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Korrekte Ansteuerung P-Kanal Mosfet mit TTL-Pegeln
keine Hinweise, dass ich N-Kanal-FETs nehmen soll. Die Applikation funktioniert nur, wenn ich die High-Side schalte und das muss mit möglichst wenig Verlust funktionieren, deswegen auch dieser FET mit bis zu 31A Ids. Viele Grüße!
schalten lassen. Ugs sollte sich dann bei -10 V + Uce des Bipolartransistors einstellen und den FET für die benötigte Strommenge ausreichend durchschalten, oder? Sven
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Kleinmotor (4,5V) mit PWM ansteuern: BUZ21?
umsetzbar: Da der BUZ21 ein N-Kanal MOSFET ist, schließe ich Source an Masse. zwischen Drain und Vcc schalte ich meinen Modellbaumotor (parallel dazu noch eine 1N4007 als Freilaufdiode in Sperrrichtung?). Ans Gate schließe ich über eine Widerstand (oder auch keinen: Ein FET schaltet ja quasi leistungslos
man aber unter der Kurve a und der FET wird wahrscheinlich gar nicht durchgeschaltet. Gruß, Martin
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Mosfet IRLU 2905Z an Attiny schaltet nur 200mA
mal das Gate direkt an +5V. Schaltet er dann? Der 12k kannst dir schenken. Oder noch besser du schaltest den Widerstand von Gate nach GND, damit der FET sicher ausgeschaltet ist bei Reset etc. Und überbrücke mal Drain-Source, reicht dann die Spannung?
Also nochmal gemessen. Batterie direkt idle: 5,5V Batterie direkt aktiv: 5,3V Batterie über FET idle: 5,4V Batterie über FET aktiv: 5,02 - 4,99 V (das ist evtl. schon zu wenig für die ganze Peripherie denke ich ...)
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Primitiv Weschelrichter
Genau, Drehzahländerung ist mein Plan. eben das ist das Problem mit der Gatespannung am oberen FET, wie bekomme ich die dorthin? ich brauche dann ja rund 200V (Spannung am unteren FET+Verbraucher+Gatespg. vom oberen FET). Die steuernde Schaltung ist 5V TTL, den unteren Fet kann ich damit anprechen
dann kommt am emitter nur die basisspannung - ca. 0,6v raus. aber warum nagelst du denn oben einen fet rein, den braucht's doch nicht? wie gesagt, nicht zum angeben, aber funzt hervorragend: oben spannung mit relais aufschalten, unten mit fet schalten. gruss, harry
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Mosfet "definiert" schalten
Schaltung wo mittels eines Spannungsteiler ein Relais geschaltet werden soll. Nun ist es so dass der Fet bereits bei 2,5V GDS leitend wird und das schalten eine recht schwammige Angelegenheit ist. Sprich irgendwann zwischen 2,5V und 3,3V GDS schaltet dann das Relais. Das ist natürlich schlecht wenn
Das Relais soll bei einer bestimmten Spannung schalten, also verwende ich einen Spannungsteiler dessen Mittelabgriff ich an das Gate eines Mosfets führe. Somit reguliert der "untere" teil des Spannungsteilers die Schaltschwelle für den Fet (die Vgs
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LEDs an µC mit 1,8V
Kurve. Damit der Kondensator schneller geladen wird, kannst du natürlich auch Pins parallel schalten, solange sie sich alle am gleichen Port befinden (damit sie zeitgleich schalten können). Damit würde sich die Stromergiebigkeit erhöhen.
hinbekommt schon reichen. Wenn man mehr braucht, wird man um mehr Port Pins oder einen externe Schalter nicht herumkommen. Mit einem externen Schalter könnte man auch einen ganz einfachen Flyback-Wandler aufbauen, mit einem Transistor oder MOSFET und einer Drossel. Mit eine Boostschaltung hätte
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P-Kanals mosfet zu hoher Rds
Ohne das Datenblatt des FET zu betrachten haette ich gesagt, der RDSon ist zu hoch, die Verlustleistung ist zu hoch. Dann muss man eben mehrere parallel schalten. Allenfalls ist der FET auch nicht Logiclevel und steuert
während der Messung die Multiplexerei angehalten oder ist dein Messwert vielleicht ein Mittelwert aus p-FET an und p-FET aus? - Wie hoch ist die Gate-Source Spannung (nachgemessen), wenn die Drain-Source -1,2V beträgt?
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Arduino Nano Klon macht aus 5 min 5 sec
FET und digitale FET? Wie kann man die im/am Datenblatt unterscheiden? Du meinst mit digitalen FET die ProFET? Nee... Kann auch nicht sein..... --- Nachtrag: Nichts gegen deine Erklärung.
aber "Durcheinander". Ich habe an keiner Stelle von Transistoren gesprochen sonder explizit von FETs. Grundsätzlich haben Transistoren eine andere Struktur wie FETs. Leistungs-FETs wiederum sind anders aufgebaut als FETs die in der "normalen" Signalverarbeitung vorkommen. ICs die oft in MOS-Technologie
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A4989 IRF540 Schrittmotor pfiept, dreht sich aber nicht
sehr selten verwendet. Florian schrieb im Beitrag #4570230: > Das der IRF540 nicht der optimale FET ist, > ok. Da ich 40Stück (5Treiber a 8Fets) brauchte Für 2.8A würde ich die Endstufen von Chinesen kaufen. Die bieten für knapp 10 EUR die Enstufe bis ca. 5A fast günsting wie A4989 und 8 MOSFETs
, als ich ein ähnliches Problem mit einem Schaltnetzteil hatte. Denn das wollte auch nicht schalten. Erst nachdem ich einen MosFet ohne Freilaufdiode verbaut hatte, aber mit einer externen Scotty-Freilaufdiode, lief es. MfG. Zeinerling
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Atmega kurzzeitig aus Kondensator betreiben - geht das ?
daß die Überspannung irgendwie abgeleitet wird? Prima, dann kannst du die ganze µC Steuerung samt MosFet weglassen und statt dessen eine 5,5V Zehnerdiode parallel zum kondensator schalten. Die eleganteste Variante ganz ohne µC oder auch nur MosFet
Taster drückst, den AVR so mit den 3.6V versorgst. Danach regelt der AVR die Spannung über den MosFET.
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MOSFET PWM Schaltung
außerdem hast du die falsche FET-Art genommen (P-Kanal). Für so eine Schaltung brauchst du einen N-Kanal-FET.
bezüglich der Durchlassspannung doch gewissen Streuungen, daher nach Möglichkeit die Dinger in Reihe schalten und die einzelnen Stränge mit jeweils einem eigenen FET(+R) schalten. -wiebel P.S. [belehr] Tu dir selbst einen Gefallen und versuche aus anderen Schaltplänen zu lernen und gewöhne dir einige
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Halbbrücke Highside Fet wird heiß
Müssen da nicht noch N-Fets (P-Fets) rein?
Marc H. schrieb im Beitrag #4590829: > Müssen da nicht noch N-Fets (P-Fets) rein? Wo? Daniel R. schrieb im Beitrag #4590768: > Hab am falschen Pin gemessen. Hast du ein Oszi?
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Led in Reihe schalten
." (singular) "...in Reihe schalten - einem Widerstand?" > Die Freude wurde aber schon einige Zeilen später getrübt: > > drossel bengel schrieb: >> Dann würden doch auch Vorwiderstände entfallen oder? > > und wandelte sich
Sementdekoder V40511 angesteuert. Dann schau dir mal die Ausgangscharakteristik von dem an. Ohne Zusatz-FET danach kann man da nicht von "LED an Konstant- *spannung* reden.
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1W LED schalten
Vooki V. schrieb im Beitrag #5314490: > Wie sieht es denn aus mit der Leistung? Ich möchte ja 1W Schalten dieser > hier kann Max. 2.5W das sollte ja kein Problem sein oder? Ähm... nein, ein Problem ist es nicht. Er ist aber wohl unnötig überdimensioniert. Du schaltest keine Leistungen, Du schaltest
5V _geschallten_ Aber bitte nicht so laut! Hänge Deine LED direkt an die Stromquelle und schalte den Dimmer-Eingang des Moduls mit einem Optokoppler. Der FET im Leistungszweig erübrigt sich.
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Induktions Heizer
deutlich grösseren Querschnitt geschehen. Könnte dann allerdings passieren, dass dir einer oder beide Fets durchbrennen. Die Spule ist für die von dir genannten 28kHz recht klein, d.h. die Güte des Schwingkreises ist durch das Missverhältnis C:L recht klein und es fliesst ein mächtiger Strom zu den Fets. Solange die Fets das abkönnen, ist alles gut. Wenn allerdings die Versorgung stabiler wird, könnte das zuviel für die Fets sein. Ein grösseres L, damit ein höheres Q für den Schwingkreis, wäre mit Sicherheit eine
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Selbstgebauter Klasse D Audio Verstärker ist stark am Rauschen
dfg schrieb im Beitrag #5200201: > Nein. Hart schalten ist das Gegenteil von weich schalten. > > (Beim Soft-Switching wird entweder Strom oder Spannung > nahe NULL, oder tatsächlich NULL sein. > > Hart geschaltet bedeutet, daß dem nicht so ist
der kurzfristig den notwendigen Strom liefern soll. Der IR2113 Treiber soll die MOSFET "hart" schalten, d.h. die Feldeffekttransistoren möglichst schnell ein und ausschalten. Es ist ein beträchtlicher Strom notwendig um die Eingangskapazität der FET _schnell_ aufladen zu können. Ein Stützkondensator
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Hochspannungsverstärker mit MOSFETs, hoher Ruhestrom
Laststrom ist deutlich kleiner als der Ruhestrom Damit das umgekehrt ist, nimmt man i.A. keine Schalter für viele Ampere, um damit wenige mA zu schalten. Klingt irrsinnig, sorry.
eine indiskutabel unbrauchbare > Bodydiode (mehrere uS Erholzeit vs. 20nS), was ein hartes > Schalten der Brücke bei induktiver Last unmöglich macht. Ist das Einzige, was man umgehen könnte (FD parallel schalten). Bitte m. o. Posts ignorieren. Würde jetzt den C2M1000170J nehmen, wenn das
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Kapazitive Last: linear laden oder takten?
>Ein FET der getaktet wird Dürfte der selbe Aufwand wie eine Konstantstromquelle für 1A LEDs werden. Also 5€ für Drossel, IC und Fet.
erkennen... Manchmal hilft ein Rv, manchmal ein Lv, manchmal nur die Kombination mit einem "Schalter" z.B. FET, oder einem "getaktetem Schalter" ...
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Einzelzellenüberwachung für 4 NiMh-Akkus
universelles IC, das für die Überwachung von 4 Zellen nur noch ein paar Dioden und Widerstände braucht sowie FET zum Schalten.
des PNP-Transistors oben rechts erschließt sich mir auch nicht richtig, ebenso der Taster über dem FET.
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N-Kanal-Mosfet als Schalter in Plus-Leitung?
besten Fall kannst du damit deine Last einschalten, wobei aber eine ordentliche Spannung (z.B. 5V) am FET "hängen bleibt" und diesen unnötig aufheizt. Im schlechtesten Fall wird der FET sofort zerstört. Hängt von den "Details" der Schaltung ab (wie groß z.B. Spannung und Strom sind, welchen FET du
Es gibt dafür auch fertige Schalter-ICs, z. B. den TPS22860 https://www.ti.com/lit/ds/symlink/tps22860.pdf
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Magnetventil AC ansteuern
Anpassungen um Welten einfacher. Musst Du 'nur noch' die Grenzen abstecken. Mit dem 'Gleichrichter und Fet zum Schalten' ist hier immer noch AC (Wechselstrom) gemeint. Du kannst aber den Gleichrichter in den Stromkreis einbringen (die ~ Anschlüsse) und im Gleichstromkreis mit dem FET (Der mag Gleichstrom
DC kann man ganz einfach mit Transistoren/Fets/Treiber-ICs schalten. AC ist prinzipiell aufwändiger (es sei denn man sowieso Relais, da ist es i.a. sogar besser für die Kontakte AC zu schalten) Für AC kann man normale Relais, Triacs oder Photomos-Relais
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Abwaertswandler mit P-Kanal MOSFET
So, jetzt überleg mal was passiert, wenn dein Tiny den FET ausschalten will: Er legt seinen Ausgang auf +5V, die Gegentaktstufe folgt: ca +4V. Zwischen Mosfet source und gate: 12V-4V=8V => Der Tiny kann den FET garnichtmehr abschalten.
Stimmt, die Push-Pull Schaltung stellt ja einen Emitterfolger dar. So hätte es mit dem P-FET geklappt: http://www.mikrocontroller.net/attachment/34752/P_FET.png
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Verlustfrei 2 Signale abwechselnd auf einen Ausgang schalten
IC CD4066, Analog Schalter?
> oder bin ich damit total auf dem Holzweg ? Kann man machen ich würde mit den 2 FETs die Masseleitung der 2 Sensoren schalten. Falls die herausgeführt ist. Gruß Anja
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LED-Dimmer: Welcher OP und Transistor?
Hallo, > Steffen H. schrieb im Beitrag #4869396: > Zu "so ziemlich jeden beliebigen n-Kanal-FET": Ich habe gelesen, dass > ein Großteil der FETs binär schalten und nicht für Stromquellen in Frage > kommen. Deshalb bin ich vorsichtig. die meisten FET sind sicher dazu entwickelt worden, besonders
Steffen H. schrieb im Beitrag #4869396: > Zu "so ziemlich jeden beliebigen n-Kanal-FET": Ich habe gelesen, dass > ein Großteil der FETs binär schalten und nicht für Stromquellen in Frage > kommen. Deshalb bin ich vorsichtig. FETs wissen vom Binärcode nichts. Das sind spannungsgesteuerte
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Synchronwandler Ausschaltprobleme
> "Runterfahren" der Ausgangsspannung mit einer entpsrechenden Rampe > bleiben. Genau, ich schalte das PWM-Signal am Eingang des Treibers auf 0, d.h. der Lowside-FET leitet, der Highside-FET nicht. Was könnte man Hardwareseitig denn dagegen tun? Wenn ich beide Schalter ausschalte bleibt die Ladung
deines FETs ergibt sich im wesentlichen, wie stark > der Widerstand belastet wird. Die Schaltfrequenz beträgt f = 62500 Hz, Gesamt Gate-Ladung sind 81 nC Die beim Schalten auftretende Leistung müsste dann
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MOSFET Steuerung für Elektrolyse
wechselnder Abfolge die Polaritäten gewechselt. So kann mal der Eine, mal der andere Ausgang die Fets ansteuern. So wie dargestellt wird die Schaltung aber nicht laufen - GS - Spannung wird nicht aufgebaut. Könnte eine Ladungspumpe Abhilfe schaffen ? Mit Fets habe ich keine Erfahrung. Was ist bei dem
Ohne GS-Spannung kein Schalten. Wie hoch ist denn die Frequenz, mit der die Verbindung umgepolt werden soll?
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Avalanche Transistorschaltung als PWM für Hochspannung
habe von einer Avalancheschaltung in einem Paper gelesen, die recht simpel ist und Hochspannungen schalten kann. Dabei werden die FETs in Serie geschalten und Gate mit Source verbunden. Wird der unterste FET geschalten,sollen laut Theorie aller anderen nachziehen und durchschalten. Soweit so gut.
erst mal muss eine Brücke von JP2 nach JP4 her. Dann schaltet zumindest der unterste FET ein bisschen.
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Kaskode im Sperrwandler Ja/Nein
Eingangspannungen: Vin_min 300V Vin_max 560Vac rms -> 800Vp Schaltfrequenz: 100kHz Beide FETs sollen gleichzeitig schalten und die gleiche Sperrspannung sehen. Danke schon mal für die Hinweise
Jörg Rehrmann schrieb im Beitrag #2559331: >>> Beide FETs sollen gleichzeitig schalten und die gleiche Sperrspannung >>> sehen. >> Bei solchen Schaltungstricks stelle ich mir immer die Frage: warum ist >> da noch keiner der Mosfethersteller drauf gekommen
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Defekt durch Kurzschluss an einer eigentlich kurzschlussfesten Motorbrücke
Diese "FETs" brauchen keine Gatetreiber, denn das sind keine normalen FETs.
VBAT. Und bei normalen Fets reichen die 5V sowieso nicht.
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Relais mit TTL Eingang und zwei Kontakten, DC, ~20A, ~10V
bei Finder oder Schrack, Omron... 20A ist schon viel verlangt bei 10 VAC Was soll denn das schalten?
moment schrieb im Beitrag #4290676: > Das ganze ist um Stromquellen > für Spulen zu schalten. Geschaltet wird strom- und spannungslos. Sorry, habe ich übersehen... Aber was bedeutet für Dich, geschaltet wird strom- und spannungslos? Was ist der Zweck ? Und warum nicht über MosFets
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MOSFET schaltet nicht vollständig durch
MOSFET Standardfehler Nr.1: N-Kanal FET als Highside-Schalter ohne Booster/Ladungspumpe für die Gatespannungserzeugung. Tipp: Wie hoch ist Deine Gate/Source-Spannung bei durchgesteuertem MOSFET?
Bauteilen >einfach zu bauen ? Ja, bringt dir aber nichts hier. Falls du unbedingt High-Side schalten musst, nimm einen P-Kanal-Fet.
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Schaltmagnet schnell abfallen lassen
Wie wird denn der FET abgeschaltet? Falls das geschieht, indem einfach das Gate hochohmig geschaltet wird, dann probiere mal einen Widerstand von Gate zu GND zu schalten, damit die Ladung auf dem Gate abfliessen kann wenn
ernst oellers schrieb im Beitrag #3710122: > Wie wird denn der FET abgeschaltet? Falls das geschieht, indem einfach > das Gate hochohmig geschaltet wird, dann probiere mal einen Widerstand > von Gate zu GND zu schalten, damit die Ladung auf dem Gate abfliessen >
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uC verlustfrei an 230V
zwei MosFETs antiparallel zu schalten? lassen die sich dann noch vernünftig durchsteuern? lg PoWl
es helfen zwei MosFETs > antiparallel zu schalten? lassen die sich dann noch vernünftig > durchsteuern? Nein, das funktioniert weder mit MOSFETs noch mit bipolaren Transistoren vernünftig, jedenfalls nicht so einfach
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[Tipp] für Linearbetrieb gut geeigneter MOSFET
product/power/mosfet/n-channel/optimos-and-strongirfet-latest-family-selection-guide/optimos-linear-fet-100v-150v-200v-/
Volt aus. Der FET braucht dazu eine Gate Spannung von mindestens 8 Volt, der NPN kommt mit 1.2 Volt aus. Theoretisch kann der FET ohne Strom angesteuert werden, aber bei einer Gate Charge von über 100 nC wird das
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Spannungs und Strommessung bei Wechselnden Widerständen
einen Analog-Ausgang. Der kann durch unterschiedliche Ausgangsspannungen anzeigen, welches Relais/FET jetzt durchgesteuert werden soll. Das setzt aber eine Spannungserkennung für jeden Fet/Relais voraus. Blackbird
eigentlich die sache schon glöst wenn es nicht automatisch und so schnell sein soll. Wie das mit PowerFET (=LeistungsFETs?) genau ablaufen soll hab ich noch nicht gnaz verstanden, werde aber fleißig alles über MosFETs lesen was ich finde... scheinen sehr wichtig in der Elektronik zu sein. Ich komme darauf
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einfache Konstantstromquelle mit MOSFET und Opamp
@karadur: Laut Datenblatt ist eine Spannung UGS von 3V schon ausreichend um 10A zu schalten, mit einem Rail-to-Rail Opamp sollte es also kein Problem geben @ingo: Der Unterschied ob der FET die Leistung verheizt oder ob diese in der Freilaufdiode verheizt wird, ist für mich nur ein Unterschied
behalten? Ich habe eigentlich absichtlich einen mit hoher Slew Rate gewählt um den MOSFET schnell schalten zu können
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Mikrofon-Vorverstärker der Phantomspannung durchlässt (wie FetHead)
://proaudiogc.com/en/fet-boost-ph-fethead-ph-condenser-mic-booster https://www.mikrocontroller.net/attachment/597581/FET-BOOST.png
Augustus schrieb im Beitrag #7407799: > - The Fet-Boost PH is a high quality, low noise mic preamp. > - It allows sound optimization for condenser mics. > - Fet-Boost PH uses 48v phantom power, and pass power to the microphone. Du solltest dir
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Motor an H-Brücke kurzschliessen mit Halbleiter
Urs E. schrieb im Beitrag #7489622: > bezüglich Spannungsfreiem Schalten (Kurzschliessen der Motorwindungen) > mit FET's tappe ich immer noch im Dunkeln. Du musst "einfach" eine potentialfreie Hilfsspannung für die Mosfets erzeugen und die auf die Gates schalten.
unteren beiden Fets schalten. Da muss nichts zwischen die Terminals der Brücke, was durch die interne Bodydiode eines Fets nicht funktionieren wird
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Mosfet Treiber Vorwiderstandsschaltung
> > Aufgefallen ist mir deshalb nur, dass die Gatespannungen wohl bei 25V > liegt und die FETs damit kaputt gehen. In der Simulation schalten diese Mosfets leider erst bei 30V voll durch. > > Übrigens: die Widerstände parallel zu den Quellen V3 ... V9 haben > keinerlei Wirkung: 0V sind
einer Induktivität versehen ist. - die Ansteuerspannung auf 15V reduziert, deine Werte töten den FET. - einen Schalter habe ich nicht verwendet, der ist hier nicht sinnvoll. Mit den 100k (R8) würde das Gate viel zu langsam entladen. Jede Gateansteuerung muss sowohl für EIN als auch für AUS niederohmig
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Relaisansteuerung mit MOSFET
> angesteuert werden die FETs von einem I²C Expander (PCF8575) > dieser kann leider nur wenig High treiben Da dürfte das Problem liegen. Wie hoch ist denn die Ausgangsspannung und Wann schalten die Transistoren durch? Das
> ich möchte Relais schalten mit MOSFETs ... angesteuert werden die > FETs von einem I²C Expander (PCF8575) ... dieser kann leider nur > wenig High treiben, deshalb kann ich die Schaltung rechts (REL2) > nicht verwenden...
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230V LED Ansteuerung
vom AVR über 3 P-Kanal MOSFETs dimmen. Jetzt habe ich das Problem, dass ich am liebsten mit einem LL-FET direkt die 325V Scheitelspannung schalten möchte. Nur finde ich dazu keinen passenden FET. Kennt jemand einen? Alternative Lösungsvorschläge sind willkommen. Leistung schätze ich so auf 1W/m/Farbe
man besser Optokoppler nutzt. > Jetzt habe ich das Problem, dass ich am liebsten mit >einem LL-FET direkt die 325V Scheitelspannung schalten möchte. Nur finde >ich dazu keinen passenden FET. Hier braucht man keinen Logic Level MOSFET. Man könnte überlegen, das ganze im Linearbetrieb zu fahren
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Was kann ich mit einem IRF9530 machen?
Desulfator. Auch könnte man einen Spannungsregler für den negativen Zweig machen oder einfach einen Schalter im positiven Zweig.
Hallo, mit diesen P-FETs kannst Du einen Abwärts-Schaltregler bauen, einen positiven analogen Spannungsregler, ihn mit N-FETs kombinieren für einen experimentellen Audioverstärker, oder einfach nur high-side-Schalten. Eine
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FET für PWM gesucht
ahnung wo ich sowas am besten herausfinden kann, drum schreibe ich hier: ich suche einen geeigneten FET für meine PWM-Anwendung die ich mit einem Atmel realisieren möchte. Die PWM-Frequenz beträgt maximal etwa 40kHz. Er soll Spannungen bis ca. 26V schalten können. Der durchschnittliche Stromfluss wird
@proXon: Möchtest du highside oder lowside schalten?
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NPN Transistor Power Atmega
Also wie in dem Bild über Z-Poweron schalte ich den Chip an.
Aber ich hab da doch ein Spannungsabfall, wie schalte ich den fet mit dem nem anderen µC das der haupt µC auch volle Spannung bekommt?
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8x NMOS galvanisch getrennt schalten
Ich suche nach Lösungen, um mehrere (8) recht große (30A) High-side FETs galvanisch getrennt (auch voneinander) zu schalten. Die Potenzialdifferenz kann 400V betragen und die Schaltgeschwindigkeit muss im µs-Bereich liegen. Bislang setze ich Optokoppler und kommerzielle
Und mittel zweier antiserieller MOSFETs kann man sogar Wechselspannung schalten.
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Stromloser AVR - pins nach masse oder tristate?
noch ein zusätzlicher Transistor her... die Anwendung ist eine "simple" spannungsschaltung P FET mit source and Batterie Gate via Widerstand auf Source Drain zum System Gate via Schalter auf Masse AVR auch ans Gate idee war Wenn alles aus ist (Anfang) haben S und G die gleiche Spannung - P FET sperrt. Drückt man den Schalter wird die Gate spannung kleiner als die Source Spannung - P FET leitet und versorgt das System. Das System checkt die Batteriespannung und wenn diese OK ist zieht es
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Transistor als Schalter (Low-Side)
Hallo liebe Community, Ich benötige für ein Projekt einen einfachen Low-Side Schalter mittels Transistor. (Schaltplan angehängt) Ich weiß, dass es ein einfaches Problem mit genügend Schaltungen und Erklärungen im Internet ist, jedoch sind bei mir immer noch ein paar Fragen offen
Hi Da würde bei mir ein N-Fet oder ein NPN-Transistor hin kommen. Gate-Widerstand beim Fet 100 Ohm als 'Angst'-Widerstand. Basis-Widerstand am NPN müsste man nach Datenblatt/gewünschtem Strom berechnen. (Beide leiten bei PLUS
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Frage zu CMOS-Bauweise
etwa so als ob ich einen Widerstand mit 0 Ohm parallel zum pn-Übergang zwischen Source und Substrat schalte. Danach ist die ursprüngliche Funktion des MOS-FET zerstört - zumindest nach meiner Meinung.Denn wenn ich nun im Falle eines p-Kanal-MOS-FETs Masse an das Substrat (also Source) lege, und den Drain
als ob ich einen > Widerstand mit 0 Ohm parallel zum pn-Übergang zwischen Source und > Substrat schalte. Richtig. Und das ist auch gar kein Problem. > Danach ist die ursprüngliche Funktion des MOS-FET zerstört - zumindest > nach meiner Meinung. Deine Meinung ist falsch. Alle diskreten MOSFET
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Strommessverstärker Noise
IC herum fließen. Bert S. schrieb im Beitrag #7076126: > Kann es sein, dass > es durch das schalten von Q2 evtl. durch Kapazitäten an der Source bzw. > and IN+ einen leichten Störpuls gibt, der direkt dort einkoppelt? Der Strom zum Schalten des FET läuft natürlich durch den FET durch, über den
vertikal drehen um die Schleife zu kürzen. Achim S. schrieb im Beitrag #7076356: > Der Strom zum Schalten des FET läuft natürlich durch den FET durch, über > den Shunt-Widerstand und zurück zum Gatetreiber. Das kann man gar nicht > wirklich als "Störung" betrachten: der Gatestrom fließt über den Shunt
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LT8490 Solar Laderegler EVM Störungen
K1 kann der Eingang des Ladereglers direkt mit dem Ausgang verbunden werden. Über den HighSide Schalter IC4 wird die Last geschaltet. FET13 bildet eine Überstrombegrenzung des Schalters. Der Attiny25 schaltet den HighSide Schalter und ggf. das Relais. Ich hoffe das war nun etwas verständlicher
dort doch nichts verloren, oder? Sind auch wieder > exakt die Selben wie auf meinem I2C Bus. Schalt doch mal 1M von d. Gates nach Masse. Vielleicht speichert die FET-Kapazität zu lange Ladung, obwohl eigentlich die Treiberstufe des 8490 die Ladung über eine Gegentaktstufe(so der Idealfall) auf