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MOSFET Driver in LTspice
BS170 & BS250 ist auch schön. Leider kann ich diese in LTspice nicht finden, habe statt dessen den BSS123 und den BS84 gefunden, siehe Bild. 1. Wo kann ich den BS170 & den BS250 für LTspice finden? 2. Gibt es sowas mit einem N-Kanal & P-Kanal schon fertig in einem Gehäuse? 3. Ich sehe da mit LTspice
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I2C Spannung von kleiner 5V auf 5V mit NMOSFET wandeln
Fairchild-Datenblatt (Anhang!) ist die >U_GS_thr mit 0.5-1.5V angegeben. Ohhhh, hab aus Versehen den BSS123 erwischt, nicht BSS138. Der hat bei mir auch 0,5-1,5V ;-) MfG Falk
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Abschaltung von Bereichen einer Platine mit P-Mosfet verhält sich unerwartet
3,3V sicher. Bei Vdd eher nicht. Hier brauchst du einen echten Open Drain, also einen kleinen FET (BSS123) dranhängen. MFG Falk
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Kondensatoren digital zuschalten...jemand ne idee?
Das geht auch mit einem MOSFET, z. B. dem BSS123. Wenn Du einen anderen nehmen möchtest, brauchst Du einen mit einem sehr niedrigen Leckstrom. Viel Erfolg! Jörg.
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Leistungstreiber
BSS84 / BSS123
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Signal auf Masse legen - braucht man Transistoren?
Nimm einen BSS123, den kannst du direkt an den AVR klemmen. Oder einen BC337, den kannst du mit 4k7 Vorwiderstand an den AVR hängen. MFg Falk
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Verständnisproblem MOSFET
Hi, ich have einen BSS123 entsprechend (VCC) | (Last) | | (Drain ) (Port µC) -----(Gate ) (Source
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Kleiner SMD FET gesucht
kannst du doch meist direkt mit einem Portpin treiben. Ansonsten einfach einen SOT-23. z.B. 2N7002, BSS123 oder sonstiges. Gibts auch bei reichtelt
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Problem mit MOSFET...
Hi *, ich hab eine kleine Schwierigkeit mit N-Channel Enhancement-Transistoren (IRLML2502, BSS123). Meine Schaltung ist: +12.0 vcc ----+ | | Drain +---- FET Gate | Source +------- Last ----- GND Wenn ich das Potential zwischen FET und Last (10kOhm
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Mosfet macht nicht auf
Betriebsspannung betreibe aber nicht mit 1,8V. Ich habe verschiedene Mosfets getestet wie z.B. BSS123, BSN20, BSS670S2L. Mir ist auch aufgefallen, dass in all den Datenblaettern, wenn vom Threshold geredet wird die V(GS) gleich V(DS) ist - das ist bei mir ja nciht der Fall sondern V(DS)>>V(GS). Mit
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Steuergerät EGAS / Platine prüfen
Ahmad schrieb im Beitrag #7771247: > JSs 29 BAS21 von Infineon > SAs 20 BSS123 von Infineon > 3FP 20 BC857B von Nexperia > 1G 20 > Z5F > A7p 20 BAV99 von Nexperia > Z7p 20 BZX84B12 von Nexperia > A1p 28 BAW56 von Nexperia > A4p 20 BAV70
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PWM messen mit wechselnden Quellen
mit dem Mikrocontroller die beiden PWM Signale(0-3V)bis 20kHz umzuschalten. Würde das mit einem BSS123 gehen oder gibts bessere Ideen?
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Relaisansteuerung mit MOSFET
100uA * 100k = 10V OK, reicht. ABER am Ausgang kommen max. 5V raus. Reicht für einen kleinen BSS123, ist ausserdem ein Logic Level MOSFET. Die rechte Seite sollte funktionieren. Die 100K sind aber überflüssig, weil so oder so der Ausgang nicht floated.
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Inverterschaltung
Invertiertem Signal dann angesteuert wird. Gate von diesem Mosfet hängt dann an 200 Ohm. Ich hätte die BSS123 im Angebot! Sind die zu klein? Oder passen diese für den Einsatz?
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Spannungsgesteuerter Phasenschieber
J-Fets in SMD? Nein, J-Fets sind seit über 30 Jahren veraltet, heute nimmt man MOSFET's! Z.B. BSS123
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CMOS 4007, darf man nur einen Transistor nutzen ohne Vdd?
du für diese Aufgabe einen 14pol IC, wenn es auch mit einem kleine Transistor gehen würde (z.B. BSS123)?
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H-Brücke (IC) für Ultra-Low-Power gesucht
wo in der Rdson Spalte bei 1,8V noch was angegeben ist. Privat hab ich mir ne Vollbrücke aus BSS123 und BSS84 zusammengabaut die auch problemlos per MSP430 angesteuert wird (3,0V).
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Was sind das für SMD-Bauteile?
ein BC857C, ich weiß nicht wie du auf eine BC847 kommst. 2. kann eine BAV70 sein. 3. könnte ein BSS123 sein 1. keine Ahnung, es ist auf jeden Fall ein SOT23-6 Gehäuse und kein SOT23-3. Ich weiß nicht ob es einen BC857B im SOT23-6 Gehäuse gibt. Wie schon gesagt, du musst ein bisschen versuchen die
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Stromsparende Fernbedienung
klar kannst du das mit fets machen. BSS123 auf deine zweite frage =) uuuund: [[Standardbauelemente]]
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N-Fet verursacht geisterhafte Spannungserscheinung auf Drain-Seite
Auf einer Schaltung habe ich gerade ein merkwürdiges Phänomen. Mit einem N-Fet (FDD8778 oder BSS123) bekomme ich ziemliche Spannungsspitzen beim Schalten des Spannungsteilers gegen GND. Wo die herkommen ist mir leider unerklärlich :( Habe es einmal in LT-Spice nachgebildet und hier simuliert
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LM3404 Enable Eingang an Atmega anschließen?
Alles klar. Ich habe sowieso gerade bei CSD Kerkos bestellt und gleich nen paar BSS123 N-Kanal Mosfets mitbestellt. Der sollten ja passen. Ja die Versorgungsspannung ist höher. Eigentlich klar da... *g* Danke euch für die Info :)
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n kanal logic level mosfet smd gesucht (so ca 150mA max)
Muss es n-Kanal sein? bis 170mA würde ich den http://www.fairchildsemi.com/ds/BS/BSS123.pdf nehmen. Falls Du einen P-Kanal nehmen könntest den IRLML6401. Gruß Tom
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sychronen Sägezahn erzeugen, wie?
über den Vorspannwiderstand der Zenerdiode. Dieser widerstand wird durch einen Kleinsignalfet (zb BSS 123) zu und wengeschaltet. Einladen wird der Widerstand über eine Diode, mist da bleibt dann die Sperrspannung über. Signal kommt von einem PWM Controller mit Gate Treiber (Push-Pull-Transistorstufe
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Fehler-Vermutungen ?
#2726577: > Steck den ATmega8 doch einfach ins STK500, ob er da ansprechbar ist. Sorry, SMD. BSS123 schrieb im Beitrag #2726615: > Wie ist deine ISP-Clock eingestellt? Gar nicht, also: avrdude -c avrispv2 -P usb0 -p m8 -v [-F] Ich könnte es heute abend nochmal mit langsamem ISP-Takt probieren
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Spannungsmessung an LowPower-Eingang
zu belasten? Ist doch schon mehrfach gesagt worden. Durch einen MOSFET mit geringem Leckstrom. BSS123, der hat bei 60V U_DS typisch 10nA Leckstrom. Real hat der bei deinen 3V Batteriespannung vielleicht 1-2nA, also nix. Drain an Batterie, Source an ADC-Eingang. Gate an ein Steuerpin, dazu ein externer
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IO Pins STM32 im Standby Mode
angeschlossen, im Standby würde das Gate dann ja floaten, da es direkt am IO Pin angeschlossen ist (BSS123). Ich habe kaum noch Platz für einen Pull-Down Widerstand, reicht es ein npn Transistor ohne Vorwiderstand anzuschließen? Dann mit Pull-Up Widerstand (intern im uC) den Transistor einschalten. (
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spannungsfester MOSFET für ungeregelten Boost-Converter in kleinem Gehäuse
www.onsemi.com/pub/Collateral/BSS123LT1-D.PDF
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Atmega64, PortF und ADC...
habe am ADC analoge Sensoren hängen, was auch ganz gut tut. Möchte diese Sensoren jetzt per MOSFET (BSS123) aus- und einschalten, und habe die jeweiligen Gates an PORTF.2, PORTF.4 PORTF.6 angeschlossen. Analoge Eingänge sind der Rest, also PORTF.0, .1, .3, .5, .7 Die Definition sieht so aus: PORTF
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Welche Transitoren sollte man haben
THT: BC547, BC557 BS170 SMD: BC847, BC857 BCR108, BCR158 BSS123, BSS84
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Frage zu Zusammenschaltung
mittels Pullup und Zwischenwiderstand an den AVR angeschlossen. Den Modul-Eingang habe ich mittels BSS123-Zwischenstufe auch an den AVR gebracht. Dieser Interrupt-Betrieb läuft auch soweit einwandfrei. Und nun die Frage: Für die andere Betriebsart (serieller Modus) müsste ich die beiden Anschlüsse
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MOSFET mit sehr kleinem IDSS & IGSS gesucht
Gate-Source-leak-Current. Diese müssen >kleiner als 1µA sein! Das macht dir jeder 0815 KleinsignalMOSFET, ala BSS123. >-> Fazit: Pefekt aber echt teuer für meine Anwendung. Was ist denn deine Anwendung? Vielleicht nimmst du besser gleich fertige Analogschalter. MfG Falk
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Bei bestimmter Temperatur Relais schalten.
, hängt einzig und allein vom nachgeschalteten transistor ab. wenn man hier einen FET (wie z.b. bss123) nimmt, geht auch 1MOhm. @maik: hier mal ein schaltplan von beiden varianten (allerdings noch _ohne_ hysterese).
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6.5V LEDs mit Common Anode steuern
8V legen. Die einzelnen Kathoden mit Vorwiderstand und n-kanal logic FET runterziehen, z.B. mit BSS123.
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Problem mit Ladung eines Kondensators LTSpice
. 2. Wähl man einen echten Mosfet aus. Rechts-click auf den Transistor -> Pick new Mosfet -> BSS123 3. Das Gate besser nur mit maximal 12V ansteuern wegen Vgsmax. Deshalb entweder Versorgungsspannung des Opamp auf 12V reduzieren oder mit Spannungsteiler zum Gate.
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AT89S52 Ausgangs Pegel bei 1 Signal
einen n-Kanal-Mosfet, der kann direkt an einen 8051-Port angeschlossen werden. Infrage kommt 2N7000, BSS-123 oder viele andere. Bei größeren Leistungen kommen Logiklevel Mosfets in Frage.
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Spannungsteiler an Gate von NMOS
Schaltflankenverflachungswiderstand und somit ein > Störstrahlungsreduzierwiderstand. Nicht in Verbindung mit dem gezeigten BSS123. Und auch mit einem fetten MOSFET bewirkt der Widerstand nur dann etwas, wenn der MOSFET niederohmig (also über einen Gate-Treiber) angesteuert wird. Wenn die Steuerung hingegen über einen CMOS-Ausgang
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Mit 3V Spannung 3,3V schalten mittels Mosfet
umgekehrt? Sicher, mit dem von mir ganz am Anfang beschriebenen N-Kanal Mosfet. Ein BS170 oder BSS123 sollten reichen. http://www.mikrocontroller.net/topic/173935#1668017 MFG Falk
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"selvkill" - Schaltungsteil komplett von Batterie trennen - mit FET
sich aus der [[MOSFET-Übersicht]] aussuchen. Q2 muss keine nennenswerte Leistung vertragen, ein BSS123 oder BS170 reicht. MFG Falk
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Stromsparendes Schalten von 5V mit 3,3V
Ein einfacher N-KanaL MOSFET (BSS123) + 10k Pull-Up als [[Pegelwandler]] ist alles was man braucht. Damit kann man den P-Kanal MOSFET an 5V sauber schalten. Die 0,5mA für den Pull-Up im eingeschalteten Zustand kann man bei bis zu 1A Laststrom
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Wahl eines geeigneten Optkopplers
Angesteuert von einem simplen [[Pegelwandler]] aus einem 08/15 NPN-Transistor oder auch MOSFET ala BSS123. https://www.mikrocontroller.net/articles/Transistor#Wie_kann_ich_mit_5V_vom_Mikrocontroller_12V_und_mehr_schalten.3F Siehe Anhang. 2 Bauteile im SOT-23 Gehäuse, Stromverbrauch quasi Null. Wenn
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Konstantstromquelle mit JFet
Achja, der BSS123 in der Simulation schafft natürlich nicht Deine 700mA, besser Du schaust nach IRL... o.ä. Rick
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rotary hex switch durch einen digital angesteuerten IC ersetzen
Nimm einfach N-FET mit geringen R-ON BSS123 oder besser.
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USB Data über Transistor schalten
Frequenzen? Unter welcher Bezeichnung finde ich diese andere Frequenz in den Datenblättern? Beim BSS123 z.B. finde ich "Turn-on delay time", "Rise time", "Turn-off delay time" und "Fall time". Ich habe diese Werte wohl immer falsch interpretiert. Je mehr ich in diesem Forum lese, desto mehr merke ich
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Induktiver Näherungsschalter
Kontakt auf den Ausgang geschaltet dann über einen Spannungsteiler auf 4,7V runter wird dann mit einem BSS123 bei Kontakt auf den Pin vom µPC als High Pegel gelegt. So weit so gut. Nach den ganzen Kommentaren bin ich auch nicht viel schlauer zu gegenzätzlich die Meinungen. Bin jetzt 69 Jahre und
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Problem mit CMOS4060, MOSFET BSS89 als Treiber von IRLEDs
Transisitor? Denn ich habe gerade >gesehen, das man den BSS89 nicht mehr bekommen kann. BS170, BSS123 etc. siehe [[MOSFET-Übersicht]]. >Kann ich dann einfach 16 MOSFET Stufen parallel an einen PWM Kanal des >µC hängen? Gehen da nicht die 5V PWM des µC in die Knie? Naja, das wird dann schon etwas
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Stromspitzen an µC-Ausgängen
Zusätzliche Info: MOSFET ist ein BSS123
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Impuls verlängern
hochohmig wird. Möglich ist es. Eine Flipflop wäre möglicherweise geschickter. Man kann das mit 2xBSS123 oder so basteln. Die erste Schaltung hier: https://homofaciens.de/technics-base-circuits-multivibrator_ge.htm Ich habe das schon für Versorgungen verwendet. Der Taster schaltet die Versorgung ein
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High Side MOSFET Switch für Sensoren
. Weil sie Vorteile haben. Nicht weil sie "moderner" sind. Sind sie ja nicht einmal - 2N7002 und BSS123 sind beispielsweise wahrlich antike Gurken. Mich erinnert die Diskussion immer an: Welches Essbesteck ist besser? Messer oder Löffel? (ohne zu erwähnen, ob es um Suppe oder Steak geht).
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Restspannung Pullup Widerstand + Mosfet
Ich möchte einen Pullup Widerstand per Mosfet schalten. Verwendet wird ein BSS123 N-Channel. +12V | _ | | | | | |