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Seltsamer Effekt/Bauteil
Wie wäre es mit einem TI DRV5023 oder Infineon TLV4964, plus kleiner MOSFET?
damit ziemlich simpel machbar, braucht nichtmal nen Spannungsregler. Dafür auch schön robust je nach MOSFET...
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Hilfe bei der Beschaffung
Hallo, ich benötige einen MOSFET 4C022, aber außer bei Aliexpress finde ich die nirgends zum kaufen, kann mir jemand vielleicht eine alternative nennen, wo ich die her bekomme? :)
Nor M. schrieb im Beitrag #7681241: > Hallo, ich benötige einen MOSFET 4C022, aber außer bei Aliexpress finde > ich die nirgends zum kaufen, kann mir jemand vielleicht eine alternative > nennen, wo ich die her bekomme? :) Aber: Nor M. schrieb im Beitrag #7681263
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24V Digitalausgang für Jetson Nano
mit 1,2v direkt am Optokoppler Der Jetson Nano liefert nur 1,2V high, das ist ja krass. Der MOSFET leitet da auch noch nicht richtig. Die muß man wohl erst mit einem npn (BC850) verstärken.
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Schaltplan mit Optokoppler und MOSFET
V5.0 R6 2.2k0 U2 1 2 3 4 1.25V at 1mA TLP293(GRH-TPL,E) COIL2 D2 20V 2A peak CDBU0520 NO2 D4 SMA6J48CA-TR COM2 V5.0 R2 IN2 6 2 Q1A DMN61D9UDW-7 60V 0.3AVgs>1V R4 10k0 Gate: ESD prot. 2kV
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Schaltplan mit Optokoppler und MOSFET
V5.0 R6 2.2k0 U2 1 2 3 4 1.25V at 1mA TLP293(GRH-TPL,E) COIL2 20V 2A peak D2 NO2 D4 SMA6J48CA-TR COM2 V5.0 R2 IN2 6 2 Q1A DMN61D9UDW-7 60V 0.3AVgs>1V R4 10k0 Gate: ESD prot. 2kV
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Spannungsbegrenzung mit MOSFET und OpAmp
nutzen, und von max 16 auf max 30V umstricken, mit Problem dass der TS912 keine 30V aushält, der MOSFET keine 30V Gate-Spannung, der MOSFET die falsche N/P Polarität hat, und der üblen 3V Z-Diode. Sondern wurde die Schaltung mit einem TL431 und deinem IRF4905 aufbauen. Aber Achtung, das langsame Umladen
Masse-Problem. Wenn Du dahinter Verbraucher hast, die eine Verbindung zur Masse haben, dann verursacht der Mosfet eine Spannungsdifferenz oder wird dadurch überbrückt und die Begrenzung unwirksam.
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Schaltplan einer Schaltung mit Operationsverstärker und MOSFET
IN+ IN- OUT+ OUT- IC1A IC1B TS912 R1 10k R2 1k R3 1k R4 R5 400R C1 100p C2 D1 3V Z-Diode LED1 R6 1M IRFU8721 T1
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MiniPA100 Schema
schrieb im Beitrag #7680805: > Wozu dienen diese? Das R sorgt für die Impedanzanpassung der MOSFET-Ansteuerung, das C dient der Gleichspannungsentkopplung der Vorspannung zur Arbeitspunkteinstellung.
schrieb im Beitrag #7680895: > gibt es nähere Info zu diesem China-Kracher? Ja, vermutlich ist der Mosfet auf BeO Substrat und daher direkt sondermüll vor dem ersten gebrauch :P Kracher wäre ganz schlecht, dann kannst die ganze Umgebung sanieren lassen. Dann lieber noch ein richtiger Böller mit Knallquecksilber
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Schaltplan eines 1,8--55MHz Class-AB Linearverstärkers
C3 100UF GND Vin Q1 SS50 12V-16V C2 100UF R1 50R R2 10K BIAS VR1 C4 100N R6 200-270R PIT C7 10N MOSFET N RF-IN TQ1 RELAY-DPDT C6 27R R3 10K C3 100N C1 100N TQ2 MOSFET N C5 100N R5 200-270R RF-OUT 1.8--55MHZ classAB linear amplifier
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Wo Microelektronikbauteile kaufen?
ordentlich teuer (z.b. mouser + 20Euro versandkosten). Aktuell bin ich z.B. auf der suche nach einem MOSFET logic level bundle um mit ESP32 einfach mal ein bisschen zu basteln. Wenn ich mir die alle einzeln kaufe bin ich arm. Wie macht ihr das? und wo kauft ihr?
level bundle. Ich kaufe, was ich benötige, und nicht auf Vorrat. Schon gar nicht logic level MOSFETs die zumindest 4.5V sehen wollen um durchzuschalten an uC die nur 3.3V liefern, die sind komplett nutzlos Man braucht schon MOSFETs mit spezifiziertem RDSon bei 2.5, 2.7 oder 2.8V dafur, und die
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Mini PC läuft nur kurz an und startet nicht, ist es ein Widerstand?
Widerstand sein, richtig? Kann er alleine für das Problem verantwortlich sein oder kann es auch an den Mosfets liegen? Weiß jemand, wo ich Ersatz bekomme?
probieren. Hallo, ich muss zu jeder deiner Fragen nein sagen. Ich habe jetzt noch die beiden Mosfets (am und im Kreis zum Teil gemessen) gemessen und einer ist niederohmig.
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Atmega328-Platine, wo hab ich den Fehler?
überlege dir welche Gate-Source-Spannung sich durch den Widerstandsteiler R18/R43 einstellt und was der MOSFET dabei macht. Und bei der Gelegenheit kannst du auch noch die Gate-Source-Spannung bei durchgeschaltetem Q8 mit VGSmax aus dem Datenblatt vergleichen. Ebenso hängst du die OUT5 mal zusammen und betrachtest
Abgesehen von Abblockkondensatoren und Mosfet-Ansteuerung empfehle ich noch Schutzdioden an den Eingängen sowie an den Transistorausgängen.
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Endstufe Störung Fehlersuche
anderen nicht SMD Widerstände sind normal. Noch nicht so ganz schlau bin ich geworden, wie ich die Mosfets im eingebauten Zustand prüfen kann. Habe mir hierzu einige Videos angesehen, aber ich verstehe es noch nicht so ganz. Es gibt ja NPN und PNP Mosfets. Da sind hier noch zwei von den kleinen Mosfets
wenn sich die 12V aus der Autobatterie daran austoben. > Da sind hier noch zwei von den kleinen Mosfets die mit zwei Dioden > Symbolen markiert sind auf der Platine. Das sind keine MOSFETs, sondern zwei Dioden in einem TO-220 Gehäuse. Nur die jeweils drei unteren TO-220 Bauteile sind FETs.
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Einfacher Pedelec-Kontroller
Takt der Sektoren zu Boost Konvertern umgeschaltet. Das ist nicht trivial und kostet viele, viele MOSFet, ehe das sicher läuft. Funktionieren tut es, weil die Spulen des Motors die Speicherdrosseln darstellen und die Highside MOSFets durch die Bodydioden in die Quelle zurückspeisen. Man kann sich vorstellen, das das Zusammenspiel der MOSFets kompliziert ist. Wie gesagt, nicht trivial, denn man möchte sowohl eine Bremswirkung als auch eine Strombegrenzung, damit man die Akkus nicht fragged. Möchte man Rekuperation, kauft man sich einen
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PWM GND invertieren
Diverse Transistoren, NFet (IRFL) und etliches an Bauteilen hätte ich da... "Diverse" N-Kanal MOSFETs können funktionieren oder auch nicht. Es müssen Typen sein, die mit den bei dir verfügbaren 3.3V ansteuerbar sind.
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Erklärung P-Kanal MOSFET-Schalter mit Schaltplan
P-Kanal MOSFET-Schalter Bisher haben wir den N-Kanal-MOSFET als Schalter betrachtet, bei dem der MOSFET zwischen Last und Erde platziert ist. Damit es auch möglich, den Gate-Antrieb oder das Schaltsignal des MOSFETs
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Sensorkontakt /-schalter für Tablet-Stift
Spannungsabfall beim Durchschalten - da darf hier kaum etwas verlorengehen. Eine Alternative könnte ein MOSFET in SOT23 sein, wenn der bei etwa 1V am Gate sicher schaltet und nur wenige R Rdson hat. Kennt ihr einen passenden Typen?
sicheres Erkennen auch der gemäßigten Neigung beim Schreiben genügen. In Verbindung mit einem folgenden MOSFET mit vorgeschaltetem C und einem Längs-R, um den Schaltkontakt nicht zu überlasten, sollte das funktionieren - bei einem SOT23-MOSFET, der sicher bei ca. 1V niederohmig schaltet. Besser wäre immer
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Schaltplan eines P-Kanal-MOSFETs mit Last
+ 0V - S R = unendlich G D + 20V - P-Kanal-MOSFET sperrt
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Welche Bauteile sind das ?
G1: MMBT5551 von Onsemi. Der andere wohl ein p-MOSFET. IRLML6402?
TF1 könnte ein Vishay Si2337DS P-Kanal MOSFET sein.
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Sind ESP32/ESP8266 Module out of the box als WLAN Gateway verwendbar?
sein, entweder nach speziellen Boards Ausschau zu halten, die gleich Levlshifter odr LogicLevel MOSFETs drauf haben, denn gefühlt schlägt hier alle 2 Wochen jemand auf, der seinen LED Stripe garnicht, oder nur instabil zum Laufen bringt, wenn die "out of the Box" Controllerplatinen verwendet werden.
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mcp23017 pull up / Vorwiderstand erforderlich?
Oder: den I²C-Bus auch abschalten. Am Einfachsten: die I²C-"Pegelwandler-Schaltung" mit zwei Mosfets verwenden.
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Massetrennung beim Layouten?
Versorgungsspannung noch ein brauchbares Messsignals bei herauskommen. Die Frage, ob ein Transistor/MOSFET in Kollektorschaltung/Sourceschaltung zum Schalten von Versorgungsspannungen geeignet ist, wurde hier schon in unzähligen Thread in beliebiger Ausführlichkeit diskutiert. <spoiler>Die Antwort lautet
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Schaltplan einer Spannungsregelung mit MOSFET und Zener-Dioden
+VIN T1 IRFP240 +VOUT R1 560R R3 2k2 D1 BZX84-12 D2 BZX84-12 C1 10u C4 100n D3 BZX84-15 D6 BZX84-15
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Bauteilbestimmung: MMIC Amplifier mit Marking 03 und 06
Schaltung ist aus einem Coherent C55 CO2 Laser. Es scheint die Vorverstärkung für einen HF Power Mosfet SD57030-01 zu sein. Den Power Mosfet hats zerissen, daher meine Frage wie ich die MMICs prüfen kann? Fehler-Auslöser war ursprünglich ein Spannungsregler, der sich verabschiedet hatte. Angefeuert werden
viel Luft, die Coherent beim Design offen gelassen hat. Jetzt heißt es warten auf den Power Mosfet. Ich halte Euch am laufenden. Was mich noch wundert, das Signal für die Power Mosfets sollte doch ein Rechtecksignal sein, es ist aber bei beiden Lasern gleich, immer ein Sinussignal mit 100Mhz
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Positive Halbwellen
Regeltrafo. Ist es möglich diese Halbwellen Spitzenspannung bis ca 300 Volt mit Halbleiter z.B. Mosfet zu regeln ohne das sich die Form der Halbwelle verändert.
#7676873: > Ist es möglich diese Halbwellen Spitzenspannung bis ca 300 Volt mit > Halbleiter z.B. Mosfet zu regeln ohne das sich die Form der Halbwelle > verändert. Heutzutage geht der Trend dahin, sich den Sinus selber zu bauen, d.h. mit einem genügend schnellen PWM-Signal. Warum brauchst du für
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Brückengleichrichter mit Elko - Spannungsbegrenzung
es eine Lösung um den Wert um ca. 10V zu vermindern? Ich habe da bei Schaltungen mit Z-Diode und Mosfet nichts passendes gefunden. Eine Lösung mit Längstransistor gibt es sicher, aber der Aufwand um die Abwärme loszuwerden ist doch hoch. Anbei mal mein 1. Versuch mit Dioden in Serie und einem Lastwiderstand
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Mosfet Überschwinger trotz Snubber
Ben schrieb im Beitrag #7676797: > das Layout Über wie viele Kilometer ist Masse des MOSFET Treibers mit Source vom MOSFET verbunden, oder gar nicht ?
> Ben schrieb im Beitrag #7676797: >> das Layout > > Über wie viele Kilometer ist Masse des MOSFET Treibers mit Source vom > MOSFET verbunden, oder gar nicht ? hier das Layout rund um den Gate-Treiber sorry die Textfelder haben vorher gefehlt! GND-Layer hellgrün. Verbindung über Vias
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Schaltplan einer Leistungsschaltung mit MOSFET und Snubber
12V Schaltregler, VCC +24 VDC, D50 D2M10-M3/H_NE, J3 7796, R1 30HM, D21 SR12100-D10, 500mm, 1,5mm2, J1, 7796, R60W61005000K, C5, GND, J2 7796, D17 SMCJ60A, RC snubber, Q2 FDP150N10A-F102, R8 200V, TS4148_NE, D11, IC3 UCC27517DBVR, R4 16Ω, OUT, IN+, GND, VDD, IN-, CMD_1, C7 1uF, C9 100nF, C4 100uF
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SSR schaltet nicht bei Betrieb mit Widerstand
bei benannten Strömen jeweils ist. Daraus könnte man schließen, ob's sich nun um einen BJT oder MOSFET handelt. Ich traue dieser Möhre ja nicht. Dieses Video hat mich traumatisiert! :-(
Voltage-OK-Signal von den Akkus (Optokoppler) geht auf inaktiv und spätestens ein paar hundert ns später ist der MOSFET abgeschaltet - voila!
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12V LEDs langsam hochfahren
brauche also: Dimmbare 12V LEDs, dimmbaren PWM LED-Treiber, den Arduino samt Programmierung und MOSFET Endstufen. Ist das richtig? Und was ich weiter brauche, ist vor allem eine Ahnung, wie ich das alles zueinander bringe. Grüße Rainer
Rainer schrieb im Beitrag #7675934: > den Arduino samt Programmierung und MOSFET Endstufen. Von MOSFET Endstufen habe ich nichts geschrieben. Die LEDs werden vom dimmbaren PWM LED Treiber versorgt. Da brauchst du keine extra MOSFET. > Und was ich weiter brauche, ist vor allem
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Eine Frage zu DC/DC StepDown
Schaltwandler ohne Schottky Freilauf Diode. LT hat da sehr performante Käfer mit synchron-Steuerung für MOSFETS. Sind natürlich relativ teuer. Aber dafür bekommt man eben die gewünschte Performanz. Ich baute mit so einem vor Jahren in der Firma einen 5V 10A SD, der vollkommen kalt lief mit Eingangsspannungen
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Frage zu Induktivitäten
des MOSFET-Gates mit incl. Schwingungen. Und genau das sieht man.
Gate besser? Wenn dein Funktionsgenerator 50 Ohm Ausgangswiderstand hat, sollte das OK sein. Der MOSFET muss ja nicht in 10ns schalten, selbst 200ns sind hier schnell genug.
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Alternative Abwärtswandler LM2596
da sie z.B. keinen On/Off-Steuereingang besitzen, du also noch mindestens eine Schalteinrichtung (MOSFET mit Beschaltung) dazu zaubern müsstest. Womit und wie wird deine "kurze Zeit" gesteuert? Die angegebenen 3A der LM2596-Module sind allerdings eher als Werbespruch zu verstehen. Um diesen Strom nutzen
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Kurzschlusserkennung Mosfet
lieber ein neues Thema auf. Ich habe ja bei meinem Scooterprojekt das Problem, dass sich der Mosfet immer in Rauch auflöst und somit eine Art Kurzschluss erzeugt. Da ich jetzt mehrmals einen Ausfall des FETs gehabt habe und ich nach so einem FAll keine Möglichkeit habe, den Motor von der Versorgung
Leistungsmosfet regelmäßig (20kHz) kurz abgeschaltet, was dazu führen sollte, dass die Drainspannung dieses Mosfets kurz auf 36V (+ Diodenspannungsfall) hochspringt und genau das erkennst du dann. Wenn diese kurzen 36V-Pusle nicht mehr da sind, ist der Mosfet durchgebrannt. Gegen einen Kurzschluss im Motor
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Schaltplan einer CMOS-Schaltung mit MOSFETs
hvp, C7, c=[Cmos], r=100k, Q1, NMOS, D5, C5, r=100k, D4, Q3, NMOS, C6, r=100k, POS_DRAIN, Q5, NMOS, D2, D, GND, D1, Q2, PMOS, NEG_DRAIN, D3, C2, r=100k, Q4, PMOS, C3, r=100k, D6, C4, c=[Cmos], r=100k, Q6, PMOS, hvn
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Anfänger-Entwicklung einer Gärbox Steuerung
klemmts schon gewaltig.. Zum Schalten des Heizdrahtes (12V; ca. 1,5A) nehme ich doch besser einen MOSFET, den IRLZ44N, TO220 Gehäuse, anstelle eines Relais. Außer mir scheinen nun alle anderen zu wissen, wie die drei Beinchen dem Gate, Source und Drain zuzuordnen zu sind. Das Gate ist wohl der mittlere
ersten nennenswerten Versuchsaufbau. Er enthält bis auf ein etwas kleineres OLED-Display und den MOSFET bereits alles, denke ich. Jetzt geht's wie gesagt weiter am weitgehend unabhängigen SW-Modul OledPrint(), das für die Bedienung der Steuerung entscheidend ist.
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Verständnisfrage Verstärker
die Ansteuerung der Gates genau? Die Mosfets haben jeweils eine "fixe" Gatespannung (über die Spannungsteiler R7..R32), die Ansteuerung der Mosfets erfolgt dann jeweils über ihre Source: der Q1 zieht die Source des Q8 Mosfets nach Masse, die
im Beitrag #7674320: > Wie funktioniert die Ansteuerung der Gates genau? Q1 und Q2 sind keine MOSFETs, haben kein Gate. Die Gates hängen an einem Spannungsteiler und jeder MOSFET ist ein Sourcefolger, verstärkt also bloss den durch den Spannungsteiler möglichen Strom, scheinbar aber auch nur auf
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Backofen Siemens IQ500 defekt
, wenn ich den Text richtig verstehe: TOPSwitch-JX cost effectively incorporates a 725 V power MOSFET, high-voltage switched current source, multi-mode PWM control, oscillator, thermal shutdown circuit, fault protection and other control circuitry onto a monolithic device. Gefunden hier: https
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Astabiler Multivibrator mit TLC555 (LMC555)
#7679433: > Hallo, ich habe ja einen Schaltplan gezeichnet. Wie wäre nach dem > Ausgang 3 der p-Mosfet einzubauen. Wolf17 schrieb im Beitrag #7679276: > 1) wozu der überflüssige PNP? Nun p-Mosfet, wozu diese Hi-Side-Umstandskramerrei?
der Zelle aufgrund der wieder > einsetzenden Passivierung wieder steigen. > > Ein P-Channel Mosfet anstatt des PNP BJT würde die ganze Rechnerei > überflüssig machen. Besser durchschalten würde der auch noch. > > Ein 8-Pin uC mit einem N-Channel Mosfet als Schalter würde dein Problem > mit
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Schaltplan mit P-Kanal MOSFET und BC547 Transistor
MC Port, 1k, BC547, GND, R1, 2k2, G, S, P-Kanal, D, + IN, + OUT
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12V Verbraucher mit 3,3V Steuerspannung schalten
Plusleitung sinnvoll. Das zeigt die mitgelieferte Schaltung oben. Das einzig besondere ist der P-Kanal MOSFet. Wenn du einen ihm Basisvorwiderstand spendierst, kannst du stattdessen auch einen gemeinen PNP Transistor einsetzen.
Matthias S. schrieb im Beitrag #7673928: > Das einzig besondere ist der P-Kanal MOSFet. ... und die niederohmige Ansteuerung des MOSFETs. Wenn der MOSFET ein paar µs zum Umschalten braucht, wird ihn das bei der Belastung mit den paar mA nicht gleich umbringen. Der braucht keine 5mA
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Spannungsregler für AVR-µC im Auto (ATmega328P)
weniger als 5 mA. Bei laufender Zündung (also nicht zu Lasten der Batterie) soll der µC über MOSFETs seine Peripherie (OLED, NeoPixel, GPS-Modul, SD-Modul) zuschalten, welche unter 500 mA benötigt. Am einfachsten sollten diese Module vom Spannungsregler des µC versorgt werden - falls sinnvoller,
. Auch bei ausgeschalteter Zündung (also zu Lasten der Batterie) soll der µC alle 24 h über MOSFET geschaltet einen anderen Spannungsregler mit Strom versorgen, der einem SIM-Modul 5 V mit bis zu 2 A liefern kann. Hierbei hätte ich an einen LM 1085 IT5,0 gedacht (https://www.reichelt.de/ldo-spannungsregler-fest
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Unipolarer Schrittmotor
Es soll einfach nur lustig aussehen Dann nimm einen DC-Motor, mach mit deinem µC PWM und einen Mosfet. Deutlich einfacher als mit einem Schrittmotor.
soll einfach nur lustig aussehen > > Dann nimm einen DC-Motor, mach mit deinem µC PWM und einen Mosfet. > Deutlich einfacher als mit einem Schrittmotor. ich will das aber auch mit dem Schrittmotor verstehen wollen.
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Mosfet Identifikation
Hallo, Kann mir jemand helfen und sagen welcher Mosfet Typ das ist bzw.welcher kommt als Ersatz in Frage. Gruß Stefan
Ein 60V-MOSFET von Philips, ohne Ersatztyp 2000 mit PCN43 abgekündigt (S.18). Weitere Daten habe ich nicht gefunden, wird aber noch als "Aviation Part" angeboten. Arno
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[Kaufempfehlung gesucht] Umrüstung Taschenlampe auf Li-ionen
er einen Stepup-Regler. Und der braucht sowieso einen /undervoltage lockout/, sonst stirbt sein MOSFET bei zu geringer Eingangsspannung den Heldentod, weil er nicht mehr voll aufgesteuert werden kann. Folglich hat das jeder derartige IC integriert.
er einen Stepup-Regler. Und der > braucht sowieso einen undervoltage lockout, sonst stirbt sein MOSFET > bei zu geringer Eingangsspannung den Heldentod, weil er nicht mehr voll > aufgesteuert werden kann. Das kannst Du gerne behaupten, beweisbar und pauschal für alle Lampen zutreffend ist das ganz
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LDO power an Vout
halte diese Spezifikation für Bockmist. Sowohl das Ersatzschaltbild als auch die Verwendung eines p-MOSFET als Regelelement legen nahe, daß im IC eine Diodenstrecke zwischen Ausgang und Eingang existiert. Die im Fall der Bodydiode ungefähr die gleiche Stromtragfähigkeit hat wie der MOSFET selber. Die
haben können. Mit 5 V oder 3,3 V ist das kein Thema, ein 7805 braucht keine Diode. * bei LDOs mit MOSFET darf kein nennenswerter Strom durch die Backgate-Diode fließen. Jeder MOSFET wirkt rückwärts als Diode, so auch der interne. D.h. am Eingang sollte nichts angeschlossen sein, was dauerhaft Strom zieht
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Tabelle mit Berechnungen für MOSFET-Verlustleistung und Gate-Treiber
Mosfet Verlustleistung IRF1405PBF P 1000 W U 36 V I 35.6 A Duty-Cycle 0.5 Gateansteuerung 12 V Gatewiderstand 10 Ohm PWM freq 20000 Hz RDS 0.0016 Ohm ton 5.00E-07 s toff 5.00E-07 s Tj Tamb 60 °C Pv 14 W Rthjc
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Schaltplan einer optokopplergesteuerten MOSFET-Schaltung
230VAC/FH1 J3-SCHRAUBANSCHLUSS Lampe L N ACHTUNG: Geschalteter N Phase liegt immer an U8 4N35M +12VDC_ISO 1 2 3 NC 6 5 4 4N35 sollte mit LS0 Vorwiderstand auch an 5V betrieben werden können Q4 IRF840PBF Q3 IRF840PBF R12 10k GND 0VAC 0VDC_ISO
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Phasenanschnitt - Mosfet geht kaputt
Lampe eingebaut, getestet und jetzt ist wieder das gleiche Mosfet kaputt. Ursprünglich hatte ich eine PhasenABschnittsteuerung geplant, daher 2x Mosfet und kein Triac. Mit der bestehenden Lampe (Osram Halogen Superstar 64698 200W) hat das allerdings nicht funktioniert
Offenbar ist dein MOSFET an Überspannung sowohl am Gate als auch an Source/Drain gestorben.
