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6 A mit 10 kHz schalten
Was ist mit P-Kanal-FETs, wenn Du schon in der Plusleitung schalten mußt? Da gibts doch inzwischen sehr gute Typen.
Ben ___ schrieb im Beitrag #2421073: > Was ist mit P-Kanal-FETs, wenn Du schon in der Plusleitung schalten > mußt? Da gibts doch inzwischen sehr gute Typen. Das Problem ist, dass ich auch bei anderen Typen das Schaltsignal (in diesem Falle also TTL) gegenüber
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Stromspitzen Synchroner Tiefsetzsteller
einstellbar. Werde es jetzt mal mit R_G beim Bottom-FET ausprobieren. Danke.
meinte die Frage eher in Richtung: "Bevor ich mit R_G rumspiele, könnte man ja auch einen langsamen FET nehmen mit wenig R_ds(on)" Also quasi Optimum zw. Schalt- und Durchlassverlusten. Der Hinweis mit dem Q_rr der Bodydiode hat mir gerade die Augen geöffnet und das ist auch des "Rätsels" Lösung. Man
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GaN reines Marketing
denn bitte "usd/rdson"? https://www.google.com/search?client=opera&q=figure+of+merit+GaN+Si+SiC+FET&sourceid=opera&ie=UTF-8&oe=UTF-8 Die FOM von GaN FETs ist super, also auch niedriger R_ON. Falk B. schrieb im Beitrag #7294442: > Die Dinger sind RATTENSCHNELL! Das > klingt erstmal toll, weil
schaltet. Aber: Schaltet man sie z.B. nur so schnell wie Si-Fets bzw. Si-SJ-Fets, entstehen um einiges _niedrigere_ Störpegel. Wegen ihrer viel niedrigeren parasitären Kapazitäten. (Nur damit der TO das nicht als Stütze für seine relativ verdreht erscheinenden
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Bauteil identifizieren
Und was sind FETs.
MosFETs geregelt, einer hat offenbar einen externen MosFET. Jetzt lötest du mal die neuen MosFETs rein und schaust ob das Ding wieder geht. Die Bilder oben im Thread sind offenbar von der Stelle des Powersupplys
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Umschaltung zwischen zwei Laserdioden
Was hält dich davon ab die Dioden mit einem FET zu schalten? 100mW sind ja keine riesigen Leistungen...
Schaltspiele Relais haben sicherlich Anwendungsfälle, aber um kleine Spannungen und Ströme zu schalten sind Fets billiger..
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Hilfe bei Schaltregler
Schaltung eine VErlustleistung von 25W bei 3.75mOhm haben müsste. Nun meine Frage: ich verwende als Schalter einen N-Kanal MOSFET. Wenn ich die Schaltung so dimensioniere, dass der FET nie mehr als den SPitzenstrom (ca 80A) durchlässt, könnte ich den Messeingang für Ipeak einfach auf Masse haengen oder?
Hi! Gatespannung begrenzen ist der grösste Mist den du machen konntest! Der Fet soll ja als Schalter arbeiten und nicht als Heizung. Das Umladen der Gatekap.muss sehr schnell gehen, und das braucht richtig Strom!(habe schon Umladeströme bis 1A@20A Inenn gefahren) 80A ist aber
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Speicherdrossel wird extrem heiß
Mosfet-Treiber > geschaltet der die 2 Mosfets ansteuert. Das ist total falsch. Du kannst den GND Fet nicht "dauerhaft" einschalten wie es jetzt passiert.
Programmierens sind die Ausgänge des uC doch sicherlich undefiniert, es kann also vorkommen, dass beide Fets für diesen Zeitraum gleichzeitig eingeschaltet sind. Kann das nicht die Fets im Prinzip zerstören? Wie löst man das in der Praxis? Oder sehe ich ein Problem, dass es gar nicht gibt? Gruß,
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N-MOSFEET ansteuern
Warum dimmst du nicht via PWM und nem andern MosFet/Transitor?
Wenn Du diesen FET verwenden willst dann schalt doch einfach einen Transistor oder einen optokoppler vor?
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Kondensator strombegrenzt und verlustarm entladen
das geht recht einfach mit einem Schalter (FET), zwei Dioden und einer Spule: 15V --FET----|<|---|---LLL---|---CCC-----GND D1 | |---|<|-----GND D2 Wenn der FET schließt, wird der C über L entladen
dieser bei z.B. 5.0A ab- und bei 4.5A ein-schaltet. -Mit dem vom Komparator gewonnen Signal beide FETs gleichzeitig schalten. -ne bootstrap fuer den linken N-MOS hinbauen. Das ist sehr aehnlich deiner bisherigen Loesung, nur dasz du den Kondi sicher auf Null entladen kannst, ohne die groesze der
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Dioden mit niedrigem Leckstrom
Hallo, Profis nehmen J-Fets z.B. 2N4117A Gruß Anja
Gate und Drain/Source hast du bei J-FETs also immer eine Diode.
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PWM nach Schaltnetzteil
direkt am FET über einen clever dimensionierten Schmitt abgreifst, bekommst du eine schöne Kaskade für die Lastverteilung.
zwischen: - lustigem Oberwellensender - Abflachen vor dem FET und ggf. Kühlkörper - dickes Ding nach dem FET :-) > Wenn du den Aufbau eh selber machst, kannst du statt SOT23 ein paar SO8 > oder TO252 FETs nehmen, und die Ansteuerung beeinflussen. Das ist
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Leistungstransistor / Hitzeentwicklung
Ohne Treiber haste nur 5V am Gate. Dh ein Nicht-Logic-Level-FET ist ein Widerstand und kein Schalten. Da muss ein Logic-Level-FET her.
Na. Jeder Schalter hat so Null Verlust. Sei das ein Relais, ein Optorelais, ein Optokoppler, ein FET, ein Transistor. Das hilft eher wenig.
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Was ist das für ein Bauteil?
Ok, danke Aber wieso wird in der Schaltung (sind nur logische Eingängen) das FET vorgeschaltet um die Pins auf GND zu schalten? Das geht doch auch direkt oder mit Transistoren, oder wo ist der Vorteil dafür ein FET zu benutzen? Kenne die nur wenn es darum geht Leistung zu schalten
aber nicht solange ein Zustand gehalten wird. > Kenne die nur wenn es darum geht Leistung zu schalten.. MOS-FETs gibt es auch als Kleinsignaltypen und ein Großteil der ICs, einschließlich Mikrocontroller und Mikroprozessoren, bestehen heutzutage aus MOS-FETs (Stichwort: CMOS).
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Open Drain in LTSpice simulieren -> Problem der FET zieht nicht auf GND
Hallo zusammen, bin gerade am verzweifeln. Kann mir einer vielleicht erklären warum der FET nicht nach Masse schalten tut? Soll am Ende eine Schaltregler Simulation werden. Gruß Frank
Achim S. schrieb im Beitrag #6473008: > der TO beschwert sich, weil sein FET "nicht nach Ground zieht". Der > Pull-Up ist für die Frequenz zu hochohmig, aber das Schalten nach Masse > behindert er sicher nicht. Ja, stimmt natürlich. Der TO hat nur HIGH gesehen, weil er
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4 zu 16 decoder und FET
Hallo! Ich habe ein Problem. Ich möchte einen BUZ11 schalten mit einem 74HCT154. Kann ich den direkt anschließen? Die Logiktabelle des 74hct154 macht mir auch sorgen. Sind die Ausgänge immer auf high? Ich möchte nur einen FET Schalten und nicht 1 Ausschalten
>BUZ11 ein LL Fet? Ich dachte der ist so alt, da gab's noch gar keine LL >Fets. Immerhin 9A bei Vgs 5V.
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Bitte um Nachhilfe bei OP-Schaltung
brauchst du eine andere Schaltung, die DC-gekoppelt ist. Vergleiche mal am Scope: Da gibt es einen Schalter zur Kopplung, DC oder AC. Nimm mal ein Rechteck und schalte um von DC nach AC. C1 sorgt nun mal für eine AC-Kopplung. >Ich wollt aber zum Testen auch mal einen Kwarz mit Transistor dranhängen
. Hm, müssten das nicht -6V sein? Der Spannungsteiler geht doch von GND nach -VC > Durch den FET Q3 fliesst damit ein Strom von 4.4mA Der FET ist zwar ein ganz außerordentliches Kerlchen (das erste, dass ich sah, bei dem am Gate mehr als 20V anstehen dürfen), aber ohne Eingangssignal dürfte
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Integriererschaltung
Im ersten Schaltbild in reihe zu C1 einen CMOS-FET als Schalter einfügen. Wenn der offen ist, behält ein guter C1 von 0,1µF seinen Spannungswert über viele Stunden auf 1% genau. Nach dem Wieder-öffnen des FET macht der Integrierer an dem vom C1 gespeicherten Wert weiter. Also: leitender FET: Arbeit als Integrierer. Sperrender FET : Anhalten mit dem gerade erreichten Mittelwert. Wieder einschalten des FET: weitermachen mit dem gerade gepeichert gewesenen Wert. So etwas wäre doch ideal
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LM317 für 70V DC
nun? Vergiß einfach diese lächerliche LM317-Empfehlung und mach das mit PWM; es gibt genügend FETs, die 70V schalten können.
Am Darlington fällt ca. 1V ab, wenn das stört, kann man ja einen N-Fet nehmen.
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Schaltgeschindigkeit von FET berechnen.
Hallo zusammen, ich muss 12V schalten und mir sind bis jetzt nur diese Schaltung und spez. Gatetreiber eingefallen. Die Frage ist, wie schnell ist der Levelshifter??? Ich habe angenommen, der N-Fet schaltet vernachlässigend schnell (
Und was spricht dagegen, die LEDs anstatt in der Plus-Leitung in der Masse-Leitung (mit nur einem FET) zu schalten?
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Hilfe beim KiCad-Layout gesucht: 2-Fach Motorsteuerung (KFZ-Bereich)
Uwe schrieb im Beitrag #8074499: > Könnte jemand die Funktion des FETs erklären? Erster Gedanke war > Verpolschutz Dieser Gedanke wäre auch richtig, insofern der FET richtigherum drin wäre.
, stabilisiert sie ihre Spannung auf 12V, sie bricht nicht ein. Daher bleibt U_GS bei 12V, und der FET leitet nach wie vor.
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1 kW Heizungsregelung
Temperaturamplitude von bis zu 10°C, was nicht akzeptabel ist. Mein momentaner Lösungsansatz ist das PWM Schalten mit 10 kHz über zwei MOS-FETs plus EMV Filter. Ist ähnlich wie eine PFC nur ohne Gleichrichter.
mehreren Anzapfungen versehen und umschalten, mehrere 250W Heizungen je nach grobem Wärmebedarf schalten und eine 250W hinzudimmen > Mein momentaner Lösungsansatz ist das PWM Schalten mit 10 kHz über zwei > MOS-FETs plus EMV Filter. Ist ähnlich wie eine PFC nur ohne > Gleichrichter. Oder 1 MOSFET
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Transistor zum Schalten von 1 A / 12 V gesucht
Transistor, mit dem mich mit einem ATmega8 ich eine Heizfolie (1 A / 12 V / 12 W) mit einem ATmega8 schalten kann. Mit einen BD140/BD139 sollte das Schalten von 1A ja möglich sein, jedoch ist der BE-Strom relativ hoch. MOS Transistoren kommen, wenn ich das richtig verstanden habe, aufgrund der relativ
hallo, dann gck doch mal nach logik level mosfets! und wenn du nicht alt zu oft schaltest, was bei ner heizung nicht der fall sein sollte, kannst die mit nen kleinen R direkt an den µC hängen. den r aber nicht vergessen, weil der strom (je ach fet) durch seine gategapazität sehr viel
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Suche Idee zur Stromsicherung bei Ausfall des Leistungs-FET
Hallo! Die erste Idee wäre ein Relais in Serie. Solange der FET sauber schalten kann, muss das Relais ja nicht zur Lasttrennung benutzt werden und leidet somit auch nicht im "Normalbetrieb". Dafür ist natürlich eine Logik notwendig! Stromfluss & PWM --> OK
kenntnisse, komme eher aus der Kleinsignal-Ecke. eine mechanische lösung hätten wir bisher, oder 2 Fets in Reihe. mfg
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Motor PWM Problem
nach einer zu langsamen Freilaufdiode. Ganz grob wenn auch im Detail nicht perfekt korrekt: 1. Fet Schaltet durch, Diode ist gesperrt, Motortrom wird eingeprägt. 2. Fet sperrt, Freilaufdiode wird aktiv und leitet den induzierten Stromfluß ab. 3. Fet schaltet wieder durch. Eine leitende Diode
Steuerung ebenfalls integriert oder aber man braucht eine seperate Steuerung. Übrigens braucht auch ein Fet Zeit zum sperren. Die "Diode" (jetzt Fet) einfach synchron zum ersten Fet mitlaufen zu lassen ist nicht ausreichend. Dabei kann es passieren, daß die Generatorspannung !noch während der off-Phase
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Synchron-Gleichrichter, Frequenz erhöhen
Warum soll man den CD4066 verwenden, wenn ein J-FET in der Schaltung angeblich geht? Gibt es wesentliche Vorteile? Ansonsten kommt mir das FET mit seinen drei Beinchen wesentlich einfacher zu realisieren vor. Außerdem muss ich vielleicht sagen, dass
Ganze niederohmiger auslegen. Dem stehen allerding die nicht unendlich kleinen On-Widerstände des FET-Schalters entgegen. Unter dem Aspekt der minimalen Ladungsinjektion stehen jedenfalls n-Kanal JFETs nach meiner Erfahrung besser da als die CMOS-Analog-Schalter. So ist das mit Analog-Technik...
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suche treiber IC für Charlieplexing
auch funktionieren. nur wie verstärke ich am besten die trestat logig? kann ich da einen ntyp fet mit einem ptyp fet quasie paralel schalten? man nach nem jahr ohne jedlichen kontakt zur elektrotechnik kommt man doch recht schwer wieder in gang :-)
> kann ich da einen ntyp fet mit einem ptyp fet quasie paralel schalten? Nein. Die Schaltschwellen schwanken um 1.:2 und sind daher nicht genau genug. Man braucht push pull Komparatoren wie LMC6762 (oder TS912 OpAmp)
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Sind 460 mcd hell genug?
brauchen die etwas mehr Strom) 35mW Verlustleistung, der deutlich besser erhältliche und kostengünstige FET hat nichtmal 1/10 davon. Außerdem ist er mit dem Microcontroller auch unproblematischer zu treiben. BJTs als Schalter in sind eigentlich tot, außer für spezielle Anwendungen. Nämlich z.B. dann, wenn man nur "irgendwas" schalten muss und die billigste Variante braucht, oder dann, wenn der Stromfluss zum Schalten erwünscht ist, weil beispielsweise Störungen eingestreut werden können.
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Low Side Schalter für positive und negative Spannungen
spuehlen. Die positiven Spannungen schaltet man mit P-Schaltern(Fet oder bipolar), die negativen Spannungen mit N-Schaltern(Fet oder bipolar).
Erde > bringen. Die Stromquellen sind nicht das Thema, hier ist alles fein, ebenso die High-Side Schalter > Die positiven Spannungen schaltet man mit P-Schaltern(Fet oder bipolar), > die negativen Spannungen mit N-Schaltern(Fet oder bipolar). Wir reden hier über die Low-Side, nicht die High-Side
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MOSFET Linearbetrieb möglich?
http://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Linearbetrieb_von_MOSFETs
ich ihn nicht > linear betreiben würde. Jeder MOSFET hat 3 Betriebsmodis: Sperr, Linear und Schalter!
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HF Transistoren testen, Fakes erkennen
das ist ja das Problem: Sendetransistoren SIND >> exotische Bauteile. > > Dann nimmt man halt FETs oder Mosfets. G Wofür steht eigentlich das "T" in FET?
HF-Transistors & Fets: http://kitsandparts.com/transistors.php
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$40 GDI inverter, neuerdings qualitätsprobleme?
jeder 310W dauer. Die zwei neuen, 2022 gekauften, machen probleme. Einer hat nach 30 min einen FET durchgebrannt, der andere macht nur 220W. Den FET hab ich inzwischen repariert, das dings macht aber auch nur 270W. Auffällig ist dass die alten eine MPPT spannung von 28V einstellen, während die
serienstreung. Vielleich haben die "fakes" eben nur 80V. Was wäre denn ein besserer ersatztyp für diese FET?
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Suche günstiges Labornetzteil 400V
mehrfach liest, eignen sich die alten Eisen viel besser für den Linear-Modus als neue hochgezüchtete Schalt-FETS. Also Infineon Coolmos C6: https://www.infineon.com/cms/de/product/power/mosfet/500v-900v-coolmos-n-channel-power-mosfet/600v-and-650v-coolmos-c6-e6/ Z.B. IPW60R041C6 ca. 1.2 A IXYS Linear-FETs
: Was erwartest Du von modernen FETs, die für die Marktanforderung "kein Linearbetrieb, jedoch schnelles Schalten bei hohem Strom" optimiert sind? Eben. Schau mal unter Infineon Optimos https://www.infineon.com/cms/en/about-infineon
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Transistor als Schalter?
zulässt. Beta (Stromverstärkung) ist exemplarabhängig, deshalb wählt man im Falle Transistor als Schalter ein entsprechend höheren Basisstrom als es der Verstärkungsfaktor erfordert und treibt damit den Transistor in die Sättigung.
sowieso nur zwischen zwei Anschlüssen Strom fließen, sofern es sich nicht gerade um einen Sperrschicht-FET handelt und man die Diode zwischen Gate und Kanal vergewaltigt.
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Berechnung Widerstände + Kondensatoren
nimm die Schaltung von Helmut. Dahinter benötigst du noch eine Leistungsstufe. Da du bis zu 4A schalten willst, solltest du hier einen LeistundsFET nehmen. Der ist spannungsgesteuert und kann je nach Typ auch den Strom am Drain. Du mußt aber die Spannung vom LM324 begrenzen. Nimm einen Widerstand z.B
Hallo FET / Bipolar Source <> Emitter, Gate <> Basis, Drain <> Kollektor. Deine Schaltung ist so ok. Zum Thema Bipolar versus FET: Der bipolare Transistor ist stromgesteuert. Du benötigst für einen
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PowerMosfet High-Side welchen Treiber
> Boost-Konverter? Der hätte den FET auch Lowside. Schon, aber da sind drei FETs. Und: was würde der FET rechts oben tun? Perpetuum Mobile? Netzrückspeisung?
>Und: was würde der FET rechts oben tun? Netzrückspeisung? Ganz sicher mit DHS! Der Ersteller nannte es Booster Schaltung als will er wohl die Spannung erhöhen. Ich kenn keine Konverter Topologie, die Mit 3Schaltern 3Dioden
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FET und Digitalpins
Matrix 16 Zeilen). Die LED haben mindestens 80mA peak current. Dann kommen also 80mA x 64 LED für einen FET in frage. Ich habe hier noch einige smd Typen rumliegen, worauf kommt es bei der Wahl des FET in dem Fall an. Ich habe mal gehört das es FET gibt die besser für rechtecksignale geeignet sind und
>kommen also 80mA x 64 LED für einen FET in frage. Was ist denn das für ein Quatsch? Du willst die LEDs doch nicht etwa einfach so mal parallel schalten?
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Installationsschütz elektronisch (Fet /Thyristor)
Hallo, bin gerade am Hausbauen und will alles mit einer SPS aufbauen, welche die Schalter (24V) alle abfrägt und die Ansteuerung der Verbraucher (230V) über Installationsrelais erledigt.... sowas wie das da http://www.ebay.de/itm/Schutz-Installationsrelais-Installationsschutz-24V-DC-/280870189806?pt=Sch%C3%BCtze_Meldeger%C3%A4te&hash=item41652afaee Ich habe aber Bedenken, wegen der mech. Kontakte und der Schalthäufigkeit. Mir wäre wohler, wenn ich das vielleicht elektronisch hätte. Also kein Dimmer oder so - einfach nur EIN und AUS .. kein FlipFlop gar nix. Kennt jemande so etwas?
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Benötige Hilfe beim Schltplan
der rechten Seite nur 12V. Was für einen Optokoppler zum Trennen der Stromkreise und was für ein FET/Transistor zum Schalten der Pumpen würdet ihr mir empfehlen?
schrieb im Beitrag #6810719: > Was für einen Optokoppler zum Trennen der Stromkreise und was für ein > FET/Transistor zum Schalten der Pumpen würdet ihr mir empfehlen? Mosfet: - STN3NF06L
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Zuschaltbarer Step-Up mit P-FET - Idee - geht aber nicht?
Einfachste Lösung - das würde garantiert funktionieren - daher kam ich urspünglich auf die Idee mit den FETs ... Kann man die anders beschalten? Ggf. mit uC schalten? Wer kann diese Knobelaufgabe lösen oder zur Lösung beiragen? Danke jedenfalls für die Hilfestellungen.
Hallo Mario, mir ist klar wie ein FET funktioniert, dass man ihn schalten kann usw.. Jedoch will ich ihn als Diode betreiben und habe ihn deshalb verkehrtherum angeschlossen. Diese Art ihn anzuschließen wird als Verpolschutz gemacht. Würde
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Halbbrückentreiber IR2183 - HIGH und LOW out gleichzeitig geschaltet
kann, habe ich Optokoppler nachgeschaltet, die einen höheren Spitzenstrom liefern können, um die FETs schneller einschalten zu können, ohne, dass der Halbbrückentreiber stark belastet wird. Insgesamt stehen für das Schalten des MOSFET und die Ströme für die Optokoppler 35uF zur Verfügung, ist das
Michael, bitte sag doch mal, welche FETs Du hier wofür genau schalten willst - bitte. Oder statt wofür genau - zumindest ungefähr. Und ob (mehr als Level-Shift) galvanische Trennung nötig ist (und ohne wofür genau evtl. noch warum). Sascha
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Frage zu ATtiny26 als Steuergerät
Der verwendete FET IRF510 ist wenig geeignet. Die nötige Gate-Drain Spannung ist zu hoch(zu kanapp) um den FET mit TTL Pegeln sicher auf zu steuern. Der vorgeschlagene IRLZ34N ist besser. Auch ein IRL3705N würde es
GS = Gate-Source Widerstaende von 100kOhm von Gate nach Source an den FETs
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P-Kanal-FET Antiparallel betreiben
Du musst zwei FETs antiseriell schalten
Markus schrieb im Beitrag #4207193: > Passt das so? Schalte lieber die Sources zusammen und spiegel endlich mal den einen FET. https://www.mikrocontroller.net/topic/372305?goto=4207199#4207182
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LED Schaltung
entgegenzusetzen kann Jeder! Mit dem Sourcefolger meinst du sicher die PFETs. Naja, sie taugen als Schalter nicht so wie die NFETs ja, aber für meinen Fall genügt es und ich brauche, um damit zu spielen und zu Visualisieren keine aufwändigen FET Treiber oder entsprechende Ansteuerung mit Transistoren aufbauen
erhalte ich UGate-5V = 3.3-5V = -1.7V Da die Diode eine Vorwärtsspannung von ca. 2V hat, sperrt der FET sicher.
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LTSpice Simulation H brücken Treiber
meiner meinung nach doch ein wenig zu hoch. Es ist ja auf dem Diagramm zu erkennen dass beide FETs zur selben zeit schalten. Wie kann das denn sein wenn die Steuerspannungen sich zu verschiedenen Zeiten ändern. Das ist ja genau das was mit dem LTC4449 verhindert werden soll
G.S schrieb im Beitrag #4628918: > Es ist ja auf dem Diagramm zu erkennen dass beide FETs zur selben zeit > schalten. Woran machst du fest, dass sie gleichzeitig schalten? An U_GS nicht, denn die sind nie gleichzeit über der Schwelle. Und Stromfluss geht auch durch den gesperrten Kondensator
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H-Brücke gegen falsche Ansteuerung schützen
anschließen. Mit der Totzeit habe ich auch gespielt, bei 1µs war klar zu erkennen, dass ein Schalter abgeschaltet und der andere ohne Kurzschluss einschaltet. (12V bei 10R Gatewiderstand, über lege auf 20R zu gehen. ) Anbei erst mal den Schaltplan der Logic(Brücke.png :)) und der Brücke(SChalter.png
Definitiv nicht, es gibt zwar flinke, aber auch die sind zu langsam. > Der Kurzschluss zerstört dein Fet innerhalb von 2 ... 10mikrosekunden. > Schutzschaltung wie Undgatter oder sonstige ist unabwendbar Dir ist vermutlich entgangen, daß er den Lipo vor einem Kurzschluß schützen will. Die FETs muß
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MOSFET Dimensionierung
Was mich etwas stutzig macht: So wie ich einen MOSFET-Schalter kenne, hängt an Source ein entsprechend dimensionierter Widerstand. Der bestimmt den Strom und damit auch gleichzeitig das Potential Gate->Source , d.h. der FET arbeitet als Konstantstromquelle.
habe mir überlegt, dass ich einen 100K Widerstand nehme. > Wo bzw wie sollte ich den am Besten schalten? Wenn der uC Ausgang auf LOW (0V) ist, sperrt der MosFet. Wenn der uC-Ausgang jedoch als Eingang geschaltet ist so braucht es einen Widerstand Gate-Source (von 4K7 ... 10K). Damit ist sichergestellt
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Transistor durch MosFet ersetzen
aber nicht bei allen Transistoren gleich sein (Streuung). Richtig. Mal angenommen, wir haben einen FET1 mit 50 mOhm und einen FET2 mit 100 mOhm. Dann würde sich ein Strom von 3 Ampere aufteilen in 2A für FET1 und 1A für FET2. Demnach bekäme also FET1 eine Leistung von 2A*2A*50mOhm = 0,2W zu verbraten
" einstellen. Deshalb darf/sollte keine thermische Kopplung zwischen den FETs sein.
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RDSon < 500µOhm gesucht
Mehrere parallel schalten und beim Platinenentwurf auf die ausgewogenen Leiterbahnwiderstaende achten.
durchschnittliche Anwendung kommt mit "normalen" Rdson aus. Ansonsten halt wie schon erwähnt parallel schalten.
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Wie Drain durchkontaktieren für MOSFET Halbbrücke
keine Durchkontaktierungen gab, die hohe Ströme aushalten müssen. So hab ich quasi "Starkstrom" (FETs und Shunt) auf der Unterseite, und der ganze Rest (uC, FET-Treiber usw.) auf der Oberseite. Natürlich ist es auch mit Durchkontaktierungen möglich (sieht man auch bei gekauften Reglern), Da ich aber
bei Vollgas. Beim Gekauften Regler sieht es genau gleich aus, nur die Spitzen beim Ausschalten der FETs treten weniger auf...
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Totes Mainboard
hier noch ein Schaltungsbeispiel zu den FETs
Das hängt davon ab, ob der Schalttransistor als Low-Side Schalter oder High-Side Schalter verwendet wird.