-
Thread
Mosfet anfänger
frage ob ich den mosfet auch in die plusleitung schalten kann ?
noch 2,6V am 'Verbraucher' ankämen und da ist die Schaltmimik mit einem bipolaren Transistor oder MOSFET noch gar nicht berücksichtigt.
-
Thread
Gatewiderstände an MOSFETs
designe das immer nach Anforderung. Im Prinzip mache ich jedoch die Flankensteilheit beim Schalten der MOSFETs möglichst klein, also die Schaltzeit möglichst groß. Wie gesagt, das hängt natürlich davon ab, ob jemand ein einfaches Relais oder ein paar LEDs schalten möchte oder ob die MOSFETs in einem 10kW-Umrichter
einen Pegel z.B. des Gatetreibers. Allerdings ist der Effekt um so kleiner, um so langsamer der MOSFET schaltet, also direkt proportional zum Gate- Widerstand, so daß sich der Effekt i.A. aufhebt. Die Verluste in längerer Umschaltzeit sind höher, der MOSFET wird stärker belastet. Die EMV-Effekte
-
Thread
MOSFET gesucht
Hallo, ich suche für ein Projekt einen Logik-Level N-MOSFET mit min.>=150V/>=100mA mit möglichst geringen RDSon im SMD Gehäuse , weiss jemand da was?
jeweils in X oder Y Richtung statisch angesteuert werden sollen. angesteuert werden sollen die Mosfets per 97x 74HC595, wenn es da keine Logiklevel Mosfets gibt, müsste ja jeder noch einen Treiber bekommen.. Zuviel Aufwand. Mit normalen Transistoren vielleicht?
-
Thread
Der Spannungsregler 723 als Elektronische Last
Schaltung, aber sie vergrößern die minimal mögliche Lastspannung um den Spannungsabfall an ihnen. Als Mosfets für elektronische Lasten eignen sich vor allem ältere Mosfets mit einem nur durch Pmax begrenzten SOA wie z.B. viele BUZ-Typen, RFP22N10, STE150N10, sowie die IXYS-LinearL2-Typen oder auch die Audio-Mosfets. Moderne schnelle Schalt-Mosfets sind idR nicht geeignet.
-
Thread
ESP32 externer Watchdog Reset stört Flashvorgang
festgestellt. Muss eigentlich auf GND runter. Ich habe aber immer eine Vce. Deswegen suche ich nun einen MOSFET für 3V im TO-92 Gehäuse.
erreichen. Selbst bei heftigster Übersteuerung >> nicht. > Gar nicht, also auch nicht mit einem MOSFET? Nein, auch mit einem Mosfet wirst du keine 0(,00000)V erreichen. Das ist aber ja auch nicht nötig. > Ich bin mir nicht sicher ob der EN Pin überhaupt ein GPIO ist. Der dürfte wohl in allen Fällen
-
Thread
Defektes Schaltnetzteil von Truma APS 400-K
nur 2 Defekte feststellbar und beim Nachmessen habe ich noch rausfinden können, dass der "Power-"Mosfet 11N80C3 an der Primärseite durchlässt. R_GS R_GD ~ 4,2 Ohm R_SD ~ 0,2 Ohm Unabhängig von der Polarität. https://www.reichelt.de/mosfet-n-kanal-800-v-11-a-rds-on-0-45-ohm-to220-fullpak-spa11n80c3
*nicht* ans Netz anschließen! Dann kannst du mit deinem USB-Oszi mal schauen was am Gate des MOSFET so los ist.
-
Thread
Mosfet-Treiber IR2184 defekt? Mosfets brennen durch, Treiber warm
eine H-Brücke auf einer Lochrasterkarte aufgebaut, mit zwei Halbbrückentreibern IR2184 und vier N-Mosfets IRL3803. Im Anhang findet ihr den Schaltplan dazu. Das Problem ist aber, dass die Brückentreiber warm werden (je nachdem, welchen ich in den Sockel setze, habe 6 davon), und mir die Mosfets
Mosfets warm, und die Mosfets brennen auch ohne Motor durch. :-D Ansonsten, danke für das Einschätzen der Schaltung!
-
Thread
9V - Block schaltet 12V Batterie (Arduino)
Den oberen N-MOSFET bzgl Drain und Source parallel zum unteren N-MOSFET schalten, dann klappts.
Die Mosfets könnt ihr euch weg denken und nur deren Body-Dioden übrig lassen. Sehr witzige Schaltung...
-
Thread
Labornetzgerät als Projekt
Anhang ein paar von heute aufgenommenen Oszi Bilder: Das Impulsverhalten wurde mit einem IRF720 MOSFET als Schalter/Last getestet. Ein Funktionsgenerator steuerte den MOSFET. Ausgangspannung: 10V Statische Grundlast: 0.3A Getaktete MOSFET Last: 0.7A Tastfrequenz: 300 Hz Oszi: HP54602A Wie
paar von heute aufgenommenen Oszi >> Bilder: >> >> Das Impulsverhalten wurde mit einem IRF720 MOSFET als Schalter/Last >> getestet. Ein Funktionsgenerator steuerte den MOSFET. >> >> Ausgangspannung: 10V >> Statische Grundlast: 0.3A >> Getaktete MOSFET Last: 0.7A >> Tastfrequenz: 300 Hz >> Oszi
-
Thread
Parallelschaltung MOSFETS im Wechselrichter - warum ?
Der Mosfet hat 24mR RDSon. Das sind bei 50A immerhin 60Watt Verlustleistung am Mosfet. Das ist zu viel.
D.H. T. schrieb im Beitrag #6485009: > jeder einzelne MOSFET hat eine zulässige DS-Stromstärke (IDS) von 120A Ich rate mal: diese Zahl steht im Datenblatt der geheimen Mosfets bei den "Absolute Maximum Ratings". > Also würde jeder einzelne MOSFET für sich
-
Thread
Komplementäre sourceschaltung
Beitrag #6343215: > Der TO sollte sich noch mal äußern. Ja nur sollen die transistoren rechts mosfets sein.
spezifisch? Ich habe diese Schaltung mal eben so aus dem Gedächtnis skizziert. Da statt bipolar Mosfet gefragt war, habe ich das umgezeichnet. Es sind keine IGBT sondern ein P-Kanal und ein N-Kanal Mosfet. Die Z-Dioden 15V begrenzen die Gate-Spannung. Sehr wichtig!
-
Thread
Hochspannungs-Schaltnetzteil im Eigenbau
wird? Ich hab Zweifel daß die Wellenform dann noch schön rechteckig ist. Ich erwäge durchaus einen Mosfet Treiber (z.B. IR2101S) einzusetzen.
meisten alten ICs sind "voltage-mode" controlled. Solche bekommste auch bei Reichelt und dann noch nen MOSFET Treiber von IRF (war irgendwas mit IR21xx ?) hintendran weil Du sicher mehr als einen MOSFET brauchst umd die Leistung schalten zu können. Weil oben jemand meinte 95% Wirkungsgrad sind mit einem
-
Thread
Suche Transistor für eine regelbare Stromquelle
Aber bei der fällt durch das Mosfet doch auch eine Spannung ab die größer als 0,9 Volt ist oder nicht?
Der IRF1010 MOSFET den ich vorher herausgesucht hatte, hatte auch nur einen on Widerstand von 11mOhm deswegen verstehe ich das gerade nicht. Laut MaWin fallen da 5V ab oder habe ich da etwas flasch verstanden?
-
Thread
Schaltverluste bei schneller HV - Halbbrücke minimieren
schnellen (rise-/fall-time) MOSFET mit weniger Ciss. Danke für Vorschläge...
das funktioniert sehr gut. Das Hauptproblem sind meistens weniger die Mosfet-Chips an sich, sondern eher das Platinen-Layout, die (parasitären) Induktivitäten der Mosfet-Gehäuse und die Gate-Treiber. > Der IXZ308N120 ist natürlich ein Super Mosfet, ... > Bin mir aber sicher
-
Thread
Netzteil mit IGBT
Ich habe so ein Netzteil (0..40V 0..10A) gebaut, allerdings nicht mit igbt sondern mit einem Mosfet (IRFP250) Das funktioniert einwandfrei. Warum behaupten mancher Leute hier im Forum, das Linearregler mit Mosfet nicht möglich ist?
> gegenüber "Bipos" hast. Doch, bei Bipos habe ich mehr als 20 W bei 10A Last verbraten, bei MOSFET < 10W. Und bei Bipos muß ich auf mehrere verteilen. MOSFETs, die 10A vertragen, gibt es wie Sand im Meer.
-
Thread
H-Brücke mit 4 IGBT (DC Generator/Motor)
wollte noch bei den HCPL-Driver bleiben, also das Problem liegt nur bei der Ansteuerung im High Side Mosfets. Auf euere Hilfe werde ich sehr dankbar :) Die Simulation ist im Anhang, falls jemand da was ergänen kann. (Proteus 8.13)
statt einer galv. Trennung den Level-Shift mit spannungsfesten (winzigen, im IC integrierten) Mosfets machen. Nachtrag: Auch wenn man die HS mit HCPL-... macht, reichen bei den beiden LS Mosfets (die eben auf "Haupt"-GND referenziert sind) einfache LS (Lowside) Gate Treiber. Die HCPL-... sind
-
Thread
Diskrete Impulsverlängerung am schlauestens aufbauen?
passender Transistor dahinter um die Last von ca. 6A (Gleichstrommotor) zu schalten. Dachte an ein MOSFET oder IGBT? Ein MOSFET müsste ich doch direkt ansteuern können - also Gate an den CD4538 und fertig, oder?
da fehlt der pulldown vom mosfet gate <> gnd (ca 100k)
-
Thread
Kühlkörper - Dimmensionierung - Leistung auf 10 Transistoren
Reicht eine Schraube mit Mutter für die ideale Befestigung, oder soll ich eine Schiene über die Mosfets machen, um sie an den Kühlkörper zu pressen ?
du aber zwischen jedem Mosfet an den KK zurren. Sonst bringt die wegen Durchbiegung nur am Anfang und Ende was.
-
Thread
Hilfe Schaltung raucht immer ab :((
Und warum ein so niederohmiges? Und glaubst du ernsthaft, du könntest die Gatespannung an einem MOSFET mit einem Vorwiderstand einstellen? Wie groß ist nochmal der Gatestrom und wieviel Spannungsabfall wird der an 500R hervorrufen? Aber wahrscheinlich ist dein MOSFET einfach nur abgeraucht (Kurzschluß
mit einem Poti? Wie sonst? > Aber wahrscheinlich ist dein MOSFET einfach nur abgeraucht (Kurzschluß > mit 3 Beinen) und wenn du R2 kurzschließt, verheizt der Transistor > einfach 24V * alles was das Netzteil an Strom hergibt. Ne Mosfet ist ok, ganz sicher
-
Thread
Spannungswandler 24VDC auf 135VDC, max. 120mA Last (ca.10-12W)
Strommessshunt. Das ist nicht klug, so eine Krücke will genau angepasst sein. Und dein übertrieben dicker MOSFET ist auch keine gute Idee, zu viel Gatekapazität.
Spannungsspitzen gibt es vor allem dann, wenn der Strompfad über die Diode und/oder der Pfad durch den Mosfet eine hohe Induktivität hat.
-
Thread
Transistorschaltung - DO uC
Beitrag #4204957: > Wenn du eine Last mit festem Massebezug > schalten willst, nimm einen P-Kanal MOSFET. Tausch ich dann einfach 1-zu-1 den N-Kanal- gegen einen P-Kanal-MOSFET? Oder wie muss die Schaltung dann aussehen? Dann kommt die Last an Drain? Und +10V an Source?!? Sind P-Kanal-MOSFETs nicht
einen 50A P-Kanal MOSFET kaufen. Sooo wild ist das alles nicht.
-
Thread
Potentiometer in Abhängigkeit vom Schalldruck möglich?
mal auf einen Spannungsteiler von 10 zu 10K. Sind die zahlen richtig? Dann fallen am 10k und am MOSFET quasi die ganzen 9V ab. Daher öffnet der MOSFET und die LED leuchtet. Ist das so zu verstehen?
ich brauch da noch ein bisschen :). Später fliesen da aber 1,2-2,4A (2m LED-Strip) über den MOSFET. Das ändert aber nichts am 10 Ohm Widerstand oder? Das Gate ist ja unabhängig was am D/S abfällt.
-
Thread
PWM Regelung 24DC Motor (16A)
schrieb im Beitrag #6750247: > Der gesamte Bauteilaufwand liegt unter 1 EUR, z.B. mit PMS150C, MOSFET, > Freilaufdiode und Z-Diode und Hühnerfutter, die Entwurf und > Produktionskosten sind also das teurere. Mir gehts eigentlich fast nur um die Auswahl des oder der Mosfet(s) und Freilaufdiode
veränderlichem Puls/Pause-Verhältnis geschaltet sein. An dessen Ausgang schlißt sich das Gate des Mosfet an und die Diode kommt in Sperrichtung parallel zum Motor, um die Spannungsspitzen, die beim Abschalten des Motors entstehen kurzzuschließen und damit den Mosfet vor Zerstörung zu schützen. Die
-
Thread
Dicke silizium chip mosfet
Hallo Forum Freunde, kann mir jemand bitte sagen, wie dick ist silizium-chip von einem mosfet? was geht eigentlich dadrin kapput wenn der Mosfet seine maximale Temperatur überschreitet? Dank schon mal für eure Hilfe LG Alex
du, wenn an deinem MOSFET bei 30A 50V abfallen, also der Innenwiderstand bei 1,7 Ohm liegt. Wenn dein R_dson < 0.1 Ohm bleibt kannst du an 50V auch 30A schalten, mit "deinem" MOSFET. Alex Kai schrieb im Beitrag #3816988
-
Thread
Arge Probleme mit BLDC Steuerung
ich diese Werte für diesen Zähler mithilfe der Datenblätter der Mosfets errechnet, habe allerdings großzügig gerechnet. Als mir dann die Mosfets zu oft kaputt gingen, habe ich begonnen, ohne Motor und auch völlig ohne eine Last den Fehler zu suchen. Die Mosfets werden
betreibe, umso wärmer werden sie. Heißt für mich, hier gibts immer einen Kurzschluss, also ist der eine Mosfet noch nicht richtig gesperrt während der andere schon öffnet. Nach einer Weile gehen die Mosfets dann eben kaputt, ist verständlich. Nur verstehe ich nicht, wieso anscheinend die Mosfets nicht schnell
-
Thread
Berechnung von Pulldown und Serienwiderstand für MosFETs
werden sollte, damit der Mosfet nicht in der Luft hängt und sicher ein- bzw. aus schaltet. b) vor jedem Gate ein Serienwiderstand platziert werden "sollte", damit der Strom beim Einschalten des Mosfets begrenzt wird. Was mich
Nachteile wenn der Mosfet zu schnell schaltet. Deswegen kommt da der "Serienwiderstand" rein - um deine Quelle zu schützen und den MosFet nicht zu schnell schalten zu lassen. Wie groß dieser Widerstand sein muss hängt ab von
-
Thread
N Kanal MOSFET Verständniss
von Matthias vorgeschlagen, so reduziert sich bei gegebenem RDS(ON) der Spannungsabfall über dem Mosfet. Dadurch sinkt V_GS, da die Spannung an Drain und Gate stabil bleiben und sich durch den kleineren Spannungsabfall über dem Mosfet nur die Sourcespannung erhöht. Dadurch steigt der RDS(ON) und somit
bei OUT. Zur Spannungsaufteilung: Selbst wenn sie eigentlich abgeschaltet sind, lassen die MOSFETs noch einen kleinen Reststrom hindurch. Mosfets sind rückwärts durchlässig, nicht nur wenn sie eingeschaltet sind, sondern auch wenn sie ausgeschaltet sind. Dann geht der strom über die Body-Diode
-
Thread
Transistor Basiswiderstand Hilfe
GPIO am Raspi auszubrennen wird deutlich teurer als einen z.B. IRLML6246 oder anderen Logik-Level-MOSFET durch ESD zu verlieren. Wenn man noch mehr Strom braucht, kann man die MOSFETs auch einfach parallel schalten.
P.S.: nachtmix schrieb im Beitrag #5457994: > anderen Logik-Level-MOSFET ... wie z.B. den IRLML2502
-
Thread
Potentialentkoppelte Leistungsübertragung mit Kondensatortrennung
12 V unter Last wegen den Dioden nicht erreicht werden können ist mir klar. Stabile 9 V für die Mosfets wären ausreichend.) Was ich bereits probiert habe: - R1, R2 gegen Poti getauscht und rumgespielt - C1+C2, bzw. C3 kleiner und größer gewählt - Statt Transistor einen simplen Mosfet Treiber der
@Achim S.: Deswegen hatte ich es mit dem Mosfet Treiber (einfacher mit Transistor Gegentaktstufe) versucht. Da dieser C1 direkt an VCC bzw. GND schalten kann. Das Ergebnis war aber eher noch schlechter. Vielleicht sollte ich es mal mit 2 Mosfets
-
Thread
Verständnisfrage FET
Zwei MOSFETs so "antiseriell" zu verschalten wird oft gemacht, auch bei großen Leistungen, eben um den Stromfluss in beide Richtungen zu verhindern. Manche BMS ICs haben das genau so integriert. Wenn die MOSFETs
leiten sie (effizient) in beide Richtungen. Kann man auch beim High-Side schalten mit p-Channel-MOSFETs machen, oder auch high-side mit n-Channel-MOSFETs und Ladungspumpe. Die Body-Dioden kann man auch gewinnbringend einsetzen, indem man z.B. nur *einen* der MOSFETs einschaltet, sodass der andere
-
Thread
Ersatztransistor für defekten Einspeisewechselrichter
Verfolge die Leitungen vom Gate der MOSFETs aus.
Du meinst sicher vom Gate des leicht angeschmolzenen MOSFET? Wie nennt sich diese vorgeschaltete Baugruppe? Am benachbarten MOSFET sieht es ganz genau so aus.
-
Thread
ALDI LED Taschenlampe ohne lästige SOS Funktion Gesperrt
Controllerplatine mit Masse. Der SO-8 Chip ist leider unbeschriftet. er steuert den danebenliegenden MOSFET. Den Controllerchip habe ich entfernt und den MOSFET permanent aktiviert. Da die Platine dem Batteriehalter als Pluskontakt dient habe ich sie drin gelassen. Jetzt lässt sich die Lampe wie gewohnt
Ich glaub nicht das in der Schaltung ein Mosfet ist, sondern ein 2SB772.
-
Thread
Charlieplexing mit erhöhter Leistung (Strom/Spannung)
zwar nicht ganz, aber wir haben es hier ja mit > Multiplexing zu tun. Der Kanalwiderstand der MOSFETs ist *viel* zu groß!
überschreitest du ratzfatz die zulässige Verlustleistung. Die sind nur dazu gedacht das Gate eines MOSFET/IGBT zügig umzuladen.
-
Thread
Strom verstärken,aber wie? 0-12V 1A IN (Steuerung) linear auf 0-12V 10A OUT (Last)
Steuergerät möchte ich insgesamt je Farbe 400LED´s ansteuern (400x0,025A=10A) Ich dachte an MOSFET´s aber ein N-Channel MOSFET kann ich nur mit + ansteuern. Ich hoffe ihr könnt mir weiterhelfen LG Maik
anbei die schaltung. ich will die Mosfet´s am Gate Eingang über einen Spannungsteiler ansteuern, da der Mosfet bereits bei einer Spannung an Gate eine Ausgangsspannung von 12v liefert. PS: Halbleitertechnik ist nur ein Hobby von mir ich
-
Thread
Akkuwächter mit ICL7665
oder Unterschreitung der 1.3V den MOSFET einschaltet. Daher ist der Baustein recht flexibel einsetzbar.
Ich habe bisher nur N-Mosfets verbaut und habe leider auch kein P-Mosfet rumliegen. Spontan würde ich mich jetzt für das IRF5305 entscheiden, gibt es da Einwände?
-
Thread
Bei -3Vdc Steuerspannung zwei Kontakte schließen und bei -10Vdc öffnen (Schaltleistung: ab ca. 20 …
-9,8 ... -10 V) wiederum öffnet? Aktuell habe ich hier im Bestand parat paar IRF640 (N-Kanal MOSFET) und paar IRF9630 (P-Kanal MOSFET). Der P-Kanal MOSFET IRF9630 arbeitet genau andersherum: bei Erhöhung der Spannung schließt er (~ proportional) am Source und Drain, aber um das oben geschilderte
auf eine versprechende (energiesparende) Umsetzung mit einem MOSFET hindeutet. Der IRF640 MOSFET verhält sich bei der Überbrückung des Widerstandes (über Source und Drain) DEUTLICH kühler, ist aber ein N-Kanal MOSFET, was mir eine andere Barriere darstellt, weil
-
Thread
Brückenprobleme
der schreckliche Sven schrieb im Beitrag #5056046: > So wie die Schaltung jetzt ist, rettet Die Mosfet`s nur blitzschnelles > schalten. Schneller als der Stromanstieg in der Zuleitung. Ich will die Mosfet's nicht retten. Ich will den Transistor retten.
Andreas schrieb im Beitrag #5053940: > schalten direkt beim Anschließen der > Batterie beide Mosfets gleichzeitig durch, was ja einen länger > andauernden Kurzschluss und damit das Ende der Mosfets bedeutete Andreas schrieb im Beitrag #5056099: > Ich will die Mosfet's nicht retten Dazu erübrigt
-
Thread
Kaputte MOSFETs.
Da das offensichtlich kein Logic Level-MOSFET ist, reichen die 5V des Atmega nicht aus, den MOSFET voll auszusteuern. Das und der nicht vorhandene Kühlkörper führen zur Überhitzung des MOSFET.
. Das geschieht auch, wenn er zu langsam schaltet. Ein heißer MOSFET deutet auf diese Probleme hin. Abhilfe: Die PWM-Frequenz erniedrigen MOSFET gut kühlen MOSFET-Treiber benutzen, in diesem Fall mit einer Treiberleistung von ca. 2A Höhe der Gatespannung prüfen
-
Thread
30A Endstufe
PS: Wenn du alles richtig machst wird der Mosfet bei 30A nur lauwarm.
Als Mosfet-Treiber kann ihc den MCP1407 empfehlen.
-
Thread
Gibt es diskrete Schaltungstechniken, die erst in jüngerer Zeit entwickelt wurden?
Ich glaube Leistungs MOSFET mit Innenwiderständen im Milliohm Bereich sind relativ neu, obwohl es schon lange CMOS ICs und schwache diskrete MOSFET gibt. Erfunden wurden sie vor ca. 100 Jahren.
obwohl MOSFET zuerst erfunden wurden.
-
Thread
Highside Switch Problemstellung
getrennten MOSFET-Treiber und versorge den per DC/DC Wandler ebenfall galvanisch getrennt. Dann kann die Eingangsspannung beliebig niedrig sein, der MOSFET bekommt immer ausreichend Gatespannung. So ein Treiber ist
getrennten MOSFET-Treiber und versorge den > per DC/DC Wandler ebenfall galvanisch getrennt. Hallo, das ist dann ja genau so aufwändig als ob man einen N-MOSFET als high side switch per DC/DC verwendet. Genau
-
Thread
Halbbrücke - wie ist der Eingangs-Elko optimal anzuschließen?
durch den unteren Elko fließen. Wenn der Lowside-Mosfet leitet, fließen 100 A durch den unteren Mosfet und nichts durch den oberen Mosfet. Der obere und der untere Elko werden mit 50A geladen. Man hat also näherungsweise den gleichen Ripplestrom in beiden
Puls auch allein liefern zu können. Johannes E. schrieb im Beitrag #3756851: > Wenn der Lowside-Mosfet leitet, fließen 100 A durch den unteren Mosfet > und nichts durch den oberen Mosfet. Der obere und der untere Elko werden > mit 50A geladen. Das ist so die übliche Betrachtung einer quasi-Vollbrücke
-
Thread
Bilux-Birme mit Mosfet statt Relais schalten
die beigefügte Schaltung von Michael Oberberg gefunden. Da kam mir die Idee, die Relais durch Mosfet zu ersetzen. Dadurch würde mein Modul weniger klobig. Die Schaltung (Mosfet_Switch.png ) die weiter oben erwähnt wurde scheint mir ein gute Grundlage. Vielleicht kann mir jemand helfen die Schaltung
ist völlig frei. Ich kann schalten was ich will, bzw was sinnvoll ist. Hab die Schaltung vom MosFet noch mal hier eingestellt.
-
Thread
Leistungsmosfet Kurzschluss, alle 4 Drain pins angeschmort
den geschaltenen Mosfet. Habt ihr eventuell noch eine Idee woran es liegen könnte? Danke schonmal Gruß Manu
Zum Thema Linearbetrieb von MOSFETs: Ein Blick in die SOA klärt auf, ob und in welchem Maße ein MOSFET für den Linearbetrieb geeignet ist. Gibt es in ihr eine Kurve für Dauerstrom (DC), kann man an ihr die maximale Belastbarkeit im
-
Thread
Zwei Stunden Timer, ungenau
RC-Glied und dem "Schaltmosfet". Nimm einen CMOS Oszillator/Zähler 4060 und häng dahinter deinen Mosfet. > Schalten würde ein P-Mosfet Musst du unbedingt die Highside schalten?
schrieb im Beitrag #7424642: > Nimm einen CMOS > Oszillator/Zähler 4060 und häng dahinter deinen Mosfet. Mit einem 4536 wird das bei seinen Vorgaben erheblich einfacher.
-
Thread
Parallel- und Serienschwingkreisumrichter mit LTspice
des Mosfets. Was ist denn der Grund, dass du die Brücke mit 2 MHz taktest? Sind die Mosfets dafür schnell genug? Wie sieht die Spannung an den beiden Brückenausgängen aus? Um einen Schwingkreis mit 18 kHz
man mit 1,0V einen Strom von 2000 A erhalten. Das sind dann ca. 60 A in den IGBTs. Falls die Mosfets das nicht mehr können, brauchst du größere Mosfets oder es müssen mehrere Mosfets parallel geschaltet werden. Die Gatespannung ist mit 8 V ziemlich niedrig, damit werden die Mosfets nicht richtig
-
Thread
Problem mit Frickelwandler 12V -> 24V
Gehäusetemperatur sind es gerade mal um die 40mOhm. Also nix mit 100mOhm, vor allem da er noch 2 Mosfets parallel schaltet. Die Linie geht selbst bei 10V über die 200A Marke. Bei 2 Mosfets parallel sind also 400A drin, solange der Mosfet kalt ist. Außerdem gehts hier nicht um den HRF3205 sondern
P.S.: Mit einer Wicklung gerade mal probiert, gleiche Symptome, nur daß nur noch ein Pärchen MOSFETS warm wird.
-
Thread
Quick&dirty - schnelle Problemlösungen selbst gebaut Bilder
Spannung holen, die den Strom durch den Switch widerspiegelt. Es ist quasi ein intelligenter Mosfet. Wobei das nicht ganz stimmt, weil ich ihn nicht mehr wie einen Mosfet behandle. Hab wohl nichtmal mit den Eigenheiten eines Mosfet mehr was zu tun, wie Gate Driver und Miller und so.
Drei Dual-N-MOSFET TSM6968SD im TSSOP8-Gehäuse: ideal für Lochraster-Aufbauten.
-
Thread
Arduino zur CarPC Steuerung
der DPin auf LOW gesetzt damit der Mosfet abschaltet. Was ich bis jetzt habe: * Das An Signal für das Mosfet Gate wird mit zwei Dioden die eine OR Schaltung bilden betrieben * Die Schaltung ohne Arduino schaltet DURCH sobald das eine
und MOSFET kein Stromkreis zustande kommt. > > D13 -> Diode -> Gate vom MOSFET -> Source vom MOSFET -> Und jetzt die > Verbindung zum GND des Arduino, welche den Stromkreis schließen würde. > > Lösungsvorschlag
-
Thread
100A per uC schalten
ja fast supraleitend, wieviel mV fallen dann im Fehlerfall drüber ab?). Also dann doch ein dicker MOSFET. MFG Falk
Obwohl... wie sieht's denn da (bei "simplen MOSFETs") mit AC, DC aus? Ralf