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KFZ 12V Mess-Schutzschaltung
Mit kleinem ESR oder egal? Oder Folienkondensatoren oder Elkos? Wenn ich T2 auch durch einen Mosfet ersetze, kann ich dann R5 größer machen? Wie groß könnte man den machen? Danke. Edit: Wegen dem Mosfet T1. Die Spannung Vgs ist ja bei allen mir bekannten max. 20V. Das bedeutet im dümmsten
denn der Mosfet durchschalten?
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Wendeschalter | 2,9kW Reihenschlussmotor - Elektrofahrzeug
bereits erwähnt - viel zu hohe Leitverluste produziert. Für diese niederen Spannungen verwendet man MOSFETs und keine IGBTs. Trotzdem ein cooles Projekt - ich schätze mal der TO hat den Halbleiter genommen weil er "gerade da war".
Carcontrollers und ganz links das Dings, was als Shuntdriver bezeichnet wird. Der Shuntdriver hat 2 MOSFet und treibt die 'Shunt' Wicklung im Motor an. Der Motor von Trige hat also eine zusätzliche, als Shunt bezeichnete Wicklung.
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hfe beim Transistor
Wenn du 0,5A schalten willst, dann nimm einen Mosfet mit kleiner Schwellspannung (1,xV). Die nennt der Hersteller oft "Logic Level Mosfet". Da brauchst du nur einen Vorwiderstand zum Gate mit ein paar hundert Ohm damit der Logik-Ausgang deines uP nicht
dall schrieb im Beitrag #3042687: > A MOSFET will stay cooler under heavy loads but they heat up when you > switch them. If you're using an uC PWM output to drive them they can get > quite hot (output of uC can't switch a MOSFET very fast
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Motorischer Wahnsinn
, was >>datenblatt: welche mosfet?? zb 200ns dauert. dann machts peng in den mosfet, da kann der motor nix dafür. bauernregel: brems-mosfet langsamer einschalten !!!! dann gehts.
oder RC-Reihe über den MOSFET. Der Kondensator nimmt die Ladung auf. 2.2nF 100Ohm
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Operationsverstärker spinnt?
ist. Bin mir da aber nicht sicher. Ich weis ja auch jetzt nicht genau wie viel Strom zum Gate des Mosfet's fließt. Lg Felix.
schrieb im Beitrag #5137219: > Ich weis ja auch > jetzt nicht genau wie viel Strom zum Gate des Mosfet's fließt. Dann rechne es dir einfach aus? - Wie groß ist die Gate-Charge des MOSFET? (steht im Datenblatt. Vielleicht nicht genau für deine Schaltungsbedingungen, aber um den ungefähren Strombedarf
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Verständnisfrage PWM und MOSFET
geringere Verlustspannung Uds. Und, wenn überhaupt, ab welchem Strom bräuchte man einen Kühlkörper am MOSFET?
Der MOSFET verhaelt sich am Gate wie ein Condensator, also wenn er leer ist zieht er viel Strom, deshalb wuerde ich ihn nicht ohne R an den uC Portpin haengen. Der IRFZ44 ist mein Standard uC-> MOSFET (logic
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Optokoppler an 230VAC
Heinz schrieb im Beitrag #6542251: > So langsam lerne ich was Hmm, z.B. sollte der MOSFET auch bei 3.3V schon schalten, dein Si4436 tut es erst bei 4.5V. Und 1MOhm führt mit den 100nA Leckstrom des Optokoppler zwar nur zu 0.1V, dazu Gate-leakage des MOSFETs mit nochmal 100nA, aber bei
sei ein Alleinstellungsmerkmal. ;) MaWin schrieb im Beitrag #6542559: > Hmm, z.B. sollte der MOSFET auch bei 3.3V schon schalten, dein Si4436 > tut es erst bei 4.5V. > > Und 1MOhm führt mit den 100nA Leckstrom des Optokoppler zwar nur zu > 0.1V, dazu Gate-leakage des MOSFETs mit nochmal 100nA
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Suche alternative/bessere Mosfets.
War es nicht so,dass man bei den Mosfets schauen sollte,das die Gate Kapazität nicht höher ist als bei den Originalen Mosfets? Also wenn man unbedingt andere FETs verbauen möchte?
bei den Mosfets schauen sollte,das die Gate > Kapazität nicht höher ist als bei den Originalen Mosfets? Das kommt hin. Moderne Typen bieten bei gleicher Gatekapazität nennenswert weniger On-Widerstand und kürzere
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3 Fach Halb Brücke
Die angehängte Schaltung mit dem P-Kanal Mosfet funtioniert einwandfrei aber ist sie denn auch richtig beschaltet ? Mfg Bqube
den fehler gefunden ... und zwar wenn die Sinuskurve von L1 bei 0° anfängt schaltet der erste P-Ch Mosfet und der zweite N-Ch durch und die bleiben bis 180° in diesem zustand da haben die Mosfets ja keinerlei Spielraum zum arbeiten ...... oder irr ich mich da Mfg Bqube
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Varistor beschriftung
? Prüf auf jeden Fall mal den Schalttransistor. Das ist der auf dem schwarzen Kühlkörper, ein MOSFET.
andere. Hat der 3 Beinchen oder mehr? 3 Beinchen bedeutet normaler Mosfet, mehr Beinchen ist ein integrierter Schaltregler bei dem Mosfet und Regler für den Mosfet in einem Gehäuse untergebracht sind. Bei nem normalen Mosfet einfach mit dem Diodentester vom Multimeter
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Kühlkörper für IXYS Mosfet
Die des Mosfet.
Steffen Ha schrieb im Beitrag #2994077: > Die des Mosfet. Ich dachte das Thema hätten wir?
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Stromsenke Opamp virtuelle Masse Verwirrung
Christian S. schrieb im Beitrag #6473745: > die logic-level-Variante des Mosfets Ja, danke. Ich wusste irgendwie hatte ich nicht alles auf dem Radar... Hatte schon ein paar Situationen wo mir Logic-Level Mosfets empfohlen wurden. Der Zeitpunkt ist gekommen mal ein paar zu
will müssen ja 2,2V über den 2,2R Shunt laufen und wenn Rds(on) 0,028R sind dann würden über den Mosfet 28mV abfallen und der Opamp würde unbeindruckt dessen den Mosfet immer so weit Aussteuern bis er am inv. Eingang 2.2V sieht? Was passiert dann mit den 28mV? Die werden einfach nur am Mosfet als
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PWM stört I2C-Bus
Kondensatoren und Elkos verwendet. Nur beim MOSFET Keramik und Tantal weil es da in der Anleitung explizit stand.
Spule? Was hat ein LC-Glied mit lückendem Betrieb zu tun? Ansonsten: Pufferkondensator über den mosfet mit Last, Freilaufdiode?
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Mosfet Endstufe für Zündung A-Brückenzünder
Daniel Steiner schrieb im Beitrag #3876265: > Ich dachte mir ich nehme als MOSFETs die IRF540 Ich würde Logic Level FETs nehmen
> Wie würdest du denn das machen? Eine bekannte Zündanlage eines Herstellers, wird mittels MOSFET und ULN2803 gesteuert > Es ist fahrlässig und lebensgefährlich, eine Schaltung zu bauen, die bei > einem Defekt eines MOSFETs bei Einschaltn der Versorgungsspannung die > Zünder auslöst. Deshalb
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DC-AC Inverter Schaltung
mit der Versorgungsspannung Vgd vom Gate Driver Vgs gesteuert wird? Denn wenn der Low-Side MOSFET durchgeschaltet ist, wird der Bootstrap-Kondensator auf Vgd geladen. Wird nun der Punkt zwischen den beiden MOSFET's auf Vcc gezogen summiert diese sich dazu (Vcc+Vgd=Vg).
MOSFET-Treiber können das schon von sich aus.
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Leistungs FET im Linearem Bereich betreiben
Ich würde den Stromanstieg per Induktivität dämpfen. Am MOSFET den Strom messen und dann abschalten, warten bis der Strom abklingt...und von vorn. Oder den MOSFET nur per Zeitkonstante mit PWM ansteuern.
hat). Du kannst so nennen wie du willst. Fakt ist: - Im Schaltplan keine ind. Last. - Der MOSFET muss bis zu 950W vertragen. dann darf jeder entscheiden, ob der MOSFET daran gestorben ist.
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BLDC Halbbrücken nerven
als PDF sind schlecht zu lesen, vor allem hier im Forum. Hänge sie als PNG oder so an. Jedem MOSFet seinen eigenen Gatewiderstand. Die Freilaufdioden sind überflüssig, das können die Bodydioden im MOSFet viel besser. Wofür sollen die RC Kombinationen am Ausgang gut sein? Die Elkos werden nicht lange
Toleranz)? Zumindest ist das hier nie ein Problem gewesen. Im Gegenteil, die Millerkapazität von MOSFet 1 wirkt dann so gut wie nicht auf MOSFet 2.
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Leckstroeme von Transistoren
Wozu auch. Das zu messen kostet Zeit und Geld. Und das für einen > Parameter, der bei LeistungsMOSFETs vollkommen nebensächlich ist. Macht > keiner. von LeistungMOSFETs hat keiner geredet. Siehe erster Beitrag -oder dein Eigener einen Absatz tiefer- ("200mA Strombelastbarkeit") Falk Brunner
Nachtrag : weisz jemand, welchen Verlauf die Leckstroeme ueber der Spannung qualitativ haben, beim MOSFET und beim BJT ?
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ESP32 3.3V Versorgung aufrecht erhalten mit MOSFETs bis fertig mit Aktion
Dies ist mir aufgefallen: Max schrieb im Beitrag #7510923: > Dadurch liegt Spannung am Gate des Mosfet F1 an und auch dieser > schaltet durch. Da der Mosfet F2 gegen GND schaltet, liegt am Gate des Mosfet F1 auch GND an und keine Spannung.
Dieter S. schrieb im Beitrag #7510958: > Da der Mosfet F2 gegen GND schaltet, liegt am Gate des Mosfet F1 auch > GND an und keine Spannung. Spannungen sind immer Potential-DIFFERENZEN. Gnd ist bezogen auf VCC ganz sicher eine Spannung. Lass dich
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Mos-Fet wird heis
Gatekapazität ~500pF * Pullup-Widerstand 100KOhm = 50 µsec. Es dauert schlicht ewig lang, bis der MOSFET voll durchschaltet. Deshalb gibt es ja MOSFET-Treiber ICs.
der MOSFET aufgesteuert ist oder nicht. Deshalb ist ein einzelner MOSFET auch nicht zum Schalten von Wechselspannung geeignet.
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Erste Schaltung - Richtiger Transistor? Einschaltstoßstrom?
Falk Brunner schrieb im Beitrag #2159906: > Ergo. Lass den Unsinn. Oder nimm wenigsten einen MOSFET. IRF7104 oder > so. Ähm, warum denn einen P-Channel Mosfet? Ich würde eher einen N-Channel LogicLevel Mosfet nehmen und gegen GND schalten. Schaltet der IRF7104 bei 5V Spannungsdifferenz GS schon
Hier die MOSFET-Variante. Nur ein Transistor notwendig - für alle LEDS, egal ob du einen, zwei oder drei in Reihe schaltest. Direkt anzusteuern vom AVR. Und mit dem richtigen MOSFET kannst du auch kräftigere LEDs
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Wie funktioniert eigentlich ein redundantes Netzteil ?
. Fällt der Mosfet mal aus, bringen auch die 2 NT nix mehr. Grüße, Jan.
,C1,C1003,C1142,C1079,P31793 Wenn man auch in der Schaltung Redundanz benötigt, kann man auch Mosfets parallel schalten.
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MOSFET High side Treiber
D.h. ich könnte mit einem 24 V DC-DC Wandler dann direkt einen MOSFET TW030N120C damit betreiben. Ohne weitere Bauteile...
es auch schon fertig. https://industry.panasonic.eu/products/components/coupler/photovoltaic-mosfet-driver
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Stroboskop mit Mosfet und Leistungs LED funktioniert nicht
Steuer- und Hauptstromkreis aufgeteilt. Durch die hohe Last wurde auch anstatt ein Transistor ein Mosfet eingesetzt. Genauer gesagt ein N-Kanal Mosfet um den Minus der LED zu schalten. Pull down und kleiner Vorwiderstand an den Gate Pol wurde auch eingesetzt. Allerdings schaltet der Mosfet dauerhaft durch
ist es vielleicht ein selbstleitender Mosfet, Verarmungstyp ?
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unzuverlässiger Temperaturregler
EEPROM kann in meinen anderen Bereidch schreiben. Wie schaltest due den Kühlschrank ? Mit einem Mosfet oder einem Relais ? Geht das alles wenn du ohne den Controler den Kühlschrank über das Stellglied schaltest ? Gruß JackFrost
auch nicht parallel LED zum Mosfet-Gate, wenn z.B. dein treibender Pin defekt wäre würde das wie (A) aussehen, wenn's eigenlich (B) ist...) Wenn (A), dann würde ich mir erst mal die Schaltschwellen mit auf's Display ausgeben lassen
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Schaltregler-Diskussion
Auf einem Strassenfest verschenken die MOSFET's?!? Du kannst Feste feiern... Gruß Axel
Häää??? aufm Strassenfest verschenkt man Mosfets??? Haste da jeden angehauen ob er nicht zufällig Mosfets in der Tasche hat und dir schenken möchte?? Seeehr seltsam! Na dann bastel mal schön. Viel erfolg Uwe
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[S] Mosfets D8P05 und D14N05
Hi, suche jeweils 2-3 der o.g. Mosfets. Diese sind in einer H-Brücke geschaltet und leider defekt. Habe es mit anderen Mosfets versucht, aber die Schalten zu langsam und deswegen gibt es einen kurzen Spannungseinbruch der den angeschlossenen
Werk 20 Jahre so funktioniert. Und nun sind die beiden Mosfets leider defekt. Anbei ein Bild der beiden defekten Mosfets.
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Verständnisfrage
sondern - viel schlimmer - kannst G nicht von D oder S unterscheiden (= *0* Schimmer über den Mosfet als Bauteil/seine Funktion). Wo, bitte, sollte man da anfangen, zu erklären? :-( > Lernprojekt: MOSFET an seine Grenzen bringen Dann tu das - und dokumentiere peinlich genau - in feinsten
Da ist dick Lötzinn auf den Leiterbahnen (und vielleicht sind sogar mehrere MOSFETs parallelisiert). 195A Dauerstrom hält das SSR trotzen nicht aus. Ich hatte einen ähnlichen Versuch. Der MOSFET hat überlebt aber durch die Hitze ist das Lötzinn geschmolzen. Dann kommt entweder ein
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Mosfet Experte gesucht
D7 und D8 sind für die Totzeit da, nicht das beide MOSFETs gleichzeitig durchschalten.
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Zu wenig Strom in µC-MOSFET schaltung
ja ein logik-level mosfet sein
#7256806: > Vgs V -> Spannung g -> Gate s -> Source Das ist also die Spannung, mit der du den MOSFET ansteuerst. Aus dem Datenblatt deines MOSFETS (International Rectifier??) kann man jetzt rauslesen: je höher die Steuerspannung, desto geringer der Widerstand des Mosfets. Für deine Anforderung max
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Einfluss von thermischen Vias auf den Wärmetransport eines MOSFETs
unter dem Mosfet verwenden.
Google: mosfet cool pad high power
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Wer kann den FET-Knoten in meinem Kopf lösen?
herauszufinden, welcher die höhere Spannung hat, sondern in Reihe zu jedem Akku der Spannunfsabfall über dem Mosfet. Fliesst der Strom aus dem Akku raus(also -->), schaltet der Mosfet durch, fliesst hingegen Strom hinein (also <--), schaltet der Mosfet ab. (Parasitärer PN Übergang im MOSFET nicht vergessen).
Sache noch etwas komplizierter erscheinen lässt. Du wirst doch aber einen "UMschalter" mit zwei MOSFETs hinbekommen, oder?!? Du nimmst in jeden Batteriezweig einen P-KANAL MOSFET (irgenteinen Doppel im SO8) PullUps zum sicheren Sperren und schaltest das Gate des MOSFET gegen Masse, welcher leiten soll
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Retarder Ansteuerung - IGBT oder MOSFET?
Für 96V und 32A ist ein MOSFET optimal. https://www.mikrocontroller.net/articles/Transistor#Wann_setzt_man_einen_MOSFET.2C_Bipolartransistor.2C_IGBT_oder_Thyristor_ein_.3F
Gedanken um eine Schutzschhaltung machen, damit nicht der Prozessor abraucht, wenn der MOSFET doch mal kaputt geht. Den Treiber und MOSFET kann man schnell tauschen.
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Eigenbau Verstärker - Verbesserungen
Mir ging es um eine bestimmte Eigenschaft. In ersten Versuchen habe ich in der Endstufe IRFZ46N MOSFET verwendet und diese verglichen ( vom Klang her ) mit IRF840 MOSFET. Die IRFZ klangen auffällig besser. Der Grund dafür, wie sich aus dem Datenblatt ergibt, ist das Verhältnis aus Gatespannung zu
mein(t)e, @Ingo? ;) Ich verstehe, was du meinst. Die Leistungsmerkmale von Lautsprecher und MOSFET lassen Erwartungen wachsen, die ich nicht in Absicht hatte. Punkto MOSFET habe ich kurz erläutert. Den Lautsprecher habe ich so gewählt, falls er Gleichspannung bekommt in meinen Tests, daß der
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Mosfet Schaltung Raspberry Pi
Hallo MaWin, vielen Dank für deine schnelle Antwort. lt. dem Datenblatt vom MosFET ist der Gate Treshold Voltage zwischen 1.35 - 2.35V. Hab ich da was falschen verstanden? Sollte der MosFET dann nicht bei 2.35V zuverlässig durchschalten? LINK zum Datenblatt: https://asset.conrad.com
Glätten einer PWM auf der Netzteill Seite, jedoch wäre ich zunächst mal froh wenn der Raspberry das MosFET mit der Last durchschaltet.
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Halogen-Dimmer mit BUZ11 und MosFET Treiber (TC4424) - MosFET Treiber geht kaputt
MOSFET-Treiber?
schrieb im Beitrag #3615661: > Als Kalt-Widerstand habe ich ~ 0.7Ohm gemessen - also brauche ich > MosFETS die mind. 12V/0.7Ohm = 17A aushalten? Das hält auch ein BUZ11 aus, zu musst also nichts umbauen oder neu kaufen. Deine Schaltung ist im Prinzip richtig, und ein MOSFET an einem MOSFET-Treiber
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Abwaertswandler mit P-Kanal MOSFET
FET ausschalten will: Er legt seinen Ausgang auf +5V, die Gegentaktstufe folgt: ca +4V. Zwischen Mosfet source und gate: 12V-4V=8V => Der Tiny kann den FET garnichtmehr abschalten.
Könnte man nicht eine 12 Volt Z-Diode an das Gate des Mosfet setzen, um den Kollegen zu schützen? MfG Paul
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[HIP4080A] Beschaltung Kondensator/Diode
Schalte mehrere Mosfets parallel oder nimm Mosfets in einem brontaleren Gehaeuse.
2 Mosfets bevorzugen, oder? Meien Last hat, wie gesagt, 24V und max 120A Kurzschlussstrom.
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Elektronische Last 48V/20A
Bau eine klassische Stromsenke aus Mosfets. Im Prinzip ein Teil eines linearen Netzteils. Jedem Mosfet seinen Regler mittels OP-Amp oder TL-431. Bei den Mosfets kannst du die billigsten nehmen die du im TO-247 Gehäuse findest, Spannung ab
Christian Str schrieb: Modul+ --- Last --- MOSFET --- Shunt --- Modul- aber warum ich mach eine Highside Sensing Modul+ --- MOSFET --- Shunt --- Last --- Modul- oder?
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CMOS: NAND bauen?
Ein NAND-Gatter mit zwei Eingängen kann man auch mit nur einem einzigen Mosfet aufbauen (Q1 durch N-Mosfet ersetzen).
Diese Schaltung kennst du sicherlich. Oben sind die zwei P-Kanal Mosfet's parallel, unten sind die beiden N-Kanal Mosfet's in Reihe. N-Kanal und P-Kanal Mosfet's gibt es bei https://www.reichelt.de/ch/de/mosfet-p-kanal-100v-12a-rds-on-0-3-ohm-to-220ab-irf-9530-p8807.html
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Solarladeregler mit AVR ?
Akku 12V, Lade und Entladestrom (durch Last) max. 3A Aufbau : Zwei in Reihe entgegengesetzte MOSFET (entgegengesetzt wegen Rücklauf) zwischen Akku und Panel und 1 Mosfet zwischen Last und Akku (Tiefenentladeschutz) Messung durch ADC des AVR am Panel und am Akku, Spannungs-Unterschied immer da,
Darstellung der Messwert, Strom,Spannung, Ertrag und Min-/Max-Werte uvm. Haut das mit den MOSFET gegeneinander hin, hat evtl. jemand damit Erfahrungen... Steuerung nur Verbindung mit MOSFETs ein/aus, viel Leistung liefert das Panel ja eh nicht. Alex
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MOSFET-Treiber diskret, Spannung bricht zusammen
@Benedikt Diesen Fall hatte ich uebersehen, danke. Die Mosfets schalten zwar immer abwechselnd, aber eine Totzeit von 5 Takten habe ich in der Software natuerlich auch vorgesehen. Ein Mosfet weniger(bzw 3) die sich verabschieden:) Vorrausgesetzt beiliegende
nehme mal an, M22 meint 0,22M also 220k, und nehmen wir weiter mal an, die Gate-Source-Kapazität des Mosfets beträgt 300pF (das ist nicht viel!), so bekommt man eine Zeitkonstante von 66µs. Ist das Gate auf 15V aufgeladen und die Threshold-Spannung des Mosfets bei +5V (das ist hoch!), so bleibt der Mosfet
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10 x 25 W / 12V an uC
? ist das nicht einfach ein > Pulldown-R? Ja, das ist ein Pulldown. Ich habe die bisher bei Mosfets immer mit 100k gesehen. Google mal rum nach Pulldown Mosfet. M.e. Sollte er wenigstens 10k sein.
10A) wird's langsam schwieriger, dann möchte man vielleicht beides nutzen. Oder den Strom auf zwei Mosfets aufteilen. Ich bevorzuge langsameres Schalten mit dem Mosfet.
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Integrierter Totem Pole gesucht
Gatespannung. Genau. Eben weil man lieber bei einer Sorte Leistungshalbleiter bleiben will und N-Kanal MOSFETs halt prinzipiell besser sind als ihre P-Kanal Brüder. In fast allen intelligenten Schalter ala BTS555 sind N-Kanal MOSFETs drin. Die notwendigen Ladungspumpen sind das kleinere Übel. Es gibt auch
Diskussionsgrundlage. Zeigen! Dann kann man das diskutieren. Aber ich habe nicht ohne Grund L-Side MOSFET Driver geschrieben. Denn das sind diejenigen, die weder Bootstrap-Schaltung noch Ladungspumpe haben, sondern als Steuerspannung für den MOSFET ganz gewöhnlich die Versorgungsspannung durchschalten.
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Problem mit LME49830 und LT1166 Bias IC
von "VTOP" (LT1166, Pin 1), Kollektor T1 und am Gate für die Ansteuerung des 'oberen' N-Channel-MOSFETs, keinen Sinn. Der LT1166 muss schon irgendwie ausschließlich die "BiasM"- und "BiasP"-Signale 'bedienen' und hat damit keinen direkten Kontakt mit den Gates der MOSFETs. Mein Vorschlag wäre so
5,6 kOhm) zu wählen. Eigentlich kein sooo großes Problem, oder?! Natürlich sollten auch zwei MOSFETs diese 15A (bzw. jeweils 7,5A) 'bringen' können! (Ich habe die Daten der MOSFETs jetzt nicht nachgeschaut) Falls nicht, einfach ein weiteres Paar parallel schalten.
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[Suche] MOSFET LogikLevel Id>10A Uds>400V
Wenn der Pegelwandler nicht allzu schnell sein muss, so genügt ein NPN-Transistor / kleiner N-Mosfet und ein Pullup-Widerstand.
als auch LogicLevel MOSFETs, also mit schmalem Gate, kann man da wohl vergessen.
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PWM über Mosfet schalten, passt das so?
ATMega-Ausgangs beim Umladen der Gate-Kapazität. Wolfgang: Er betrachtet die Verlustleistung der MOSFETs im Umschaltvorgang. Man kann also bei niedrigen Frequenzen aus Sicht des µC den Widerstand weglassen, muss es aber nicht aus Sicht des MOSFETs. Bei hohen Frequenzen gibt es auf diesem Weg eventuell
), welche ich gern separat digital an/ausmachen möchte, denke ich benötige dafür einen P-Channel MOSFET? Belastung wäre halt in etwa die selbe nur, dass eben anstatt PWM nur simples an/aus gewährleistet werden müsste. Geschaltet würden die MOSFETs dann über 74HC595 (Schieberegister) sofern dies
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Öffnerkontakt der für x (Milli)sekunden öffnet
H. schrieb im Beitrag #7365040: > von 12V am Eingang auf 11,1V am Ausgang. Das ist für den P-Mosfet noch ok.
Hupenkostruktion) der FET nicht gleich "hinwegavalanciert". (Reichelt hat die zB) [pre] IXTP76P10T MOSFET P-Ch 100V 76A 298W 0,025R TO220AB 6,50€ IRF 9540N MOSFET, P-CH, 100V, 23A, 140W, TO-220AB 1€ IRF5210SPBF MOSFET, P-Ch, -100 V, -38 A, Rds(on) 0,06 Ohm, D²Pak 5€ [/pre] 60Volt -Typen wären mir da
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ATX Netzteil 34A Strombegrenzung
Arduino & co ist zu langsam. Mach's direkt analog. Shunt-Widerstand & dicken Mosfet in die Leitung, Spannungsabfall über Shunt überwachen, bei Überstrom den Mosfet aufmachen. Vorsicht: der FET verbrät dabei u.U. eine Menge Strom. SOA und Kühlung beachten. Im einfachsten Fall
bei einem Dauerkurzschluss, wenn das Netzteil stramm 12V > ausgibt und die bei 33A allesamt am Mosfet anfallen? Na, dann brennt der Mosfet durch. Aber das Netzteil geht nicht aus :) Lothar M. schrieb im Beitrag #7175083: > Ich würde da ein Netzteil kaufen, das Hiccup kann Das geht bei jedem
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SMPS für H-Bridge Class D Endstufe
Könnte man nicht eig. auch einen fertigen ic mit feedback nehmen und dann extern einen stärkeren Mosfet verwenden?
rande: kann man nicht von z.b. nem pam8610 class d ic die h brücke anzapfen und extern stärkere Mosfets und ne höhere Spannnung benutzen?