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Mosfet diskret ansteuern Bitte um Hilfe
HI, also ich hab folgendes Problem. Ich würde gerne eine H-Brücke aus 4 Mosfets diskret ansteuern. Habe jedoch noch nie mit einem Mosfet gearbeitet. Mein Vorhaben ist es einen Class-D Verstärker zu bauen. Also der Weg ist das Ziel^^ Nicht das sowas kommt wie kauf dir einen
> Spannung anliegen die in meinem Fall 12 Volt höher ist oder liege ich da > falsch Wenn der Mosfet leiten soll, aber nicht wenn er sperrt: Lege an Source +60V und an Gate 0V. Der Mosfet sperrt, das Gate ist hinüber, da GS -60V sieht. Wenn die Deadtime zu groß ist, dann kann irgendeine Induktivität
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Verwendung eines OpAmps als Stromfühler
> An diese Stelle gehört ein > P-Kanal MOSFET Daran hatte ich auch schon gedacht, jedoch geht es mir hierbei wirklich nur um den OpAmp. Die Diode in der Basis ist da, da der BD675 als Darlington-Array eine Verbindung vom Emitter zur Basis
Spannungsabfall auch beim viel höheren Fahrstrom gering. Der Fahrstrom wird mittels PWM durch den MOSFET Transistor geschaltet. Damit auch im Stand eine Messung möglich ist, fließt ein geringer Ruhestrom durch den Widerstand am MOSFET Transistor vorbei. Die Spannung von diesem Sensor wird durch einen
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Konstantstromquelle: Stromkreis öffnen problematisch?
arbeitet so oder so nie nahe der Sättigung, weder bei der Bipolarversion und erst recht nicht beim MOSFET. > 1. Ist es für den OpAmp ein Problem, wenn mittels MOSFET über GPIO der > Stromkreis regelmäßig vollständig geöffnet und wieder zu geschlossen > wird? Nö, die Stromquelle rennt halt in den
Ich würde das dann ungefähr so bauen. Op-Amp braucht rail-to-rail, Mosfets logic level. Bei Schalter-aus fließen halt noch paar uA.
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LTSpice: Stromspitze in Halbbrücke real?
Ganz genau. Und der könnte bei dicken MOSFETs (mit extra-fetten und extra langsamen Dioden - "intrinsisch" (MOSFET-Herstellung) vorhanden, deshalb "Body-Diode") schon sehr hoch sein. Und vor allem, weil ich die Induktivitäten und Widerstände
ist in rot die Gate-Spannung des Mosfets oben links und in türkis die Gatespannung des Mosfets unten rechts gezeigt. Grün ist der Strom am Source vom Mosfet oben links und blau der Strom durch die Induktivität. Wenn die Gates abgeschaltet
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hilfe bei step up wandler
Schaltplan? Mosfet-treiber / Ansteuerung? Diode schnell genug? Ausgangskondensator? Welcher Kern / Welcher Sättigungsstrom?
den MOSFET zerstört. Daher nie ohne Last betreiben oder eine schnelle Regelung einbauen.
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Gedankenexperiment - Fluktuationsstrom in Hughes-Spannungsteiler
Vergleiche mit Wasser in Röhren sind da völlig untauglich. Das einzig sinnvolle ist es Literatur über Mosfets zu studieren.
bauteile drum rum..???? oder sind die paar p channel mosfets alles was nötig ist dazu?
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Lineare Widerstandsschaltung
B. schrieb im Beitrag #6659648: > Anbei meine aktuelle Schaltung Du hast scheinbar eine per MOSFET umgeschaltete Parallelschaltung, da bekommst du ja 1/(1/R1+1/R2). Du solltest die R in Reihe schalten, der MOSFET überbrückt dann je einen.
geschrieben hat: MaWin schrieb im Beitrag #6659859: > Du solltest die R in Reihe schalten, der MOSFET überbrückt dann je > einen. Du hast in dem Falle acht Mosfet-Überbrückungen zu schalten. Das geht dann wie beim DA-Wandler. Ein DA-Wandler hat 8 Bit, damit kann er 2⁸=256 verschiedene Spannungen
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Fahrtwindbetriebenes Fahrradlicht
dem Propeller (nur so einen Schnapsidee - ein taster tuts natürlich auch) N-Kanal und P-Kanal MOSFET http://www.vishay.com/mosfets/list/product-73102/ http://www.vishay.com/mosfets/list/product-73381/ ideale Diode als Synchrongleichrichter http://www.linear.com/pc/productDetail.do?navId=H0,C1,
Spannung mit Zenerdiode an den Mikrocontroller. Ein PWM-Ausgang mit Tiefpass könnte dann einen Mosfet schalten, der dann als drehzahlabhängiger Widerstand arbeitet. Du musst halt mal schaun, wieviel du so rausholen kannst. D.h. Versuchsaufbau mit Generator, Mosfet, Mikrocontroller, dazu ein niederohmiges
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Magnetventil über Transistor ansteuern
wie schnell muss das Magnetventil > angesteuert werden? Das Magnetventil ist langsamer als jeder Mosfet dieser Welt. Daher kein Problem.
jetzigen Zeitpunkt noch nichts anderes geplant. Welche Frequenz wäre denn maximal mit so einem MOSFET realisierbar? Als Controller benutze ich einen Mega32. Und berechnet sich der Vorwiderstand für die Basis (Gate) beim MOSFET gleich wie bei einem normalen Transistor oder muss ich da etwas beachten
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Spule mit Transistor
Gatespannung? Brutal aber wahr: wer einen Transistor nicht zum Laufen bekommt, bekommt das auch mit einem Mosfet nicht hin. Oder andersrum: so ein Mosfet mit offenem Gate raucht dir noch viel schneller ab als ein Transistor mit offener Basis.
> Brutal aber wahr: wer einen Transistor nicht zum Laufen bekommt, bekommt > das auch mit einem Mosfet nicht hin. > Oder andersrum: so ein Mosfet mit offenem Gate raucht dir noch viel > schneller ab als ein Transistor mit offener Basis. Ist nach deinem Wissensstand ein MOSFET kein Transistor?
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Ansteuerung Antiserielle Mosfets Probleme
MOSFET zu plotten und nicht gegen Ground. Aber weißt du was, die Quelle V3 ist auf Null gestellt. Die antiseriellen MOSFET sind aus, so gut sie können. Inklusive kapazitiver Kopplung über den Kanal. Lukas
Für Versuchszwecke sollen verschiedene Gatevorwiderstände im > Gatepfad durch eine antiserielle MosFET Schaltung verändert werden > können. s/eine antiserielle MosFET Schaltung/Reed Relais/
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mit 2,7V schalten
Hi, was spricht gegen ein Transitor o. Mosfet mit Basisvorwiderstand und Z-Diode (Z2,7V) in Sperrrichtung ? Gruß, Dirk
> Bei hohen Spannungen/Strömen sind Transistoren > daher besser als MOSFETs Nur mal so am Rande: auch MOSFETs sind Transistoren.
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High Side Power Switch gesucht
. Sie muss alleine überleben. Redundanz ist da wichtig. Eventuell ist auch eine Kombination aus MOSFET und PhotoMOS zielführend - aber das werden erst die Tests zeigen. Fehler und Zerstörungen durch die Vielzahl and SEE an MOSFET abzufangen ist schwierig und noch schwieriger zu erkennen - zumindest
PhotoMOS" steht? Ich glaube nicht einen Augenblick, daß eine Strahlendosis, die einen herkömmlichen MOSFET zur Fehlfunktion bringt, ein PhotoMOS unbeeindruckt läßt. Allein schon deswegen, weil du bei letzterem überhaupt keinen Zugang zu Interna hast. Einem MOSFET kannst du einen niederohmigen Ableitwiderstand
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MOSFET Steuerung für Elektrolyse
Ich würd den Schaltteil mit den Mosfets über Optokoppler vom Steuergerät trennen.
lautet das Zauberwort "break before make". Am besten Du suchst dir einen passenden Treiber für die Mosfets, der dies beherrscht.
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Rdson Mosfet messen - Messgerät
Hallo zusammen, kennt jemand ein Messgerät der ziemlich Akkurat Rdson von Mosfets messen kann? Vielen Dank.
rund 1A am DUT gehen in die richtige Richtung) ist mehr als ausreichend. Da packt man dann einen MOSFET mit schön niedrigem RDSon in Reihe dazu, angesteuert von einem uC-Pin, und einen 10-100x Verstärker für Uds des DUTs an einen ADC vom uC. Wenn der MOSFET durchsteuert, wartet man 10us, liest den ADC-Wert
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Schalten eines Tasters
(nicht betätigt) erkennen zu können, muß man den Pullup einschalten, um den MOSFET auf High umzuladen. Logischer Weise muß dann die gedrückte Taste gegen GND schließen, d.h. sie lädt den MOSFET auf Low um. losgelassen = 1 gedrückt = 0
Eingang (nicht betätigt) erkennen zu können, muß > man den Pullup einschalten, um den MOSFET auf High umzuladen. Logischer > Weise muß dann die gedrückte Taste gegen GND schließen, d.h. sie lädt > den MOSFET auf Low um. > losgelassen = 1 > gedrückt = 0
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TIP122 als Schalter, wird trotzdem sehr heiss
werden. Du kannst sie auch mal genau Messen, wenn du willst. Such dir besser einen niederohmigen Mosfet.
Transistoren regeln. Stromregelung mit MOSFET's macht man im Allgemeinen mit PWM.
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Viele Magnetventile per MCU ansteuern
ich gerne in SMD Bauweise aufbauen. Mein aktueller Stand: Ich benötige wohl Logic Level MOSFET wie z.B. IRLR 024N (55V, 17A) 100k Widerständ von Masse auf Gate des MOFSFET Benötige ich auch einen Widerstand zu Strombegrenzung des Schieberegisterausgangs zum Gateeingang des MOSFET? Bei der
konkreten Ventile im Kopf, >also lieber mal etwas großzügiger dimensioniert... Dann eher 74HC595 + MOSFETs, z.B. IRF7103. >Logic Level MOSFET wie z.B. IRLR 024N (55V, 17A) Sehr überdimensioniert. >Benötige ich auch einen Widerstand zu Strombegrenzung des >Schieberegisterausgangs zum Gateeingang
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P Mosfet, Ugs mit Z-Diode begrenzen
Markus schrieb im Beitrag #6806205: > Würde gerne +24V mit einem P Mosfet schalten. Sind die Bauteile fest vorgegeben, oder weshalb nimmst Du keine passenden? Muss T4 auch ein Mosfet sein?
irgendwann mal tatsächlich 40V werden, dann hast du ganz andere Probleme als nur die Ugs dieses Mosfets.
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suche MOSFET
Guten Tag, ich suche einen MOSFET, welcher bei 3v-3,8v voll durchschaltet. Anschließend sollen durch den MOSFET 5-6v bei 3,8A laufen. Geschaltet wird vllt maximal 2 Mal in einer Stunde. Könnt ihr mir einen passenden empfehlen
fernanda schrieb im Beitrag #2391234: > Anschließend sollen durch den MOSFET 5-6v bei 3,8A laufen. Besser ist, den MOSFET richtig durchzuschalten, so dass die Spannung eher bei 100 mV liegt. Bei 5-6V und 3.8A hättest du satte 20 W Verlustleistung.
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Mosfet Treiber?
stattdessen die 24V Glühbirnchen zu schalten, würde ich die LEDs einfach durch jeweils einen IRF3710 Mosfet ersetzen. Nun sagte mir ein Mitschüler, dass das so nicht geht und man für jeden Mosfet noch einen Treiber braucht. Warum das so sein soll, konnte er mir allerdings nicht erklären. Kann mir
für ein bisschen mehr Strom geeignet. Was würde denn eigentlich passieren, wenn an einem der Mosfets ein Kurzschluss entsteht? Geht das überhaupt? Oder stellt der MosFET mit seinem Ron immer auch einen Verbraucher dar?
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das sterben der Mosfet.
Guten Abend, ich verwende als Verpolschutz einen P-Canal Mosfet. Nun ist mir beim testen von 20 Platinen bei 3 der Mosfet gestorben. Ich habe aber keinen Plan warum. Mein verdacht ist das die Masseversorgung nicht ordendlich war. wäre das eine erklärung? An Kl15
sich mal von der im Schaltplan gezeigten exotischen Kreation für das Schaltzeichen eines P-Kanal MOSFETs trennen.
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Mosfet zerstört?
1 Ohm 5W Widerstand ausgetauscht. Im Moment wäre ein Strom bis 50A möglich einzustellen. Der Mosfet ist direkt mit dem Out Ausgang des OpAmp verbunden. Der Invertierte Eingang(-) des OpAmps ist mit dem 5W Widerstand verbunden. Das Problem ist das mein Mosfet nun dauerhaft durchschaltet auch
Spannung anliegt. Lege ich eine Spannung von 6 Volt ans Gate an, dann ändert es auch nix aber der Mosfet wird sehr heiß. Zwischen Drain und Source ist etwa ein Widerstand von 14 Ohm. Der Mosfet bleibt "heile" bis circa. 4,5 Ampere danach schaltet er voll durch und die 10 Ampere Sicherung am mein
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Verlsutleistungsabfuhr bei Mosfets
Hallo, ich habe eine Frage z den Angaben im Datenblatt eines Mosfets. Es steht, der Mosfet kann einen kontinuierlichen Drain Strom von 110A. Der RDSon liegt bei 4,2mOhm. Das Ergibt eine Verlustleistung von 50,82Watt Der Mosfet im D2Pack kann bei Platinenmontage auf
25°C eine Verlsutleistung von 30W abführen. Sollte also ausreichen. Aber nutzt mir das, wenn der Mosfet nur 3,75W abführen kann aber 30W verlustleistung erzeugt? Welche Verlustleitung darf der mosfet also maximal erzeugen...ungetaktet
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MOSFET SCHMILZT
Kühlkörper vorhanden? MOSFET nicht schnell genug geschaltet so das Umschaltverluste entstehen?
Auch bei höheren PWM-Frequenzen. Ein Blick ins Datenblatt schadet auch nicht, wieviel Strom der MOSFET bei 5V an der Gate kann.
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Leistungs Mosfets
Hallo, ich bin auf der Suche nach Leistungs Mosfets für einen Brushless Motorregler. der Akku hat 44,4V (12S LiPo) der Regler soll für ca. 120A Dauerleistung ausgelegt sein. Nun bin ich auf der Suche nach den passenden N-Kanal und P-Kanal Mosfets
Ok, dann werd ich das so versuchen. Kann ich an einem Ausgang vom IR2110 auch zwei oder drei Mosfets parallel ansteuern?
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Ultraschallgerät(Medizin) HMI Touch Vertikale Streifen
Pins 14 und 7 an ti75003 sind mit Mosfets-Gate über 0 Ohm Widerstende verbunden, gerade gemessen.
und hat nur noch 0 Ohm ,im Datenbank steht aber das daß ein > 0, 01 Ohm Widerstand ist. Das Mosfets zünden habe ich auch noch nie gelesen! Zünd-Fetz so zu sagen, das Fetzt. :D Von wem oder welche Mosfets verwendet werden hängt von der Anwendung, Strom pi pa po ab, darum heißt es ja im Datenblatt
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Problem mit IR2110
nimmt man eine Bootstrap Schaltung, bestehend aus einer Diode + Kondensator. Schaltet der unter MOSFET ein, liegt dess Drain auf ~0V, ebenso der Source des oberen MOSFETs. Der Bootstrapkondensator C13 wird über D2 aufgeladen. Schaltet dann der untere MOSFET aus und der obere ein, wird der Drain der
@ JUehV (Gast) >Wieso brauch der High Channel Mosfet 15V und der Low nur 12 wenn beide >MosFETs doch identisch sind ? Das war nur ein Beispiel. Je nach Typ nimmt man 10-15V für die Gateansteuerung, bei Logiv Level Level MOSFETs reichen 5V, die modernen
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Wie Drain durchkontaktieren für MOSFET Halbbrücke
zu planen. (ja, noch einer :-) Dazu verwende ich 3 Halbbrücken aus jeweils einem N- und P-Kanal-MOSFET (wie wohl auf den meisten Schaltungen). Die eigentliche Frage ist jetzt die Anordnung und das Routing auf der Platine. Ich würde gerne diese zusammengehörigen MOSFET-Pärchen auf Unter- und Oberseite
ist, wenn man einen FET-Treiber mit nur einem > Signaleingang nimmt. Low am Eingang -> unterer Mosfet schaltet durch, > High am Eingang -> oberer Mosfet schaltet durch. Ganz deaktivieren kann > man die FETs mit dem Enable-Eingang des Teribers. > > So kriegt man diesen sogenannten aktiven Freilauf
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Problem mit Power MOSFET
Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient Für analoge Lasten muß man schon spezielle MOSFETs suchen die z.B. für analoges Audio konstruiert sind. Der IRFP240 ist z.B. ein solcher MOSFET. Bei dem ist aber ebenfalls die SOA einzuhalten! https://320volt.com/en/irfp240-irfp9240-mosfet-400w-amplifier-circuit
Internetprovider zu sagen: "Bis zu" :D > Und die teilen sich irgendwie zwischen Glühlampe > und MOSFET auf. Am als ideal angenomenen 6Ohm Lastwiderstand (bei ideal angenommenem RDSon 0Ohm) 24W am Lastwiderstand, 0W am Mosfet. Leistungsanpassung als Spezialfall: 6V am Mosfet und 6V am 12Ohmer: jeweils
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Starkstrom-Technik: 200A bei 400V für 2ms schalten
ViewItem&category=31336&item=5754714949&rd=1 Der passt :-) Ansteuerung: im Prinzip wie ein Mosfet.
Restenergie entlädt sich durch den MOSFET. Wenn ein FET für Avalanche-Betrieb ausgelegt ist, dann wird er dadurch nicht zerstört. Das Avalanche Rating bezeichnet eben die maximale Energie, die ein MOSFET im Avalanche-Betrieb verkraftet.
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PWM Signal (10kHz) 20A erzeugen
Ehrlich gesagt würde mich da mehr die Mosfet Lösung interesieren, da ich so eine Regler selber bauen möchte. Aber danke für den Tipp
Hä ??? Du hast den uC... den PWM-Ausgang gibst Du auf einen passenden MOSFET-Treiber (vom ICL7667 über den IR2011 hin zu passenden Treibern)... und da klemmst Du einen passenden N-Kanal MOSFET dran (BUZ11 oder bessere aktuellere Typen). 15A sind kein Thema ! 10kHz
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Mosfet ich weiß es nervt.Sry
Hr. egal schrieb im Beitrag #6087768: > Ich hab noch das Problem das ich nen Mosfet mit nem Arduino Nano > betreiben will. > > IRFZ 44N, Der ist dafür nicht geeignet! Nimm einen Logikpegel-MOSFET, z.B. IRLZ44N.
> Der ist dafür nicht geeignet! Nimm einen Logikpegel-MOSFET, z.B. > IRLZ44N. Ausschalten geht damit trotzdem - wenn der TO es richtig(tm) verdrahtet hat. Ich tippse auf hi-side-N-Mosfet. Oder lustige Arbeitspunktspannungsteiler oder ähnliches. Könnte man
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Led-Multiplexing Problem mit Strom
Verringern der Vorwiderstände - Strommessung an den Transistoren To do List nach Eintreffen der Mosfet: - Tausch der Transitoren zu Mosfet Test... :-)
Transistorstufen dann > wenigstens als Darlingtons aufbaust (besser jedoch: auf logic level > n-MOSFET umstellst), dann könntest du die gewünschten 600mA pro > Segment erreichen. reagiere nicht so aggressiv! Keiner will dir etwas böses.
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Resonanzkonverter - Oszi Bildanalyse
am Mosfet anliegen. irgendwie ist das komisch :-/ mit "Zero" hat das auf jeden Fall erstmal nix zu tun :-( Ich würde auch gern nochmal Messungen nachliefern. Ich bräuchte bloß Informationen, was von Interesse
Der Vollständigkeit halber nochmal Uds eines LowSide-Mosfets. Der Ausschalt-Impuls kitzelt immernoch an den Avanalanche-Ratings. Es baut sich auch der komplette Spulenstrom in dem Moment ab :-/ Soll das so? Soll ich mal richtige Dioden zu den Mosfets parallelschalten
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Heizelement und Arduino
nur ein fertiges Modul. Beispielsweise aus dem Reprap Umfeld http://reprap.org/wiki/Heated_Bed_MOSFET_Power_Expansion_Module
Tobi A. schrieb im Beitrag #5141959: > Zu den MOSFETS hab ich eine allgemeine Frage: > > Und zwar wie sieht es denn aus mit Widerständen muss ich Widerstände vor > Gate, source und drain schalten? > Nutzt du einen N-Kanal Mosfet, kannst du
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Selbsthaltung mit ESP32-S3 & SIT1043 schaltet nicht ab
Den Mosfet falsch herum eingebaut!?
Du verwendest einen 8V-MOSFET, um 12V zu schalten!
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BDX33C zur LED Steuerung wird heiß
eine Verlustleistung von <80mW. WOW, das ist jetzt WIRKLICH absolut nötig, mit solchen Monster-MOSFETs eine pissige LED-Kette mit 1,6A zu schalten.
Falk B. schrieb im Beitrag #5765099: > Es ist ein 62A MOSFET mit 12mOhm!!! Overkill^3. Ist das jetzt verboten, oder was?
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RPI, PWM, MOSFET, LED-Strip
gebildet: • Wenn ich den LED-Strip per PWM ansprechen will, brauche ich ja einen Logic Level MOSFET, warum? • Woran erkenne ich (für die Zukunft), ob ein MOSFET der richtige ist, auf was muss ich Achten bzg. V, A und W. • Wie kann ich ausrechnen, ob der MOSFET mit PWM klar kommt? Bzw. ab wie viel Hz er nicht mehr klar kommt. • Ab wann muss ich die MOSFET's kühlen, bzw. wie errechne ich das? Was ist so der Richtwert. Gibt es überhaupt einen? Im Grunde bin ich mir noch nicht ganz Sicher mit den MOSFET's. Welchen MOSFET sollte ich benutzen und vor
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suche p-kanal mit niedriger t_fall schaltzeit
ich brauche einen Mosfet für einen Stepdown spannungswandler von 20V auf 3,3V 5A. bis jetzt habe ich als mosfet einen FDD6637 P-Kanal drin. der Transistor wird zu heiß. das mit der Hand gefühlte entspricht ca. 1,5-4
anhang das bild sehen. die erklärungen dafür waren leider für die katz. ich möchte jetzt einen mosfet treiber benutzen um zu gucken, ob der mosfet dann bei 300khz kühler wird. also wenn ich die spule stark genug bewickel, bleibt der mosfet kühl bei niedrigen frequenzen. der spulenstrom steigt wohl
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Samsung LC49HG90DMUXEN Bild Problem
Markus schrieb im Beitrag #7663274: > Transistor Mosfet sitzt mit der Bezeichnung G64. Passt der P-FET hier? https://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/836454/DIODES/DMP3050LVT.html
Jahr. Dann ist das wohl schon der von Wolf17 erwähnte: https://www.lcsc.com/product-detail/MOSFETs_Diodes-Incorporated-DMP3050LVT-7_C397951.html
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Kollektorschaltung statt KFZ Relais
mit MOSFETs reichen 3 Bauteile
die High Side zugänglich ist und der Schalter auf dem Vbat Potential liegt. Deswegen hat die MOSFET Lösung auch zwei MOSFETs. Mich würde noch interessieren wie man das genannte Transistorarray miteinander vertüdelt, das hab ich noch nicht hingekriegt. Mein Favorit ist bisher der Gate Treiber
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24V LED mit ESP8266 und IRLZ44N schalten
möglich unter gesamt Plus und 2 Kanel jeweils C und W in 24V DC anzusteueren" Nun, würden hierfür MOSFETs, wie der IRLZ34N, genügen und ohne zusätzliche Kühlung auskommen? Leider bin ich mit meinen Kenntnissen nicht in der Lage die MOSFET-Datenblätter zu verstehen. Habe im Anhang eine Laienhafte Schaltung
statt einer zusätzlichen Kühlung lieber den FET geeignet auszuwählen. [[FET#Verlustleistung]] [[MOSFET-Übersicht#N-Kanal_MOSFET]] > Habe im Anhang eine Laienhafte Schaltung skizziert wie ich es mir > vorstelle. Bei den FETs solltest du auf jeden Fall einen 100k-Widerstand zwischen Gate und Source
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PWM Endstufe für 12V 100W
Du hast schon richtig gedacht, der N-Kanal-MOSFET muss mit Source auf Masse. Der Verbraucher mit + an der Versorgung. Die P-Kanal-MOSFETs sind von Haus aus nicht für große Leistungen ausgelegt, deshalb mein Vorschlag. Du kannst den N-Kanal auch mit
Ansteuer-ICs von IRF (IR2101 oder neuer), die kosten nicht so viel wie die LTCs und schalten sicher N-Kanal MOSFETs. Wenn Du aber 8 Knäle brauchst ... Uiiih, sieh Dir mal den ICL7667 an, der schaltet 2 MOSFETs und kostet bei Reichelt 1 Euro. Spart halt die ganzen Kleinteile.
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wieso brummt mein FET bei der PWM?
R8 = 100k? So steuert man normalerweise nicht einen low side mosfet! R9 = 620, wie hoch ist die PWM? Ist vielleicht etwas zu hoch gewählt. Am Mosfet gehört ein Pulldown, damit der Lowpegel garantiert werden kann.
/hochohmig/ wird. Also im Resetzustand. Dann ist nämlich die Gatespannung /undefiniert/ und der Mosfet leitet "so halb". Mach mal einen 10k Widerstand zwischen Gate und Source...
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Verpolungsschutz Mosfet every circuit
Hallo, würde gerne einen Verpolungsschutz realisieren. Dafür hatte ich mir die Mosfet + Z-Diode (siehe Bild) Variante herausgesucht. Als Mosfet wollte ich gerne den "ZXMP10A13F" (http://www.diodes.com/_files/datasheets/ZXMP10A13F.pdf) und mein Verbraucher ist ein "TEN 6-4811WIN DC-DC
Michael schrieb im Beitrag #4649451: > 1. Habe ich schon gecheckt --> ist wirklich ein P-Kanal Mosfet der > N-Kanal Mosfet (siehe Bild) sieht so aus. Was ist denn das für eine untaugliche Software? Üblich und in Datenblättern ist es so: bei einem P-Kanal-Mosfet zeigt der Pfeil raus. Beim N-Kanals
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Motorsteuerung
Gibt es denn keine MOSFETS in dieser Ampere-Stufe ??? War ja nur ein Beispiel. MfG Niclas
Kann mir nochmal jemand einen Tipp zu den MOSFETS usw. geben ?? MfG Niclas
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Schaltungshilfe
>Dann funktioniert deine Schaltung nicht, die MOSFETs gehen sogar kaputt. Doch, funktioniert. Die Spannung an "Last Negativ" ist ca. 3V höher als meine Masse. Der Mosfet darf -12v an G ggü S haben. Dann sperrt er. >Du braucht auch bei deren Ansteuerung
> kann Verbinde LAST_NEGATIV mit GND. Ansonsten brauchst du PhotoMOS-Relais anstelle der MOSFETs.
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Elektronik schützen vor "gesättigtem" Trafo?
shutdown vom SG3525 beendet die PWM sofort. Man misst mit einem Widerstand in der gemeinsamen MOSFET Sourceleitung. Hat nur leider 0.7V Einschaltspannung, eventuell also ein Stromwandeltrafo dazu.
MOSFET hält 500V aus: 500V/180R=2,8A - wenn das mal beim Abschalten ansteht, läßt Dir die initiale Spg-Spitze die FETs sofort durchknallen. Vielleicht kannst Du den Widerstandswert etwas absenken.
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MOSFET TW045N120C Kurzschlussschutz maximale Zeit ?
nicht geht oder zu kompliziert ist. Erst dann weißt du tatsächlich, was da los ist. Und für den Mosfet geht es nur um Tatsachen.
Hier MOSFET