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Batterie von ADC-Eingang des uC trennen (low power)
Jiri D. schrieb im Beitrag #5643000: > Beispielsweise: Könnte evtl. auch P-FET mit N-FET wie im Anhang > verwendet werden? dann würde immer wenn der ADC abgeschaltet sein soll 1M die Batterie als Grundlast entladen, wozu nicht nur P-FET ohne diese Grundlast? wozu der N-FET
evtl zu gering sein, um ihn durchzuschalten (selbst wenn logic-level FET). Wenn man zwei FETs verwendet, könnte man die Gatespannung durch einen Ladungspumpe (Inverter) erhöhen (Anhang). Braucht allerdings mehr Bauteile als im zweiten Bild: PNP mit N-FET. Würde das funktionieren
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wie Ausfallsicher sind AVRs?
Kabelbruch oder dgl.) von alleine abfällt und so die Zündung > unterbricht. Stimmt, aber es gibt auch FETs, die leiten, wenn sie keine Gatespannung bekommen. Allerdings denke ich, das hier ein FET fehl am Platze ist, denn die Spannungen der Zündspule dürften einen FET, wenn dieser geöffnet hat grillen.
erfordern sicher einige nervige und lanvierige Tests. Wobei. ein Triac, mit "pullup widerstand", ein FET, der den Triac "aus" hällt und ein Widerstand der ggf. den FET entläd... ... ... Relais!
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GPIO des Mikrokontroller gibt keine 3,3 Volt aus
Peter D. schrieb im Beitrag #5291831: > Den FET hats also vermutlich gerissen. Sehe ich auch so. Zusätzlich darf man vermuten, daß der FET beim Kaputtgehen auch das Portbein mitgenommen hat. Nochwas: Ein Pin eines µC ist _kein_ Treiber für ein FET-Gate. Entweder darf das Ganze schleichlangsam schalten, dann fügt man einen Widerstand (470 Ohm reichen zumeist aus) zwischen Port und Gate ein oder wenn man es schneller will, dann einen TC442x. Sowas
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MosFET schaltet PWM Signal nicht
ich den Duty Cycle auf HIGH setze geht das Rauschen am Drain weg ebenso bei 0% Duty Cycle. Der MosFET ist ein billiger 2302P/D. Datenblatt im Anhang. Ebenso im Anhang ein Screenshot der Schaltung. Die 5 Volt (VOUT5) kommen von einem AMS1117 5V. Habe ich einen falschen MosFET gewählt wenn ja
mit 100µ abblocken, den Pull-up von den 5V wegnehmen. Der Mosfet reicht locker, um das alles zu schalten. Auch bei 3V3, 3V2, die aus dem GPIO rauskommen. Aber dran denken, dass der Tastgrad nun durch den FET invertiert wird. muss man dann (bei 8bit) 255-pwm rechnen oder das eben anders invertieren.
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Synchrongleichrichter 50V 20A mit LT4320
LT4320 zu verwenden, jedoch sagt das Datenblatt man solle mit 30mV bzw. 50mV Spannungsabfall über den FET's eine Auswahl treffen. Mittels Ohmschen Gesetz müsste ich nun einen Fet finden mit RDSon < 0,5 mOhm, was vermutlich nicht möglich ist. Unter Vernachlässigung dieser Rechnung habe ich folgenden Fet
Wenn man keinen 0.5mOhm Fet findet kann man ja ein paar parallel schalten. Ganz im Gegensatz dazu kann man Dioden nicht parallel schalten. !! Aber das ist ja sicher bekannt. Wenn man auf Diodengleichrichter macht, muessen
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Peakleistung
Schuss ist der Fet hinueber, wegen der Induktivitaet. Ich hab mal genau so ein Teil gebaut. Fuer eine kapazitive Last von ein paar pF. Viel Glueck.
Ja. Ja. Aber was ist ausserhalb des Fet, die Aussenwelt ? Du willst die Spannung an der Source schalten ? Der IRF730A ist ein N-Fet. Ich wuerd einen P-Fet empfehlen.
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Infrarot Flash für 336 LEDs mit 455Khz Modulation
auslegen sollte ich es für eine ONtime von 100%, falls mal ein codefehler alle einschaltet. ;) Schalten würde ich das ganze über einen Logic Level FET z.B. den IRL530, der am Mikrokontroller hängt. Schalten muss er nämlich bis zu 4.2A und das mit fast 0.5Mhz. Nach Datenblatt hat er eine Risetime von
Hi, Zitat: Schalten würde ich das ganze über einen Logic Level FET z.B. den IRL530, der am Mikrokontroller hängt. Schalten muss er nämlich bis zu 4.2A und das mit fast 0.5Mhz. Nach Datenblatt hat er eine Risetime von
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LED Strom in Sperrrichtung?
beeinflussen. Geht auch mittels zusätzlicher Basis-Collector bzw. Gate-Drain Kapazität. Langsameres Schalten erhöht natürlich die Verluste in den Schaltern...
zeigt (*1) Angenommen man hat eine synchrone > Gleichrichtung, d.H. der Strom fließt durch einen FET in einer Richtung > in der auch die Diode leiten würde. Der Treiber schaltet erst den FET > aus, der Strom kommutiert im Bauteil vom Kanal in die Bodydiode. Die > Totzeit vergeht und dann wird
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Mehrere LEDs kostengünstig betreiben
könnte man doch vereinzelt grüne und blaue LEDs einsetzen? chris schrieb im Beitrag #4354778: > MosFet ---> 3Stränge parallel à 6Leds Schalte ungern die LEDs parallel ohne Strombegrenzung.
Sancho schrieb im Beitrag #4354821: > chris schrieb: >> MosFet ---> 3Stränge parallel à 6Leds > > Schalte ungern die LEDs parallel ohne Strombegrenzung. Wer sagt denn das die ohne Begrenzung betrieben werden? 0.o Am Mosfet ist auch kein Pullup/down vorhanden
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Solarpanele parallel schalten
Hallo zusammen, auf einem Boot habe ich ein 70Wp Solarmodul. Das reicht nicht. Wenn's schlecht läuft, habe ich eine Deckungslücke von 40-60Ah pro Tag. Also muss ein weiteres Modul her. Nun liest man ja oft, dass man am besten zwei gleiche Module nimmt oder dass sie zumindest dieselbe Umpp haben sollen. Das ist in diesem Fall aber ausgeschlossen (und m.E. sowieso nicht stichhaltig, da die Module ja nicht immer gleich viel Sonneneinstrahlung bekommen). Ich habe mal nach Modulen gesucht und die auf dem beigefügten Bild gefunden (die Tabelle richtig gesetzt hier rein zu bekommen ist mir zu
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p-Kanal als High-Side-Switch Gate an µC?
nach Typ) durch z.B. eine 12V-Z-Diode. > Ist das die einzige Lösung wenn man einen High-Side-Schalter braucht > bzw. einsetzen möchte? Da ist es wohl doch angenehmer das > Verbindungsblech (also GND) zwischen den Leuchten aufzusägen diese dann > einzeln abzugreifen und einfache Logic-Level-n-Kanal-FETs
Antworten! Schon wieder was gelernt. Z.B. den Ansatz mit der Zenerdiode. Zu den High-Side-Schaltern Ziemlich mächtig für 3 Lämpchen, finde ich. Bei Conrad habe ich diesen gefunden: BTS721L1 für 7,64. Is ja schon ne andere Nummer als ein paar n-Kanal-Fets für insgesamt weniger als 1,50€..wenn auch
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mit 3,3V μC und Mosfet bis zu 50A schalten
gerade eine Schaltung zu entwickeln, bei der ich mit einem ATMega 32U4 an 3,3V einen N-Channel MosFET ansteuere um mit selbigem bis zu 50A zu schalten. UDS soll vorsichtshalber bis zu 75V aushalten. (Bei der hohen Spannung fließen natürlich keine 50A). Nun war ich bei Mouser auf der Suche und muss leider
An welchen FET hast du denn gedacht? Dass FETs grundsätzlich per Spannung und nicht wie Bipots über Strom gesteuert werden, weißt du sicher.
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Kleiner Beeper bringt AVR zum Absturz...
ja an +U) eine Negative Spannung hast; d.h. wenn du am Gate 3V hast und am Source 5V, schaltet der FET, da -2V anliegen (U_diff ist Typenabhängig!!). Um den FET dagegen zu sperren, braucht es U_GATE = U_Source ! Somit müsstest du in deinem Falle Source dauerhaft auf 3V legen um den FET zu sperren, wenn dein µC 3V ausgibt. Hat es einen Bestimmten Grund, warum du mit LOW schalten willst? Bei FETs ist das ziemlich egal, ob mit LOW oder mit HIGH (Leistungsmäßig). Mit HIGH schalten wäre in deinem Falle einfacher. Ansonsten brauchst du einen Pegelwandler vor deinem FET.
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FET Beschreibung hier in Beschreibung falsch?
wird. Eine typische Anwendung ist z. B. ein Low-Side Schalter: Source an GND, Drain an die Last, Ansteuerung des N-Kanal FETs mit 12V gleichbedeutend mit 12V ÜBER den Source = GND Potential. Beim P-Kanal FET als HS-Schalter muss die Gatespannung negativer
Beim N-FET als HighSide Schalter liegt Source an der Last und Drain an der Versorgungsspannung. Die Last hängt zwischen Source und GND. Um die Versogunsspannung sicher auf die Last zu schalten muss das Gate deutlich
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Braucht man ein R_gate ?
nie eine passende in der Größe,Preis, Verfügbarkeit gefunden.... deshalb die Idee mit dem zweiten FET... Ja, wenn den "Dioden"fet ansteuern.. Also die Spannung über selbigen kann NICHT genommen werden, weil er sonst nicht mehr ausgeht... Man könnte ein Invertiertes Signal des anderen FETs nehmen
ca 5% der motorleistung) wenn du ohne kühlk. auskommen willst, muss rds-on kleiner sein, anderen fet oder : zb 3 stk parallel, gibt 2,3w verlust, also jeder fet rund 0,7w, das geht mit kleiner kühlfläche, uu kupfer der platine.
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ATMEGA88V BOD 1,8V Reset HC05
sind :-( .Beim aktivieren des Moduls greift die Burnout Detection, die ich auf 1,8V gestellt habe. Schalte ich diese mit den Fuses H:DF L:62 aus läuft das Programm weiter. Schalte ich sie mit H:DE L:62 ein bootet der Atmel. Mit meinem Mini Oszi habe ich am Batterie Clip gemessen, dort fällt die Spannung
mal so belassen, damit man einen Überblick hat. Die Pin Anzahl Stimmt jetzt auch 1x VCC 2x GND am FET 1x TX und 1x RX
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Common Anode mit invertierter PWM Schalten
wäre es, die Kathode eines jeden Farbstrangs an den Collector oder Drain eines NPN Transistors / MosFet anzuschließen und damit die Kathode gegen Masse zu schalten. Das passt aber nicht zu der Logik der PWM. Bedeutet ein High Pegel an Basis, respektive Gate doch das der Transistor / Fet durchschaltet
mir einfällt, ein Inverter an die PWM Ausgänge des Kontrollers anschließen und beim NPN Transistor / FET bleiben. Was ich gerade nicht zusammen kriege, ist eine Lösung mit PNP Transistor oder FET. Wie müsste ich das aufbauen und kann ich den Transistor oder FET mit den 3,3V vom Kontroller überhaupt sicher
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LED per Reed-Schalter Auf und Ab dimmen
Kostümprojekt möchte ich winzige (oder zumindest sehr flache) Module bauen welche mindestens aus einem Reed-Schalter und einer (SMD) LED bestehen sollen. Jedes Modul erhält eine externe Spannungsversorgung mit 2 Kabeln - mehr Drähte werden aber schwierig. Wird der Reed Schalter aktiviert (geschlossen), soll
Fader brauchen grosse Elkos > > Ein 1µF MLCC-Winzling reicht, wenn man es mit einem FET baut. Wow, danke für die ausführliche Schaltung und Simulation! Dachte eigentlich Fets seien nur für hartes schalten, nicht zum drosseln. Werde mir das genauer ansehen. Wenn dadurch deutlich mehr
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Hilfe 3. ESP kaputt, MOSFET Schaltung
Lukas schrieb im Beitrag #7617176: > Ja, es handelt sich um IRLZ44N. Die sollten die 330µA schalten können, ohne warm zu werden ;-) Noch größere FETs hattest du nicht?
kein Gate eines MOSFETs ungeschützt aus der Platine über ggf. längere Leitungen an irgendwelche Schalter, es sei denn, durch andere Maßnahmen ist sichergestellt, dass ESD von den Schaltern und Eingängen ferngehalten wird.
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SMD Schalter für 1A
Hi, Ich suche einen SMD Schalter für 1A, jedoch finde ich bei Mouser unter Schiebeschalter bei über 3000 Einträge nur solche mit 10A oder 300mA. Sind die 300mA nur der maximale Einschaltstrom und die können continous mehr ab?
habe ich bereits einen für das Entkoppeln des Voltage > Regulators von VUSB und VBAT. Akkumord-FET, hoffentlich hat die LiIon eine gute Schutzschaltung.
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12V Transistor-Motorschaltung mit Arduino macht Probleme
Pegel kannst du im fraglichen Fehlerfall (ohne Lüfter und ausgeschaltet) am Gate und am Drain des FET gegen GND gemessen? Wenn am Gate sollten dann annähernd 0V gegen GND (Source) anliegen, dann sperrt der FET. Du könntest ihn also quasi auch auslöten. Damit bleibt eigentlich nur noch diese Schaltung
> sonst man bestimmen kann, welche Spannung mindestens benötigt wird, um > den Transistor zu schalten, wenn nicht anhand der GS Threshold Spannung. U_GS(th) gibt an, bei welcher Spannung der FET anfängt zu leiten. Gewöhnlich wird U_GS für einen Strom von 250µA angegeben. Das nützt dir überhaupt
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74HC595 mit 5V und BS170 als Treiber für 12V. Geht das?
das was ich mir da ausgedacht habe? Kann ich die BS170 einfach durch größere FET ersetzen? Dann könnte ich mit gleichem Platinenlayout auch höhere Ströme schalten wenn nötig. Bekomm ich irgendwie die gemeinsame Masseschiene zwischen Steuer-/Laststromkreis weg? Bei 200 Lampen
übersetzt. IN deinem ersten Post redest Du von "BS170". Dieser ist aber nun leider ein N-Kanal FET. Damit kannst du das Minus der Lämpchen schalten, nicht jedoch das PLUS. Das heisst dann aber , dass dein erster Schaltplan wohl vollkommener Murks ist. (es sei denn du meinst BS250) Die Frage
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Flyback Converter Eigenoszillation bei niedriger Eingangsspannung
oben geschrieben habe. =) So jetzt mal zu meinen Erkenntnissen. Die Spannung zwischen der HV Fet Source und LV Fet nenne ich im folgenden Text Mittenspannung Feststellen kann ich: 1. LV Fet Gate High -> Mittenspannung Sinkt -> HV Fet wird Leitend 2. Strom durch die Primär Induktivität steigt
FET, Ugs des HV FET ist 0 2. Wo geht der Strom hin? Laut Stromzange (BW 5MHz) fliest der Strom in den HV FET rein aber nicht aus dem Source des LV FET raus. In der Mitte ist nur noch die Snubber Bat46
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MOSFETs werden heiß - Brushlesscontroller
möchte ich nutzen um den Zeitpunkt der Kommutierung zu bestimmen. Wenn ich dann also auch das Low-Side-FET schalte, dann kann ich diese Spannung nicht mehr messen. Ich glaub ich versteh da was falsch. Könnt ihr mir auf die Sprünge helfen? MfG Hias
ist zu langsam ! Der FET muß heiß werden.
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Verständnis: NPN vs. MOSFET vs. Relais vs. Optokoppler
dass der OK am Ausgang 20% des Stromes schlaten kann, der durch die LED fließt. D.h. will ich 5mA schalten, benötige ich 25mA in der LED. Darum sind normale OK für Relais keine gute Wahl, denn ein µC kann selten genug Strom schalten. Es gibt Optokoppler mit Darlington-Ausgang (z.B: TLP127), die min.
schalten.
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MOS fet
mir... Also: Hallo! hat vielleicht jemand von euch einen Vorschlag: Ich brauchen einen MOS fet, logic level, mit einer Gatespannung von ca. 5V, der 20V aushält. ich brauche einfach nur einen Namen... Danke schön! Emina
hallo kleiner fehler: er soll 20V aushalten und schon bei 5V schalten, hast du falsch verstanden, sorry vielleicht habe ich mich falsch ausgedrückt... mfg emina
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LED-Raumbeleuchtung
auf 2x4A für ROT/GRÜN-Ansteuerung, 1x8A für BLAU-Ansteuerung und 6x3A um die einzelnen Blocks zu schalten. Was für Treiber sollte ich dafür verwenden? Bipolare Transistoren oder FETs? Wenn FETS, dann was für welche? Mich hat der TOPFET angesprochen. Ich kenne mich mit Transistoren nicht aus, da ich
2x4A für ROT/GRÜN-Ansteuerung, 1x8A > für BLAU-Ansteuerung und 6x3A um die einzelnen Blocks zu schalten. > Was für Treiber sollte ich dafür verwenden? Bipolare Transistoren oder > FETs? Wenn FETS, dann was für welche? Mich hat der TOPFET angesprochen. auf jedenfall fets. n-kanal mit rds_on < 20
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nichtinvertierender Transistorschalter
Mit einem Transistor sehe ich da jetzt auch kein Problem? Ein P-FET würde invers funktionieren.
einem Artikel hier auf der Webseite findet: "Eine typische Anwendung ist z. B. ein Low-Side Schalter: Source an GND, Drain an die Last, Ansteuerung des N-Kanal FETs mit 12V gleichbedeutend mit 12V ÜBER den Source = GND Potential." https://www.mikrocontroller.net/articles/FET
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Relais Schaltung mit AT Tiny
Moin Alex, der Schalter soll vermutlich als "manuelles EIN" wirken? Das lieber anders lösen: Einen weiteren PIN als Eingang verwenden und das Relais per Software schalten. Alternativ einen Umschalter verwenden, damit
nach GND sein? Was ist mit den PINs 1,2 und 3 - interne Pullups oder Ausgänge? Vom Gate des FETs würde ich ein paar hundert-Kilohm nach GND schalten, damit der zu ist, wenn der µC startet.
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Schafft mein Mega32 das?
Kannst Du nicht anstatt den BC337 ein BS250 nehmen? Also P-FET's im TO92 Gehäuse? Strom = 0 mA
empfohlen und geschrieben, damit würde die > Schaltung 10 Jahre halten. Ist aber ein Highside-Schalter, sprich der Schaltplan würde sich ändern. Außerdem ist der recht teuer, das wärs mir persönlich nicht wert, da krieg ich wirklich überdimensionierte n-Kanal-FETs billiger. :-)
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Konstantstromquelle 30A
dabei ja auch die Verlustleistung stark ansteigt. Ausserdem meine ich einmal gelesen zu haben, das HexFet sich eher zum Schalten eignen als für den linearen Betrieb. Meine grundsätzlichen Fragen erst mal: Kann ich einfach eine beliebige Schaltung eine Konstantstromquelle nehmen, einen passenden MosFet
eine Hand voll IRFP250N liegen, die werde ich mal versuchen. Was sollte ich denn beim parallel schalten beachten? brauche ich bei FETs Sourcewiderstände, so wie bei der Parallelschaltung von bipolaren Transitoren Emitterwiderstände? Und wenn ja, in welchem Bereich sollte ich die dimensionieren?
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Aquariumsteuerung
in Reihe zwischen Gate und +12V gehängt hast. Man könnte 100k bis 1M Ohm von Gate nach Masse schalten um den MosFET im Fehlerfall automatisch abzuschalten. Die Strombegrenzung für die LEDs erfolgt auf einer anderen Platine? Dein LCD: D0 bis D3 sollten eigentlich offen gelassen werden. Bei
0,000000001F*1000000 Ohm=1ms Das ist nicht so kritisch. Eigentlich sollte man bei so einem Leistungs-MosFET einen Treiber nutzen um den MosFET auch schnell an/ab-schalten zu können.
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Negative Peaks beim Abschalten von MOSFETs bekämpfen
okay das klingt nicht ganz unplausibel! Meine FET können 80V/75A und ich arbeite bisher mit max 36V. Wie messen denn dann die Kollegen hier im Forum das Schalten der Gates? Ohne Bezugspannung der Highside-Source kann ich ja den realen Spannungsverlauf
Bei dem FET sind ziemliche Kapazitäten am Werk und vielleicht presst das Umschwingen der Last das Gate da drüber ins negative. Kleinere Gate-Widerstände können das Umschalten noch beschleunigen.
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Mosfet-Treiber raucht immer sofort ab
anschaue sollte VS besser auch auf GND. Mal ne ganz andere Frage: wie schnell möchtest Du denn Deinen FET schalten können? Vielleicht tut es da nämlich statt dem ganzen Treiberaufwand auch ein simpler Transistor und 2 Widerstände. Gruß, Gerd
I_D - V_GS Flanke rumjuckelt und wohl kaum als Logik-Level FET durchgeht. Dennis P. schrieb im Beitrag #2627020: > Naja da ich einen Startermotor mit 80A schalten will, sollte der Mosfet > zügig schalten um weniger Schaltverluste zu haben Die Schaltverluste
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Modellbahn Bremsmodul überbrücken ohne Relais
müsstest Du nur 3 Dioden überbrücken. Das > Problem sehe ich im Bezugspunkt. Notfalls kann man den FET über einen Optokoppler ansteuern, der die Ansteuerspannung für den FET per Einweggleichrichtung vom Fahrstrom bekommt. Dann ist man die Sorge mit dem Bezugspotential los. Nach ein bisschen googlen
blau, Bremsgleis grün). Der Kondensator macht da gar nichts mit, sondern sorgt nur dafür, dass der FET auch in der negativen Signalphase seine Hilfsspannung bekommt.
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elektronischer Schalter bei 2,8 volt
Diese FETs findest du inkl. der automatischen Abschaltung in jeder geschützten lipo-Zelle.
avion23 schrieb: > Diese FETs findest du inkl. der automatischen Abschaltung in jeder > geschützten lipo-Zelle. Ja super, vielen Dank - kannst Du mal eben nachsehen was da drauf steht? Ich habe keine geschützte LiPo-Zelle .
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Rauchmelder per MOSFET an SPS
Thomas Schad schrieb im Beitrag #1830551: > Der Eingang der SPS schält zwischen 15 und 30V auf HIGH *Was* tut der?
, wenn das Gate Strom ziehen würde. Aber der Fet wird Spannungsgesteuert. Aber dein Vorschlag mit der Kombination Fet/Transistor ist auch ok, deine Schaltung nicht, der 2. Fet (GS) wird durch die Z-Diode usw. nicht geschützt. Aber nun mußt du
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N-Logic-Mosfet gesucht
>such nach einem FET mit deutlich geringerer Gateladung BSZ100N06LS3
für den Dauer-Betrieb und als "Absolute Maximum" angibt. Perfekt zum Umladen der Gate-Charge eines FETs. 125kHz PWM aus Tiny45-Pin über ca. 2 Ohm an LL-FET-Gate mit 50nC Total-Gate-Charge: Schaut im Oszi einwandfrei aus.
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10 LED's Dimmen
10 LED's dimmen. Ich würde einen kleinen StepUp Spannungswandler bauen und alle LEDs in Reihe schalten. (der erzeugt aus deinen 5V dann ca. 30V) http://schmidt-walter.eit.h-da.de/smps/aww_smps.html Der MosFET sollte 50V und 0.5A vertragen. Die Spule sollte 20mH haben. Es gibt auch welche mit
Das Gate von dem MosFET verträgt maximal 16V, also sind 12V okay, 8V sind besser. Unten links ist der Teil zur Spannungsversorgung des Gate-Treibers, manche MosFETs schalten bei 3.8V noch nicht richtig durch. Die höhere
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Reduktion der Spannung
die Ausgangsspannung mit 24V +/- 3%. Könnte ich dieses Gerät nicht zwischen Ladegerät und Akku schalten?
N-Kanal FETs nehmen die wenigstens 40V abhalten können.
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FET mit 10A dauer + verarmung(=öffner)
Hallo zusammen ich bin auf der Suche nach einem FET, über welchen ich ca. 10A dauerhaft und 40-50A kurz(1ms) drüberjagen kann. Den FET möchte ich aber als "Öffner" betreiben --> 100% durchschalten oder 0% Leider finde ich im internet nicht wirklich
versorgt werden und die durchzuschaltende last kann zwischen so zwischen 20 und 30 Volt schwanken. Wie Schalte ich das Gate eine P-FET also richtig? bei z.B. 24V an source müsste ich laut spruts beschreibung/beispiel +14Volt an gate hängen damit er durchschaltet und z.B. +24Volt draufhängen das er nicht mehr
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ICs über Controller Pins versorgen
Investier lieber in Transistoren, die die Spannung schalten und sei auf der sicheren Seite.
C37 sorgt für einen konstanten, kontrollierten Spannungsanstieg, wodurch sich auch hunderte µF schalten lassen, ohne die Versorgung negativ zu beeinflussen. hunderte mA Last sind kein Problem. Der Spannungabfall ist vom FET abhängig, hier aber bei 65mOhm eher weniger relevant.
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Treibertransistor
Was möchtest du denn mit dem Transistor schalten?
schaltgeschwindigkeit is egal welcher fet wäre da ideal für mich?? bei einem Fet brauche ich keinen Vorwiderstand?? warum nicht?? lg markus
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Frage zur max. Belastung des IRLML5203
Gehäuse des FET auf 25°C festgehalten wird (betreibst du dem FET im temperierten Ölbad oder werden sich seine Lötanschlüsse aufheizen?) Schau dir auch Fig. 8 im Datenblatt an: 9A darfst du mit optimaler Ansteuerung
, nimm ggf. einen kräftigeren FET oder eine andere Schaltung. Falls dir höhere Spannungen zu Verfügung stehen (die du ohnehin fürs volle Aufsteuern dieses FETs bräuchtest): kommt denn keine Serienschaltung deiner LEDs in Frage?
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GPIO als 6.4V Input
Hallo zusammen, ich verwende einen Raspberry PI und schalte damit auf einer externen Platine den Sutdown Pin eines FET Treibers. Dieser FET Treiber wird mit 6.4V betrieben und hat einen internen pull-up. Der Shutdown Pin führt also 6.4V, solange er nicht
Das ist relativ einfach zu erreichen - nur auf den ersten Blick ein bisschen unintuitiv. Schalte eine Shottky-Diode vor den Eingang. Und zwar so: Raspipin *---->|-----* FET (0..6,4V) dem Raspipin konfigurierst Du dann nach dem Hochfahren einen internen Pullup dazu. Wenn UFet = 0V wird
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Highside Mosfet mit spannungsfreiem Ausgang ?
12V an Vbb des Mosfet anliegen lasse, dann verbraucht der Fet permanent strom. (wenn auch wenig) Die andere Lösung auch die 12V sprich Vbb zu trennen finde ich unpraktisch, da über die Leitung ja ein recht "hoher" Strom fließen kann und somit auch der Schalter
Ich sehe weder einen uC noch einen Schalter. Siehe [[Netiquette]].
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Aufwärtsschaltregler bauen
2Meter Schnur an die Drossel und bist darüber verwundert, das das alles nicht so recht will? Der Fet wird imi Avalanche Betrieb sein und eshalb total abkochen. Probier es mit 10nF in Reihe 10Ohm parallel zum Fet. Takt auf 60-80Khz und Drossel auf 330µH, oder (wenn geht) 150Khz und 150µH. Hauptsache
auf Steckbrett hinkriegen zu wollen. Momentan ist die Leiterschleife, die beim Umschalten des FETs umkommutiert, riesig (überleg, welchen Weg die hochfrequenten Stromanteile bei geöffnetem und bei geschlossenem FET nehmen. Die Fläche zwischen diesen beiden Stromwegen musst du minimieren). Du hast
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Suche Thermosicherung für 48V 2A (70 °C)
der positiven Zuleitung, also auf der Highside. Und geht (da mehr günstig verfügbare niederohmige FET) auch mit N-FET wenn man die Minusseite schaltet. Muss halt der TE prüfen ob der Weg gangbar ist. Noch eine Alternative sind komplette highside Schalter (infineon, etc) die einem einen Großteil
#7055255: > Bei der Lösung mit GND würden doch am Schaltkontakt 48V anliegen? Da Du da <10mA schaltest: kein Problem. DaBla spricht ja von größeren Strömen, die Du nicht hast. In jedem Fall: V_gs auf 12..15V bringen, damit der FET bestmöglich durchgesteuert ist. > >Christoph db1uq K. schrieb
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Tiny mit externem FET
plastik abschleifen, gate von fet suchen, bonddraht anheften und leistungsstärkeren FET anschließen, leistungsschwachen FET auskratzen
whatthe schrieb im Beitrag #2293384: > plastik abschleifen, gate von fet suchen, bonddraht anheften und > leistungsstärkeren FET anschließen, leistungsschwachen FET auskratzen Ok, dan muss ich mir erst für 1000 € neues Werkzeug kaufen.
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Wie schalte ich eine Leitung hochohmig ( beide Richtungen)
Hi! Da fallen mir ja gleich tausend Sachen ein: Schere, Messer ... oder Schalter, Transistor, FET... Meinst du, dass die Infos, die du uns gegeben hast reichen? Gruß Guido PS: Von milchigen Kugeln will ich gar nicht sprechen.
verdummgeschwätz" wird, Und dein Beitrag ist dabei sehr hilfreich... Ein Transistor (auch ein FET) ist hochohmig, wenn er entsprechend bestromt wird bzw. offen ist. Ein Schalter/Relaiskontakt ist auch hochohmig, wenn er nicht geschlossen ist. Eine Sample/Hold-Schaltung hat etwas mit Kondensatoren