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Suche günstiges Labornetzteil 400V
anstatt 400mA. Bedingt durch die Zwischenkreisspannung von ca.310V werden,bei Kurzschluß, pro MOSFET nur ca. 20W verbraten.
Coolmos C6: https://www.infineon.com/cms/de/product/power/mosfet/500v-900v-coolmos-n-channel-power-mosfet/600v-and-650v-coolmos-c6-e6/ Z.B. IPW60R041C6 ca. 1.2 A IXYS Linear-FETs https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/discrete-mosfets/n-channel-linear.aspx
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Verständnisfrage PWM und MOSFET
geringere Verlustspannung Uds. Und, wenn überhaupt, ab welchem Strom bräuchte man einen Kühlkörper am MOSFET?
Der MOSFET verhaelt sich am Gate wie ein Condensator, also wenn er leer ist zieht er viel Strom, deshalb wuerde ich ihn nicht ohne R an den uC Portpin haengen. Der IRFZ44 ist mein Standard uC-> MOSFET (logic
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Welche Bauteile sind das? (Laptop Keyboard funktioniert nicht)
ev sind das dual Mosfets von PanJit PJX138K https://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/523745/PANJIT/PJX138K.html
Thomas Z. schrieb im Beitrag #7202640: > Mosfets von PanJit Auf jeden Fall.
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Defekte Grafikkarte Nvidia Quadro M4000M
Der rechts TR7 könnte ein P-channel Mosfet NTR2101P sein.
Bestellt bei: Mouser Elektronik Deutschland Beschreibung: ON Semi Mosfet -8V 3.7 A P-Channel/MOSFET Herstellerteilenummer: NTR2101PT1G Mouser-Teilenummer: 863-NTR2101PT1G
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Rückstellbares Thermostat 12V 5A gesucht
so hoch sein wie nötig. Übrigens: ein MOSFET ist auch ein Transistor: FET = F_eld-E_ffekt-T_ransistor
Beitrag #6862743: > Macht es hier überhaupt Sinn, einen Transistor einzusetzen oder > ist ein MOSFET besser geeignet? Ein MOSFET IST ein Transistor. MOSFET steht für metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
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Magnetventil ansteuern
Ventilstrom zu steuern. Warum nimmst du keinen Logic-Level FET? http://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht#N-Kanal_MOSFET
Jetzt also doch Mosfet? Ok... Google nach "Logiklevel-Mosfet", die kann man mit 5V komplett durchsteuern. Siehe auch [[Standardbauelemente]].
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H-Brücke für Starter-Motor 325 A / 12V
erst mal herausfinden, es werden mehr als 700A sein, vermutlich 1000A. Klar, daß ein einzelner MOSFET den Strom nicht aushält. Aber glücklicherweise sind sie im Schaltbetrieb, da kann man sie einfach parallel schalten. So 10 50A MOSFETs nebeneinander, insgesamt 40. Nun noch die Ansteuerung: Sie
MaWin schrieb im Beitrag #3308732: >[...] So 10 50A MOSFETs nebeneinander, insgesamt 40. [...] Sind vielleicht IGBTs besser?
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Erste Platine. Alles ok?
meine erste Platine Du hättest vielleicht vorher den Schaltplan begutachten lassen sollen. Ein MOSFET kann den Strom durch eine Spule (bei dir 470uH/1A) nicht einfach ausschalten, die Spannung an der Spule steigt dann so weit, BIS das 1A wieder fliesst, auch durch den abgerauchten MOSFET hindurch.
nen 100nF o.ä. zur entstörung wenn die 12V direkt aufs board kommen und nochmal einen direkt am MOSFET sollte ich einbaun.
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Motorischer Wahnsinn
, was >>datenblatt: welche mosfet?? zb 200ns dauert. dann machts peng in den mosfet, da kann der motor nix dafür. bauernregel: brems-mosfet langsamer einschalten !!!! dann gehts.
oder RC-Reihe über den MOSFET. Der Kondensator nimmt die Ladung auf. 2.2nF 100Ohm
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Arduino Nano Störungen und Durchbrennen
Hans W. schrieb im Beitrag #7872894: > Die MOSFETs haben auch keinen Gate Vorwiderstand. Habe ich noch nie gemacht, 24V schalten ist Pillepalle. Erst bei 300V oder ner PWM ist sowas nötig, aber dann auch mit Treiberstufe.
Beitrag #7873278: > Anbei mal der neue Schaltplan Die Ansteuerung der Relais und der anderen MOSFETs ist Murks.
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Raspberry Pi AUsgangsspannung
and 1-2V for lower voltage, logic-compatible devices with thinner gate oxides." (Aus den MOSFET Basics von Infineon)
Jetzt steuerst du dein Gate mit 12V an. Prüfe, ob der MOSFET 12V verträgt.
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Elektronische steuerung von 3 Relais.
aber dann sind ja die Löcher umsonst gebohrt... BC817, oder halt IRLML6244, wenns unbedingt ein MOSFET sein soll.
10V UGS garantiert, Das ist wahrlich merkwürdig, schon weil Vgs(th) dort im Bereich eines LL-MOSFET liegt.
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Logic-Level MOSFET mit niedrigem R_DS_ON für 24V PWM Dimmer
einen PWM Dimmer für 24V LED-Arrays und LED-Streifen bauen. Dafür bin ich auf der Suche nach N-Kanal MOSFETs, welche bei Ansteuerung mit 3,3V einen möglichst niedrigen R_DS_ON aufweisen. Kennt von euch vielleicht jemand geeignete MOSFETs mit guten Leistungsdaten für diese Anwendung? Besonders hinsichtlich
SMD Packages wären aber auch in Ordnung. Die PWM-Frequenz wird ca. 200Hz sein und der Strom pro MOSFET maximal 5A bei 24V. Gibt es MOSFETs, welche bei einer Gate-Spannung von 3,3V einen R_DS_ON von 10mOhm oder weniger aufweisen? Oder ist das unrealistisch? Meine Suche war bisher leider noch recht
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Fünf Pumpen mit PiPico Steuern
es Alternativen mit weniger Verlusten und sicherer 3,3V TTL- > Ansteuerung? Ein Logic Level MOSFET, der mit 3,3V sicher schaltet. Z.B. SI2302DS, IRF7401 und viele andere. SIehe [[MOSFET-Übersicht]]
0Td0xw1xx54KJwvOxz7exgo0UpVoVU1hv8xoC_EoQAvD_BwE Falk B. schrieb im Beitrag #7402023: > Ein Logic Level MOSFET, der mit 3,3V sicher schaltet. Z.B. SI2302DS, > IRF7401 und viele andere. > > Siehe MOSFET-Übersicht Danke :) das sieht gut aus, werde ich mal durchlesen. Ein IC wie der ULN mit MOSFET- Technologie
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(AVR) Attiny85 PWM
Du hast zwischen dem Pin des MCU und dem Gate des MOSFETs einen 330Ohm Widerstand vorgesehen. Damit verhinderst du, dass der MCU durch einen zu hohen Strom überlastet wird - das ist gut. ABER, ein schnelles Umschalten des MOSFETs wird die mit ein paar Milliampere
MOSFETs wird die mit ein paar Milliampere Gatestrom nicht > gelingen. Für eine PWM solltest du m.E. schon einen MOSFET Treiber vor > das Gate schalten - entweder als IC oder diskret mit einzelnen > Bipolar-PNP
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Zu wenig Strom in µC-MOSFET schaltung
ja ein logik-level mosfet sein
#7256806: > Vgs V -> Spannung g -> Gate s -> Source Das ist also die Spannung, mit der du den MOSFET ansteuerst. Aus dem Datenblatt deines MOSFETS (International Rectifier??) kann man jetzt rauslesen: je höher die Steuerspannung, desto geringer der Widerstand des Mosfets. Für deine Anforderung max
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Suche alternative/bessere Mosfets.
War es nicht so,dass man bei den Mosfets schauen sollte,das die Gate Kapazität nicht höher ist als bei den Originalen Mosfets? Also wenn man unbedingt andere FETs verbauen möchte?
bei den Mosfets schauen sollte,das die Gate > Kapazität nicht höher ist als bei den Originalen Mosfets? Das kommt hin. Moderne Typen bieten bei gleicher Gatekapazität nennenswert weniger On-Widerstand und kürzere
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suche : LOW-side MOS-Treiber f. 2.5V Vcc
dafuer kein TriState). @Jonathan Strobl Von Diodes Inc. gibt es uebrigens brutale Teile als MOSFET-Treiber, die arbeiten mit BJTs und bringen bis zu 9A im winzigen SOT23-Gehaeuse. Sehr interessant die Dinger, weil es mal ein ganz anderer Ansatz ist als bei den ueblichen MOSFET-Treibern. heiszen
Du mal geprüft, ob nicht Dein Port alleine den MOSFET ansteuern könnte?
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Halogen-Dimmer mit BUZ11 und MosFET Treiber (TC4424) - MosFET Treiber geht kaputt
MOSFET-Treiber?
schrieb im Beitrag #3615661: > Als Kalt-Widerstand habe ich ~ 0.7Ohm gemessen - also brauche ich > MosFETS die mind. 12V/0.7Ohm = 17A aushalten? Das hält auch ein BUZ11 aus, zu musst also nichts umbauen oder neu kaufen. Deine Schaltung ist im Prinzip richtig, und ein MOSFET an einem MOSFET-Treiber
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Kann man Netzspannung mit PWM Dimmen?
den essentiellen unterschied zwischen zerhacken mitm triac bei phasenanschnitt oder zerhacken mitm mosfet bei pwm.
zerhacken. und da sehe ich den vorteil von einem mosfet oder igbt bei der vereinfachten leistungslosen ansteuerung. wenn du direkt die netzspannung "zerhackst" entstehen gleich viel oberwellen egal ob mosfet oder thyristor. einen weiteren vorteil sehe
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Wie funktioniert eigentlich ein redundantes Netzteil ?
. Fällt der Mosfet mal aus, bringen auch die 2 NT nix mehr. Grüße, Jan.
,C1,C1003,C1142,C1079,P31793 Wenn man auch in der Schaltung Redundanz benötigt, kann man auch Mosfets parallel schalten.
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Wieviel Last verträgt ein Flipflop?
Masse schalten und dadurch den zweiten Schaltkreis aktivieren. Eher auf high mit +5V damit der MOSFET einschaltet. Ein MOSFET hat nur 3 Anschlüsse, du hast 4, was passt da nicht ?
und nur eine über den Widerstand in das MOSFET gehen würde, richtig?
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Warum noch KFZ-Relais?
Scheibenwischer, Luefter, ...) Und jemand koennte mal eine Batterie falsch anschliessen. Dein Mosfet hat eine Body-Diode, die dann leitend wird. Also brauchst du einen Verpolschutz (und nein, eine Diode ist bei den Leistungen zu schlecht!) Einen Mosfet, falls er als High-Side Schalter verbaut wird
". Manchmal findet man jedoch in diversen Steuergeräten noch Kleinrelais. Läuft fast alles über MOSFET's und "abrauchen" (wie oben bezeichnet) wird da garnix.
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Puls mit hohem Strom - MOSFET
niedeinduktive Verschienung stecken. Nimm einen Funktionsgenerator, der 15V kann undschalte einige MosFets parallel. Was für MosFets hast du?
Der verlinkte MOSFET ist für vielleicht 75-100 A gut. Dann hält sich auch der Spannungsverlust mit rund 200-400 mV noch in Grenzen. Das hieße dann eher 8-10 der MOSFETs parallel, und einen (oder mehr) entsprechend kräftigen
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MCP 16301 Schottky Diode
Maxim B. schrieb im Beitrag #7526115: > MOSFET ist ein Transistor, keine Diode. Ja und? Habe ich was anderes behauptet? Die Mosfets bilden eine möglichst ideale Diode nach .... > In der Struktur von MOSFET gibt es zwar eine Diode, aber bei
#7526091: > Doch, die brauchen Dioden. Aber eben keine "echten", sondern synchron > geschaltete Mosfets. Na gut, das ist nicht so wichtig, was "unser lieber Jens" über MOSFET und Diode denkt. Wichtig ist: Wandler mit MOSFET statt Schottky-Diode ist genau so einfach zu verwenden und kaum teurer. Warum
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ESP32 3.3V Versorgung aufrecht erhalten mit MOSFETs bis fertig mit Aktion
Dies ist mir aufgefallen: Max schrieb im Beitrag #7510923: > Dadurch liegt Spannung am Gate des Mosfet F1 an und auch dieser > schaltet durch. Da der Mosfet F2 gegen GND schaltet, liegt am Gate des Mosfet F1 auch GND an und keine Spannung.
Dieter S. schrieb im Beitrag #7510958: > Da der Mosfet F2 gegen GND schaltet, liegt am Gate des Mosfet F1 auch > GND an und keine Spannung. Spannungen sind immer Potential-DIFFERENZEN. Gnd ist bezogen auf VCC ganz sicher eine Spannung. Lass dich
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[Beratung] 34 Analogwerte erfassen, µC? Multiplexer? Hilfe nötig.
wenn -warum auch immer- ein MOSFET voll durchschaltet?
auch immer- ein MOSFET voll > durchschaltet? Dann geht ein Rshunt/Rmess-Widerstand kaputt.
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Einfluss von thermischen Vias auf den Wärmetransport eines MOSFETs
unter dem Mosfet verwenden.
Google: mosfet cool pad high power
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Transistorauswahl um über PWM 600mA zu steuern
hast du schon in die Mosfet Übersicht hier geschaut? http://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht Kriterien sind noch SMD oder mit Beine? Bei 40 einzeln angesteuerten würde ich kleine SMD Teile in SOT23 nehmen
Blackbird Ja genau so was ähnliches habe ich gesucht! Könnte man es nicht mit einem einfachen MOSFET machen?
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CMOS: NAND bauen?
Ein NAND-Gatter mit zwei Eingängen kann man auch mit nur einem einzigen Mosfet aufbauen (Q1 durch N-Mosfet ersetzen).
Diese Schaltung kennst du sicherlich. Oben sind die zwei P-Kanal Mosfet's parallel, unten sind die beiden N-Kanal Mosfet's in Reihe. N-Kanal und P-Kanal Mosfet's gibt es bei https://www.reichelt.de/ch/de/mosfet-p-kanal-100v-12a-rds-on-0-3-ohm-to-220ab-irf-9530-p8807.html
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Wie misst ein Multimeter den Strom?
Theorien, die nicht praktisch angewendet werden können. Darum bist du ja auch nur ein npn und hast von Mosfets keine Ahnung.
du, daß die Belastung des 10mOhm-Shunts durch den (Mosfet)-Eingang des ADC von 100MegaOhm ins Gewicht fällt? Dsa Gate eines Mosfets wird als isoliert betrachtet, also fließt da KEIN Strom. Weil es aber keinen idealen Kondensator gibt, wird trotzdem ein kleiner
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Schaltnetzteil m. TL494 - Frage zu Mosfet (und Treiber)
gezeigte Schaltung zielt offenbar ab auf einen Abwärtswandler (Labornetzgerät?). Der gezeigte MOSFET scheint ein p-Kanal-Typ zu sein. Da der Ausgang des TL494 nur im Bereich 0..12V liefert, reicht das natürlich zur Ansteuerung des gates nicht aus. Das passt also weder mit p- noch mit n-Kanal MOSFET
C5 muss raus. Der wird nur jedesmal beim Durchschalten des MOSFet kurzgeschlossen und hat keine Funktion.
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PWM Signal 3.6V/40mA auf 3.6V/500mA-800mA bringen
in die andere Richtung geht und das Signal der anderen Kanäle beeinflusst. Da nicht wie in einem MOSfet die Diode integriert ist?
werden. Kann ich die 5V auf Deiner Schaltung durch 3.6V ersetzen mit dem von Dir vorgeschlagenem MOSfet?
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3 Fach Halb Brücke
Die angehängte Schaltung mit dem P-Kanal Mosfet funtioniert einwandfrei aber ist sie denn auch richtig beschaltet ? Mfg Bqube
den fehler gefunden ... und zwar wenn die Sinuskurve von L1 bei 0° anfängt schaltet der erste P-Ch Mosfet und der zweite N-Ch durch und die bleiben bis 180° in diesem zustand da haben die Mosfets ja keinerlei Spielraum zum arbeiten ...... oder irr ich mich da Mfg Bqube
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Varistor beschriftung
? Prüf auf jeden Fall mal den Schalttransistor. Das ist der auf dem schwarzen Kühlkörper, ein MOSFET.
andere. Hat der 3 Beinchen oder mehr? 3 Beinchen bedeutet normaler Mosfet, mehr Beinchen ist ein integrierter Schaltregler bei dem Mosfet und Regler für den Mosfet in einem Gehäuse untergebracht sind. Bei nem normalen Mosfet einfach mit dem Diodentester vom Multimeter
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Hochspannungsverstärker mit MOSFETs, hoher Ruhestrom
Da muss halt die Frequenz erniedrigt werden und/oder es müssen Mosfets mit kleinerer Gateladung(Qg) eingesetzt werden. Welcher Mosfet ist denn jetzt drin?
angegeben) und dem ggfs. Schaltungsaufbau. Aber die Größenordnung von 10..30 mA passt. Gruß MOSFET
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Erste Schaltung - Richtiger Transistor? Einschaltstoßstrom?
Falk Brunner schrieb im Beitrag #2159906: > Ergo. Lass den Unsinn. Oder nimm wenigsten einen MOSFET. IRF7104 oder > so. Ähm, warum denn einen P-Channel Mosfet? Ich würde eher einen N-Channel LogicLevel Mosfet nehmen und gegen GND schalten. Schaltet der IRF7104 bei 5V Spannungsdifferenz GS schon
Hier die MOSFET-Variante. Nur ein Transistor notwendig - für alle LEDS, egal ob du einen, zwei oder drei in Reihe schaltest. Direkt anzusteuern vom AVR. Und mit dem richtigen MOSFET kannst du auch kräftigere LEDs
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Mos-Fet wird heis
Gatekapazität ~500pF * Pullup-Widerstand 100KOhm = 50 µsec. Es dauert schlicht ewig lang, bis der MOSFET voll durchschaltet. Deshalb gibt es ja MOSFET-Treiber ICs.
der MOSFET aufgesteuert ist oder nicht. Deshalb ist ein einzelner MOSFET auch nicht zum Schalten von Wechselspannung geeignet.
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N-Channel MOSFET P20NM60FP
Eigentlich sollte man gleich 800V MOSFETs nehmen, die lassen sich dann auch mit einem Varistor schützen.
Solche 500V aufwärts MOSFETs in TO220 gibts eh nicht in LL.
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24V potentialfrei und geräuschfrei schalten
schalten kann > * Potentialtrennung mit Optokoppler Der Ansatz ist doch gut. Optokoppler, P-Mosfet und 2 Widerstände.
Jörg R. schrieb im Beitrag #6169580: > Optokoppler, P-Mosfet und 2 Widerstände. Vorsicht, 24V Gatespannung ist zuviel des guten, leg mindestens noch einen Widerstand dazu.
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MOSFET-Treiber diskret, Spannung bricht zusammen
@Benedikt Diesen Fall hatte ich uebersehen, danke. Die Mosfets schalten zwar immer abwechselnd, aber eine Totzeit von 5 Takten habe ich in der Software natuerlich auch vorgesehen. Ein Mosfet weniger(bzw 3) die sich verabschieden:) Vorrausgesetzt beiliegende
nehme mal an, M22 meint 0,22M also 220k, und nehmen wir weiter mal an, die Gate-Source-Kapazität des Mosfets beträgt 300pF (das ist nicht viel!), so bekommt man eine Zeitkonstante von 66µs. Ist das Gate auf 15V aufgeladen und die Threshold-Spannung des Mosfets bei +5V (das ist hoch!), so bleibt der Mosfet
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[Suche] MOSFET LogikLevel Id>10A Uds>400V
Wenn der Pegelwandler nicht allzu schnell sein muss, so genügt ein NPN-Transistor / kleiner N-Mosfet und ein Pullup-Widerstand.
als auch LogicLevel MOSFETs, also mit schmalem Gate, kann man da wohl vergessen.
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Hohe Spannung bei sehr kleinem Strom schalten
Wenn man richtige MOSFETs wählt gehts vielleicht doch. Schau dir mal den BSP125 an.
an einen IGBT gedacht, aber nachdem Marek N. darauf hingewiesen hatte, dass es inzwischen kleine MOSFETs gibt, die bis 600 V ausgelegt sind und extrem geringe Leckströme von nur 0,1 µA haben, bin ich sofort vom IGBT runter und habe mir diese MOSFETs bestellt. Sie sind wirklich sehr genial. So nah am
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Schaltplan WEMOS Wetterstation Prüfung
die sie zuständig sind. Natürlich ist R7 schon richtig. Das ist der Pulldown für den P-Channel MOSFET für das Load-Sharing. Der P-Channel MOSFET sorgt dafür dass wenn USB-Power gesteckt ist (sprich der Akku wird geladen) die Schaltung nicht mehr über die Batterie sondern über USB versorgt wird (über
zwar aber der Timer wacht nicht auf. Anbei Stromversorgung Aktuell und Danach was ich denke mit Mosfet. Anstelle des Mosfet könnte auch ein Transistor hin. Was ich bisher gefunden habe wäre VP3203N3-G Da ich wie bereits geschrieben gerne bei TO Bauform bleiben möchte.
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Transistorschaltung - DO uC
Beitrag #4204957: > Wenn du eine Last mit festem Massebezug > schalten willst, nimm einen P-Kanal MOSFET. Tausch ich dann einfach 1-zu-1 den N-Kanal- gegen einen P-Kanal-MOSFET? Oder wie muss die Schaltung dann aussehen? Dann kommt die Last an Drain? Und +10V an Source?!? Sind P-Kanal-MOSFETs nicht
einen 50A P-Kanal MOSFET kaufen. Sooo wild ist das alles nicht.
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Stromsenke Opamp virtuelle Masse Verwirrung
Christian S. schrieb im Beitrag #6473745: > die logic-level-Variante des Mosfets Ja, danke. Ich wusste irgendwie hatte ich nicht alles auf dem Radar... Hatte schon ein paar Situationen wo mir Logic-Level Mosfets empfohlen wurden. Der Zeitpunkt ist gekommen mal ein paar zu
will müssen ja 2,2V über den 2,2R Shunt laufen und wenn Rds(on) 0,028R sind dann würden über den Mosfet 28mV abfallen und der Opamp würde unbeindruckt dessen den Mosfet immer so weit Aussteuern bis er am inv. Eingang 2.2V sieht? Was passiert dann mit den 28mV? Die werden einfach nur am Mosfet als
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Ist der MOSFET in dieser Schaltung zielführend?
als Chip einen PT4115. In meiner Überlegung setze ich vor die KSQ einen P-Kanal MOSFET vom Typ BS250, um sie beim Einschalten der Begrenzungsleuchten spannungs- und stromlos zu schalten. Meine Fragen dazu: - Ist der Mosfet an dieser Stelle korrekt? - Hab ich was übersehen? Besten
Daniel G. schrieb im Beitrag #6419799: > Meine Fragen dazu: > - Ist der Mosfet an dieser Stelle korrekt? Jein, den kann man hier nehmen, aber er ist falsch gepolt. Source muss an die +12V. Man muss aber dafür auch keinen MOSFET nehmen. Ein PNP tut es genauso. > - Hab
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Schaltflanken MOSFET
Es fehlt ein Widerstand von ca. 1K vom Gate des Mosfet nach Masse, dann geht es. MfG Paul
Beitrag #3735030: > Somit müsste der IRLML2502 ohne Probleme arbeiten können. Das ist aber N-MOSFET. Wenn es ein P-MOSFET wäre: besonders schnell schaltet er mit R1=1kOhm aber nicht ab. Gruß Dietrich
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Mosfet schalter nicht
Hätte ich denn das selbe Problem mit einem PNP-Transistor statt einen Mosfet ???
Gibt auch p-Channel MOSFETs.
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Laengsregler mit Mosfet
Ube Q1 = 7,03 (0,669) Uc Q2 = 5,53 Ube Q2 = 7,02 (0,682) Uc1 - Uc2 = 1,687 Ugs MOSFET 3,86 Fall 2: 13V kein Strom Lampe aus Ugs MOSFET = 3,07 Uc Q1 = 3,079 Ube Q1 = 7,99 (0,684) Uc Q2 = 6,46 Ube Q2 = 7,97 (0,660) Uc1 - Uc2 = 3,388 Zum Schwingen:
Im Datenblatt dieses Transistors steht doch schon auf der Titelseite geschrieben: "Fast switching MOSFET for SMPS". Das ist doch exakt das Gegenteil von einem MOSFET wie Du ihn benötigst! Schau doch selbst ins dort aufgeführte SOA-Diagramm und überzeuge Dich davon, dass er z.B. bei Vds=10V schon bei Id