines Oszilloskop - nur das hier Linearität und Rauchen eher nicht so wichtig ist. Für die Variable
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Operationsverstärker für Photodiode
Bandbreite hier keine große Rolle spielt. Wichtig wäre Singlesupply (3.3 V). Kann ich jeden beliebigen JFET-OPV (Bias current!) nehmen?! Für konkrete Empfehlungen und Tips wäre ich dankbar, da die Auswertung von Photodioden für mich Neuland ist und es dort viele Fallstricke gibt...
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Wien-Robinson-Oszillator, Amplitudenregelung
minimal. Die Widerstände müssen so dimensioniert sein, dass durch Veränderung der Gatespannung für den JFET der Spannungsteiler von knapp üner 2:1 auf knapp unter 2:1 gestellt werden kann und somit die Verstärkung von knapp unter x3 bis auf knapp ü+ber x3 geregelt werden kann. > Im Übrigen kann die Schaltung
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Zwischen 0V und einer 5%-1% genauen Spannung schalten
Versorung. Also kann ich keine invertierenden Verstärker benutzen. (Falls ja, könnte ich mit einem JFet und OPAmp schalten). Diskret aufgebaute Inverter haben, wie die integrierte Lösung den Nachteil das die Störsicherheit von der Spannung abhängt. Merkwürdigerweise ist die Erzeugung der Spannung durch
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LM334 - Konstanstromquelle
regelt das Ding bei niedrigem Strom extrem langsam. Ungenaue Stromquellen baut man aus einem JFET wie BF256 bei dem Gate und Source verbunden sind (so was heisst current regulating diode wie 1N5288), bessere aus Chips wie PSSI2021.
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IRF 7103 Anschlüsse ?
MOSFET symmetrisch (also Drain und Source >gleichwertig), Keine Sekunde. Das gilt bestenfalls für JFETs.
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Lastanpassung für Übertrager an Preamp Ausgang
www.vacuumstate.com/images_upload/gross/rtp5_rev_1_s.gif Zumal mein jetziger Vorverstärker auch mit so einer JFET-Kaskode mit 2SK147 und E88CC am Eingang arbeitet. Das würde quasi gedoppelt werden...
Masepunkt zu finden und nicht zusammen mit dem Massepin der Eingangsbuchse? Der Eingang hängt über den JFET und den Source-Widerstand an Masse über den zentralen Punkt. Das würde also nicht in der Schleife zwischen Ausgang und PE oder zwischen Ausgang links und Ausgang rechts liegen...
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Netzteilfrag zu geplanten kleinen PreAmp
bin doch wieder beim guten alten tl07x gelandet. zudem liegen die dinger haufenweise im schrank. jfet´s am eingang soll ja günstig sein. mfg
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TLC272 kaputt
davon ist, das die Ausgangsspannung rauf und runter sich bewegt, eben ja nach E-Feldsituation. Bei JFET-Eingängen ist das genau so. Vielleicht etwas weniger ausgeprägt. Bei BJT-Eingängen ist diese selbe E-Feldwirkung bestenfalls sehr schwach, ausser vielleicht beim LM858, bzw. LM324, bei denen es an
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I2C-Level-Shifting mittels N-FET
nicht symmetrisch aufgebaut. Zumindest kein Ottonormal-FET. Ich denke die Symmetrischen FETs heißen JFET. Ist auch egal. Habe nun Schottky-Dioden (1PS79SB70) parallel zu den FETs. Gruß Entwickler