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AtTiny mit 200nF zwischen GND und VCC
Source und Drain am MOSFET vertauscht? Softwarefehler? Am C jedenfalls liegt es nicht.
klar, dass du da einen Spannungsteiler gebaut hast, zusammen mit dem 10k Pull-Down? Schaltet dein Mosfet bei der verbleibenden Gate-Spannung überhaupt noch? Sicher dass es ein Mosfet ist, und kein Bipolar-Transistor? Für den würde der Vorwiderstand Sinn ergeben.
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MOSFET TW045N120C Kurzschlussschutz maximale Zeit ?
nicht geht oder zu kompliziert ist. Erst dann weißt du tatsächlich, was da los ist. Und für den Mosfet geht es nur um Tatsachen.
Hier MOSFET
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3-Phasen-Treiber IR2136 => komisches Verhalten
jemand diesbezüglich weiter Hefen. Also wie auch schon im Betreff schon erwähnt, verwende ich den Mosfet- Treiber IR2136. Die letzten Tage war ich damit Beschäftigt, den Treiber auszutesten ohne dass ich die Mosfets hinten anschließe, sprich mit den Bootstrap- Dioden und Kondensatoren, mit dem Kondensator
und auch LOW eingang gleichzeitig ein PWM-Signal anliegen haben oder? Weil ich ja ein High Side MOSFET und ein LOW-Side Mosfet gleichzeitig durchschalten muss (jeweils von verschiedenen Phasen natürlich).
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Schaltnetzteil defekt? Wäschetrockner AEG Electrolux
die chip-technologie hervorzuheben ist. PI macht monolithische switcher, d.h. controller und PowerMOSFET auf einem einzigen chip. Das ist die billige und schlechte Variante, da diese MOSFETs wesentlich empfindlicher gegen Überspannungsspitzen sind als die geläufigen diskreten PowerMOSFETs. Diese Teile
Ausfällen vermute ich folgendes: Diese kleinen Schaltwandler beinhalten Ansteuerung + LeistungsMOSFET auf dem selben chip. Diese Art LeistungsMOSFET ist bei weitem nicht so robust wie eine Lösung mit separatem Ansteuerbaustein und diskretem MOSFET. Das Stichwort heißt hier Avalanche-Durchbruch, d.h
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mit µC (3.3V) zwei Heizelemente schalten (12V 12W pro Heizung)
ist). - UDS (die max. Last-Spannung, die mit dem MOSFET geschalten werden kann) - IDS (der max. Last-Strom, der mit dem MOSFET geschalten werden kann) - Rdson (der "Rest-Widerstand" des MOSFET bei definierten Gatespannungen gegenüber dem Source-Anschluss
grünen Bereich (bei 40°C Umgebungstemperatur sind das 50 bzw. 80°C im inneren, da fühlt sich der Mosfet noch pudelwohl). Du kannst diesen Mosfet also ohne große Bedenken für deine Anwendung einsetzen.
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Absicherung von Digitalen Ausgängen
Peter D. schrieb im Beitrag #7663030: > Wir sind daher zurück zu klassischen > MOSFETs in Konstantstromschaltung (Impulsschutz) und Polyfuse > (Dauerschutz). Wie geht Konstantstromschaltung mit MOSFETs? Ich kenne die Varianten mit 2 bipolaren Transistoren, J-FETs oder MOSFET + Shunt und Opamp. Ok, Depletion Mode MOSFETs kenne ich auch, das würde ich dann aber schon nicht mehr "klassische MOSFETs" nennen...
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BJT oder MosFET für Stepdown und welcher?
typischerweise 0,3V, ein IGBT etwa 2V. Den MOSFET solltest Du mit einem schnellen MOSFET-Treiber ansteuern (z. B. MAX5055) oder einem Spezialbaustein für Stepdown-Wandler (Maxim und Analog Devices haben einige). Der MOSFET-Treiber braucht einen hohen Ausgangsstrom, damit der MOSFET schnell schaltet. Das vermindert die Umschaltverluste. Beim Umschalten hat der MOSFET eine mittlere Spannung und einen mittlerer Strom, das heißt eine große Verlustleistung. > - BJT oder MosFET?
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Gedankenexperiment - Fluktuationsstrom in Hughes-Spannungsteiler
Vergleiche mit Wasser in Röhren sind da völlig untauglich. Das einzig sinnvolle ist es Literatur über Mosfets zu studieren.
bauteile drum rum..???? oder sind die paar p channel mosfets alles was nötig ist dazu?
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Elektronik schützen vor "gesättigtem" Trafo?
shutdown vom SG3525 beendet die PWM sofort. Man misst mit einem Widerstand in der gemeinsamen MOSFET Sourceleitung. Hat nur leider 0.7V Einschaltspannung, eventuell also ein Stromwandeltrafo dazu.
MOSFET hält 500V aus: 500V/180R=2,8A - wenn das mal beim Abschalten ansteht, läßt Dir die initiale Spg-Spitze die FETs sofort durchknallen. Vielleicht kannst Du den Widerstandswert etwas absenken.
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Layout Feedback bitte
möglich und sinnvoll (GND zeigt nach unten, VCC nach oben) Deine drei Dutzend VIAs unter den MOSFETs sind ein Fetisch, keine technisch sinnvolle Sache. Du schaltest keine hunderte Ampere. Ich sehe ein Diskrepanz zwischen der Größe deiner MOSFETs und der Freilaufdioden. Es KOMMT manchmal auf die Größe
Das willst du nicht wirklich. Und du willst schon gar nicht, daß an dein ISP-Signalen deine fetten MOSFETs für die fetten Lasten dranhängen. Klemm die woanders an. Du hast noch 2 Pins frei. Deine MOSFETs sind sicher KEINE IRLZ34N, denn die gibt es AFAIK nicht im SMD-Gehäuse. Irgendwie sehe ich keine
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MC34063A Step-Down-Regler erweitern
MOSFET, der nicht fliessen darf.
muss immer unendlich anzeigen, ansonsten ist der MOSFET gehimmelt.
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LTSpice: Stromspitze in Halbbrücke real?
Ganz genau. Und der könnte bei dicken MOSFETs (mit extra-fetten und extra langsamen Dioden - "intrinsisch" (MOSFET-Herstellung) vorhanden, deshalb "Body-Diode") schon sehr hoch sein. Und vor allem, weil ich die Induktivitäten und Widerstände
ist in rot die Gate-Spannung des Mosfets oben links und in türkis die Gatespannung des Mosfets unten rechts gezeigt. Grün ist der Strom am Source vom Mosfet oben links und blau der Strom durch die Induktivität. Wenn die Gates abgeschaltet
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LED-Raumbeleuchtung
allerdings klar. Mal sehen, vielleicht schalte ich auch jeweils 2 LEDs in Reihe. Ich will, dass der MOSFET nicht die Spannung, sondern den Strom verstärkt. Ich habe von MOSFETs keine Ahnung. Was macht ein MOSFET?
>Dann ist es aber wichtig, dass die >MOSFETs die Spannung nicht verstärken. Wie soll ein scheiß Mosfet die Spannung verstärken wenn deine Schaltung irgendwie so aussieht: ---- | Widerstand | LED | MOSFET
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kleinen Wechselstrom mit MOSFET schalten
großen Strom um mein Relais schalten zu lassen. Ich wollte als mit dem RTS Signal einen MOSFET schalten der mir bei RTS(High) den MOSFET durchschalten lässt und bei RTS(Low) den MOSFET sperrt. Das RTS Signal hat 3V und mein zu schaltendes Signal hat +/-0,5mA. Ist meine Idee überhaupt Realisierbar
meine Idee überhaupt Realisierbar? Sicher. > und müsste ich dazu zwei antiparallel geschaltete MOSFET >nehmen?. Antiseriell. MfG Falk
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MOSFETs zur LED-Schaltung
A. Wegen des "hohen" Stroms glaube ich keine Transistoren benutzen zu können und wollte deswegen MOSFETs benutzen. Das Problem ist, dass ich mich schwer tue passende zu finden. Der ESP hat auf den Pins eine Ausgangsspannung von gerade mal ~750mV. Wenn ich bei mouser nach MOSFETs mit den benötigten
ich den Eindruck, die Leute glauben immer, der Mosfet ist ein Schalter, der bei Ugs_thres plötzlich einschaltet. Das ist natürlich generell nicht so, denn der Mosfet ist immer noch ein rein analoges Teil, auch wenn viele Mosfets explizit für Schaltbetrieb
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richtiger MOSFET-Treiber
Hallo zusammen, ich bin gerade dabei einen MOSFET-Treiber auszusuchen. Der Treiber soll im Bestfall 12 Mosfets mit jeweils 490pF Eingangskapazität ansteuern. Das Signal, welches getrieben werden soll ist eine PWM mit einer Grundfrequenz von 500kHz
man mindestens mit der 10 fachen Frequenz rechnen, also 5MHz. Mit einem 47 Ohm Gatewiderstand pro Mosfet ergibt das eine Grenzfrequenz von 6,9MHz. Bei 12 Mosfets entspricht das einem Strom von 2,6A. Für ein noch schöneres Rechteck ist ein 10 Ohm Gatewiderstand pro Mosfet besser geeignet.
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LTspice: Simulation von Power-MOSFETs im 3. Quadranten geht nicht
Moin, hat schon mal jemand probiert, in LTspice MOSFETs im 3. Quadranten (= Reverse-Betrieb) erfolgreich zu simulieren? Ich krieg das mit Vers. XVII jedenfalls nicht hin... :-(
Nochmal: Umkehrbetrieb eines MOSFET ist im 4. Quadranten, nicht im 3.
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Arduino Kondensatormotor Drehzahlsteuerung
geschaut: https://de.rs-online.com/web/p/optokoppler-ics/8649136/ https://de.rs-online.com/web/p/mosfet/7919324/ https://de.rs-online.com/web/p/mosfet/1109088/ IPA90R340C3XKSA1 Super Transistor und preiswert. Ich freue mich drauf. LG old.
www.mikrocontroller.net/topic/489850#6197027 IGBT's sind in dieser Anwendung nicht so effizient wie MOSFET's. Grund: Der Spannungsabfall am MOSFET ist Rdson*I, beim IGBT mindestens der von einer PN-Strecke also >0,6V. Rechenbeispiel: MOSFET: P=I*I*R rdson=0,4R; I=1A; 0,4W IGBT: P=U*I
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Probleme beim Schalten eines Displays mit MOSFET und ESP32
Du brächtest so gut 2V mehr am Gate als am Ausgang, je nach Thresholdspannung des MOSFET. Verwende einen p-MOSFET in Souceschaltung, und zwar einen mit nicht zu niedriger Thresholdspannung, sonst reichen die 3,3V vom ESP32 nicht, um den MOSFET zu sperren.
totaler Overkill. Stattdessen könntest du einfach einen PNP-Transistor nehmen, oder einen p-Channel-MOSFET plus einen n-Channel-MOSFET.
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Ansteuerung Magnetventil mit 2 MOSFETs
mit der ein Magnetventil mit PWM angesteuert wird (bis ca. 4kHz). Die Schaltung sieht so aus: MOSFET 1 Drain: 12V Source: Magnetventil Anschluß 1 MOSFET 2 Drain: Magnetventil Anschluß 2 Source: Masse Welchen Sinn macht es, das Magnetventil mit 2 MOSFETs zu schalten? Gibt es eine Bezeichnung
, den kann man bei 4 kHz noch direkt mit einem 5V CMOS-Gatter ansteuern, wenn es ein Logic Level MOSFET ist. Ansonsten einen kleinen MOSFET-Treiber von der Stange, siehe [[MOSFET-Übersicht]]. >Edit: Und in welcher Reihenfolge die FETs schalten, damit das Ventil >maximal schnell wird und ich keine
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Mosfetschaltung 24V mit Mikrocontroller
Vor dem Einbau des Mosfet die R2 u. R3 bestuecken, falls Du selbsr bestueckst.
Manfred schrieb im Beitrag #7287108: > FET So was hat kein Problem mit ESD. Ein MOSFET allerdings schon.
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[Projekt] Einstellbares Netzteil 12V/60A auf 0,5-2,5V/250A
der diese Aufgabe bewältigen kann. Bzw. ist es ja nicht mal nur der Schaltragler, sondern eher die MOSFETs und das Layout der Platine. Wäre für weitere Hinweise dankbar :)
Ja, dieser TPS40140 müsste ganz gut sein. Wenn du stärkere Mosfets verwenden willst, must du aber den maximalen Treiberstrom des Chips beachten. Starke Mosfets haben i.d.R. auch viel Gate-Kapazität, was zu längeren Schaltzeiten und damit zu schlechterem Wirkungsgrad
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Hochspannungs-Schaltnetzteil im Eigenbau
wird? Ich hab Zweifel daß die Wellenform dann noch schön rechteckig ist. Ich erwäge durchaus einen Mosfet Treiber (z.B. IR2101S) einzusetzen.
meisten alten ICs sind "voltage-mode" controlled. Solche bekommste auch bei Reichelt und dann noch nen MOSFET Treiber von IRF (war irgendwas mit IR21xx ?) hintendran weil Du sicher mehr als einen MOSFET brauchst umd die Leistung schalten zu können. Weil oben jemand meinte 95% Wirkungsgrad sind mit einem
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Led Dimmer - MaWins Plan
OpAmp liefert typ nut 3.8V wenn er mit 5V versorgt wird. Das reicht laut Datenblatt nicht für den MOSFET (natürlich typische Werte, kann im Einzelfall trotzdem gehen). ENTWEDER also einen OpAmp der näher an 5V kommt, wie der TS914, ODER ein MOSFET der mit weniger angesteuert werden kann, wie der IRF7401
0.22 Ohm reduzieren damit maximal 0.43 Watt an ihm abfallen, und dann R2 auf 15k festlegen und der MOSFET ist zu kühlen 3.5 Watt)
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Basiswiderstand für IRLZ34N
* 10E-06 Das würde bedeuten, wenn wir 20mA zulassen oder bewußt auf 20mA begrenzen, dass der Mosfet nicht "ausgebremst" wird. Man könnte also den Mosfet mit bis zu 208kHz schalten bei max. 20mA.
Veit D. schrieb im Beitrag #4840222: > Mit Mosfet macht an oft Pi mal Daumen in der reinen Bastelei. Bei reinen Basteleien mach ich nicht nur bei Mosfets oft Pi mal Daumen, da mach ich das auch bei BiPos und ich denke viele andere Bastler machen
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Eine UART abwechseln mit IC und PC verwenden?
. Im Prinzip ist das wie ein AND Gatter mit Dioden und Pullup am Ausgang (die Body-Dioden der MOSFET beachten). Durch die MOSFET selber wird der Spannungsabfall an einer leitenden Diode jedoch auf wenige mV verringert.
MOSFET. Eine Diode in der MCU TX-Leitung in Sperrichtung sollte noch rein.
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hc-160a s2 Datenblatt?
Schaltung, über die man nicht viel wissen muss. Alle "Intelligenz" muss in der Software stecken. Die Mosfets müssen nur geeignet ein- und ausgeschaltet werden.
Hierbei wird die Platine nicht beschädigt. Aber man kann gut sehen wie wenig der zur Kühlung der MOSFETS beiträgt.
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Segway Platine während dem Fahren durchgebrannt
Was ist U13 für ein Bauteil? MOSFET-Treiber ? Der ganz beschissen alle Widerstände abgefackelt hat? Der dumme Elektroniker scheint mit MOSFET-Gatekapazitäten und Frequenzen nicht auszukennen.
keine Lust mehr ....). Wenn Ampere für den Motor hochgeskillt war dann müssten aber die großen MOSFETs durchbrennen und nicht die Widerstände an den MOSFET-Treiber die hohe Gateströme nicht aushalten konnten.
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Labornetzteil Simulation schwingt
100 µF sind für ein Labornetzteil durchaus noch im Rahmen. Die Schaltung mit dem MOSFET als Ausgangsstufe kommt mit weniger aus, hat aber auch einige Probleme: 1) MOSFETs haben oft eine Begrenzte SOA, d.h. man darf bei höherer Spannung (z.B. 30 V) nur relativ wenig Strom nutzen. Parallelschalten
#3626216: > 100 µF sind für ein Labornetzteil durchaus noch im Rahmen. > > Die Schaltung mit dem MOSFET als Ausgangsstufe kommt mit weniger aus, > hat aber auch einige Probleme: > 1) MOSFETs haben oft eine Begrenzte SOA, d.h. man darf bei höherer > Spannung (z.B. 30 V) nur relativ wenig Strom nutzen
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Lima Laderegler Motorrad
Genau :-) Das einzige, was du sinnvoll tun kannst: Ersetz die Thyristoren durch Mosfets und feile an der Ansteuerung. Thyristoren haben eine rel. hohe Durchlassspannung von ca. 1,5V (das ist der Grund, warum der Regler ziemlich warm wird), mit Mosfets kann man "besser" kurzschliessen
Denkfehler habe: - B6U Gleichrichter - Spannungsbegrenzerschaltung z.b. 50V mit Mosfets / Thyristor an jeder Phase - Glättungskondensator - ggf. zusätzliche Schutzschaltung ( TVS-Diode, gleiche Schaltung wie an jeder Phase mit MOSFET) gegen Überspannung z.b. >55V - Buck Wandler DC
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Suche Mosfet: 3.3V auf 5V
Hallo, ich suche einen passenden npn-Mosfet Transistor mit dem ich von 3.3V auf 5V schalten kann bei 110mA.... Hab mir grad das Datenblatt vom IRF7403 angeschaut - seh ich das richtig, dass dieser Mosfet mindestens 4.5V Vgs benötigt und
Kanal FET besser. PS: Mosfets haben keinen npn Aufbau. > Hab mir grad das Datenblatt vom IRF7403 angeschaut - seh ich das > richtig, dass dieser Mosfet mindestens 4.5V Vgs benötigt Nein. Bei 4V lässt er schon 20A durch
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Class AB - diskret - Mosfet Output Stage - Fragen
Michael B. schrieb im Beitrag #4650929: > Man kann natürlich versuchen, die 6 MOSFETs aus einer Mischung von 100 > zu selektieren... > > Für 100W mit 7.5A verwenden die dort übrigens 5 MOSFETs parallel mit > 0.22 Ohm als Stromverteilungswiderstand, macht 1.5A pro Stück bis 50V
Stromverteilungswiderstände. http://www.diyaudio.com/forums/attachments/solid-state/162833d1268766419-mosfet-amplifier-irfp240-irfp9240-apex-mosfet-schematics.jpg Hier der Thread: http://www.diyaudio.com/forums/solid-state/162043-mosfet-amplifier-irfp240-irfp9240-14.html mfg klaus
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Wie funktioniert dieser Led Treiber? Convoy Taschenlampe
Beitrag #6912219: > Diese 2 großen Quadrate müssten Speicher sein für den Modusspeicher. Das sind MOSFETs.
https://www.youtube.com/watch?v=psm6z11gQHM 1:54 & 8:04 Linear Regulator Operation Using a MOSFET
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ESC selber entwickeln.
auch die großen Kapazitäten im Gate umladen können. Man kann dann auch High Side und Low Side Mosfet als N-Kanal Typ wählen. Das ermöglichen diese Treiber. Der Vorteil ist, dass N-Typen einen kleineren RDS-on als P-Mosfets haben.
Flippi schrieb im Beitrag #5582170: > Man kann dann auch High Side und Low Side Mosfet als N-Kanal Typ wählen. Bei den angestrebten 150A des TO wird es zwingend nötig sein N-Kanal Mosfets zu verwenden.
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Freilaufdiode nötig?
sollte man dennoch eine Freilaufdiode einbauen, sonst kann es dem (im Anfangsposting nicht erwähnten) MOSFET an den Kragen gehen.
H. H. schrieb im Beitrag #6796610: > sonst kann es dem (im Anfangsposting nicht > erwähnten) MOSFET an den Kragen gehen +1 so ises !
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MOSFET(?) Benötigt (komme mit Tabelle nicht zurecht/bin neu)
Aber ein Schaltbild, das könnte Wunder bewirken. Es gibt, in diesem Rahmen, z.B. zwei Sorten von MOSFETs. P-MOSFET oder N-MOSFET.
Roman M. schrieb im Beitrag #4224444: > Habe gelesen, das es spezielle MOSFET gibt, die schon mit 4,5V schalten, Ja, gibt es, nennt sich LogicLevel MOSFET. > Also muss das MOSFET (oder was Ihr > mir hier empfiehlt) sagen wir mal 20A, am besten 30A aushalten. "Am
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Bipolar Transisor maximale Basis-Spannung in Durchlassrichtung ?
unpräzise. > Transistoren sind beide, BJT wie auch FET. Nein! Transistor ist Transistor. FET/Mosfet ist FET/Mosfet. Den Mischmasch gibt es erst seit ein paar Jahren. Auch der Begriff BJT gab es nicht, ist erst neuerdings aus dem Englischen eingewandert. > JFETs sind sogar FETs mit PN-Übergang
michael_ schrieb im Beitrag #5586623: > Transistor ist Transistor. FET/Mosfet ist FET/Mosfet. Und wofür genau steht das "T" in "FET"?
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100A Netzteil an Batterie auf Schiff
unbedingt verhindern, das der Anlasser bei Landspeisung betätigt werden kann. Dann nämlich werden die MOSFets auf Rotbäckchen gehen (und dein Netzteil auch).
. schrieb im Beitrag #6682795: > Wenn ich es richtig verstehe dann kann ich ein 150A > (~200V) MOSFET dafür nehmen und die Batterien und das Netzteil spielen > brav nebeneinander. Ein einzelner 150A MOSFET wird bei weitem nicht reichen, an dem würde ja auch wieder ordentlich Spannung abfallen.
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Suche kleines Modul/Breakout: DCDC von Arduino steuerbar
dann nur mit 8Bit PWM-Auflösung statt 12, das macht aber gar nichts. Dennoch, fehlt immer noch Mosfet, Drossel und Elko. Dein Hinweis auf Drehzahlüberwachung ist gut, mache ich vielleicht wirklich. Ok, dann mit P-Kanal Mosfet in der Pluszuleitung zum Lüfter. Ganz linear möchte ich nicht. Klar
Jobst M. schrieb im Beitrag #7973058: > ausreichend schnelles MOSFET-Schaltmodul. Das muss man aber aufpassen, die sind üblicherweise Masseschaltend...
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Motortreiber mit BUZ11 funktioniert nicht
verbinden Und das Multimeter 1 durch einen 220 Ohm Widerstand ersetzen. Und den ungeeigneten MOSFET durch einen Logikpegel-MOSFET ersetzen. Und wenn geplant ist eine induktive Last zu schalten eine Freilaufdiode einbauen.
mit dem nullleiter verbinden???? > > Nein. > > Relais: 4 Anschlüsse, 2 rein, 2 raus > > MOSFET: 3 Anschlüsse, 2 rein, 2 raus klappt nur wenn einer doppelt > angeschlossen wird. Dafür liefert ein MOSFET keine galvanische Trennung > der Stromkreise. also ich will mit dem mosfet das relais
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BDX33C zur LED Steuerung wird heiß
eine Verlustleistung von <80mW. WOW, das ist jetzt WIRKLICH absolut nötig, mit solchen Monster-MOSFETs eine pissige LED-Kette mit 1,6A zu schalten.
Falk B. schrieb im Beitrag #5765099: > Es ist ein 62A MOSFET mit 12mOhm!!! Overkill^3. Ist das jetzt verboten, oder was?
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Entladeschutzschaltung
Nochwas: Ist die Last induktiv? Wenn ja, wie beschützt die den MOSFET vor Überspannung beim Abschalten?
Dennis .. schrieb im Beitrag #4442531: > Vor den Spannungsspitzen schützt die im MOSFET verbaute Leerlaufdiode. Im Mosfet ist keine "Leerlaufdiode", sondern nur eine parasitäre (und i.A. schlechte) Body-Diode, die aber nur schlecht spezifiziert ist. > die im MOSFET verbaute Leerlaufdiode
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LEDs über Mosfet schalten
einen AVR; ich habe mal in der Mosfet-Übersicht geschaut und den IRLZ34N gefunden. Da er ein Logic-Level-Mosfet ist, dürfte ich ihn direkt an einen Pin des AVRs anschließen können, oder? Kann ich die Schaltung (s. Anhang) so funktionstüchtig aufbauen? Ist es für diesen Zweck überhaupt der richtige Mosfet? VG Missura
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Anfänger: NiMH Akku Lader mit OPVs und Atmega
> Kann man also sagen das es bei einem Mosfet keinen Basiswiderstand > braucht aber beim Bipolartransistor schon da es dann der Stabilität > dient? Beim MOSFET fliesst kein Strom zum Gate, weil das ja isoliert, also fällt am Gate-Widerstand
> npn-Darlington einfach gegen einen p-mosfet austauschen Man sollte NPN wohl gegen N-MOSFET tauschen und nicht gegen P-MOSFET, es war ja kein PNP.
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Leistung von MOSFET im SO8 Gehaeuse
von LOW nach HIGH und umgekehrt vorliegen, sollte es mit einem Treiber und einem solchen dualen MOSFET im SO8 Gehäuse eigentlich klappen. Ich habe mir jetzt mal den MOSFET-Treiber MCP14E11 herausgesucht und werde mal mit diesem und dem SI9945 mein Glück versuchen. Mehr als wie in Rauch aufgehen
zur Stromregelung. Wenn du nicht parallel zu den MOSFETs noch Schottky-Dioden als Freilaufdioden hast, fliesst der Freilauf-Strom über die innere Diode des MOSFETs, und erzeugt dort 0.7V Spannungsabfall und bei dem Strom ERHEBLICHE Verlustleistung, je nach
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Schweißstromregelung mittels MOSFET- geht das so?
bis 2kHz. Dann werden die Mosfets ja nicht so stark belastet oder?
In der Schaltung oben sind die einzigen stombegrenzenden Dinger der Lichtbogen am Brenner und der MOSFET. Und der Schweisslichtbogen kann mehr Strom ab als der MOSFET.
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LED flackert wegen PWM
Led-Newbie schrieb im Beitrag #5106143: > Schalterteil ist ein MOSFET und zwar dieses Modul: > Ebay-Artikel Nr. 272462313139 Schrott. Ein IRF520 lässt sich nicht mit 5V oder 3.3V ansteuern, der braucht 10V am Gate. Wenn dort nicht ein anderer MOSFET montiert
der wird aber wohl von der komischen Firmware, die am ESP drauf ist, nicht unterstützt. bzgl mosfet: hast du einen tipp für mich, für günstige TO-220 MOSFETs mit niedrigem RDS(on), die unter 3.3V durchschalten?
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Frage zu Spannungsanzeige
Die Stromversorgung deiner Anzeige hängst du ebenfalls auf die Verbraucherseite (also hinter den "Mosfet P-Kanal"). Fertig.
habe die Schaltung anders mit einem LM358 und einem TL431 aufgebaut. Funktioniert gut. Nur den Mosfet habe ich noch nicht drin.
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Mehrere LEDs kostengünstig betreiben
eine bessere Möglichkeit? *Einen Step-Up Regler würde ich ungern benutzen *Quelle günstiger Mosfets? *Maximale Frequenz zum sauberen Schalten eines üblichen Mosfets mit Treiber?
www.reichelt.de/Netzteile-Festspannung/2/index.html?&ACTION=2&LA=2&GROUPID=4950 Ok mit MCU-PWM---> MosFet ---> 3Stränge parallel à 6Leds MosFet ---> 3Stränge parallel à 6Leds MosFet ---> 3Stränge parallel à 6Leds MosFet ---> 3Stränge parallel
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LED-Matrix 5x24 mit MOSFETs
mehr als 10mA Pulsstrom (für 20% der Zeit) , 24 Stück also 240mA. Während für die 5 Reihen also MOSFETs in Ordnung sind, reichen für die 24 Soalten 3 74HC595. Sor dir die 12 IRF7401 (Dual)MOSFETs.
MOSFETS aus? Würdest du den 74HCT04 auch nehmen, wie er im Artikel steht: http://www.mikrocontroller.net/articles/LED-Matrix#MOSFETs