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Schaltverluste bei schneller HV - Halbbrücke minimieren
schnellen (rise-/fall-time) MOSFET mit weniger Ciss. Danke für Vorschläge...
das funktioniert sehr gut. Das Hauptproblem sind meistens weniger die Mosfet-Chips an sich, sondern eher das Platinen-Layout, die (parasitären) Induktivitäten der Mosfet-Gehäuse und die Gate-Treiber. > Der IXZ308N120 ist natürlich ein Super Mosfet, ... > Bin mir aber sicher
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Halbleiter, echt oder gefälscht
Links IRFP260N N-Channel MOSFET Gekauft bei LCSC 02.2025 https://www.infineon.com/cms/de/product/power/mosfet/n-channel/irfp260n/ rechts IRFP460 N-Channel MOSFET Gekauft bei Aliexpress 01.2020 https://www.irf.com/product-info
/MOSFETs_Minos-IRFP460_C22389973.html "Minos" als Hersteller sagt mir nicht wirklich was..
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Linearregler 12V mit FET - welcher FET?
-Es gibt sicher besser geeignete MOSFETS dafür, aber den hatte ich vorrätig.
#7152731: > bei seriösen Händlern wie Reicht/Conrad zu bekommen ist? Zum Thema Reichelt und gefakte MOSFETs sieh dir mal dies an: https://www.richis-lab.de/FET23.htm
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MOSFET High side Treiber
D.h. ich könnte mit einem 24 V DC-DC Wandler dann direkt einen MOSFET TW030N120C damit betreiben. Ohne weitere Bauteile...
es auch schon fertig. https://industry.panasonic.eu/products/components/coupler/photovoltaic-mosfet-driver
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Dicke silizium chip mosfet
Hallo Forum Freunde, kann mir jemand bitte sagen, wie dick ist silizium-chip von einem mosfet? was geht eigentlich dadrin kapput wenn der Mosfet seine maximale Temperatur überschreitet? Dank schon mal für eure Hilfe LG Alex
du, wenn an deinem MOSFET bei 30A 50V abfallen, also der Innenwiderstand bei 1,7 Ohm liegt. Wenn dein R_dson < 0.1 Ohm bleibt kannst du an 50V auch 30A schalten, mit "deinem" MOSFET. Alex Kai schrieb im Beitrag #3816988
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Wer kennt dieses Bauteil
wo anders und der Mosfet musste quasi aufgrund eines "Kurzschlusses" sterben.
Stelle" eines NEUEN Netzteils fotografiert. Sieh an, Infineon stellt auch einen dafür passenden MOSFET her: IPL60R360P6S.
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Brückenprobleme
der schreckliche Sven schrieb im Beitrag #5056046: > So wie die Schaltung jetzt ist, rettet Die Mosfet`s nur blitzschnelles > schalten. Schneller als der Stromanstieg in der Zuleitung. Ich will die Mosfet's nicht retten. Ich will den Transistor retten.
Andreas schrieb im Beitrag #5053940: > schalten direkt beim Anschließen der > Batterie beide Mosfets gleichzeitig durch, was ja einen länger > andauernden Kurzschluss und damit das Ende der Mosfets bedeutete Andreas schrieb im Beitrag #5056099: > Ich will die Mosfet's nicht retten Dazu erübrigt
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DC Motor + Mosfet + ESP32
schnell genug ein/aus schalten kann, sonst wird der heiß. Dann brauchst du womöglich zusätzlich einen MOSFET Treiber. Also welchen MOSFET benutzt du?
RFP30N06LE MOSFET 30 A 60 V N-Kanal
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[HIP4080A] Beschaltung Kondensator/Diode
Schalte mehrere Mosfets parallel oder nimm Mosfets in einem brontaleren Gehaeuse.
2 Mosfets bevorzugen, oder? Meien Last hat, wie gesagt, 24V und max 120A Kurzschlussstrom.
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Abwaertswandler mit P-Kanal MOSFET
FET ausschalten will: Er legt seinen Ausgang auf +5V, die Gegentaktstufe folgt: ca +4V. Zwischen Mosfet source und gate: 12V-4V=8V => Der Tiny kann den FET garnichtmehr abschalten.
Könnte man nicht eine 12 Volt Z-Diode an das Gate des Mosfet setzen, um den Kollegen zu schützen? MfG Paul
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Leistungs FET im Linearem Bereich betreiben
Ich würde den Stromanstieg per Induktivität dämpfen. Am MOSFET den Strom messen und dann abschalten, warten bis der Strom abklingt...und von vorn. Oder den MOSFET nur per Zeitkonstante mit PWM ansteuern.
hat). Du kannst so nennen wie du willst. Fakt ist: - Im Schaltplan keine ind. Last. - Der MOSFET muss bis zu 950W vertragen. dann darf jeder entscheiden, ob der MOSFET daran gestorben ist.
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BLDC Halbbrücken nerven
als PDF sind schlecht zu lesen, vor allem hier im Forum. Hänge sie als PNG oder so an. Jedem MOSFet seinen eigenen Gatewiderstand. Die Freilaufdioden sind überflüssig, das können die Bodydioden im MOSFet viel besser. Wofür sollen die RC Kombinationen am Ausgang gut sein? Die Elkos werden nicht lange
Toleranz)? Zumindest ist das hier nie ein Problem gewesen. Im Gegenteil, die Millerkapazität von MOSFet 1 wirkt dann so gut wie nicht auf MOSFet 2.
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Mosfet-Treiber so in Ordnung ?
Hallo! Nachdem ich mit dem MOSFET-Treiber aus der Atmel Application Note AN450 nicht zufrieden war (Flanken am MOSFET-Gate sehr rund, daher wurde selbiger relativ warm), habe ich versucht mir selber einen MOSFET Treiber (mit Gegentaktstufe
Emitterwiderstand und ein Gatewiderstand drin ist. Da ich unter 20 V bleibe wäre das ok, aber würde der MOSFET nicht kaputt gehen wenn die Betriebsspannung über 20 V liegt ? Vgs darf ja bei MOSFETs meist nur 20 V sein. Gruß Stefan
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Elektronische Last 2 kW regelbar selber bauen
mechanisch träge, also muss auch die Belastung nicht mikrosekundenschnell mit analog geregelten MOSFETs reagieren, sondern kann an die Trägheit der Mechanik angepasst werden. Das Problem sind nämlich die ab mehr als 28 Watt notwendig werdenden parallelgeschalteten MOSFETs. Man kann also mit MOSFETs
kann also mit MOSFETs die Belastungswiderstände in Stufen schalten, > und nur die verbleibende 20W eventuell mit einem einzelnen linear > gesteuerten MOSFET ausregeln (oder einfach ignorieren, auf 1 % > Belastungsunterschied
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Verständnisfrage FET
Zwei MOSFETs so "antiseriell" zu verschalten wird oft gemacht, auch bei großen Leistungen, eben um den Stromfluss in beide Richtungen zu verhindern. Manche BMS ICs haben das genau so integriert. Wenn die MOSFETs
leiten sie (effizient) in beide Richtungen. Kann man auch beim High-Side schalten mit p-Channel-MOSFETs machen, oder auch high-side mit n-Channel-MOSFETs und Ladungspumpe. Die Body-Dioden kann man auch gewinnbringend einsetzen, indem man z.B. nur *einen* der MOSFETs einschaltet, sodass der andere
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Astabiler Multivibrator mit TLC555 (LMC555)
#7679433: > Hallo, ich habe ja einen Schaltplan gezeichnet. Wie wäre nach dem > Ausgang 3 der p-Mosfet einzubauen. Wolf17 schrieb im Beitrag #7679276: > 1) wozu der überflüssige PNP? Nun p-Mosfet, wozu diese Hi-Side-Umstandskramerrei?
der Zelle aufgrund der wieder > einsetzenden Passivierung wieder steigen. > > Ein P-Channel Mosfet anstatt des PNP BJT würde die ganze Rechnerei > überflüssig machen. Besser durchschalten würde der auch noch. > > Ein 8-Pin uC mit einem N-Channel Mosfet als Schalter würde dein Problem > mit
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Bewertung und Feedback zu meinem 14.5V-to-11.0V DC-DC Buck Converter Design und PCB Layout (TPS6213)
genau kucken, was passiert, wenn Vin so klein wird, daß Vout nicht mehr gehalten sein kann. Wird IC-MOSFET einfach offen bleiben? oder braucht Driver von MOSFET doch kurzen Pausen? Das ist z.B. für vielen N-MOSFET-Driver notwendig. Lieber mehr als zu wenig.
kucken, was passiert, wenn Vin so klein wird, daß Vout > nicht mehr gehalten sein kann. Wird IC-MOSFET einfach offen bleiben? > oder braucht Driver von MOSFET doch kurzen Pausen? Das ist z.B. für > vielen N-MOSFET-Driver notwendig. > Lieber mehr als zu wenig. Der kann 100% DC!
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Stromverstärkung Bei MOSFET-Datasheets
MOSFETs haben keine Stromverstärkung, sie sind spannungsgesteuert.
Schalten fließt ein Strom, der die Gate-Drain-Kapazität läd, danach keiner mehr. Du brauchst nur einen MOSFET der bei der Steuerspannung des Arduinos komplett durchschaltet, einen sogenannten LogicLevelMOSFET. Schau Dir doch mal die grundlegende Funktion von MOSFETs an.
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Arduino zur CarPC Steuerung
der DPin auf LOW gesetzt damit der Mosfet abschaltet. Was ich bis jetzt habe: * Das An Signal für das Mosfet Gate wird mit zwei Dioden die eine OR Schaltung bilden betrieben * Die Schaltung ohne Arduino schaltet DURCH sobald das eine
und MOSFET kein Stromkreis zustande kommt. > > D13 -> Diode -> Gate vom MOSFET -> Source vom MOSFET -> Und jetzt die > Verbindung zum GND des Arduino, welche den Stromkreis schließen würde. > > Lösungsvorschlag
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AVR + BSS123 + LEDs
auch mit einem 10k Pulldown, ohne Verbindung zum µC? Lässt sich das Problem durch tauschen der MOSFET beheben (ESD, EOS Schaden)?
direkt am 1206? nein. AVR aus dem Sockel und 10k Widerstand von dem µC Pin bzw. Gate auf GND. des MOSFET müsste dann sicher gesperrt sein. So kannst du ausschließen, dass nicht der µC-Pin oder die FW das Verhalten verursacht (wobei das Source-Fragment stimmen sollte). Ob der Fehler mit dem MOSFET wandert
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Leiterplatten-Layout so in Ordnung?
. Wird >das durch die breiten Bahnen hinreichend kompensiert?) Das ist unkritisch. Deine MOSFET-Ansteuerung ist komisch. Nimm lieber Logic-Level MOSFETs ala IRLZ34N, die kann man direkt vom AVR mit 5V ansteuern. Aber bitte an jedem Gate 10K gegen Masse, damit sie sicher aus sind, wenn der AVR
des Mikrocontrollers. 6 mA Ladestrom sind bei 24 nC 0,04 ms, ist das schnell genug, damit der MOSFET nicht heiß wird?
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Bei -3Vdc Steuerspannung zwei Kontakte schließen und bei -10Vdc öffnen (Schaltleistung: ab ca. 20 …
-9,8 ... -10 V) wiederum öffnet? Aktuell habe ich hier im Bestand parat paar IRF640 (N-Kanal MOSFET) und paar IRF9630 (P-Kanal MOSFET). Der P-Kanal MOSFET IRF9630 arbeitet genau andersherum: bei Erhöhung der Spannung schließt er (~ proportional) am Source und Drain, aber um das oben geschilderte
auf eine versprechende (energiesparende) Umsetzung mit einem MOSFET hindeutet. Der IRF640 MOSFET verhält sich bei der Überbrückung des Widerstandes (über Source und Drain) DEUTLICH kühler, ist aber ein N-Kanal MOSFET, was mir eine andere Barriere darstellt, weil
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Potentialentkoppelte Leistungsübertragung mit Kondensatortrennung
12 V unter Last wegen den Dioden nicht erreicht werden können ist mir klar. Stabile 9 V für die Mosfets wären ausreichend.) Was ich bereits probiert habe: - R1, R2 gegen Poti getauscht und rumgespielt - C1+C2, bzw. C3 kleiner und größer gewählt - Statt Transistor einen simplen Mosfet Treiber der
@Achim S.: Deswegen hatte ich es mit dem Mosfet Treiber (einfacher mit Transistor Gegentaktstufe) versucht. Da dieser C1 direkt an VCC bzw. GND schalten kann. Das Ergebnis war aber eher noch schlechter. Vielleicht sollte ich es mal mit 2 Mosfets
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Komplementäre sourceschaltung
Beitrag #6343215: > Der TO sollte sich noch mal äußern. Ja nur sollen die transistoren rechts mosfets sein.
spezifisch? Ich habe diese Schaltung mal eben so aus dem Gedächtnis skizziert. Da statt bipolar Mosfet gefragt war, habe ich das umgezeichnet. Es sind keine IGBT sondern ein P-Kanal und ein N-Kanal Mosfet. Die Z-Dioden 15V begrenzen die Gate-Spannung. Sehr wichtig!
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Current Doubler - Worin unterscheiden diese Schaltungen sich?
doch wie funktioniert die Sekundärseite genau? Nun, offensichtlich muß man noch die Gates der MOSFETs ansteuern. Und zwar immer dann, wenn die Body-Diode eines der beiden MOSFET in Durchlaßrichtung gepolt ist, muß das Gate des MOSFET so angesteuert werden, daß dieser MOSFET seine Drain-Source Strecke
wie funktioniert die Sekundärseite genau? > > Nun, offensichtlich muß man noch die Gates der MOSFETs ansteuern. Und > zwar immer dann, wenn die Body-Diode eines der beiden MOSFET in > Durchlaßrichtung gepolt ist, muß das Gate des MOSFET so angesteuert > werden, daß dieser MOSFET seine Drain-Source
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Parallelschaltung MOSFETS im Wechselrichter - warum ?
Der Mosfet hat 24mR RDSon. Das sind bei 50A immerhin 60Watt Verlustleistung am Mosfet. Das ist zu viel.
D.H. T. schrieb im Beitrag #6485009: > jeder einzelne MOSFET hat eine zulässige DS-Stromstärke (IDS) von 120A Ich rate mal: diese Zahl steht im Datenblatt der geheimen Mosfets bei den "Absolute Maximum Ratings". > Also würde jeder einzelne MOSFET für sich
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Arge Probleme mit BLDC Steuerung
ich diese Werte für diesen Zähler mithilfe der Datenblätter der Mosfets errechnet, habe allerdings großzügig gerechnet. Als mir dann die Mosfets zu oft kaputt gingen, habe ich begonnen, ohne Motor und auch völlig ohne eine Last den Fehler zu suchen. Die Mosfets werden
betreibe, umso wärmer werden sie. Heißt für mich, hier gibts immer einen Kurzschluss, also ist der eine Mosfet noch nicht richtig gesperrt während der andere schon öffnet. Nach einer Weile gehen die Mosfets dann eben kaputt, ist verständlich. Nur verstehe ich nicht, wieso anscheinend die Mosfets nicht schnell
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Mosfet-Treiber IR2184 defekt? Mosfets brennen durch, Treiber warm
eine H-Brücke auf einer Lochrasterkarte aufgebaut, mit zwei Halbbrückentreibern IR2184 und vier N-Mosfets IRL3803. Im Anhang findet ihr den Schaltplan dazu. Das Problem ist aber, dass die Brückentreiber warm werden (je nachdem, welchen ich in den Sockel setze, habe 6 davon), und mir die Mosfets
Mosfets warm, und die Mosfets brennen auch ohne Motor durch. :-D Ansonsten, danke für das Einschätzen der Schaltung!
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Notebooknetzteil Strombegrenzung?
Vor allem muss es ein P-Kanal MOSFET (>20V,>!0A, nicht riesig grosses Qg) sein. Ein IRF7424 reicht gerade eben und braucht keinen Kuehlkoerper, ist aber echt knapp. Der OpAmp muss den MOSFET umschalten. Dazu ist Strom zum Umladen des
Nachtrag: Ich würde doch Transistoren als MOSFET-Treiber spendieren, die 30mA des MC34072 sind knapp. +19V | +--|< NPN (BC368) | \ | |E | >--+ +-- MOSFET-Gate | / | |E
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Transistor, der in beide Richtungen Strom führen kann
> Das trifft aber im Prinzip nur auf Vertikal-MOSFETs zu, ... Danke. Andere MOSFETs habe ich auch noch nicht verwendet, daher ist mir das bisher nicht aufgefallen. > man hat 2 Kondensatoren ... Da musst Du ja sowiso den Strom begrenzen (Widerstand
Es gibt solche Mosfet problemlos in SO8 zu kaufen. Sind in jedem Handyakku drin. Olaf
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PWM stört I2C-Bus
Kondensatoren und Elkos verwendet. Nur beim MOSFET Keramik und Tantal weil es da in der Anleitung explizit stand.
Spule? Was hat ein LC-Glied mit lückendem Betrieb zu tun? Ansonsten: Pufferkondensator über den mosfet mit Last, Freilaufdiode?
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Bilux-Birme mit Mosfet statt Relais schalten
die beigefügte Schaltung von Michael Oberberg gefunden. Da kam mir die Idee, die Relais durch Mosfet zu ersetzen. Dadurch würde mein Modul weniger klobig. Die Schaltung (Mosfet_Switch.png ) die weiter oben erwähnt wurde scheint mir ein gute Grundlage. Vielleicht kann mir jemand helfen die Schaltung
ist völlig frei. Ich kann schalten was ich will, bzw was sinnvoll ist. Hab die Schaltung vom MosFet noch mal hier eingestellt.
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LED-Spannungswandler mit MOSFET ?
Beitrag #4193285: > Petr t. schrieb im Beitrag #4193282: >> aber ich wollte wissen ob es mit einem MOSFET genau >> wie in der Schaltung möglich ist. > > nein. Habe vergessen, mit Begründung warum und welche MOSFET stattdessen möglich wären ? danke :)
, manche der MOSFETS dieses Typs hält er sogar noch bei 1.0V für ausgeschaltet. Oder anders gesagt, diese MOSFETs beginnen zwischen 0.4V und 1.0V schön langsam zu leiten, der eine früher, der andere später. Sieh dir
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Defektes Schaltnetzteil von Truma APS 400-K
nur 2 Defekte feststellbar und beim Nachmessen habe ich noch rausfinden können, dass der "Power-"Mosfet 11N80C3 an der Primärseite durchlässt. R_GS R_GD ~ 4,2 Ohm R_SD ~ 0,2 Ohm Unabhängig von der Polarität. https://www.reichelt.de/mosfet-n-kanal-800-v-11-a-rds-on-0-45-ohm-to220-fullpak-spa11n80c3
*nicht* ans Netz anschließen! Dann kannst du mit deinem USB-Oszi mal schauen was am Gate des MOSFET so los ist.
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Berechnung von Pulldown und Serienwiderstand für MosFETs
werden sollte, damit der Mosfet nicht in der Luft hängt und sicher ein- bzw. aus schaltet. b) vor jedem Gate ein Serienwiderstand platziert werden "sollte", damit der Strom beim Einschalten des Mosfets begrenzt wird. Was mich
Nachteile wenn der Mosfet zu schnell schaltet. Deswegen kommt da der "Serienwiderstand" rein - um deine Quelle zu schützen und den MosFet nicht zu schnell schalten zu lassen. Wie groß dieser Widerstand sein muss hängt ab von
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Mosfet statt Relais
gerade ein Magnetventil (1,5A , 24V) mit einem Relais. Nun überlege ich mir das Ventil mit einem Mosfet zu schalten. Jetzt habe ich mir mal eine Schaltung zusammengebastelt (siehe Angang). Sorry aber ich habe bis jetzt noch nie mit einem Mosfet gearbeitet. Was mir noch unklar ist ob ich überhaupt
So wird der Mosfet schnell kaputt sein, mach eine Z-Diode mit ca. 12V parallel zu R2, sonst knallt das Gate durch. 1N4148 ist übrigens noch schlechter geeignet als 1N4007, weil die nur 100 oder 200mA verträgt. Nimm eine
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Stromsparende Schaltung Klimalogger auf Basis Rasp Pi Pico
abstellen, so dass der Energieverlust gegen Null geht. Dazu schaltest du die Batterie mit einem Mosfet ab. Durch den Triggerimpuls wird der Mosfet eingeschaltet und der Pico startet. Über einen GPIO geht der Pico in Selbsthaltung. Ist das Programm durch, kann sich der Pico selbst abschalten indem er
abstellen, so dass der Energieverlust gegen Null geht. > Dazu schaltest du die Batterie mit einem Mosfet ab. Durch den > Triggerimpuls wird der Mosfet eingeschaltet und der Pico startet. Über > einen GPIO geht der Pico in Selbsthaltung. Ist das Programm durch, kann > sich der Pico selbst abschalten
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9V - Block schaltet 12V Batterie (Arduino)
Den oberen N-MOSFET bzgl Drain und Source parallel zum unteren N-MOSFET schalten, dann klappts.
Die Mosfets könnt ihr euch weg denken und nur deren Body-Dioden übrig lassen. Sehr witzige Schaltung...
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Solarladeregler mit AVR ?
Akku 12V, Lade und Entladestrom (durch Last) max. 3A Aufbau : Zwei in Reihe entgegengesetzte MOSFET (entgegengesetzt wegen Rücklauf) zwischen Akku und Panel und 1 Mosfet zwischen Last und Akku (Tiefenentladeschutz) Messung durch ADC des AVR am Panel und am Akku, Spannungs-Unterschied immer da,
Darstellung der Messwert, Strom,Spannung, Ertrag und Min-/Max-Werte uvm. Haut das mit den MOSFET gegeneinander hin, hat evtl. jemand damit Erfahrungen... Steuerung nur Verbindung mit MOSFETs ein/aus, viel Leistung liefert das Panel ja eh nicht. Alex
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IRF9510 MOSFET wird extrem heiss bei MC34063 Schaltregler
U_gs(max) überschritten, MOSFET tot.
. War für eine 50W LED ... Temperatur war in Ordnung - MOSFET handwarm.
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Ersatztransistor für defekten Einspeisewechselrichter
Verfolge die Leitungen vom Gate der MOSFETs aus.
Du meinst sicher vom Gate des leicht angeschmolzenen MOSFET? Wie nennt sich diese vorgeschaltete Baugruppe? Am benachbarten MOSFET sieht es ganz genau so aus.
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Breitbandige Ferritantenne
Ok, dann benötigt man wohl eher eine MOSFET-Tetrode als Vorlage.
Schaltsymbol aus dem ZIP-Archiv verwendet werden, da sich die Pinreihenfolge im Vergleich zum Standard-MOSFET unterscheidet. Die DG-Mosfet-Modelle sind von hier: http://ltwiki.org/files/LTspiceIV/lib/sym/SBORKA/DUALGATE/
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Ansteuerung einer Halbbrücke mit IR2110
MOSFET, als in deinem Fall +34V bezogen auf Masse. Da Du den Bootstrap Kondensator (wegen fehlendem Schaltsignal des Lowside MOSFET) nicht ordentlich auflädst, reicht die Spannung nicht aus, wenn er den HighSide
des LowSide MOSFET bezogen ist. > Bei der Highside musst Du 10V positiver sein als der Source-Anschluss > des oberen MOSFET, als in deinem Fall +34V bezogen auf Masse. Da Du den > Bootstrap Kondensator (wegen fehlendem
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Mosfet-P-Kanal
Variante zu der ich noch keine Aussage hier bekommen habe. Ich denke immer noch das ein P-Channel mosfet 'umgekehrt' angeschlossen und mit dem Gate an die optionalen 12V angeschlossen genau seinen Zweck machen dürfte... die (mosfet-)Diode wird schützen ... und der Mosfet wird dank Ug-Us bei 0 volt liegen
Martin B. schrieb im Beitrag #7611834: > Ich denke immer noch das ein P-Channel mosfet 'umgekehrt' angeschlossen > und mit dem Gate an die optionalen 12V angeschlossen genau seinen Zweck > machen dürfte... die (mosfet-)Diode wird schützen ... und der Mosfet > wird dank Ug-Us bei 0
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Akkuwächter mit ICL7665
oder Unterschreitung der 1.3V den MOSFET einschaltet. Daher ist der Baustein recht flexibel einsetzbar.
Ich habe bisher nur N-Mosfets verbaut und habe leider auch kein P-Mosfet rumliegen. Spontan würde ich mich jetzt für das IRF5305 entscheiden, gibt es da Einwände?
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PWM über Mosfet schalten, passt das so?
ATMega-Ausgangs beim Umladen der Gate-Kapazität. Wolfgang: Er betrachtet die Verlustleistung der MOSFETs im Umschaltvorgang. Man kann also bei niedrigen Frequenzen aus Sicht des µC den Widerstand weglassen, muss es aber nicht aus Sicht des MOSFETs. Bei hohen Frequenzen gibt es auf diesem Weg eventuell
), welche ich gern separat digital an/ausmachen möchte, denke ich benötige dafür einen P-Channel MOSFET? Belastung wäre halt in etwa die selbe nur, dass eben anstatt PWM nur simples an/aus gewährleistet werden müsste. Geschaltet würden die MOSFETs dann über 74HC595 (Schieberegister) sofern dies
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400Vpp Verstärker
Falk B. schrieb im Beitrag #7638843: > Dafür braucht man keine kaskadierten MOSFETs, zwei 650V MOSFETs reichen. > OK, die SOA hat da ein Wörtchen mitzureden, aber das ist ein anderes > Thema. SOA für viele Mosfets fällt eben raus deswegen soll es kaskadiert sein. Falk B.
Falk B. schrieb im Beitrag #7638843: > Dafür braucht man keine kaskadierten MOSFETs, zwei 650V MOSFETs reichen Na ja, 400V mit 0.5A sind immerhin 200W, das schafft kein einzelner MOSFET linear geregelt alleine weg, da ist es dann auch egal ob die mehreren benötigten parallel oder
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30A Endstufe
PS: Wenn du alles richtig machst wird der Mosfet bei 30A nur lauwarm.
Als Mosfet-Treiber kann ihc den MCP1407 empfehlen.
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Der Spannungsregler 723 als Elektronische Last
Schaltung, aber sie vergrößern die minimal mögliche Lastspannung um den Spannungsabfall an ihnen. Als Mosfets für elektronische Lasten eignen sich vor allem ältere Mosfets mit einem nur durch Pmax begrenzten SOA wie z.B. viele BUZ-Typen, RFP22N10, STE150N10, sowie die IXYS-LinearL2-Typen oder auch die Audio-Mosfets. Moderne schnelle Schalt-Mosfets sind idR nicht geeignet.
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Transistor Basiswiderstand Hilfe
GPIO am Raspi auszubrennen wird deutlich teurer als einen z.B. IRLML6246 oder anderen Logik-Level-MOSFET durch ESD zu verlieren. Wenn man noch mehr Strom braucht, kann man die MOSFETs auch einfach parallel schalten.
P.S.: nachtmix schrieb im Beitrag #5457994: > anderen Logik-Level-MOSFET ... wie z.B. den IRLML2502