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Punktschweißgerät mit Kondensatoren bauen?
braucht man auch nicht abschalten, weil ohnehin der ganze Strom in die Schweisstelle gehen soll. Mit Fets kann man das im Prinzip genauso machen, nur ist der Aufbau ein wenig komplizierter. Man braucht eine extra Gatespannung zum Schalten des Fets, die Fets müssen hinreichend stromfest sein und nicht zulest
. Der http://ultrakeet.com/index.php?id=article&name=cdWelder_p2 ist natürlich ein Argument für Fets.
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12V Schalten durch PWM Signal vn Arduino Mega
Arduino Mega steuern, was auch schon super funktioniert, mit einem IRFZ34N wo ich die Masse der LEDs schalte. Jetzt habe ich aber das Problem, das ich 2 LED Stripes mit Plus schalten muss(liegt leider an ungünstiger Kabel Verlegung....) DA hatte ich mir gedacht wie in der Zeichnung einen P-Kanal Mosfet
0,3V und in die andere Richtung hochohmig Gruss Klaus p.s. oder alternativ: das gate des P-fet von den anderen Anschlüssen befreien und direkt mit Source verbinden. Dann darf nix leuchten. Wenn doch.. dann kaputt. .... oder dein P-Fet ist kein P-fet. stimmt die Aufschrift ?
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Alternative für J310 - Mini Whip
Schaltung wird ein > Bipolartransistor, egal ob Ge oder Si, nicht funktionieren. > Auch nicht jeder FET wird funktionieren, wenn die Bastelkiste sowas > überhaupt hergibt. 128 Einzelschubladen (ok nicht ganz, nur etwa 10-12 Mit Transistoren oder Fet sind da dabei) die man durchsehen kann. Du kennst
Nochwas: http://www.leobaumann.de/funk.htm#casco Da mußt Du nicht dauernd FETs wechseln.. Gruß, Holm
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Wie funktioniert dieser Led Treiber? Convoy Taschenlampe
Der G. schrieb im Beitrag #6912219: > Ist das ein FET driver Was bitte ist ein FET-Driver ? Ich sehe einen R010 Strommesswiderstand, einen SOT23-5 OpAmp, 2 MOSFETs, einen MSOP10 Controller und der übrige SOT23 könnte die beworbene Zemperatur7betwachung
MaWin schrieb im Beitrag #6912265: > Was bitte ist ein FET-Driver ? Formel Eins Test....
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Lineares Netzteil
parallelen FETs über einen Operationsverstärker auf gleichen Stromfluss einregeln.
einen FET im Analogbetrieb. Beide FETs sind aus der gleichen Charge, der Drainstrom gegenüber Gatespannung differiert erheblich. > Unser Statron Typ 3203 (30V/10A) mit BJTs parallel war dagegen mehr > kaputt
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DCF77-Aktivantenne / LTSpice / BF245A
hilfreich gegen Störungen z.B. eines normmalen Dimmers mit großer Last oder von Störungen durch Schalten von Leuchtstofflampen. > Des weiteren ist mir nicht klar, was durch die Dioden geschützt werden > soll. Wenn überhaupt, machen sie vor dem FET Sinn. Danach schaden sie > nur. An der Antenne
kleinen C ist eher die Entsprechung für eine elektrisch kurze Monopol Antenne. Dass der nachfolgende FET spannungsgesteuert ist hat wiederum mit der Erregung des Kreises druch das empfangene Signal nichts zu tun. Der FET stellt lediglich die entnehmende Last dar.
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Akkuwächter-Fet statt Relais für Lasten bis 150A
Ausgänge für das An- und Abschalten der Verbraucher sondern hier wird plus vermutlich durch einen p-Fet geschaltet. Augenscheinlich sind die Ausgänge für den Anschluss von Lastrelais ausgelegt, diese verbrauchen mir aber zu viel Strom. Die Schaltlogig habe ich mit dem Schalter symbolisiert - siehe Anhang
IRF4905-Link ist falsch, aber den IRF4905 halte ich für gut geeignet. 2 oder mehrere davon parallel schalten ist in Ordnung, das kann man mit FETs gut machen. 6. Du _musst_ mehrere parallel schalten, denn 20 s ist defakto Dauerstrom und dafür sind mindestens 2 FETs (148 A) erforderlich, eher aber 4 FETs
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IRF4905 fragen zur Beschaltung
zwischen Gate und Source = 0V. Ich habe mir eben das Sheet (direkt von der Hersteller Seite) zu diesem Fet angesehen und er ist eigentlich genau was ich suche, nur leider nicht ganz. Ich möchte 5V Last (ohmsch) bei 60A schalten (auf der high Seite). Würde ja laut Helmi gehen, Sheet und sprut sagen auch
auch den IRF4905 und ebenso eine Frage zur Beschaltung. Wenn ich an das Gate +12VDC anlege zum Schalten, an Source ebenso und an Dran die + für zB ein 5m LED Stripe und dessen GND eben an GND. Der FET schaltet dann nicht durch, weil zwischen Gate und Source 0V anstehen. Er braucht mindestens 10V
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MOSFET antiseriell als analoger Wechselstromschalter
Hallo, ich versuche einen analogen Schalter für Wechselströme zu bauen, der 20V und 3A schalten kann. Ausser, das man dafür 2 N-Kanal MOSFET antiseriell zusammenschalten muss habe ich leider keine Infos (Gate-Ansteuerung bzw. Schaltplan) für
ansehe und die geforderten Ein-und Ausschaltzeiten, wird das nix, wenn Du vor dem Gleichrichter schaltest. Die Spule und der Kondensator am Ausgang machen das so träge, daß Du auch mit nem relais schalten könntest. Ich tät die fertige Spannung am Ausgang schalten. Ist einfacher, billiger, und viel
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Projekt: "Amazon Dash-Button" auf ESP8266-Basis
Moin, man könnte ja auch "Hardware deep stand by" machen. Batterie -> P-Fet -> Regler (o.sonst was) -> ESP Der ESP hält per GPIO den Fet on (solange er was zu tun hat), der Taster überbrückt zum starten nur kurz den Fet. Das verbraucht dann überhaupt keine Energie mehr
Beitrag #4730434: > Moin, > > man könnte ja auch "Hardware deep stand by" machen. > Batterie -> P-Fet -> Regler (o.sonst was) -> ESP > Der ESP hält per GPIO den Fet on (solange er was zu tun hat), der Taster > überbrückt zum starten nur kurz den Fet. > > Das verbraucht dann überhaupt keine Energie
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Selbsterhaltende Versorgung mit Taster einschalten
Pol schalten: [code] Batterie - + .--+--o o---o Vcc | |D Ein \ |---+-----o Selbsthalt | | R `--+----+-----o GND n-FET [/code] R würde
selbst, ist es Jacke wie Hose, ob man Vcc oder Gnd kappt. Bis jetzt war aber die Rede von Vcc schalten. Und das ist i.a. die saubere Lösung. Gnd bleibt Gnd. Es ist ja nicht so, dass es keine passenden p-FETs gäbe, um so irgendwie die Gnd-schalten-Lösung zu favorisieren. Völlig indiskutabel wirds
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Mosfets beim LED-Cube
einem "H" > durchsteuert, und einfach so einen verwenden? Bitte verwende keine N-Ch zum Highside Schalten. Damit verlierst du immer min. 1-2V am Schalter.
#3527180: > Bitte verwende keine N-Ch zum Highside Schalten. Damit verlierst du > immer min. 1-2V am Schalter. schadet das dem FET? denn für meine LED brauche ich ja nur ca 2,2V, ich könnte dann ja einen dementsprechend kleineren LED-Vorwiderstand nehmen
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Supercap Balancing funktioniert nicht wie erwartet
den Fet fließt, dann schaltet der Ausgang vom Opamp direkt bei der Schaltschwelle auf Vcc-50mV hoch, wie ich es auch erwarten würde.
Wenn man nicht unbedingt einen FET verwenden will...
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MOSFET-Halbbrücke wird heiß wenn Drains verbunden sind
Spannungen an den Gates für Taster gedrückt. > Schau Dir an bei welchen Potentialen die jeweils schalten und Deine > Frage wird sich beantworten. rein rechnerisch sollte der pFET dabei theoretisch sperren. (seine minimale U_GS_Schwelle beträgt -0,5V, laut Schaltplan sollten nur -0,28V erreicht werden
doch was nicht ganz genau so ist, wie im Schaltplan gezeigt, und dass deshalb bei geschlossenen Schalter auch der pFET über der Schwelle angesteuert wird - so dass bei FETs leiten und dementsprechend heizen müssen. @Daniel: miss mal im "Heizzustand" die Gate-Source Spannung des pFET nach. Bist du
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Suche einen DC/DC 400W
Duty-Cycle bis fast 100% der Regelbereich der PWM sollte also reichen. Dem Spendierst du einen großen FET der den Impulsstrom durch die Spule schalten kann. Schutzbeschaltung des FET nicht vergessen und Spannungsfestigkeit lieber eine Nummer zu groß, sonst stirbt der unter Umständen sofort! Versuche nen FET mit möglichst kleinem RDS-On zu bekommen, je kleiner der On-Widerstand desto effizienter ist der Wandler und du mußt weniger kühlen. Kühlen wirst du den FET auf jeden Fall müssen mittels Kühlblech
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250A 10V zuverlässig schalten
ebenfalls sehr niederohmig, also mit dicken Drähten am besten direkt an die Spule montiert werden. Schalten tust du die Spulen am besten im Massekreis (sogen. Lowside), das ist etwas einfacher als das Schalten in der Plusleitung. Solche hohen Ströme schaltet man nicht mal eben so, ich würde dir empfehlen
teilweise ordentlich Hitze abbekommt) und dann Matthias S. schrieb im Beitrag #4788700: > Schalten tust du die Spulen am besten im Massekreis (sogen. Lowside), > das ist etwas einfacher als das Schalten in der Plusleitung. Ich weis das das ziemlich durcheinander und bestimmt auch nicht
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Treiber für Wechselrichter 1700V
Schaltfrequenz ist... 4,8 (4,2?) MHz sehe ich bei SiC nicht als realistisch an. Das schaffst du mit GaN-Schaltern bei <100 V. Schau mal bei epc-co.com . Falls sich deine Rechung auf den IMBF170R1K0M1 bezieht: Die 41 uJ gelten für die Testschaltung aus Fig. E, wo der LS-FET die Speicherladung des HS-FET
und dir die Speicherladung des sperrenden FETs ausräumt bevor der andere FET einschaltet. Ich habe das als Student mit CoolMOS-FETs gemacht, allerdings bei 400 kHz Schaltfrequenz und sehr viel geringerer Spannung.
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Meinung zu dieser H-Bruecke
läuft, oder? Schalt mal den Sender aus und sieh nach, ob der Ripple dann noch da ist...
Eingeschaltet werden die FETs recht flott, aber gegeneinander langsamer gesperrt.
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Spule mittels MOSFet oder Transistor schalten (H-Brücke)
vom betrieb mittels relais auf der spulenseite in beide > richtungen sehen. Dazu müssten die FETs auch in "umgedrehter" Richtung hochohmig werden, was mit einem einzelnen Leistungs-FET nicht geht (weil die immer ihre Body-Diode haben). Du könntest anstelle der vier einzelnen FETs in deiner Brücke
Induktionsspannung der Spule bis zur Durchbruchspannung der FETs ansteigt. Was natürlich auch dazu führen kann, dass die FETs schon beim ersten Ausschalten zerstört werden (je nachdem, wie viel Energie du in der Spule gespeichert hast.
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Lipo Akkus zusammen schalten..
machen es auch nicht anders. Es geht darum das bei höherer Spannung als 4.2 Volt ein Widerstand per FET zugeschaltet wird, der als Bypass dient.
Für das nächste Mal: "zusammen schalten" und "zusammenschalten" haben verschiedene Bedeutungen.
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Mute knackfrei schalten
Zusatz: Als Schalter solltest du einen mit möglichst prellfreien verwenden.
So, wie Matrix bereits meinte. Geht dann auch mit FET oder Transistor anstatt Schalter.
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High und Lowside aus NPN Transistoren
nimmst, sieht das ganze bedeutend besser aus. Und ein Widerstand von Gate nach GND hilft dir, FET's einzusparen, da du nicht nach jedem durchschalten des 2. Fet beide austauschen musst, weil abgeraucht, weil beide leitend sind. Nur rein aus Interesse, wofür soll die Schaltung gut sein?
Ersetzte T1 durch einen 10 kOhm Widerstand. Mit Spannung/ keine Spannung an PIN 2 schaltest Du den Lüfter ein/ aus. Anders: Ersetze T1 durch den Lüfter. Entferne Q1 und D1. Nimm für T2 einen 1A Typ. Mit Spannung/ keine Spannung an PIN 2 schaltest Du den Lüfter ein/ aus.
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Spg_Auswertung_KFZ
mir dann ein paar Schaltpläne mitgegeben hatte und quasi alles nur noch über Transistoren und MosFet's geschaltet wird...
einem Transistor anzapfen (dessen Basisstrom macht dann sicher keine Probleme) und damit das Relais schalten.
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Großen Strom (2,5kA) mittels H-Vollbrücke schalten
ist bei voll durchgeschalteten MOSFETs auch unproblematisch und es ist fast egal wie langsam sie schalten und ob alle gleichzeitig schalten. Da aber selbst 1 Milliohm bei 2500A schon 2.5V (und 6.25kW) sind und damit deine Spannung auffressen, wirst du versuchen müssen deutlich unter 0.1 Milliohm zu kommen
irgendwo so um 300 A auf. Du wirst also einige parallel schalten müssen. Alternativ kannst Du auch mit diskreten FETs arbeiten, die es mir Rdson bis deutlich unter 1 mOhm gibt. Mit 20 Stück parallel bist Du dann bei 50 µOhm, das sind 300W Verlustleistung. Immer
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LEDs direkt an den µC oder mit FET schalten?
des µC anschließen soll (der kann laut Datenblatt max. 25 mA liefern) oder ob ich ein Logik-Level FET nehmen soll um die Anoden zu schalten. Ich würde den FET gerne einsparen, da die Größe (bzw. das Gewicht der Platine) entscheidend ist. Was ist denn da so der Konsens? Viele Grüße, flo
mit dem TLC5923 schalte.
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Kritik zum PlatinenLayout
Sascha K. schrieb im Beitrag #4651562: > - Die MOSFETs sollen 12V/500mA Led leisten schalten schalten. Zusammen oder einzeln?
Sascha K. schrieb im Beitrag #4651562: > - Die MOSFETs sollen 12V/500mA Led leisten schalten schalten. Quasi witzlos wenig. > - SMD ist keine Lösung für mich, da ich das Werkzeug dafür nicht habe. Wie wäre es mit BSS295 ? > - Wo genau soll eine Freilaufdiode hin? Zwischen Arduino
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Zwei OPV sollen einen MOSFET schalten, aber wie?
, dann zieht er gegen Masse? Dann müsste ich ja nur noch nen Inverter bauen, der mir dann meinen N-FET ansteuert? oder gleich einen P-Fet nehmen. Ist das so richtig? Danke für die Antworten! Viele Grüße Paul
zieht er gegen Masse? > Dann müsste ich ja nur noch nen Inverter bauen, der mir dann meinen > N-FET ansteuert? oder gleich einen P-Fet nehmen. Ist das so richtig? Nö. Die Dinger haben ja NPN-Kollektoren als Ausgänge. Also alle Ausgänge zusammen und nur einen Pull-Up. Im Normalzustand (ein) zieht
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1 Ohm Spule mit MOSFET schalten
620mJ Totaler Overkill. Man braucht keinen 4mOhm Monster-MOSFET, um lausige 12A pulsartig zu schalten. Da reicht ein 0815 MOSFET mit 30-50mOhm.
100% Nennstrom aktiv. Trotzdem nennt man das nicht 100% EinschaltDAUER! >> 12A pulsartig zu schalten. Da reicht ein 0815 MOSFET mit 30-50mOhm. >Jep. Aber habe noch 20 Stück. Und schaden tut es doch nicht wenn ich den >ICL7667 Treiber nehme oder? Jain. Der größte Nachteil dieses FETs ist die
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JTAG != JTAG? Wieso gibt's für jeden µC einen anderes JTAG Programmiergerät?
AVRs ist der Preis der dafür notwendigen Hardware. JTAG ICE MKII kostet 300€ (Atmel AVR) JTAG FET kostet 100 € (TI MSP430)
gelangt? Ist das irgendwie abgesichert? Wenn nein, könnte man hier nicht Optokoppler dazwischen schalten?
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Lüftermotor im Auto ansteuern
Entweder p-Kanal-FET oder n-Kanal-FET mit High Side Driver (Bootstrap-Schaltung oder Charge Pump). Oder pnp-Transistor.
sind Widerstände und Stufe 4 Schaltet volle 12V durch. Meine endgültige Lösung ist jetzt den Schalter auf Stufe 4 und die vollen 12V werden per PWM und einem Mosfet gesteuert. Funzt wunderbar und der FET wird kaum spürbar warm. Gruß Thorsten
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LM2576 mit externen Fed?
Interesse: Fällt zufällig jemand eine Lösung ein, wie man das ganze ohne viel Aufwand mit dem N-Kanal FET hinbekommen könnte?
Haa .... ja Fet Lese zu viel Böse... Wiki: "Fed steht für: die US-amerikanische Zentralbank, siehe Federal Reserve System"
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FET "stirbt" nach einer Weile - warum?
@ D. Berg (scheinleistung) >Das Problem ist dass der FET nach einer Weile den Geist aufzugeben >scheint: Möglicherweise ist dein Port nicht als Ausgang, sondern als Eingang konfiguriert. Dann schaltest du nur den Pull-Up des AVRs ein und aus. Dadurch
vielleicht sinkt der Spannungsabfall über der LED, wenn sie beim Betrieb warm wird? Dann muß der FET einen größeren Strom schalten. Die Versorgungsspannung sollte deutlich größer als 4,2V und der Strombegrenzungswiderstand deutlich größer als 1 Ohm sein. Sonst schwankt der Strom zu stark. Miß
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MOSFET - Zu Hoher Spannungsabfall - Bin ich blöd?
Der FET ist für bis zu 900 V spezifiziert, außerdem nicht mehr das neueste Modell. In dem Bereich waren etwas über 1 Ohm nicht unüblich. Nimm Dir lieber einen aktuellen FET der für max. 30 V oder so gedacht
: > Ich habe einen N-MOSFET (TOSHIBA K3878) mit dem ich einfach eine > Halogenlampe (12V/20W) schalten will. Es macht natürlich Sinn, für 12V einen FET mit 900V Spannungsfestigkeit verwenden zu wollen - oder eher nicht? Gucke Dir IRLZ34, IRLZ44 und IRF3708 an, die bleiben bei 10V am Gate deutlich
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ESP32 3.3V Versorgung aufrecht erhalten mit MOSFETs bis fertig mit Aktion
Spannung. Deshalb dachte > ich ein Mosfet ist hier besser. Egal, der BJT muß halt das Gate vom P-FET nach GND ziehen, was bei dem geringen Strom unkritisch ist. Wenn Du bei 10k G-S bleibst, muß er 360µA schalten und ist sauber offen, wenn er vom µC 40µA bekommt, 56k Basiswiderstand. > Ich muss
also NPN nehmen sollte, > weil man den mit Strom schaltet und Mosfets mit Spannung. Der Q? (N-FET) besitzt als Arbeitswiderstand R? (562kΩ) und muss dessen Strom schalten. Der Q? (P-FET) guckt sich mit dem Gate die daraus resultierende Spannung an. Ob da auf Grund der U_CE von einem BJT irgendetwas
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Leistungs SMD ICs kühlen?
verbrannt habe ist es schon zu spät... :-p Ich habe hier konkret den VN610SP - eine Art Leistungs-FET mit Logikeingang, der 45A schalten kann (werde aber wohl nur 20A nutzen). Seine Leistungsgrenze Ptot liegt bei ca. 140W. Wenn er durchschaltet hat er einen Widerstand von 0,010 Ohm -> D.h. im Betrieb
, dann kann ich auch die günstigeren BTS442 nehmen. Oder... ich nehm einfach Relais, die 20A schalten können und steuer die mit kleinen FETs an. Dann hab ich auch das Ruhestromproblem vom Hals und der Platzbedarf wird eltztendlich wahrscheinlich auch noch kleiner sein...
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24 W mit MOSFET oder Relais schalten?
Ich habe einen Verbraucher (24 V, 1 A). Diesen würde ich gerne über einen µC an/aus schalten. Jetzt stellt sich mir die Frage, ob ich dazu einen P-MOSFET (z.B. IRFR 9024N) oder ein Relais verwenden sollte. Das der P-MOSFET bzw. das Relais nicht direkt an den µC kann ist klar, da würde
Wenn das Gerät vertrieben wird: Highside Schalter (idiotensicher) Bei Bastelprojekt: FET
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Suche Infos zum Eigenbau eines Dip Meter
, wenn der Schaltplan so wie schon vorgestellt ist. Dipper28 gehört zu meinem alten Dipper und FET-Dipper6 zu eben diesem FET-Dipper. wird fortgesetzt
). Phasenschieber S. schrieb im Beitrag #7072986: > Dipper28 gehört zu meinem alten Dipper und FET-Dipper6 zu eben diesem > FET-Dipper. Also dein FET-Dipper6 sieht gegenüber meinem Ergebnis von Heute super aus.
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Motorausgang ohne Diode
Mal ganz langsam: die Diode bringt schon ´was. Ich schalte Schrittmotoren mit eben genau diesem FET (IRF7401), mit über 500Hz Schritt-Frequenz und da passiert gar nichts schlimmes. Der FET wird nicht warm und der Motor rotiert ganz friedlich und ohne zu murren
@ johnny.m: Nein, nix Brücke, es sind unipolare Motoren, also 4 FETs die die einzelnen Phasen hintereinander weg nach (+) schalten. @ alle anderen: Serien baue ich nicht, nur Schaltungen für mich und meine eigenen Zwecke ;-). Bislang klappt alles - sollte ich Probleme
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Schaltung so funktional? MosFET Modellbahn
das RDson bei 4,5 und 10V angegeben. Die Unterschiede da sind aber marginal. Und FETs mit mehr als +/-20V Ugs haben prinzipbedingt ein höheres RDson und sind daher eher eine Randerscheinung für spezielle Anwendungen. Mit SiC-FETs wird der OP hier bei der Kleinsignaltechnik eher weniger
Gleichstrom ist. Das solltest du wissen, dass du 100 Nulldurchgänge pro Sekunde bekommst. Kann bei FETs zu komischem Verhalten führen, da die schnell genug sind das wirklich zu schalten, im Gegensatz zu Relais.
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Schalten von 230V AC 10A - Triac, Mosfet, Relais
Hallo Ich suchen nach weiteren Informationen zum Thema 230 V mit uCPU schalten. Entwickelt wird eine (eigenständige) Schaltung, welche durch Ansteuerung durch einen uCPU bis zu ca 10 A schalten kann. Aktuell versuche ich zu entscheiden, wie ich dies genau umsetze. Mir
schrieb im Beitrag #3853686: > Ich suchen nach weiteren Informationen zum Thema 230 V mit uCPU > schalten. Erste Frage wäre, ob du Wellenpaketsteuerung und Phasenan-/abschnittssteuerung brauchst. SSR wäre neben TRIAC, Relais und Power MosFET (mit Gleichrichter) eine weitere Möglichkeit. Beim Power
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Raspberry 4 mit Infineon Profet und BSS123
genug durchschalten. > > Danke, hättest du einen Alternativvorschlag? versuch den mit 10V zu schalten, und schalte nen Treiber vor -> https://www.mikrocontroller.net/articles/Treiber der "Einfache" mit einem Transistor sollte es tun
Sentürk schrieb im Beitrag #7835959: > versuch den mit 10V zu schalten, und schalte nen Treiber vor -> > https://www.mikrocontroller.net/articles/Treiber > der "Einfache" mit einem Transistor sollte es tun Hmmm schrieb im Beitrag #7835960: > Warum nimmst Du nicht
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High-Side Treiberschaltung für NPN-Ausgang
mehr als die 40V die mein IC oder der MC34063 vertragen, und deswegen brauche ich einen High-Side Schalter, vorzugsweise ein n-Kanal MosFET. Das ist für das Problem, mit dem NPN-Ausgang ein schönes rechteckiges Signal zu erzeugen, um damit ein Treiber-IC anzusteuern aber unerheblich.
Welchen gravierenden Grund gibt es denn, um mit einem N-Kanal High-Side zu schalten?
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Suche Optokoppler
WAS soll der Schalter denn Schalten? Ist es nötig, dass er bidirektional ist? Womit steuerst du den OK an? > Gibts sowas ? Jein. Du könntest einen OK mit FET Ausgang nehmen. Allerdings gibts keinen OK in dem kleinen
Lothar M. schrieb im Beitrag #4247199: > WAS soll der Schalter denn Schalten? Ist es nötig, dass er bidirektional > ist? Womit steuerst du den OK an? Schreibe ich Hindu oder was ? Der Schalter schaltet eine Kleinspannung von <5V und einen Strom im µA-Bereich
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Wechselrichter
Anschlüssen kannst du einen Widerstand (ca. 100 Ohm) und einen Kondensator (ca.100nF) in Reihe schalten.
ein PNP komplett anderst angesteuert. http://people.freenet.de/Thomasoly/PNP&FET2.png
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Frage zu MOSFET p Kanal Spannungsabfall über drain und source
Schaltung ... Mal deine Schaltung doch mal etwas aufgeräumt hin, i.e. "+" nach oben, Gnd nach unten, FET nicht auf dem Kopf - so ein Knoten erleichtert das Lesen nicht gerade.
. Axel S. schrieb im Beitrag #5404152: > Daß die > Schaltung außerdem nicht für schnelles Schalten (insbesondere schnelles > Abschalten) dimensioniert ist, macht deine Spekulation noch unsinniger. Ja, sie ist sicher nicht für schnelles Schalten geeignet. Genauso, wie dieser 180A pFET vielleicht
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Frage zu Spannungsteilerschaltung und Mosfet
leitend ist :) Mein Tipp: N-Kanal FET verwenden. Gruß
lasst mich raten, ich benötige einen n-kanal, und dann würde es gehen? Oder Du packst deinen P-FET auf die High-Side und schaltest VCC.
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Negative Spannung erzeugen
wie du sie da haben möchtest, musst du deshalb die Transistoren nach und nach schalten. Bipolare Transistoren kann man hier eventuell gleichzeitig schalten weil sie viel schneller umgeschaltet werden können. Um dir den Effekt mal anzuschauen krall die mal eine Umschaltung und schau
heiß werden. Vielleicht genügt dir das ja schon ansonsten halt einen Transistor nach dem anderen schalten.
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IKEA LED Netzteil defekt
so, jetzt mit IC und ohne FET D2/D3 abhängen - sind dann die 13V da?
Peter K. schrieb im Beitrag #7718061: > so, jetzt mit IC und ohne FET D2/D3 abhängen - sind dann die 13V da? 11V liegen an ohne Dioden und FET. :)
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Mosfet schaltet nicht "durch"
Georgs Post stimmt auch, du willst einen NMOS der bei 3.3V schon gut in der Sättigung ist. (logic level fet).
Strombegrenzung, thermische Abschaltung usw. Es ist kein reiner MOSFET, sondern ein intelligenter Schalter.
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E-Last für MPP Messung Solarzelle
Marcus Kunze schrieb im Beitrag #3410920: > Und 250W über einen Fet zu verheizen, halte ich nicht für sinnvoll. Es > geht hierbei nicht um ein paar € zu sparen. Da ist es mir viel lieber > die Leistung auf Widerstände und Fets zu verteilen. Das Bekommt man viel >
leichter gekühlt. die 250W müssen ja auch nicht unbedingt über den FET verheizt werden. Spricht ja nichts dagegen , 50-100W an Widerständen zu verheizen. Wenn Du es aber schaffst, nur einen FET (sollte bei ~150Watt über den FET möglich sein) zu verwenden, kannst Du die